プラズマからの蒸着により基板（１４）上に非晶質材料の膜を形成する方法を開示している。基板（１４）を容器内に配置し、膜用前駆ガスを各管（２０）を通じて容器内に導入し、容器内を低圧にすべく未反応および解離ガスを容器から各管（２２）を通じて抽出する。容器内でプラズマを生成するために分散型電子サイクロトロン共鳴（DECR）により容器内のガスに所定の周波数と出力レベルの連続したパルスとしてマイクロ波エネルギーを導入し、プラズマから材料を基板上に蒸着する。蒸着した材料の厚さにわたってバンドギャップを変化させるべく材料の蒸着中にパルスの周波数および／または出力レベルを変える。 （もっと読む）

【課題】 品質及び特性の優れた半導体装置の形成が可能な半導体基板を製造する。
【解決手段】 半導体基板の表面に酸化膜を形成する工程と、前記表面を前記酸化膜が覆っている状態で前記半導体基板に炭素を５×１０¹³〜５×１０¹⁵ｃｍ^-2のドーズ量でイオン注入する工程と、前記表面を前記酸化膜が覆っている状態で前記イオン注入後に前記半導体基板をアニールする工程と、前記アニール後に前記表面上にエピタキシャル層を形成する工程とを有する。このため、不純物及び結晶欠陥を炭素によって強力にゲッタリングすることができる半導体基板を製造することができる。 （もっと読む）

【課題】ＩＩＩ族窒化物半導体の複数の半導体部材を成長させる際の結晶性を向上できる半導体デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】半導体デバイスの製造方法は、下地基板の上に第１バッファー層を形成する第１バッファー層形成工程と、前記第１バッファー層の上に、複数の開口を有するマスクを形成するマスク形成工程と、前記第１バッファー層の表面において前記複数の開口により露出された複数の領域に、ＩＩＩ族窒化物半導体の複数の第２バッファー層を形成する第２バッファー層形成工程と、前記複数の第２バッファー層の上に、ＩＩＩ族窒化物半導体の複数の半導体部材を成長させる成長工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】小型化及び材料コストの低減を図ることができる半導体装置及びＬＥＤプリントヘッドを提供する。
【解決手段】半導体装置は、集積回路が形成されたＳｉ基板１０１と、Ｓｉ基板１０１上に形成され、集積回路により独立に電位を制御可能なｍ個（ｍは２以上の整数）のメタル層１０３と、ｍ個のメタル層１０３の各々に貼り付けられ、メタル層１０３に面する側が共通接続されたメタル層１０３当たりｎ個（ｎは２以上の整数）のＬＥＤ素子１０５と、メタル層１０３と集積回路とを接続する共通配線１３１と、一の導通層１０３に貼り付けられたｎ個のＬＥＤ素子１０５の各々から引き出された個別配線１０６とを備え、ＬＥＤ素子１０５は、積層されたエピタキシャル層１０４で構成され、個別配線層１０６は、ＬＥＤ素子１０５の導通層とは反対側に接続されている。 （もっと読む）

【課題】広範囲の波長帯において、窒化物半導体層の組成分布、例えば、活性層の結晶性
やＩｎ含有量を均一にして、寿命特性及び素子特性が一層優れた素子を提供することを目
的とする。
【解決手段】 窒化物半導体基板の主面上に第１導電型の窒化物半導体層と、多重又は単一量子井戸構
造をしており、少なくとも井戸層にＩｎを含む活性層と、第１導電型とは異なる導電型をした第２導電型の窒化物半導体層と、前記第２導電型の窒化物半導体層にストライプ状のリッジ部とを備えてなる窒化物半導体レーザ素子であって、前記窒化物半導体基板の主面には、Ｃ面（０００１）から、前記ストライプ状のリッジ部に対して略平行方向かつＭ面（１−１００）に対して略垂直方向にオフ角ａ（θ_aと、リッジ部に対して略垂直方向かつＭ面（１−１００）に対して略平行方向にオフ角ｂ（｜θ_b｜）を有しており、｜θ_a｜＞｜θ_b｜＞及び０．２°≦｜θ_a｜≦０．３°を満たす窒化物半導体レーザ素子。 （もっと読む）

【課題】平坦でかつ結晶欠陥が極端に少ない（好ましくは無転位の）窒化ガリウム半導体層をｃ面以外の主面を持つ窒化ガリウム基板上に形成することができる窒化物半導体製造方法を提供する。
【解決手段】ＧａＮ単結晶基板１は、ｃ面以外の主面（たとえばｍ面）を持つ。このＧａＮ単結晶基板１上に、有機金属化学気相成長法によって、ＧａＮ半導体層２が形成される。この際に、ガリウム原料に対する窒素原料の割合（モル比）であるＶ／III比が１０００以上の条件を用い、前記Ｖ／III比が１０００未満の条件を用いることなく、また、ＧａＮ単結晶基板１の表面に、バッファ層を介在させることなく、ＧａＮ半導体層２を成長させる。 （もっと読む）

【課題】ソース・ドレインを構成するシリコンゲルマニウムの成膜方法を工夫することで、短チャネル効果の抑制と移動度の向上を両立させることを可能とする。
【解決手段】半導体基板１１に絶縁ゲート型ＦＥＴを形成する半導体装置の製造方法であって、絶縁ゲート型ＦＥＴのソース・ドレイン１９、２０は、半導体基板１１のソース・ドレインが形成される領域に凹部１６を形成した後、シリコン原料ガスと、ゲルマニウム原料ガスと、エッチング成分ガスの塩化水素ガスと、搬送ガスの水素ガスとを成膜雰囲気に供給して、凹部の内面に沿って不純物を含まない第１ＳｉＧｅ層１７を形成し、各ガスをその供給量を調整しながら成膜雰囲気に導入しつつ、不純物を含む不純物原料ガスを徐々に成膜に必要な所定量まで増加させながら成膜雰囲気に供給して、凹部の第１ＳｉＧｅ層１７上に不純物を含む第２ＳｉＧｅ層１８を形成してなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】III族元素としてガリウム及びインジウムを含むと共にＶ族元素としてヒ素及び窒素を含むIII−Ｖ化合物半導体およびＧａＡｓを成長する際に、ＧａＡｓの結晶品質を向上可能なIII−Ｖ化合物半導体を成長する方法を提供する。
【解決手段】光ガイド層１３ａのためのＧａＡｓ層、井戸層１３ｂのためのIII−Ｖ化合物半導体層、障壁層１３ｃのためのＧａＡｓ層、井戸層１３ｄのためのIII−Ｖ化合物半導体層および光ガイド層１３ｅのためのＧａＡｓ層を連続して成長するシーケンスにおいて、引き続く成長のために温度を下げる成長中断期間中および引き続く成長のために温度を上げる成長中断期間中、有機ヒ素化合物といった砒素化合物および／または有機窒素化合物といった窒素化合物を含むガスを有機金属気相成長炉へ供給する。 （もっと読む）

【課題】単一化合物基板上でのＨＢＴ及びＦＥＴデバイスの適切な集積を可能とするエピタキシャルウエハの製造方法を提供する。
【解決手段】ウエハ上に（ＨＢＴ及びＦＥＴのような）少なくとも２つの異なるタイプの集積活性デバイスをその後に作製するのに適したエピタキシャル第３〜５族化合物半導体ウエハを作製する方法を、基板を提供するステップ；基板上に第１のエピタキシャル構造体を成長させるステップ；及び第１のエピタキシャル構造体上に第２のエピタキシャル構造体を成長させるステップによって構成した。 （もっと読む）

【課題】目的は、製品の品質のバッチ毎のばらつきが抑制される薄膜製造方法及び薄膜製造システムを提供すること。
【解決手段】薄膜製造装置１を用いた薄膜製造方法は、（ａ）製膜バッチ処理Ｌを実行して基板８上に薄膜１１３を形成する工程を具備する。（ａ）工程は、（ａ１）基板８を対向電極２に保持する工程と、（ａ２）製膜室６内に薄膜１１３の原料を含むガスＬを導入する工程と、（ａ３）ガスＬを導入しながら、放電電極３と対向電極２との間に高周波電力１０５を印加して基板８上に薄膜１１３を形成する工程とを含む。（ａ）工程は、薄膜製造装置１についてのセルフクリーニングＮの後、その次のセルフクリーニングＮ’の前に実行される。（ａ３）工程において、セルフクリーニングＮから製膜バッチ処理Ｌまでに薄膜製造装置１が実行する製膜バッチ処理の回数Ｌに基づいて高周波電力１０５が制御される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ＺｎＯ基板上に形成された、ＡｌＮおよびＡｌ組成比の大きなＡｌ_ｘＧａ_１−ｘＮの高品質の結晶層を提供することを目的とする。
【解決手段】ＺｎＯ基板上に成長したＡｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ層（但し、ｘは、０．６≦ｘ≦１．０を満たす数である。）であって、成長面に対する、Ｘ線回折強度の角度依存性の半値全幅ａ_１が、０．００１°≦ａ_１≦０．５°を満足することを特徴とするＡｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ層。 （もっと読む）

低温度（ＬＴ）でマグネシウム（Ｍｇ）をドーピングした窒化物半導体の薄膜を堆積させることによって、改善された品質のデバイスを成長させるための方法である。該低温度でＭｇドーピングした窒化物半導体の薄膜は、５０ｎｍより大きい厚さを有し得る。多重量子井戸（ＭＱＷ）の活性層は、成長温度において成長させられ得、該ＬＴ Ｍｇドーピング窒化物半導体の薄膜は、該成長温度を超え、１５０℃以下である基板温度において、該ＭＱＷ活性層に堆積され得る。
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【課題】電流利得βの向上が図れる半導体装置用エピタキシャルウェハ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板(1)上に、少なくともIII−Ｖ族化合物半導体からなるコレクタ層(3)、ベース層(4)及びエミッタ層(5)が積層形成された半導体装置用エピタキシャルウェハにおいて、ベース層(4)中のＣ濃度分布が、エミッタ層(5)との界面近傍において低濃度になっている。 （もっと読む）

【課題】ｐ型不純物をＭｇとする場合に、ｐ型窒化物半導体層を低温度で結晶成長させることができるとともに、結晶成長を行う反応室に接続されている配管へのＭｇ化合物の付着を抑制することができる窒化物半導体素子を提供する。
【解決手段】窒化物半導体結晶２は、ＳｉＣ基板１の非極性面上に、結晶成長させる。窒化物半導体結晶２は、ＭＯＣＶＤ法等によって形成され、その成長表面が非極性面又は半極性面で成長する。窒化物半導体結晶２中のｐ型窒化物半導体層のｐ型不純物にはＭｇを用いるが、そのＭｇのドーパント材料として（ＴＭＡｌ）_２ＤＭＭｇを使用する。 （もっと読む）

【課題】４接合太陽電池を実現でき、デバイスを大面積化できる多接合型太陽電池の製造方法を提供する。
【解決手段】第１の半導体からなる基板２上に核生成サイトを配設し、第１の原料ガスを供給し、核生成サイトに半導体３をワイヤー状に成長させる。第３〜４の原料ガスを供給し、半導体３上に半導体４を、半導体４上に半導体５をワイヤー状に成長させる。基板６上に核生成サイトを配設し、第１の原料ガスを供給して、核生成サイトに半導体２ａをワイヤー状に成長させ、第２〜４の原料ガスを供給して、半導体２ａ上に半導体３を、半導体３上に半導体４を、半導体４上に半導体５ワイヤー状に成長させる。前記半導体は基板２，６に近いほどバンドギャップが狭く、離れるほどバンドギャップが広い。核生成サイトはＡｕ等の触媒粒子からなる。半導体２，２ａはＧｅであり、半導体３はＩｎＧａＡｓであり、半導体４はＧａＡｓであり、半導体５はＡｌＧａＡｓである。 （もっと読む）

【課題】 基板上にエピタキシャル層スタックを形成する方法の提供。
【解決手段】 （１）エピタキシャル層スタックのターゲット炭素濃度を選択するステップと、（２）基板上に炭素含有シリコン層を形成するステップであって、炭素含有シリコン層が、選択されたターゲット炭素濃度に基づいて選択される初期炭素濃度、厚さ及び堆積時間の少なくとも一つを有する、前記ステップと、（３）エッチングの前に炭素含有シリコン層上に炭素を含有しないシリコン層を形成するステップと、を含む方法を用いる。多数の他の態様も提供される。 （もっと読む）

【課題】 平坦化したＳｉＧｅ層上に、該ＳｉＧｅ層表面の平坦性を悪化させずに、歪みＳｉ層をエピタキシャル成長させることを目的とする。
【解決手段】 Ｓｉ単結晶基板上にＳｉＧｅ組成傾斜層、ＳｉＧｅ組成一定層を形成する工程と、該ＳｉＧｅ組成一定層の表面を平坦化する工程と、該平坦化されたＳｉＧｅ組成一定層の表面上の自然酸化膜を除去する工程と、該表面の自然酸化膜が除去されたＳｉＧｅ組成一定層上に歪みＳｉ層を形成する工程とを備える半導体基板の製造方法において、前記ＳｉＧｅ組成傾斜層の形成及び前記ＳｉＧｅ組成一定層の形成は、８００℃より高い温度Ｔ_１で行い、前記ＳｉＧｅ組成一定層の表面の自然酸化膜の除去は、還元性ガス雰囲気下において８００℃以上かつ前記温度Ｔ_１よりも低温である温度Ｔ_２で熱処理することによって行い、前記歪みＳｉ層の形成は、前記温度Ｔ_１よりも低温である温度Ｔ_３で行う半導体基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】簡単な部材を追加するだけで基板の温度を効果的に上げることができ、ヒーター寿命の延長や消費電力の低減を図ることができる気相成長装置を提供する。
【解決手段】フローチャンネル１１内に設置したサセプタ１２に保持した基板１３を、サセプタ１２を介してヒーター１４で加熱するとともに、前記フローチャンネル１１内に原料ガスを供給して基板面に反応生成物を堆積させて薄膜を成長させる気相成長装置において、前記基板面に対向するフローチャンネル１１の壁面に、前記反応生成物よりも熱反射率が高い反射部材１８を設け、基板１３から放射された輻射熱を反射部材で反射して基板１３を再加熱する。 （もっと読む）

本発明は、基板（１）の上に、例えばＧａＮ層（５）のような、ＩＩＩ族−窒化物層の堆積または成長を行う方法を提供するものであり、基板（１）は、少なくともＧｅ表面（３）、好適には六方対称を有する。この方法は、基板（１）を４００℃と９４０℃の間の窒化温度に加熱するとともに、基板（１）を窒化ガスの流れに露出させる工程と、続いて、１００℃と９４０℃の間の堆積温度で、Ｇｅ表面（３）の上に、例えばＧａＮ層（５）のようなＩＩＩ族−窒化物を堆積する工程を含む。本発明の具体例にかかる方法では、良好な結晶品質を有するＧａＮ層（５）のようなＩＩＩ族−窒化物が得られる。本発明は、更に、本発明の具体例にかかる方法で形成されたＩＩＩ族−窒化物／基板構造と、少なくとも１つのそのような構造を含む半導体デバイスを提供する。 （もっと読む）

【課題】同一のプラズマ反応室内において、少なくとも２のプラズマ処理工程を行う場合、その装置構成によりプラズマ処理の条件が制限される工程においてもより多様なプラズマ処理を行うことができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】少なくとも２のプラズマ処理工程を同一のプラズマ反応室内で行う場合に、各工程においてプラズマ処理用の電力としてＣＷ交流電力またはパルス変調された交流電力を適宜選択する。これにより、装置構成によりプラズマ処理の条件が制限される工程においてもより多様なプラズマ処理を行うことができるプラズマ処理装置。 （もっと読む）