【課題】加熱および電圧降下を低減したレーザ構造を提供する。
【解決手段】ＧａＮ系発光構造において、高融点金属ＥＬＯＧマスクを使用し、これをキャビティ内コンタクトとして機能させる。すなわち、この高融点ＥＬＯＧマスクは、オーミックコンタクト金属としても、ＥＬＯＧのマスクとしても機能する。高融点金属としては、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｗ、Ｒｅ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｐｄ等が好ましい。 （もっと読む）

【課題】 Ｃ軸に対して僅かに傾斜させたサファイア基板を用いることにより、エピタキシャル成長した窒化物系化合物半導体の品質を向上し、極めて平滑な表面状態を提供する。
【解決手段】 ＜０００１＞方向より０．０５°から０．２°傾斜させた鏡面研磨サファイア（０００１）を基板とする。傾斜角を０．０５°から０．２°に保つことによりサファイア基板上のステップ密度を最適に制御し、極めて平坦かつ欠陥密度を低減し、電気的光学的特性を向上した窒化物系化合物半導体膜が得られる。本発明で言う窒化物系化合物半導体とは、一般式Ｉｎ_XＧａ_YＡｌ_ZＮ（ｘ＋ｙ＋ｚ＝１、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１）で表される化合物を意味する。
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【課題】高品質の３−５族化合物半導体の製造方法を提供する。
【解決手段】基板の上に発光層と電荷注入層とを有し、該発光層は一般式Ｉｎ_x Ｇａ_y Ａｌ_z Ｎ（式中、０＜ｘ≦１、０≦ｙ＜１、０≦ｚ＜１、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）で表されるノンドープの３−５族化合物半導体であり、該電荷注入層は一般式Ｉｎ_x'Ｇａ_y'Ａｌ_z'Ｎ（式中、０≦ｘ’≦１、０≦ｙ’≦１、０≦ｚ’≦１、ｘ’＋ｙ’＋ｚ’＝１）で表され、該発光層よりも大きなバンドギャップを有する３−５族化合物半導体で、該発光層は２つの電荷注入層に挟まれ、基板と発光層との間に、下地層として、一般式Ｉｎ_u Ｇａ_v Ａｌ_w Ｎ（式中、０≦ｕ≦１、０≦ｖ≦１、０≦ｗ≦１、ｕ＋ｖ＋ｗ＝１）で表される３−５族化合物半導体層であって、ＩｎＮ混晶比の小さな層、ＩｎＮ混晶比の大きい層とＩｎＮ混晶比の小さな層の少なくとも３層をこの順で成長させる３−５族化合物半導体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 熱力学的には許されないとされる組成のＺｎＯ系化合物半導体混晶の結晶成長を可能とし、これにより、室温で紫外〜可視域の広範囲での発光が可能で、熱的に安定でしかも資源的枯渇のおそれの少ない半導体発光素子、半導体発光素子実装体及び半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】 六方晶系ＳｉＣ単結晶薄膜からなるｐ型クラッド層１１と、ウルツ鉱構造で、禁制帯幅Ｅｇ＝１．８ｅＶ以上、３．１ｅＶ未満のＺｎＯ系化合物半導体混晶からなり、クラッド層１１とヘテロ接合をなす発光層１２とを備える。発光層１２は、例えば、ｎ型Ｚｎ_1-xＣｄ_xＯ（０≦ｘ≦０．７，特に０．０７＜ｘ≦０．７）である。発光層１２の上にｎ型クラッド層１３と、ｎ型クラッド層１３上にオーミックコンタクト層１４を備え、ダブルヘテロ構造を構成している。 （もっと読む）

【課題】半導体積層構造物と、これを用いて高品質の窒化物半導体結晶基板及び素子を製造する方法を提供する。
【解決手段】半導体積層構造物１００は、窒化物半導体結晶面である上面を有する基礎基板１０１と、上記基礎基板上で間隔を置いて水平方向に延長された流通孔パターン１０５を囲う成長防止膜１０３と、上記流通孔パターン１０５の間の領域で上記基礎基板１０１の上面と接触するよう上記基礎基板上に形成され、上記成長防止膜１０３を覆う窒化物半導体結晶層１０７を含む。上記半導体積層構造物は、低欠陥高品質の窒化物半導体結晶層、窒化物半導体結晶基板及び窒化物半導体素子を得ることに利用される。 （もっと読む）

【課題】高効率で高信頼性の窒化ガリウム（ＧａＮ）系青色発光素子の作製するための結晶基板の製造方法を提供する。
【解決手段】結晶製造方法は、成長抑制効果のある物質からなるストライプ状の第１のパターン化マスクを含む基板上に窒化物半導体結晶を成長させる工程と、成長抑制効果のある物質からなるストライプ状の第２のパターン化マスクが第１のパターン化マスクの開口部内に対応する領域においてその開口部の幅よりも小さな幅で形成される工程と、第２のパターン化マスクの上に窒化物半導体結晶をさらに成長させる工程とを具備することを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】発光効率の高い発光素子を提供する。
【解決手段】基板上に少なくとも発光層と電荷注入層とを有し、該発光層は一般式Ｉｎ_x Ｇａ_y Ａｌ_z Ｎ（０＜ｘ≦１、０≦ｙ＜１、０≦ｚ＜１、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）で表され、該電荷注入層は一般式Ｉｎ_x'Ｇａ_y'Ａｌ_z'Ｎ（０≦ｘ’≦１、０≦ｙ’≦１、０≦ｚ’≦１、ｘ’＋ｙ’＋ｚ’＝１）で表され、該発光層よりも大きなバンドギャップを有する化合物半導体であり、発光層と基板との間に、少なくとも３層からなる下地層を有し、該下地層は一般式Ｉｎ_u Ｇａ_v Ａｌ_w Ｎ（０≦ｕ≦１、０≦ｖ≦１、０≦ｗ≦１、ｕ＋ｖ＋ｗ＝１）で表される化合物半導体であり、該下地層中の少なくとも１つの層がこれよりＩｎＮ混晶比の小さな２つの層に挟まれて接してなり、該少なくとも１つの層のＩｎＮ混晶比が、該層に基板側から接する層のＩｎＮ混晶比より０．０５以上大きいことを特徴とする化合物半導体素子。 （もっと読む）

半絶縁性Ａｌ_ｘＧａ_ｙＩｎ_ｚＮの基板層と、Ａｌ_ｘＧａ_ｙＩｎ_ｚＮを含む第１の層と、Ａｌ_ｘ−Ｇａ_ｙＩｎ_ｚ，Ｎを含む第２の層と、上述の層のいずれか内に又は上に配置された少なくとも１つの導電性端子とを含み、第１および第２の層が二次元電子ガスを形成するように構成される電子デバイス構造が提供される。薄い（＜１０００ｎｍ）ＩＩＩ−窒化物層が、ネイティブ半絶縁性ＩＩＩ−Ｖ基板上にホモエピタキシャル成長されて、向上された電子デバイス（例えば、ＨＥＭＴ）構造を提供する。
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【課題】原子層蒸着工程を用いたシリコンリッチナノクリスタル構造物の形成方法、及びこれを用いた不揮発性半導体装置の製造方法が開示される。
【解決手段】対象体上へ第１シリコン化合物を含む第１ガスを提供して対象体上にシリコンリッチ化学吸着層を形成する。シリコンリッチ化学吸着層上へ酸素を含む第２ガスを提供して対象体上にシリコンリッチ絶縁層を形成した後、シリコンリッチ絶縁層上に第２シリコン化合物を含む第３ガスを提供して前記シリコンリッチ絶縁層上にナノクリスタル層を形成する。このような過程を反復的に行って対象体上に複数のシリコンリッチ絶縁層及びシリコンナノクリスタル層を有するシリコンリッチナノクリスタル構造物を形成する。原子層蒸着工程を通じてシリコンリッチ絶縁層とシリコンリッチナノクリスタル層を含んで高いシリコン含量と優れた段差塗布性を有するシリコンリッチナノクリスタル構造物を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】 バッファ層を改良してデバイスの絶縁性を向上させ、デバイス動作時のリーク電流を低減できるIII −Ｖ族化合物半導体エピタキシャルウェハを提供する。
【解決手段】 半絶縁性化合物半導体基板１０上に、バッファ層１１、チャネル層１４、スペーサ層１３，１５、キャリア供給層１２，１６、コンタクト層１８をエピタキシャル成長させたIII −Ｖ族化合物半導体において、バッファ層に、キャリア濃度が１Ｅ１７ｃｍ^-3以下のｎ−ＧａＡｓ、ｐ−ＧａＡｓ、もしくはｎ−Ａｌ_x Ｇａ_(1-x) Ａｓ，ｐ−Ａｌ_x Ｇａ_(1-x) Ａｓを用いてｐ／ｎ層２２，２３を形成したものである。 （もっと読む）

【課題】堆積膜の膜厚や膜特性の均一性を向上させることができる真空処理装置を提供すること。
【解決手段】減圧可能な反応空間を有する反応容器と、反応容器内を減圧可能とする排気手段と、反応容器内に設置される円筒状基体を保持する基体保持手段と、円筒状基体を回転可能にする回転手段と、反応容器内に堆積膜形成用の原料ガスを導入するための原料ガス導入手段と、円筒状基体を加熱するための加熱手段と、原料ガスを励起させて励起種化させる放電エネルギーを印加する印加手段とを備える真空処理装置において、排気手段は、円筒状基体の円周方向の一方向に、長手方向に複数設けられた排気口を有し、該排気口は、反応容器の一部であるカソード電極上及びカソード電極以外でカソード電極の両端に少なくとも配置され、該複数の排気口には、各々排気配管が接続され、各排気配管には排気コンダクタンス調整手段を有する。 （もっと読む）

【課題】 加工の際に割れにくい化合物半導体ウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】 ＧａＡｓ単結晶基板１０の第二主表面に破砕層形成防止膜２０を気相成長する第二主表面気相成長工程と、ＧａＡｓ単結晶基板１０の第一主表面を研磨する研磨工程と、ＧａＡｓ単結晶基板１０の第一主表面側に気相成長層３０を形成する第一主表面気相成長工程とをこの順に行う。 （もっと読む）

【課題】従来の積層フィルム型のＧａＮ発光ダイオード（ＬＥＤ）に比べてチップレベルで非常に高輝度、高い発光効率、多様な発光スペクトルを有するＬＥＤを提供する。
【解決手段】ｐ−ｎ接合ＧａＮナノロッドのｐ−ｎ接合面に複数のＩｎＧａＮ層とＧａＮバリア層が交互に積層された多重量子ウェルを挿入し、ｎ型ＧａＮナノロッド、多重量子ウェル、及びｐ型ＧａＮナノロッドをこの順に長手方向に連続してなるＧａＮナノロッドをアレイ状に配置して、ＩｎＧａＮ層の各Ｉｎ含量及び／又は厚さを調整する。 （もっと読む）

【課題】
低温成長バッファ層上に形成される窒化物エピタキシャル層の表面において、アレイ状クラックの発生が低減されるIII族窒化物半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】
本発明のIII族窒化物半導体基板の製造方法は、単結晶基板の温度を４００℃以上７００℃以下に保持し、ハイドライド気相成長法により該単結晶基板上にＡｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ（０≦ｘ≦１）により構成される低温成長バッファ層を成長させる第１の工程と、前記単結晶基板の温度を８５０℃以上１３００℃以下に昇温し、ハイドライド気相成長法により前記低温成長バッファ層上に、Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ（０<ｘ≦１）を少なくとも有する窒化物エピタキシャル層を成長させる第２の工程と、を含み、前記第１の工程および前記第２の工程を、同一のハイドライド気相成長装置内で連続して実施することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 ＡｌＮバッファ層より下層に挿入するＡｌＧａＮバッファ層の存在により、あるいはこれに加えたＧａＮバッファ層の成長条件により、半導体エピタキシャルウェハの反りを低減し、以て短ゲート、低オーミック抵抗のデバイスを容易に作製可能な半導体エピタキシャルウェハを得る。
【解決手段】 基板１０上に、Ａｌ_xＧａ_1-xＮ（ただし０．３ ≦ｘ≦０．７）からなり膜厚が０．０７〜０．１５μｍの第一バッファ層１と、この第一バッファ層上に形成したＡｌＮからなる第二バッファ層２と、この第二バッファ層上に二次元方向成長したＧａＮ、ＡｌＧａＮ又はＩｎＧａＮのいずれかからなる第三バッファ層３とを備え、この第三バッファ層３上に、窒化物混晶をチャネル層とする窒化ガリウム系の電子デバイス構造３０を設けた構成とする。 （もっと読む）

半導体構造が開示され、この半導体構造は、少なくとも１００ｍｍの直径を有する炭化シリコンのウェハと、ウェハ上のＩＩＩ族窒化物ヘテロ構造とを含んでおり、これは、多くの特性において、高い均一性を示す。これらは、ウェハ全面で３パーセント未満のシート抵抗率の標準偏差；ウェハ全面で１パーセント未満の電子移動度の標準偏差；ウェハ全面で約３．３パーセント以下のキャリア密度の標準偏差；およびウェハ全面で約２．５パーセントの導電性の標準偏差を含む。
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【課題】 高性能な電子デバイスが得られる技術を提供することである。特に、波長安定性や発光効率が良く、発光波長の環境温度依存性が極めて小さなエルビウムを添加した電子デバイスを提供することである。
【解決手段】 Ｅｒ，ＥｒＮ，ＥｒＰ，ＥｒＡｓ，ＥｒＳｂ、酸素と結合したＥｒを含むＧａＡｓ又はＧａ_{（１−ｘ）}Ｉｎ_ｘＰ（ｘは０〜１の数）の群の中から選ばれる電子移動可能体を形成する方法であって、
トリス−エチルシクロペンタジエニル−エルビウムを分解させ、基体上に電子移動可能体を設ける。 （もっと読む）

特定のデバイス応用に対する所望の材料特性を同定するステップと、前記所望の材料特性に基づいて半極性成長方位を選択するステップと、選択された半極性成長方位の成長のための適当な基板を選択するステップと、前記基板上に平坦な半極性（Ｇａ，Ａｌ，Ｉｎ，Ｂ）Ｎテンプレートまたは核形成層を成長するステップと、および前記平坦な半極性（Ｇａ，Ａｌ，Ｉｎ，Ｂ）Ｎテンプレートまたは核形成層上に半極性（Ｇａ，Ａｌ，Ｉｎ，Ｂ）Ｎ薄膜、ヘテロ構造あるいはデバイスを成長するステップとを備えた半極性（Ｇａ，Ａｌ，Ｉｎ，Ｂ）Ｎ薄膜、ヘテロ構造、およびデバイスの成長と作製の方法が提供される。前記の方法を用いることにより基板表面に平行な、大きな面積をもつ半極性（Ｇａ，Ａｌ，Ｉｎ，Ｂ）Ｎ薄膜、ヘテロ構造、およびデバイスが実現できる。
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【課題】 Ａｌ導入に伴う格子不整問題を回避し、Ａｌ_xＧａ_1-xＮの厚みを薄することなくクラックの発生を防止し、かつ、ＡｌＧａＮ層のＡｌ組成Ｘを高くした、発光出力が大きく、しかも寿命が長い窒化ガリウム系半導体発光装置の製造方法を提供することにある。
【解決手段】 ＡｌＧａＮ層を有する半導体発光装置の製造方法において、アルミニウム原料の一部または全部にジエチルアルミニウム・エトキサイド（（Ｃ₂Ｈ₅）₂ＡｌＯＣ₂Ｈ₅）を用いることによってｎ型導電性を有するＡｌＧａＮ層、例えばｎ型クラッド層１０３を形成する。 （もっと読む）

【課題】 優れた発光効率、逆耐電圧特性および静電耐圧特性等を有するＩＩＩ族窒化物半導体発光素子の製造に適したＩＩＩ族窒化物半導体素子用エピタキシャル基盤を提供すること。
【解決手段】 表面粗さ（Ｒａ）が１ｎｍ以下の基板と該基板上に直接積層されたＩＩＩ族窒化物半導体層とからなり、該ＩＩＩ族窒化物半導体層は互いに接する複数の層からなり、該複数の層の少なくとも一層は転位密度が１×１０⁷ｃｍ^-2以下の層であるＩＩＩ族窒化物半導体素子用エピタキシャル基盤。 （もっと読む）