【課題】高平坦度で膜厚均一性に優れたエピタキシャル成長方法を用いた半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体基板の製造方法においては、シリコン単結晶基板１０の少なくとも面取り部１３に予めシリコン多結晶膜１４を形成した上で、基板１０の表面１１にエピタキシャル成長によりシリコン単結晶の薄膜１１を形成する。基板の面取り部１３には多結晶膜１４が形成されているので、エピタキシャル成長を行う時にここでファセット成長が発生することはなく、面取り加工された周縁部の形状に沿って多結晶化したエピタキシャル膜１６が形成される。その結果、エッヂクラウンの発生が防止され、均一な膜厚のエピタキシャル膜が形成される。
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【課題】プラズマ処理条件が変化することによって、プラズマのインピーダンスが、大幅に或いは急峻に変動する場合においても、適切なインピーダンス調整を実現し、プラズマ処理による製品の品質および再現性を改善する。
【解決手段】高周波電源１１３より出力された高周波電力を、整合器１１４及び高周波電極１１７を介して反応容器１０１内に導入し、プラズマを生起して、基体１０２にプラズマ処理を施す。この際、高周波電源１１３の出力インピーダンスと整合器１１４の入り口のインピーダンスとのインピーダンス整合の状態を表す整合パラメーターが、予め設定された設定条件を満たすように、整合器１１４内の整合回路のインピーダンス調整を実施する。この設定条件は、プラズマ処理条件が一定の際の設定条件をｐ、プラズマ処理条件が変化する際の設定条件をｑとした場合、ｐ⊂ｑとする。 （もっと読む）

【課題】 窒化物半導体素子の特性を面内で均一にすることができる窒化物半導体の製造装置およびそれを用いて製造された窒化物半導体を用いた窒化物半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】 本発明の窒化物半導体の製造装置は、基板と平行に原料ガスを含むガスを流すフローチャネルを備え、基板の上流側からフローチャネル内に原料ガスを導入して窒化物半導体を結晶成長させる気相成長装置であって、前記フローチャネルの内壁には、複数の凸状の突起部が設けられている。 （もっと読む）

窒化ガリウム（ＧａＮ）に基づいた高周波数用途および高電力用途に専用の電子回路は、信頼性問題の影響を受けやすい。主要な理由は、原子スケールおよびマイクロメートルスケールでの合金無秩序を起源とする、これらの構造中の不均一な電子密度分布である。本発明は、好ましい結晶軸に沿って完全に順序よく配置されたＩＩＩ族元素の窒化物（Ｂａｌ、Ｇａ、Ｉｎ）／Ｎに基づいた半導体構造を製造する手段を提供する。この構成を得るために、三元合金バリア層は、二元合金バリア層（５４、５５）の交互層で構成されたバリア層によって置き換えられる。これらの構造の組成中の変動がないことにより、電子輸送特性が改善され、その分布がさらに一様になる。
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【課題】 エピタキシャル膜の形成方法と、これを用いた薄膜形成方法、及び半導体装置の製造方法が開示される。
【解決手段】 エピタキシャル膜の形成方法と、これを用いた薄膜形成方法、及び半導体装置の製造方法において、第１単結晶シリコン膜上に前記第１単結晶シリコン膜の表面を部分的に露出させる開口部を有する第１絶縁膜パターンを形成した後、前記開口部によって露出された第１単結晶シリコン膜上に単結晶シリコンで構成された第１シード膜を形成する。そして、前記第１シード膜が形成された結果物上部にシリコンソースガスを提供して、前記第１シード膜上にエピタキシャル膜を成長させながら、前記第１絶縁膜パターン上に非晶質シリコン膜を形成する。その後、前記非晶質シリコン膜の結晶構造を単結晶に転換させて前記エピタキシャル膜と非晶質シリコン膜から第２単結晶シリコン膜を獲得する。 （もっと読む）

【課題】ＤＺ−ＩＧエピウェーハに比べて低い製造コストで製造することができ、ゲッタリング効果に優れ、重金属汚染がない。撮像デバイス製造プロセス初期段階から強力なゲッタリング効果が期待できる。
【解決手段】炭素が５×１０¹⁵ａｔｏｍｓ／ｃｍ³以上５×１０¹⁷ａｔｏｍｓ／ｃｍ³以下（ＡＳＴＭ Ｆ１２３−１９８１）の濃度範囲でドープされたＣＺシリコンインゴットから切り出されたシリコン単結晶ウェーハ１１表面にエピタキシャル成長によってシリコン単結晶からなるエピタキシャル層１３を形成したシリコンエピタキシャルウェーハ１０の改良であり、その特徴ある構成は、シリコン単結晶ウェーハ裏面に厚さ０．５μｍ以上１．５μｍ以下の多結晶シリコン層１２を形成したところにある。 （もっと読む）

【課題】 より妥当な価格的でかつより大きな生産性（歩留まり）で製造することが可能なとりわけ埋込トンネル接合を有するＩｎＰ系面発光型レーザダイオード（ＢＴＪ−ＶＣＳＥＬ）を提供すること。
【解決手段】 第１のｎドープ半導体層と少なくとも１つのｐドープ半導体層とによって包囲されるｐｎ接合を有する活性層、及び該活性層のｐ側に位置しかつ第２のｎドープ半導体層と隣接するトンネル接合を有する面発光型半導体レーザの埋込トンネル接合の製造方法であって、トンネル接合（１）のために提供される層は、第１の工程において、物質選択性エッチングによって、前記トンネル接合（１）の所望の直径に至るまで横方向に刻削され、及び第２の工程において、エッチングにより形成された空隙が前記トンネル接合（１）と隣接する少なくとも１つの半導体層（２、３）からのマストランスポートによって閉塞されるまで適切な雰囲気中で加熱されることを特徴とする。
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【課題】 低抵抗で、しかも連続性のあるｎ型III族窒化物半導体層を安定して得る方法、及びこの方法によって得られるIII族窒化物半導体積層体を提供する。
【解決手段】 ｎ型不純物のドーピング濃度が高いIII族窒化物半導体の層である高濃度ドープ層（１０４ａ）と、ｎ型不純物のドーピング濃度がこれよりも低いIII族窒化物半導体の層である低濃度ドープ層（１０４ｂ）とを交互に、ドーピングされるｎ型不純物の濃度以外のリアクタ内の成長条件も更に異ならせて、積層することを含む、III族窒化物半導体積層体の製造方法、並びにこの方法を含むIII族窒化物半導体発光素子の製造方法とする。また、これらの方法によって得ることができるIII族窒化物半導体積層体、及びIII族窒化物半導体発光素子とする。 （もっと読む）

照明システムは、複数個の発光素子（Ｒ、Ｇ、Ｂ）を含む光源（１）を有する。これらの発光素子は、少なくとも第１の原色の第１の発光ダイオードと、少なくとも第２の原色の第２の発光ダイオードとを備え、第１と第２の原色がお互いに異なっている。この照明システムは、発光素子によって発せられた光を平行にするためのファセット光コリメータ（２）を有する。このファセット光コリメータは、照明システムの長手方向軸（２５）に沿って構成される。ファセット光コリメータ内の光伝搬は、全内部反射に、又はファセット光コリメータのファセット上に施された反射コーティングでの反射に基づいている。ファセット光コリメータは、光源から離れて面する側で、ファセット光反射板に組み合わせる。この照明システムは、光整形拡散体（１７）を更に備える。この照明システムは、均一な空間の及び空間角度色分散で光を発する。
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【課題】 亀裂やピットの発生が少ない平坦性に優れた低抵抗のｎ型ＩＩＩ族窒化物半導体層を提供し、それを用いて順方向電圧が低く、かつ発光効率が優れたＩＩＩ族窒化物半導体発光素子を提供すること。
【解決手段】 ｎ型不純物原子高濃度層とｎ型不純物原子低濃度層とを相互に積層したことを特徴とするｎ型ＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体、および基板とＩＩＩ族窒化物半導体からなる発光層との間に前記ｎ型ＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体を有することを特徴とするＩＩＩ族窒化物半導体発光素子。 （もっと読む）

【課題】従来の技術による諸問題を解決するための薄膜トランジスター構造及び製作方法を提供する。
【解決手段】基板に１個以上の薄膜トランジスターを製作する方法は、（ａ）水素ガスで希釈されたシランをもって堆積工程を実行してゲート絶縁膜の上にシリコン膜を形成し、（ｂ）水素ガスを反応ガスとしてプラズマエッチング工程を実行し、（ｃ）ステップ（ａ）とステップ（ｂ）を１回以上繰り返して界面膜を形成し、（ｄ）界面膜に薄膜トランジスターのアモルファス膜、２枚のドープ半導体膜、ソース電極と、ドレイン電極を順次に形成するなどのステップを含む。 （もっと読む）

一つ以上のＩＩＩ族窒化物材料領域（例えば、窒化ガリウム物材料領域）を含む半導体構造、及びこのような構造に関連する方法が提供される。ＩＩＩ族窒化物材料領域は転位密度が低いので、特にらせん転位密度が低いので有利である。或る実施形態では、ＩＩＩ族窒化物材料領域のらせん転位をほぼ無くすことができる。ＩＩＩ族窒化物材料領域下での歪吸収層の形成、及び／又は処理条件によってらせん転位を低くすることができる。或る実施形態では、らせん転位が低いＩＩＩ族窒化物材料領域は窒化ガリウム物材料領域を含み、この窒化ガリウム物材料領域は素子の活性領域として機能する。活性領域（例えば、窒化ガリウム物材料領域）のらせん転位を低くすることにより、種々の効果の中でもとりわけ、電子輸送能が高くなり、非放射性再結合が少なくなり、そして組成／成長に関する均一性が高くなって特性（例えば、電気特性及び光学特性）が向上する。
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【課題】順方向電圧が２Ｖ以下と低く、且つ電流分散層の表面の凸状欠陥を低減して、逆方向電圧やリーク電流等による不良を低減し、またプロセス上での問題も解決し得る半導体発光素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】ｎ型半導体基板１と、ｎ型クラッド層４とｐ型クラッド層６との間に活性層５が設けられた発光部と、該発光部上に形成されたｐ型接続層７と、該ｐ型接続層７上に積層されたｐ型電流分散層８と、該ｐ型電流分散層８の表面の一部と、前記半導体基板の裏面の全面又は部分的に電極が形成された半導体発光素子の製造方法において、前記ｐ型接続層７の成長温度Ｔ２が前記発光部の成長温度Ｔ１よりも低く、且つ前記ｐ型電流分散層８の成長開始温度Ｔ３が該ｐ型接続層７の成長温度Ｔ２であり、更に該ｐ型電流分散層８の成長終了温度Ｔ３が、前記発光部の成長温度Ｔ１よりも高い温度履歴となるように設定する。 （もっと読む）

【課題】 １度未満のオフアクシス角を有するＳｉＣ基板上でエピタキシャル層成長によるウエハおよびデバイスを完成させる。
【解決手段】 ＳｉＣ基板上に当該基板と同じポリタイプのＳｉＣホモエピタキシャル層を作製する方法であって、前記層を前記ＳｉＣ基板の表面上に成長させるステップと、１μｍまでの厚さを有する境界層を形成することによりホモエピタキシャル成長を開始するステップとを有し、上記成長ステップでは前記表面が（０００１）基底面に対して０．１度より大きいが１度未満の角度で傾斜している方法。 （もっと読む）

本発明は、ドープ剤でドープされた少なくとも１つの層と該ドープされた層上に堆積される他の型の層とを有する半導体装置を単一の反応室内で製造する方法に関する。前記ドープされた層の堆積工程と前記他の型の層の堆積工程との間に、前記ドープ剤による前記他の層の汚染を避けるための操作が挿入される。該操作が前記ドーピング剤と反応することのできる化合物を反応室に添加する段階を含むと好ましい。
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【課題】 成膜速度の向上及び生産コストの低減、並びに成膜品質の向上を効果的に図ることができるプラズマ処理装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 高周波電力を発信する発信器８と、発信器８からの高周波電力が供給されるパワー電極とを備え、該パワー電極に対向配置されて相対的に移動する基板１１との間でプラズマ２を形成し、基板１１上にプラズマ処理を行うプラズマＣＶＤ装置に用いられる給電装置９において、パワー電極は、複数に分割された小電極により形成され、これら小電極間には間隙が形成され、間隙は、基板１１の移動方向に対して傾斜して配置されたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】長期間安定して高出力動作の可能な窒化物半導体素子を提供する。
【解決手段】本発明の窒化物半導体素子は、ｎ型ＧａＮ基板６０１と、ｎ型ＧａＮ基板６０１上に設けられた窒化物半導体の積層構造とを備え、この積層構造は、ｎ型ＧａＮ基板６０１の格子定数よりも大きな格子定数を有するＧａＩｎＮ多重量子井戸活性層６０５と、ｎ型ＧａＮ基板６０１とＧａＩｎＮ多重量子井戸活性層６０５との間に位置するｎ型ＧａＮコンタクト層６０２とを有している。ｎ型ＧａＮコンタクト層６０２は、ｎ型ＧａＮ基板６０１の転位密度よりも高い転位密度を有する欠陥導入領域６１４を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】 窒化物半導体と良好な格子整合性を有する元基板を利用して、結晶欠陥の少ない高品質な窒化物半導体基板を簡易な方法で製造すること。
【解決手段】 第１の窒化物半導体結晶２０２を格子定数がａ軸方向に０．３０ｎｍから０．３６ｎｍまで、ｃ軸方向に０．４８ｎｍから０．５８ｎｍまでの化合物半導体元基板２０１の（ＡＢＣＤ）［Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄはそれぞれ独立に−４〜４の整数。］面上に成長させ、次いで元基板を除去し、第１の窒化物半導体結晶上に第２の窒化物半導体結晶２０４を成長させる。 （もっと読む）

【課題】３ｅＶ前後の禁止帯幅をもたらすＢＰ結晶層の形成方法が開示されていないため、リン化硼素（ＢＰ）及びＢＰ系混晶を利用した耐環境型半導体素子を提供できない問題を解決する。
【解決手段】気相成長法を用いて、室温での禁止帯幅を２．８ｅＶ以上で３．４ｅＶ以下とするリン化硼素（ＢＰ）層またはそのリン化硼素を含む一般式Ｂ_αＡｌ_βＧａ_γＩｎ_1-α-β-γＰ_δＡｓ_εＮ_1-δ-ε（０＜α≦１、０≦β＜１、０≦γ＜１、０＜α＋β＋γ≦１、０＜δ≦１、０≦ε＜１、０＜δ＋ε≦１）で表記されるリン化硼素（ＢＰ）系混晶層を具備する半導体素子を作製する。 （もっと読む）

【課題】 簡便な手法で成長中断なしにクラック防止層を形成し、素子生産効率及び素子特性向上を実現する化合物半導体素子を提供することである。
【解決手段】 窒化物半導体レーザ素子（化合物半導体素子）１０は、ＧａＮ基板１１上に、ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層１２、ｎ型ＡｌＧａＮ高欠陥層１３、ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層１４、ＭＱＷ活性層１５、ＩｎＧａＮ光ガイド層１６、ＡｌＧａＮキャップ層１７、ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層１８、ｐ型ＧａＮコンタクト層１９が順に積層され、ｐ型ＧａＮコンタクト層１９上にはｐ型電極２０が形成され、ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層１８上であって、ｐ型ＧａＮコンタクト層１９及びｐ型電極２０の周囲には絶縁膜２１が形成され、ｐ型電極２０及び絶縁膜２１上にはパッド電極２２が形成され、ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層１２側とは反対のＧａＮ基板１１面にはｎ型電極２３が形成されて構成される。 （もっと読む）