【課題】ＧａＮ系半導体素子の製造に用いるのに適した、六方晶構造の結晶からなるエピタキシャル成長用のＣ面単結晶基板と、その基板の上にＧａＮ系半導体結晶をエピタキシャル成長させてなるエピタキシャルウェハを提供する。
【解決手段】六方晶構造の結晶からなるエピタキシャル成長用のＣ面単結晶基板であって、エピタキシャル成長用の面に形成された第１の割り溝および第２の割り溝とを有し、該第１の割り溝および第２の割り溝は相互に直交し、かつ、それぞれが前記六方晶構造の結晶のＭ面とＡ面とがなす角を二等分する平面に平行である。 （もっと読む）

【課題】危険性を低減し、かつ低温で効率よく窒素を供給できるＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の結晶成長方法、発光デバイスの製造方法および電子デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体１０２の結晶成長方法は、以下の工程を備えている。まず、窒素の原料としてモノメチルアミンおよびモノエチルアミンの少なくともいずれか一方を含むガスが準備される。そして、ガスを用いて気相成長法によりＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体１０２が成長される。 （もっと読む）

【課題】Ｍ面を主面とするIII族窒化物系化合物半導体を得る方法を提供する。
【解決手段】Ｒ面１０Ｒとそれに垂直なＡ面との交線Ｌ_sapph-AMの回りにＲ面１０Ｒを３０度回転させた面を主面１０ｓとするサファイア基板１０を用いる(２．Ａ)。Ｒ面１０Ｒを露出させ（２．Ｂ）、主面１０ｓに二酸化ケイ素から成るマスク２０ｍを形成する（２．Ｃ）。Ｒ面１０ＲにＡｌＮバッファ層３０ｂを形成する（２．Ｄ）。ＡｌＮバッファ層３０ｂ上にＧａＮ層４０を形成する（２．Ｅ及び２．Ｆ）。ＧａＮの成長は初期段階では横方向成長によりサファイア基板１０の上方全面が覆われる。ＧａＮ層４０は、サファイア基板１０の露出したＲ面に対してはａ軸が垂直、サファイア基板１０の軸方向Ｌ_sapph-AMに対してはｃ軸が平行、サファイア基板１０の露出したＲ面と３０度を成す主面１０ｓに対しては、ａ軸と３０度を成すｍ軸が垂直となるように成長する。 （もっと読む）

【課題】可撓性フィルム基板を搬送しながら成膜を行うロールツーロール方式の薄膜製造装置にあって、複数の成膜室の間でガスの混入を防止することが可能な薄膜製造装置を提供する。
【解決手段】可撓性フィルム基板１０上に膜を連続的に成膜するロールツーロール方式の薄膜製造装置において、成膜室３，４，５は可撓性フィルム基板１０の搬送方向に沿って複数個設けられ、各成膜室３，４，５の間には該成膜室間のガス流やガスの流出を遮断する拡散防止室６，７が設けられ、拡散防止室６，７にはガスの流動を可能あるいは遮断する複数のゲートバルブ２０，２１が設置され、ゲートバルブ２０，２１のうち少なくとも１個の移動ゲートバルブ２０は、可撓性フィルム基板１０の搬送に従って移動するように構成されている。 （もっと読む）

【課題】防着板の交換作業を容易に行うことができる薄膜製造装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る薄膜製造装置は、反応容器１４内に保持された基板１８の表面に化合物半導体薄膜を形成するためのものであって、前記反応容器１４内に成膜ガスを導入するガス導入口と、前記反応容器１４の上部開口１４ａを塞ぐ開閉可能な上蓋１４ｂと、前記上蓋１４ｂに着脱可能に設けられた石英板２４と、上蓋１４ｂを開閉すると共に基板１８に対する上蓋１４ｂの角度を調整する昇降回転装置３０とを有する。 （もっと読む）

【課題】応力を調整した多層シリコン膜を形成する方法を提供する。
【解決手段】シリコンソースガスを備える第１のプロセスガスを該プロセスチャンバ内に流入させることによって、非晶質シリコン膜４０６が該基板上に形成される。シリコンソースガスを備える第１のプロセスガス混合物と、Ｈ_２及び不活性ガスを備える第１の希釈ガス混合物とを第１の温度で堆積チャンバ内に流入させることによって、多結晶シリコン膜４０８が該非晶質シリコン膜上に形成される。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、ゲッタリング層をデバイス活性層の近傍に形成した場合であっても、デバイス活性層の品質に悪影響を与えることがなく、高いゲッタリング能力をもったゲッタリング層を有するエピタキシャルウェーハ及びその製造方法を提供することにある。
【解決手段】シリコン基板２０上（図１(ａ)）又は、シリコン基板２０上に必要に応じて形成したシリコンエピタキシャル下地膜３０上に（図１(ｂ)）、シリコン及び炭素を含有するゲッタリングエピタキシャル膜４０を形成し（図１(ｃ)）、該ゲッタリングエピタキシャル膜４０は、炭素原子濃度：5.0×10¹⁷atoms／cm³以上、1.0×10²¹atoms／cm³以下でり、炭素原子がシリコン格子間に存在すること特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高い変換効率を有する光電変換装置を、生産性を向上させて製造する方法を提供する。
【解決手段】減圧環境とされる製膜室内に設置された基板を加熱手段によって加熱した状態にし、前記製膜室内に原料ガスを供給し、前記基板に対向して配置された放電電極に対して給電することにより前記基板へ結晶質シリコンからなるｎ層を製膜するｎ層形成工程を含む光電変換装置の製造方法であって、前記ｎ層形成工程が、前記製膜室内の圧力を５００Ｐａ以上１０００Ｐａ以下、かつ、前記基板と前記放電電極との距離を６ｍｍ以上１２ｍｍ以下に設定して前記ｎ層を製膜する工程である光電変換装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】接合される部材の構成材料によらず、比較的低温下で、２つの部材同士を高い寸法精度で強固に接合可能な接合方法、かかる接合方法により、２つの部材同士を強固に接合してなる接合体および半導体装置、および、前記半導体装置を備え、光電変換効率が高く容易に製造可能な光電変換素子を提供すること。
【解決手段】本発明の接合方法は、第１の基材２１と第１の接合膜３１とを備える第１の被着体４１と、第２の基材２２と第２の接合膜３２とを備える第２の被着体４２とを用意する工程と、各接合膜３１、３２にエネルギーを付与して、表面のＳｉ−Ｈ結合を切断することにより、各接合膜３１、３２に接着性を発現させる工程と、各接合膜３１、３２同士が密着するように、第１の被着体４１と第２の被着体４２とを貼り合わせ、接合体を得る工程とを有する。各接合膜３１、３２は、それぞれＳｉ−Ｈ結合を含むアモルファスシリコンで構成されている。 （もっと読む）

【課題】接合される部材の構成材料によらず、２つの部材同士を高い寸法精度で強固に接合可能な接合方法、かかる接合方法により、２つの部材同士を強固に接合してなる接合体および半導体装置、および、前記半導体装置を備え、光電変換効率が高く容易に製造可能な光電変換素子を提供すること。
【解決手段】本発明の接合方法は、第１の基材２１と第１の接合膜３１とを備える第１の被着体４１と、第２の基材２２と第２の接合膜３２とを備える第２の被着体４２とを用意する工程と、各接合膜３１、３２にエネルギーを付与して、各接合膜３１、３２の表面のＳｉ−Ｈ結合を切断することにより、各接合膜３１、３２に接着性を発現させる工程と、各接合膜３１、３２同士が密着するように、第１の被着体４１と第２の被着体４２とを貼り合わせ、接合体を得る工程とを有する。ここで、各接合膜３１、３２は、それぞれＳｉ−Ｈ結合を含む多結晶シリコンで構成されている。 （もっと読む）

【課題】自立基板の反りを低減した窒化物半導体自立基板及び窒化物半導体自立基板の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る窒化物半導体自立基板は、窒化物半導体結晶からなる窒化物半導体自立基板において、窒化物半導体自立基板の内部に、基板表面と平行な断面において１０個／ｃｍ^２以上から６００個／ｃｍ^２以下の密度でインバージョンドメインを有する。 （もっと読む）

【課題】ポリシリコンゲルマニウム膜の表面モフォロジを改善し、結晶粒サイズを微小化することを可能とする。
【解決手段】基板上にアモルファスシリコン膜を第１の圧力で成膜する工程と、前記アモルファスシリコン膜の上にポリシリコンゲルマニウム膜を第２の圧力で成膜する工程とを有し、前記第２の圧力に関しては成膜初期圧力は１００Ｐａ以上１５０Ｐａ以下であり、成膜終期圧力は３０Ｐａ以上６０Ｐａ以下である。 （もっと読む）

【課題】基材基板と窒化ガリウム単結晶層との分離が容易であって大面積化が可能な窒化ガリウム単結晶基板の製造方法を提供する。
【解決手段】窒化ガリウム単結晶基板の製造方法は、（ａ）窒化ガリウムより熱膨張係数の小さい物質からなる偏平な基材基板１０上に窒化ガリウム膜１２を成長させて冷却させることで、基材基板１０と窒化ガリウム膜１２を上方へ凸状に反らせると同時に窒化ガリウム膜１２にクラックを発生させるステップと、（ｂ）上方へ凸状に反った基材基板１０上のクラックが発生した窒化ガリウム膜１２上に窒化ガリウム単結晶層１４を成長させるステップと、（ｃ）窒化ガリウム単結晶層１４が成長した結果物を冷却させることで、上方へ凸状に反った結果物を再び偏平に又は下方へ凸状に反らせると同時に、クラックが発生した窒化ガリウム膜１２を境界に基材基板１０と窒化ガリウム単結晶層１４とを自己分離させるステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】繰り返し使用されるアモルファスシリコンを主成分とする光受容部材の形成に用いられる基体ホルダーを磨耗劣化させることなく、またビーズなどの画像欠陥の原因となるものを使用せず基体ホルダーに付着した物質を効果的に除去可能な基体ホルダー処理方法及び処理装置を提供することを目的とする。
【解決手段】アモルファスシリコンを主成分とする光受容部材の形成に用いられる基体ホルダーに付着した物質を、パルスレーザー光を照射して除去する工程を含むことを特徴とする基体ホルダーの処理方法。 （もっと読む）

【課題】良好な結晶性を有する窒化物系結晶を再現良くエピタキシャル成長させることが可能な、III‐Ｖ族窒化物系半導体基板及びその製造方法、III‐Ｖ族窒化物系半導体デバイス、III‐Ｖ族窒化物系半導体基板のロットを提供する。
【解決手段】III‐Ｖ族窒化物系単結晶からなり、平坦な表面を有するIII‐Ｖ族窒化物系半導体基板であって、基板面内の任意の点における基板表面に最も近い低指数面の法線ベクトルを、基板表面に投影したベクトルが、基板面外の特定の点又は領域を向いている。例えば、ＧａＮ基板２１の基板表面に最も近い低指数面の法線ベクトルを、基板表面に投影したときにできるベクトルは、矢印２３で表わされているように、ＧａＮ基板２１の外部の収束中心領域２４に向かって収束するような分布となっている。 （もっと読む）

【課題】気相成長膜を積層形成する所要時間を短縮し、効率的に気相成長法による積層形成の半導体素子を製造することを可能とする気相成長装置および気相成長方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の気相成長装置は、ウェーハＷが挿入されるチャンバ２と、前記チャンバ２内に原料ガス、キャリアガスもしくはドーパントガスのうち少なくともいずれかを導入するガス導入手段３と、前記ガス導入手段３により前記ウェーハＷ上に気相成長膜を形成する気相成長膜形成手段１と、前記チャンバ２内をキャリアガスでパージするパージ手段３と、前記ウェーハＷを所定の回転速度で回転させる回転駆動手段６と、前記ウェーハＷを加熱する加熱手段８と、を備え、前記回転駆動手段６は、前記気相成長膜形成手段１における第一の回転速度が、前記パージ手段における第二の回転速度より速い回転速度に制御することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】微結晶膜を形成する結晶粒間の横方向の結合強度を向上させる。
【解決手段】シリコン基板Ｇ上にゲート酸化膜１０を形成後、２．０ｅＶの電子温度以下の高電子密度プラズマにより微結晶シリコン膜を形成する第１の工程と、２．０ｅＶの電子温度より高い電子温度の高電子密度プラズマを用いて超微結晶シリコン膜を形成する第２の工程と、を繰り返し成膜する。これにより、微結晶シリコン膜と超微結晶シリコン膜とが積層された積層膜２０が形成される。前記方法により、積層膜２０を活性層として機能させるｎチャネル薄膜トランジスタおよびｐチャネル薄膜トランジスタの少なくともいずれかを製造することができる。 （もっと読む）

【課題】製造する半導体装置の特性バラツキが低減されたクリーンルームを提供する。
【解決手段】真空チャンバーの外側から大気成分の酸素ガスや窒素ガスが、真空チャンバー内に侵入しないように、半導体膜に悪影響を与えないガスで充満させた部屋に真空チャンバーを設置する。半導体膜に悪影響を与えないガスは希ガスまたは水素である。部屋内の製造装置周辺の酸素濃度、窒素濃度、および水分濃度は、極力少なくなるようなクリーンルーム構成とする。 （もっと読む）

【課題】良好な品質を有する微結晶半導体膜の作製方法を提供することを課題とする。
【解決手段】成膜初期に形成される微結晶半導体膜の品質を向上するため、成膜速度は低いが品質のよい成膜条件で下地絶縁膜界面付近の微結晶半導体膜を形成し、その後、連続的もしくは段階的に高く変えた成膜速度にて微結晶半導体膜を堆積する。また、前記微結晶半導体膜は、成膜室の内側に空間をもって設けられた反応室内にて化学気相成長法にて形成され、さらに前記空間に水素、あるいは希ガスからなる封止ガスを導入し、反応室の内部を超高真空にすることを助け、下地絶縁膜界面付近の微結晶半導体膜中の不純物を低いものとする。また、前記微結晶半導体膜をゲート絶縁膜上に形成し、ボトムゲートＴＦＴを作製する。 （もっと読む）

【課題】六方晶系の非極性面（ａ面、ｍ面）または半極性面で結晶成長させたＡｌＧａＮ混晶と、活性層に用いたＡｌＧａＮ結晶のＡｌＮとＧａＮのモル分率を最適化させ、発光効率を向上させ、低しきい値電流密度化を実現し、深紫外線波長のレーザ光を発生する。
【解決手段】ｍ面基板１０と、ｍ面基板上に配置され，ｎ型不純物をドープされたＡｌＧａＮ層（１２，１４）と、ＡｌＧａＮ層上に配置され，Ａｌ_XＧａ_1-XＮ障壁層とＡｌ_YＧａ_1-YＮ井戸層からなる量子井戸構造を有するＡｌ_XＧａ_1-XＮ/Ａｌ_XＧａ_1-XＮ活性層１６と、Ａｌ_XＧａ_1-XＮ/Ａｌ_XＧａ_1-XＮ活性層上に配置され，ｐ型不純物をドープされたＡｌＧａＮ層（１８，２０）とを備え、ｃ軸が結晶成長の主面の法線方向から４０°〜９０°の範囲内で傾いた面を結晶成長の主面とし、光の電界成分Ｅが主にｃ軸と平行（Ｅ//ｃ）なる偏光特性を示す紫外線窒化物半導体発光素子およびその製造方法。 （もっと読む）