【課題】発光層への光の閉じ込めを向上すると共にクラックの発生を低減する構造を有しIII族窒化物半導体基板を用いる窒化物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】窒化物半導体発光素子１１では、発光層１５は、III族窒化物半導体基板１３の主面１３ａ上に設けられおり、またIII族元素として少なくともインジウムを含む窒化ガリウム系半導体からなる。ＡｌＧａＮクラッド層１７は、III族窒化物半導体基板１３と発光層１５との間に設けられている。ＡｌＧａＮクラッド層１７は、第１のＡｌ_Ｘ１Ｇａ_１−Ｘ１Ｎ（０＜Ｘ１＜１）層１９および第２のＡｌ_Ｘ２Ｇａ_１−Ｘ２Ｎ（Ｘ１＜Ｘ２）層２１とを含む。第２のＡｌ_Ｘ２Ｇａ_１−Ｘ２Ｎ層２１は、III族窒化物半導体基板１３と発光層１５との間に位置している。第１のＡｌ_Ｘ１Ｇａ_１−Ｘ１Ｎ層１９は、第２のＡｌ_Ｘ２Ｇａ_１−Ｘ２Ｎ層２１とIII族窒化物半導体基板１３との間に位置する。 （もっと読む）

【課題】反応室を形成する石英ガラスの汚れの状態に関係なく反応室内の熱環境を安定させることができ、得られる薄膜の再現性や品質を向上させることができる気相成長装置及び気相成長方法を提供する。
【解決手段】反応室１５内のサセプタ１３に保持した基板２１を加熱するとともに、前記反応室内にガス導入管１１から原料ガスを導入して前記基板の表面に気相成長を行う気相成長装置において、前記反応室の少なくとも基板対向面を石英ガラスで形成するとともに、該石英ガラスで形成した基板対向面の外面に、石英ガラスより大きな赤外線吸収能力を有する赤外線吸収板３２を設ける。 （もっと読む）

【課題】 エピタキシャル成長により結晶欠陥の少ない低転位領域を有するＧａＮ系半導体を提供する。
【解決手段】 ＧａＮ系半導体のファセット構造を形成しながら成長させて隣接するファセット構造を合体させる。ファセット構造が成長するにしたがい下地からの転位が曲がり低転位領域が形成される。更にファセット構造を成長させて隣接するファセット構造を合体させることでファセット面とファセット面とが重なる領域に曲がった転位を集める。 （もっと読む）

【課題】 簡易にＧａＰ電流分散層の表面における光の全反射を抑制することを可能とした、ＡｌＧａＩｎＰ系発光ダイオード用エピタキシャルウェハ及びその製造方法を提供する
【解決手段】 ＡｌＧａＩｎＰ系発光ダイオード用エピタキシャルウェハは、基板上１に、少なくとも、ｎ型（Ａｌ_ｘ１Ｇａ_１−ｘ１）_ｙ１Ｉｎ_１−ｙ１Ｐクラッド層２、（Ａｌ_ｘ２Ｇａ_１−ｘ２）_ｙ２Ｉｎ_１−ｙ２Ｐ活性層３およびｐ型（Ａｌ_ｘ３Ｇａ_１−ｘ３）_ｙ３Ｉｎ_１−ｙ３Ｐクラッド層４を含む発光部６と、ｐ型のＧａＰ電流分散層５とを有するＡｌＧａＩｎＰ系発光ダイオード用エピタキシャルウェハであって、ｐ型のＧａＰ電流分散層５の少なくとも表面５１近傍には、粗面状態の結晶成長となる所定濃度以上のｐ型不純物が添加され、ＧａＰ電流分散層５の表面５１が粗面となっている。 （もっと読む）

【課題】所望の領域にｐ型のIII 族窒化物半導体を形成すること。
【解決手段】ｎ^- −ＧａＮ層１１上にＳｉＯ₂ 膜１２を形成し、ｐ−ＧａＮを形成したい領域上のＳｉＯ₂ 膜１２を除去する（図１ａ）。ＳｉＯ₂ 膜１２をマスクとして、高濃度にＭｇがドープされたｐ−ＧａＮ層１３をＭＯＣＶＤ法によって選択成長させ（図１ｂ）、そのあとＳｉＯ₂ 膜１２を除去する（図１ｃ）。ｎ^- −ＧａＮ層１１の上面、および、ｐ−ＧａＮ層１３の上面に、ｎ^- −ＧａＮ層１１をＭＯＣＶＤ法により再成長させる。このとき、ｎ^- −ＧａＮ層１１の再成長とともに、下層のｐ−ＧａＮ層１３からその上方のｎ^- −ＧａＮ層１１の領域中にＭｇが拡散する。その結果、ｐ−ＧａＮ層１３上層のｎ^- −ＧａＮ層１１の領域には、ｐ型領域１４が形成される（図１ｄ）。 （もっと読む）

【課題】受光層の結晶性が高く、特性のばらつきが小さい半導体受光素子を提供する。
【解決手段】半導体受光素子１は、基板２と、基板２上に順次積層された受光層３と、紫外線吸収層４とを備えている。受光層３は、受光した所定の波長を有する光を電気信号に変換して出力するためのものである。受光層３は、基板２側からｎ型半導体層６と、ｉ型半導体層７と、ｐ型半導体層８とが順次積層されている。ｎ型半導体層６、ｉ型半導体層７及びｐ型半導体層８は、それぞれ約０．１μｍ〜数μｍの厚みを有する（Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘ）_０．５Ｉｎ_０．５Ｐ層（０≦ｘ≦０．６）からなる。ｎ型半導体層６には、ｎ型の不純物であるＳｉ又はＳｅがドープされている。ｐ型半導体層８には、ｐ型の不純物であるＺｎがドープされている。 （もっと読む）

【課題】パーツの消耗を防ぎ、かつ材料ガスの消費効率に優れる気相成長装置および気相成長方法、を提供する。
【解決手段】気相成長装置は、基板２０が配置される反応室群１８Ｘおよび反応室群１８Ｙと、ガス供給部材３０と、ガス流れ規制部材４０とを備える。ガス供給部材３０は、反応室群１８Ｘ，１８Ｙに通じ、互いに異なる材料ガスが流通するガス流路３１および３２を形成する。ガス流れ規制部材４０には、ガス供給口４１および４２が周方向に交互に形成されている。ガス供給口４１は、反応室群１８Ｘおよび１８Ｙのいずれか一方とガス流路３１とを連通させる。ガス供給口４２は、反応室群１８Ｘおよび１８Ｙのいずれか他方とガス流路３２とを連通させる。ガス流れ規制部材４０および複数の反応室１８の相対的な移動により、互いに連通するガス流路３１，３２と反応室群１８Ｘ，１８Ｙとの組み合わせが入れ替わる。 （もっと読む）

本発明の実施形態は、一般的には、太陽電池並びにそれを形成するための方法及び装置に関する。更に詳細には、本発明の実施形態は、多接合薄膜太陽電池並びにそれを形成するための方法及び装置に関する。 （もっと読む）

【課題】ＩＩＩ族窒化物半導体の結晶層の結晶性を向上できる基板の製造方法を提供する。
【解決手段】基板の製造方法は、下地基板１０の上にクロム層２０を成膜するクロム層成膜工程と、クロム層２０を１０００℃以上の温度で窒化してクロム窒化物膜３０にする窒化工程とを備え、窒化工程では、下地基板１０とクロム窒化物膜３０との間に中間層が形成される。さらに、クロム窒化物膜３０の上にＩＩＩ族窒化物半導体の結晶層を成長させる結晶層成長工程を備える。 （もっと読む）

【課題】駆動させた際の素子の発熱量を抑制し、ワイヤボンディング等を行う際に画像認識が可能であり必要なボンディング強度が得られる半導体レーザ素子の製造方法及び半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】半導体レーザ素子２０の製造方法において、第１導電型の半導体基板１上に、第２導電型のクラッド層６と、元素周期表における第１の５族元素を含む化合物半導体からなる第２導電型のキャップ層７と、第１の５族元素よりも離脱エネルギーが大きい第２の５族元素を含む化合物半導体層８とを順次積層する積層工程を有する手順とする。
また、積層工程を経た上記半導体基板を水素雰囲気中で冷却する。 （もっと読む）

【課題】ボビンを立てた場合においても、ボビンを簡易な機構にて保持できるようにするとともに、可撓性基板の筍状のずれ下がりを防止する。
【解決手段】ボビン２の下端側には、ボビン２の外周に沿って端部側が細くなるように段差４を形成し、ボビン２の周囲には、段差４に受け止められるようにして保持リング５をはめ込むとともに、ボビン２の下端側には、ボビン２に巻き付けられた可撓性基板１を側面から受け止めるずれ下がり防止リング６を装着する。 （もっと読む）

【課題】 高品質で実用レベルのＧａＩｎＮＡｓ面発光型半導体レーザ素子の製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体基板（２０）上に、レーザ光を発生する少なくとも１層の活性層（２３）を含んだ活性領域と、レーザ光を得るために活性層の上部及び下部に設けられた反射鏡（２１，２５）を含んだ共振器構造を有する面発光型半導体レーザ素子において、前記活性層（２３）はＧａ，Ｉｎ，Ｎ，Ａｓを主成分として含み、前記反射鏡のうち少なくとも下部反射鏡は、屈折率が周期的に変化し入射光を光波干渉によって反射する半導体分布ブラッグ反射鏡を含み、前記活性層（２３）をＭＯＣＶＤ成長室で成長させ、前記反射鏡（２１，２５）のうち少なくとも下部反射鏡（２１）を、別のＭＯＣＶＤ成長室またはＭＢＥ成長室で成長させる。 （もっと読む）

【課題】ｐ型不純物の異常拡散の発生を防止すること。
【解決手段】半導体光電陰極は、ｐ型の不純物がドープされ、且つ互いにヘテロ接合する第１および第２のIII−V族化合物半導体層を備える。第２のIII−V族化合物半導体層が光吸収層として機能し、第２のIII−V族化合物半導体層のエネルギーギャップは、第１のIII−V族化合物半導体層のそれより小さく、各半導体層におけるｐ型のドーパントとしては、Ｂｅ又はＣが用いられる。このとき、第２のIII−V族化合物半導体層は、第１のIII−V族化合物半導体層上に積層されていても良い。また、第１のIII−V族化合物半導体層と第２のIII−V族化合物半導体層は（Ｉｎ，Ｇａ，Ａｌ）と（Ａｓ，Ｐ，Ｎ）のうち少なくともそれぞれ一つ以上含んでいても良い。 （もっと読む）

【課題】基板の表面上に配設された複数の細長いナノ構造体、及び細長いナノ構造体上にコンフォーマルに堆積して複数の光活性接合を形成する多層膜を含んでなる光起電力デバイスを提供する。
【解決手段】基板１０２表面上に複数の細長いナノ構造体１０１を生成し、及び多層膜１０３をコンフォーマルに堆積させて複数の光活性接合を形成する段階を含んでなり、複数の光活性接合は異なる波長の光を捕獲するように設計される。ソーラーパネルは１以上の光起電力デバイスを含んでなる。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板上単結晶Ｓｉ膜の形成方法を提供する。
【解決手段】Ｓｉウエハ上にゲルマニウム含有材料を堆積させて犠牲Ｇｅ含有膜を形成させたあと、単結晶Ｓｉ膜を、犠牲Ｇｅ含有膜上に形成する。前記単結晶Ｓｉ膜表面に透明基板を接着することによって、接着基板を形成する。前記接着基板をＧｅエッチング溶液に浸漬し、犠牲Ｇｅ含有膜を除去することにより、透明基板をＳｉウエハから分離する。その結果、上部に単結晶Ｓｉ膜が形成された透明基板が得られる。任意で、Ｇｅエッチング溶液を分散させるための溝を形成し、Ｇｅ含有膜の除去を促進してもよい。 （もっと読む）

【課題】半導体素子の製造に適用可能であるＧａＮ層成長速度を実現できるＧａＮ層成長方法、および、Ｓｉ基板直上にＧａＮ層が成長している半導体素子を提供すること。
【解決手段】ＣＶＤ法を用いてＳｉ基板直上にＧａＮ層を成長させるＧａＮ層成長方法において、１００Ｔｏｒｒ以下の成長圧力においてＧａＮ層を成長させることを特徴とする。本発明によれば、半導体素子の製造に適用可能であるＧａＮ層成長速度を実現できるＧａＮ層成長方法、および、Ｓｉ基板直上にＧａＮ層が成長している半導体素子を実現することが可能になる。 （もっと読む）

【課題】結晶品質に優れ、かつクラックのないＡｌＮ系III族窒化物単結晶厚膜を作製する方法を提供する。
【解決手段】エピタキシャル基板上に、ＨＶＰＥ法によってＡｌＮ系III族窒化物厚膜を得る場合に、通常の成長条件で厚膜層の形成を行う第１の工程と、その時点で形成されている厚膜層を第１の工程における厚膜層の形成温度Ｔ１以上の高温状態Ｔ２で保持することを主目的とする第２の工程とを適宜のタイミングで切り替えつつ繰り返し行うようにする。これにより、それぞれの第１の工程において厚膜層に内在する歪を第２の工程で逐次に緩和させつつ厚膜層を形成することができる。厚膜層の形成後に面内方向に作用する引張応力を、あらかじめ緩和させた状態の厚膜層を形成することができるので、厚膜層におけるクラックの発生を抑制することができる。 （もっと読む）

（ａ）ＩＩＩ族窒化物光電子および光機械エアギャップナノ構造デバイスの領域にイオンビーム注入を実行することと、（ｂ）ＩＩＩ族窒化物光電子および光機械エアギャップナノ構造デバイス上でバンドギャップ選択的光電気化学（ＰＥＣ）エッチングを実行することと、を含む、ＩＩＩ族窒化物光電子または光機械エアギャップナノ構造デバイスの構造的完全性を確保するための方法。上記領域は、ＩＩＩ族窒化物光電子または光機械エアギャップナノ構造デバイスのアンダーカット構造の構造的完全性を強化する支持支柱を備える。
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プラズマからの蒸着により基板上に非晶質材料の膜を形成する方法を開示している。基板を容器内に配置し、前駆ガスを容器内に導入し、容器内を低圧にすべく未反応および解離ガスを容器から抽出する。容器内でプラズマを生成するために分散型電子サイクロトロン共鳴（DECR）により容器内のガスにマイクロ波エネルギーを導入し、プラズマから材料を基板上に蒸着する。前記蒸着した材料の厚さにわたってバンドギャップを変化させるべく膜用前駆ガスの前記流動速度を材料の蒸着中に変える。 （もっと読む）

【課題】 発光効率が高い半導体発光装置を安定して得ることが出来るようにする。
【解決手段】
基板と、基板上方に形成され、第１導電型の、発光色に対し透明な第１のクラッド層と、第１のクラッド層上に積層され、所望の波長の光を発光する活性層と、活性層上に積層され、第２導電型の、発光色に対し透明な第２のクラッド層とを有するＡｌＧａＩｎＰ系の半導体発光装置であって、第１のクラッド層、活性層および第２のクラッド層の３層の平均炭素濃度が７×１０^１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下である半導体発光装置を作製する。 （もっと読む）