【課題】ａ面に関連した非極性窒化ガリウム系半導体を用いると共に良好な発光強度を提供できる構造の窒化物系半導体発光素子を提供する。
【解決手段】活性層１７は、波長４４０ｎｍ以上５５０ｎｍ以下の範囲の発光波長の光を発生するように設けられる。第１導電型窒化ガリウム系半導体領域１３、活性層１７および第２導電型窒化ガリウム系半導体領域１５は、所定の軸Ａｘの方向に配列されている。活性層１７は、六方晶系Ｉｎ_ＸＧａ_１−ＸＮ（０．１６≦Ｘ≦０．３５、Ｘは歪み組成）からなる井戸層を含み、インジウム組成Ｘは歪み組成で表されている。六方晶系Ｉｎ_ＸＧａ_１−ＸＮのａ面が所定の軸Ａｘの方向に向いている。井戸層の厚さは２．５ｎｍより大きく１０ｎｍ以下である。井戸層の厚みを２．５ｎｍ以上にすることによって、発光波長４４０ｎｍ以上の発光素子を作製することができる。 （もっと読む）

【課題】III-Ｖ族領域での第１ｐ型ドーパントの密度が高められること。
【解決手段】ｐ型ドーパント（Ｂｅ：Ｉｎ）でドープされたIII−Ｖ族領域を含む半導体物質１４０において、ｐ型ドーパントは、第１ｐ型ドーパント（Ｂｅ）と、（少なくとも一つの）第２ｐ型ドーパント（Ｉｎ）（及び不純物）とを含み、前記第１ｐ型ドーパントの原子半径は前記第２ｐ型ドーパント（及び前記不純物）の原子半径のサイズと異なっており、前記第１ｐ型ドーパントの原子（Ｂｅ）は、前記第２ｐ型ドーパント（Ｉｎ）の原子に対して２番目に近い近傍の位置（１番近傍はＮ原子：図８）にある。 （もっと読む）

【課題】有機金属化合物のＩＩＩ族原料とヒドラジン誘導体を含むＶ族原料とを用いた低抵抗なｐ型窒化物系半導体層を含む窒化物系半導体積層構造を提供する。
【解決手段】基板と、この基板上に配設され、有機金属化合物のＩＩＩ族原料、アンモニアとヒドラジン誘導体とを含むＶ族原料、及びｐ型不純物原料を用いて形成され、含有する炭素濃度が１×１０^１８ｃｍ^―３以下であるｐ型窒化物系半導体層と、を備えたもので、抵抗値が低いｐ型窒化物系半導体層を含む動作効率の良い窒化物系半導体積層構造を構成することができる。 （もっと読む）

【課題】特に複数枚の基板をサセプタ上に載置して同時に成膜を行うことができる形態の薄膜製造装置において、簡便な構成で均一な薄膜形成が行えるようにする。
【解決手段】反応室内に基板を保持し、回転可能なサセプタと、反応室に連接され、基板表面に平行にガスを導入するガス導入部と、を含む薄膜製造装置であって、ガス導入部が基板に対してガスが吐出される開口部と、該開口部に連接され、前記基板表面に平行に且つ該開口部からのガスの吐出方向に対して垂直にガスを導入するガス入力部とから成るようにする。これにより、サセプタ上に供給されるガスが不均一となり、結果として非常に簡便な構成で以て均一な薄膜を形成することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】半導体上にモフォロジの良好な半導体層を選択的にエピタキシャル成長させる。
【解決手段】リセスド・ソース・ドレイン型ｐＭＯＳＦＥＴを形成する際、ＳＴＩを形成したＳｉ基板上にゲート絶縁膜を介してゲート電極を形成し（ステップＳ１）、サイドウォールを形成した後（ステップＳ２）、その両側のＳｉ基板に部分的にリセスを形成する（ステップＳ３）。そして、そのＳｉ基板のリセス内に、下層部の方が上層部よりも、サイドウォールやＳＴＩに対する成長選択性が低くなるような条件を用いて、下層部と上層部をエピタキシャル成長させ、ＳｉＧｅ層を形成する（ステップＳ４，Ｓ５）。これにより、Ｓｉ基板のリセス内に、サイドウォール等に対する成長選択性を確保しつつ、モフォロジの劣化が抑えられたＳｉＧｅ層を形成することが可能になる。 （もっと読む）

【課題】膜厚や組成の面内均一性が優れたエピタキシャル層の成長を実現し、従来よりも大径化した基板を利用可能とすることによって、従来よりも発光素子の低コスト化が可能な発光素子用エピタキシャルウエハを提供する。
【解決手段】100〜200 mmの外径を有するn型導電性GaAs基板上に、少なくともn型導電性AlGaInPクラッド層、AlGaInP活性層、p型導電性AlGaInPクラッド層およびp型導電性コンタクト層のエピタキシャル層が順次形成され、前記エピタキシャル層の各層が±２％以下の有効面内膜厚分布を有する本発明のAlGaInP系半導体発光素子用エピタキシャルウエハは、有機金属気相成長法において、成長ガスの流量を20〜70 NL/minとし、サセプタと同心円状に前記サセプタに複数設置された前記基板の内接円の半径を250〜60 mmとし、基板加熱ヒータ面と前記サセプタの距離を21〜50 mmとし、かつ成長ガス流路の高さを33〜３mmと制御することにより製造される。 （もっと読む）

【課題】 動作時のオン抵抗を充分に小さくすることが可能な高耐圧のＦＥＴ及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 ｐ型ＧａＮチャネル層１６がその上下をｎ型ＧａＮソース層１８及びｎ型ＧａＮドレイン層１４によって挟まれた積層構造をメサ形状に加工してその側面に傾斜面を形成し、この傾斜面におけるｐ型ＧａＮチャネル層１６の傾斜した側面上にＳｉＯ_２ ゲート絶縁膜２４を介してゲート電極４０Ｇａ、４０Ｇｂを設けている。即ち、ｐ型ＧａＮチャネル層１６の傾斜した側面をチャネル領域としている。このため、そのチャネル長をｐ型ＧａＮチャネル層１６の厚さによって制御することが可能となり、容易かつ高精度に短チャネル長化を達成することができる。 （もっと読む）

【課題】結晶シリコンで構成された薄膜トランジスタなどの半導体素子において結晶粒界の欠陥や結晶シリコン中に含まれる触媒金属や不純物の影響を受けない半導体薄膜を提供することを目的とする。
【解決手段】基板上に第１の結晶シリコン層１０２が形成され、第１の結晶シリコン層１０２の上に第２の結晶シリコン層１０３が形成される半導体薄膜において、第２の結晶シリコン層１０３は、第１の結晶シリコン層１０２の結晶性を継承するようにエピタキシャル成長によって形成され、第２の結晶シリコン層１０３には、第１の結晶シリコン層１０２よりも、不純物の量が少なく、水素又はハロゲン元素が多く含まれることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】絶縁耐圧性と耐候性に優れた薄膜太陽電池を簡便かつ低コストで製造し得る方法を提供する。
【解決手段】薄膜太陽電池の製造方法において、透光性絶縁基板（１）の一主面の全領域を覆うように、表面凹凸を有する透光性絶縁下地層（２）を形成し、その透光性絶縁下地層の全周縁エッジから所定幅の内側までの全周縁領域を覆うマスク（１１）を設け、そのマスクの内側領域内において、透光性の酸化亜鉛電極層（３）、半導体光電変換層（４）、および裏面電極層（５）を順次堆積し、その後にマスクを除去し、さらに裏面電極層および透光性絶縁下地層の全周縁領域を覆うように裏面保護層（６１、６２）を接合させる工程を含む。 （もっと読む）

【課題】水素の取込量を低減可能な、窒素と他のＶ族原子とを構成元素として含むIII−Ｖ化合物半導体膜を成長する方法を提供する。
【解決手段】工程Ｓ１０３で厚さ１．５μｍのｎ型のＡｌＧａＡｓクラッド層を成長する。工程Ｓ１０５でＡｌＧａＡｓクラッド層上に活性層を成長する。具体的には、工程Ｓ１０５−１で厚さ１４０ｎｍのアンドープＧａＡｓガイド層を成長し、工程Ｓ１０５−２で、レーザ光の照射をしながら厚さ７ｎｍのアンドープのＧａＩｎＮＡｓ井戸層を成長し、工程Ｓ１０５−３で厚さ８ｎｍのアンドープのＧａＡｓ障壁層を成長し、工程Ｓ１０５−４で、レーザ光の照射をしながら厚さ７ｎｍのアンドープＧａＩｎＮＡｓ井戸層を成長し、工程Ｓ１０５−５で厚さ１４０ｎｍのアンドープのＧａＡｓガイド層を成長する。工程Ｓ１０７で、活性層上に、厚さ１．５μｍのｐ型のＡｌＧａＡｓクラッド層を成長する。 （もっと読む）

【課題】光取り出し効率の優れたＩＩＩ族窒化物化合物半導体発光素子を提供すること。
【解決手段】ＩＩＩ族窒化物化合物半導体とは屈折率が異なる基板上に、ＩＩＩ族窒化物化合物半導体からなる、第一の層および光学的機能層がこの順序で設けられており、該光学的機能層上に、ＩＩＩ族窒化物化合物半導体からなる、ｎ型層、発光層およびｐ型層が、発光層をｎ型層とｐ型層が挟むように設けられており、該第一の層の厚さが１０００ｎｍ以下であるＩＩＩ族窒化物化合物半導体発光素子。 （もっと読む）

【課題】搬送領域を搬送手段が移動することで、成膜処理を効率的に行う成膜処理システムを提供すること。
【解決手段】基板を成膜するための成膜処理システムは、基板を搬送するための搬送領域と、搬送領域を移動可能に設置された搬送手段であって、基板の収容及び取り出しを行う基板出し入れ手段を備える搬送手段と、前記基板の成膜を行う複数の成膜ユニットと、を有する。前記成膜ユニットのうち少なくとも二つの成膜ユニットは、これらが前記搬送領域を挟んで互いに間隔を開けて対成膜ユニットを形成するように配列される。 （もっと読む）

【課題】複雑な処理を必要とせずに高濃度のＧｅを含有するＳｉＣＧｅ結晶を成長する方法を提供する。
【解決手段】基板上のＳｉＧｅ結晶薄膜を炭化することによりＳｉＣＧｅ結晶薄膜を製造する。 （もっと読む）

【課題】結晶層界面を悪化させず、製造時間を増加させない不純物が添加されないエピタキシャル結晶及びエピタキシャル積層結晶並びにその結晶の製造方法及び積層結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】ＭＯＶＰＥ法で成長された不純物が添加されないエピタキシャル結晶１３であって、成長開始時から成長時にかけて成長温度が変化されながら成長が行われ、前記成長温度の変化に対応してＶ／ＩＩＩ比が変化されたことにより、成長温度変化に伴う残留炭素濃度変化が補償され、厚さ方向の残留炭素濃度が一定に保たれている。 （もっと読む）

【課題】良質のＩＩＩ族窒化物半導体薄膜およびそれを用いたＩＩＩ族窒化物半導体発光素子を提供すること。
【解決手段】Ｃ３結晶軸に対して−０．１°〜０．９°のオフ角を有する（１−１０２）面（いわゆるｒ面）のサファイア基板１１０上に、サファイア基板１１０の温度を１１００℃〜１４００℃の範囲内に制御しつつ、トリメチルガリウムを２００〜５００μｍｏｌ／ｍｉｎの流量で導入することにより、サファイア基板１１０上に（１１−２０）面（いわゆるａ面）のＧａＮ層１２０をエピタキシャル成長させる。これにより良質のＩＩＩ族窒化物半導体薄膜（ａ面ＧａＮ層）を得る。また、そのＩＩＩ族窒化物半導体薄膜を基板としてＩＩＩ族窒化物半導体発光素子を作成する。 （もっと読む）

【課題】 堆積膜の膜厚や膜特性の均一性を向上させ、さらに堆積膜の膜特性を向上させることが可能な堆積膜形成装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 複数の原料ガス導入管からなるガス導入手段と、
円筒状反応容器内の側壁より排気する排気手段と、
放電エネルギーにより原料ガスを励起する手段
を用いプラズマＣＶＤ法により堆積膜を前記円筒状支持体上に形成する装置において、
前記原料ガス導入管と、前記円筒状反応容器内の円周方向における排気方向は、同一の数で、かつ
下記に示す領域Aには、構造物が無いことを特徴とするプラズマＣＶＤ法による堆積膜形成装置。
領域A：円周方向は、下記Ｉ、II、IIIで囲まれ、かつ軸方向は前記円筒状支持体に対応した領域
Ｉ 前記原料ガス導入管の中心から、前記円筒状支持体の中心を結んだ直線
II 前記原料ガス管からみて、最も近い排気口の中心と、前記円筒状支持体の中心を結んだ直線。 （もっと読む）

【課題】膜特性が均一で、かつ、効率良く成膜及び装置のメンテナンスを行うことが可能なプラズマＣＶＤ技術を提供する。
【解決手段】本発明方法は、真空中で原料ガス雰囲気下においてほぼ平行に対向離間配置された一対の放電電極間に交流電圧を印加し、一対の放電電極のうち基板配置電極９側に配置した基板１０上に原料ガスの薄膜をプラズマＣＶＤ法によって成膜するものである。原料ガスとしてシリコンを含有するガスを基板配置電極９と基板配置電極９に対向するシャワープレート４間において基板配置電極９上の基板１０に向って導き、基板配置電極９に対して１００ｋＨｚ以上１ＭＨｚ以下の低周波交流電圧を印加し、基板配置電極９及びシャワープレート４間に生成されるグロー放電によって基板１０上にシリコン系薄膜を成膜する工程を有する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、Ｇｅ含有ガスを供給してＥｐｉ−ＳｉＧｅ等の成膜処理をする場合に、基板界面の酸素濃度上昇を抑え、良好な膜を形成することができる基板処理装置を提供することを課題としている。
【解決手段】基板に成膜処理をする際に、ステップＳ１８においてＥｐｉ−ＳｉＧｅ成膜処理を行う前に、ステップＳ１３においてＳｉコーティング処理を行う。 これにより基板支持体に付着したＧｅＯ等の酸化物をコーティングで封じ込めることができ、ＧｅＯから脱離した酸素がＥｐｉ−ＳｉＧｅ膜のＳｉ基板との界面に取り込まれるのを防止することができる （もっと読む）

【課題】素子形成された複数の半導体層を積層し、集積可能な素子数を飛躍的に高めることができる積層型半導体集積装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る積層型半導体集積装置は、基板上に直接、または緩衝層を介して積層されたＧａＮ層と、前記ＧａＮ層の表面近傍に形成された複数のトランジスタと、前記トランジスタの表面及び側面を被覆する酸化膜または窒化膜と、前記酸化膜または窒化膜を含む前記ＧａＮ層上に、ＥＬＯによって積層されたＡｌＧａＮ層と、を集積すべきトランジスタの数量に応じて繰り返し積層して形成される。 （もっと読む）

【課題】ダイヤモンドを主材料として有する電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）であって、高周波動作、高電流密度化に好適であると共に、閾値電圧の制御性に優れ、素子特性のウェーハ面内バラツキ、ロット間バラツキが小さいＦＥＴの提供。
【解決手段】基板１０、ダイヤモンド半導体層１１、化合物半導体層１２がこの順で形成された電界効果トランジスタにおいて、ダイヤモンド半導体層１１を（１１１）面ダイヤモンドにより構成すると共に、化合物半導体層１２を（０００１）面の六方晶化合物半導体、あるいは、（１１１）面の立方晶化合物半導体により構成する。これにより、電子供給層のダイヤモンド半導体層との界面には、自発性分極効果またはピエゾ分極効果に起因した正の固定電荷を有すると共に、電子供給層とダイヤモンド半導体層の界面近傍には２次元電子ガス１３が生成される。 （もっと読む）