【課題】残留亜鉛等のｐ型ドーパント除去エピタキシャル層を成長させなくても、ｐ型化合物半導体層の成長で使用したｐ型ドーパント原料の影響を受けることなく、エピタキシャル成長ができる。
【解決手段】基板１上に複数層の化合物半導体層６を、ｐ型ドーピング原料が供給されない第１の反応炉Ａを用いて積層成長し、前記積層された化合物半導体層６上に亜鉛などのｐ型ドーパントが添加されたｐ型化合物半導体層５を、第２の反応炉Ｂを用いて成長する。 （もっと読む）

【課題】 再現性よく、かつ高精度に回折格子を形成することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 基板上に、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を堆積する。この化合物半導体層に、回折格子を構成する複数の溝を形成する。溝内を埋め込みかつ回折格子を被覆するように、ＩｎＰからなる第１の層を、Ｉｎ原料として有機金属、Ｐ原料としてＰＨ_３または有機リンを用いたＭＯＣＶＤにより形成する。基板温度を第１の層の形成時よりも高くし、ＩｎＰからなる第２の層を形成し、その上に、活性層を形成する。前記化合物半導体層は、第１の層の形成期間中に熱変形を生じない。第１の層の形成工程において、成長速度のみを異ならせた条件でＩｎＰ層を堆積した場合に、活性層に相当する層のフォトルミネッセンス強度が、ＩｎＰ層を成長速度０．２μｍ／ｈの条件で堆積した場合のそれの１／１０となるような該ＩｎＰ層の成長速度よりも遅い成長速度で前記第１の層の堆積を行う。 （もっと読む）

【課題】発光特性を改善可能なIII−Ｖ化合物半導体光装置を作製する方法を提供する。
【解決手段】この方法では、活性層のための第１のIII−Ｖ化合物半導体層１９を有機金属気相成長炉２５で形成する。次いで、第１のIII−Ｖ化合物半導体層１９上に有機金属気相成長炉２５を用いて、III族構成元素としてガリウムおよびＶ族構成元素としてヒ素を含む第２のIII−Ｖ化合物半導体層２１を形成する。この後に、第２のIII−Ｖ化合物半導体層２１を形成した後に、有機金属気相成長炉２５に熱処理ガスＧａｓを供給すると共に有機金属ガスを供給することなく、第１のIII−Ｖ化合物半導体層１９を熱処理して第１のIII−Ｖ化合物半導体層中の水素濃度を低減する。熱処理ガスＧａｓは、水素ガス、窒素ガス、不活性ガスの少なくともいずれかを含むと共に、水素化物を含まない。 （もっと読む）

【課題】実質的に非制御下の混入による不純物を実質的に含まず、好適な特性を備えるIII-N層（IIIが周期表第III族の、Al、GaおよびInから選択される少なくとも一元素を示す）の製造方法および自立III-N基板を提供する。
【解決手段】Li(Al, Ga)O_X基板（１≦ｘ≦３）７上に、分子線エピタキシ法により少なくとも１つの第一のIII-N層１５を堆積させる工程を備える。厚い第二のIII-N層１７は、ハイドライド気相成長により第一のIII-N層１５上に堆積させる。このようにして製造された層１５、１７の冷却中、Li(Al, Ga)O_X基板７は全てあるいは大部分がIII-N層１５から脱落し、必要ならば、王水などのエッチング液により残留物７’を除去する。 （もっと読む）

放射生成に適している活性領域（３）を含んでおりかつラテラルな主延在方向を有している半導体層列（２）を備えた光電式半導体チップ（１）であって、前記半導体層列は基板（４）に配置されており、該基板は側面（１７）を有しており、該側面は前記主延在方向に関して斜めに形成されている側面領域（１８）および／または空所（２１）を有しておりかつ半導体チップは放射透過性でかつ導電性のコンタクト層（５）を有しているという半導体チップが提供される。
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【課題】サファイア基板の表面に下地層をエピタキシャル成長させたとき、下地層とサファイア基板の表面との間に隙間が生じることの無いＧａＮ系化合物半導体から成る下地層の形成方法を提供する。
【解決手段】ＧａＮ系化合物半導体から成る下地層の形成方法は、サファイア基板１０の表面に、ＧａＮ系化合物半導体から成る帯状のシード層１２を形成した後、シード層１２の頂面及び両側面上、並びに、露出したサファイア基板１０の表面に、ＧａＮ系化合物半導体から成る結晶成長促進層１４を形成し、次いで、結晶成長促進層１４の部分からＧａＮ系化合物半導体から成る下地層１５をエピタキシャル成長させる各工程を具備する。 （もっと読む）

【課題】 抵抗値の高いIII族窒化物半導体結晶、III族窒化物半導体基板、半導体装置およびIII族窒化物半導体結晶の製造方法を提供すること。
【解決手段】 ＧａＮ基板１のＦｅドープＧａＮ層１４は、遷移金属原子であるＦｅ原子が添加されたIII族窒化物半導体結晶であって、Ｇａ原子空孔密度が１×１０^１６ｃｍ^−３以下である。ＦｅドープＧａＮ層１４のＦｅ原子の密度は、５×１０^１７ｃｍ^−３〜１０^２０ｃｍ^−３である。また、ＦｅドープＧａＮ層１４のＦｅ原子の密度は、ＦｅドープＧａＮ層１４中の酸素原子およびシリコン原子の合計の密度よりも高い。 （もっと読む）

【解決手段】本発明は、透明基板を用いた多結晶シリコン薄膜の製造方法及び製造装置であり、ＲＴＰ光源を、熱処理源ではなく、多結晶シリコン蒸着のためのエネルギー源として用いるものであり、その方法は、透明基板上に光吸収層を形成し、ＲＴＰ（Rapid Thermal Process）光源の照射により光吸収層を加熱しながら、光吸収層上に多結晶シリコン薄膜を蒸着することを行うことで、電気的特性が良好な多結晶シリコン薄膜を製造することができる。 （もっと読む）

【課題】埋め込み構造の形状のばらつきを低減可能な、半導体光素子を作製する方法を提供する。
【解決手段】キャップ膜１９上に［０１１］方向に沿って伸びるエッジを有するマスク２９を形成する。ＩｎＰである第２導電型クラッド層３７、エッチングされた活性領域３５、および第１導電型クラッド層３３を含むメサ構造３１を形成する。そして、第２導電型クラッド層３７の側面３７ａにおいてマストランスポートを引き起こして、第２導電型クラッド層３７の側面３７ａに（１１０）面側面３７ｂを形成する。該マストランスポートの後に、マスク３９を用いて埋め込み領域を形成する。マスク２９およびキャップ層１９を除去した後に、第２導電型III−Ｖ化合物半導体領域を成長する。 （もっと読む）

【課題】 ＭＯＣＶＤ法によるＰＭＯ／ＣＭＯ超格子構造を有するＰｒ_ｘＣａ_１−ｘＭｎＯ_３薄膜の形成方法を提供する。
【解決手段】 ＭＯＣＶＤ法によるＰＭＯ／ＣＭＯ超格子構造を有するＰｒ_ｘＣａ_１−ｘＭｎＯ_３薄膜の形成方法は、有機金属化合物と溶媒を準備する工程と、有機金属化合物と溶媒を混合してＰＭＯ前駆体及びＣＭＯ前駆体を形成する工程を備え、ＰＭＯ前駆体及びＣＭＯ前駆体は、ＭＯＣＶＤ反応室の気化器に注入される。ＰＭＯ前駆体とＣＭＯ前駆体を交互にＭＯＣＶＤ反応室の気化器に注入することによりナノサイズのＰＣＭＯ薄膜または結晶質のＰＣＭＯ薄膜を形成するために堆積パラメータが選択される。選択された堆積パラメータは、ＰＣＭＯ薄膜の特定部分において所望のＰｒ：Ｃａ濃度比を有するＰＣＭＯ薄膜種を堆積するために維持される。得られたＰＣＭＯ薄膜は選択された温度で選択された時間アニーリングされる。 （もっと読む）

【課題】特別な工程を加えることなくチップ分離を容易にし、製造工程時間を短縮することができ、チップ分離の際に発光領域に損傷が加わらないようにすることができる窒化物半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】成長用基板１上に誘電体マスク２を形成したものに、窒化物半導体結晶１０を成長させる。窒化物半導体結晶１０は、ｎ型窒化物半導体層３、活性層４、ｐ型窒化物半導体層５等で構成されている。誘電体マスク２は、チップ形状に合わせて、矩形状にくり抜かれた開口部を有しており、この開口部の領域において成長用基板１上で、窒化物半導体結晶１０を成長させ、隣接するチップ間が分離した状態で結晶成長を終了させる。 （もっと読む）

【課題】 気相成長装置において、原料ガスの種類の切り替え、原料ガス流の変化、成膜反応熱、加熱条件などにより発生する反応室内部の温度勾配を是正し、膜厚および膜質の均一な薄膜を形成する。
【解決手段】 反応炉２と、反応炉２の内部に設けられ、原料ガス導入口４およびガス排出口５を有する反応室３と、反応室３内に設けられ、薄膜を形成するための基板６，７，８，９，１０を載置するサセプタ１１と、サセプタ１１の下方に設けられ、基板６，７，８，９，１０を加熱する基板加熱手段１２と、サセプタ１１および基板加熱手段１２を支持する回転軸１３とを含んで構成される気相成長装置１において、反応炉２の上面２ａと反応室３との間に、熱を反射、吸収または透過する温度制御部材１３を設け、薄膜成長の度合いに応じて、温度制御部材１３に変形および／または位置制御を施し、反応室３内の温度分布を調整する。 （もっと読む）

【課題】 パワー半導体デバイスにおいて、漏れ電流路が形成されることを防止する製造方法を提供する。
【解決手段】 III族窒化物パワー半導体デバイスの製造方法において、少なくとも２つの異なる成長方法により、遷移層を基板上で成長させる。 （もっと読む）

【課題】
欠陥のないゲルマニウムＥＬＯ層を形成すること。
【解決手段】
ゲルマニウム光検出装置の製造方法は、シリコン基板を準備する工程と、シリコン酸化膜を形成し平坦化する工程と、前記シリコン酸化膜にコンタクトホールを形成する工程と、前記シリコン酸化膜の上および前記コンタクトホール内に、第１エピタキシャルゲルマニウム層を形成する工程と、前記第１エピタキシャルゲルマニウム層と露出している前記シリコン酸化膜との上に真性ゲルマニウム層を形成する工程と、前記真性ゲルマニウム層および露出している前記シリコン酸化膜の上に第２エピタキシャルゲルマニウム層を形成する工程と、ポリシリコン、ポリシリコン−ゲルマニウムおよびＩｎ_２Ｏ_３‐ＳｎＯ_２の群から選択される少なくとも１種からなる保護層を形成する工程と、個々の検出部を画定するために前記保護層を除去する工程とを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高速搬送においても放電が安定で、機能性堆積膜を数ｎｍ／ｓｅｃ以上の高速で形成する場合でも、電気的、光学的特性に優れ、量産時の素子の歩留りが向上する堆積膜形成装置を提供する。
【解決手段】堆積膜を形成する基板４の裏面に、表面に凹凸を有する天板２を接触させ、該天板２の表面凹凸に基板４を沿わせて凹凸形状とする堆積膜形成装置であって、該凹部又は凸部のピッチ、凹部と凸部の高低差と、基板４と平板電極３との最短距離とが特定の関係を満たすように設定する。 （もっと読む）

【課題】基板と電極との間の距離を狭く、製膜圧力を高して製膜しても、膜厚や膜質の分布の発生を抑制できる放電電極を提供する。
【解決手段】放電電極は、二本の横電極と複数の縦電極２１とを具備する。横電極は、互いに略平行に第１方向Ｘへ伸びる。縦電極２１は、二本の横電極の間に設けられ、互いに略平行に第２方向Ｙへ伸びる。縦電極２は、電極本体３０、ガス流通路３１、ガス拡散路３４、３５、ガス分散部３６とを備える。電極本体３０は、一端を一方の横電極に、他端を他方の横電極に接続される。ガス流通路３１は、電極本体３０の内部で第２方向Ｙへ伸び、ガス流通可能である。ガス分散部３６は、電極本体３０の外面で第２方向Ｙへ伸び、ガスが外部へ分散可能な複数の孔３７を有する。ガス拡散路３４、３５は、電極本体３０の内部で第２方向Ｙへ伸び、ガス流通可能に一側面をガス噴出し孔３２に、他の一側面をガス分散部３６に接する。 （もっと読む）

【課題】複数の基板に同時に気相成長させる化合物半導体を、それが極薄膜であっても、膜厚を均一化できる化合物半導体製造装置および化合物半導体製造方法を提供する。
【解決手段】複数の基板８が周方向に沿って配列される円盤状のサセプタ４と、サセプタ４を軸心廻りに回転させる回転シャフト６とをリアクター３内に備え、サセプタ４に設置された複数の基板８上に、ガス供給管１を通じて供給される材料ガスから化合物半導体を気相成長させる化合物半導体製造装置において、ガス供給管１は、サセプタ４の軸心に対向する位置に配設し、リアクター３の外周に向かう放射方向に材料ガスを流出させるガス供給部１ａを一端に設ける。このガス供給部１ａはサセプタ４の回転方向とは逆方向に回転可能とする。これにより、ガス供給部１ａが傾いても各基板８への材料ガスの分配に影響が及ぶのを回避することができ、基板８間での膜厚バラツキを低減できる。 （もっと読む）

【課題】ＧａＡｓの格子定数より低い格子定数を有する改善された擬似基板並びにかかる擬似基板を備えた半導体素子を提供する。
【解決手段】ＧａＡｓ製の半導体基板（１）であってその上に半導体層配列（２、１３、１４、３５）が施与された半導体基板であって、該半導体層配列（２、１３、１４、３５）は、Ａｌ_１−ｙＧａ_ｙＡｓ_１−ｘＰ_ｘ［式中、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１］からなる多数の半導体層を含み、その際、幾つかの半導体層は、それぞれリン割合ｘを有し、その割合は、半導体層配列の成長方向でその下にある隣接する半導体層中の割合よりも大きいことを特徴とする半導体基板と該基板を含む半導体素子とによって解決される。 （もっと読む）

【課題】燐化硼素系半導体層を双晶や積層欠陥等の結晶欠陥の密度の小さな結晶性に優れたものすることができる燐化硼素系半導体層を利用した半導体素子を提供する。
【解決手段】単結晶材料１１の表面１１Ａに接合させて設けた燐化硼素系半導体層１２を備えてなる化合物半導体素子において、単結晶材料１１は六方晶でその層厚の増加方向に略平行に｛０．０．０．１．｝結晶面１１Ｂが配列され、燐化硼素系半導体層１２は、｛０．０．０．２．｝結晶面１２Ｂが単結晶材料１１の表面１１Ａに略垂直に配列されるとともに、その｛０．０．０．２．｝結晶面１２Ｂの連続するｎ個分（ｎは２以上の正の整数、ここでは６）の距離が、単結晶材料１１のｃ軸の長さと略同等となるようにしたものである。 （もっと読む）

【課題】 単結晶基板上のＳｉＣ緩衝層を用いてその上に結晶欠陥の少ない結晶性に優れるIII族窒化物半導体層を形成することができ、発光特性や高周波特性を向上させることができるようにする。
【解決手段】 本発明は、単結晶からなる基板１０１と、その単結晶基板１０１の表面に設けられた炭化珪素層１０２と、その炭化珪素層１０２の表面に設けられたIII族窒化物半導体からなる介在層１０３とを備えた半導体素子１０において、炭化珪素層１０２は、化学量論的に珪素を富裕に含む立方晶からなり、表面が（３×３）構造の再配列構造を有するものである。 （もっと読む）