【課題】非極性ＩＩＩ族窒化物層を有する多層構造及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に複数の核形成層を形成する工程と、該核形成層上に非極性ＩＩＩ族窒化物層を形成する工程とを備え、複数の核形成層がそれぞれ独立して下記式（Ｉ）で表される窒化物から選択される。


上記式において、ＡとＢは異なっており、Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、ＩＮ又はＴｌから選択され、且つ０≦ｘ≦１である。該複数の核形成層によって、応力の緩和、格子不整合（ｍｉｓｍａｔｃｈ）の減少、転位延長の阻止、転位密度の低減に有利になるため、表面が平坦で且つ結晶品質の良いＩＩＩ族窒化物層を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】半導体基板として良好な品質を持ち、且つその表面が高抵抗化されたＧａＮ系化合物半導体基板を提供する。
【解決手段】ＧａＮ基板１は、半導体結晶をエピタキシャル成長させるための主面１０ａを有する基板であって、主面１０ａの少なくとも一部の領域１２にＨやＨｅ、Ａｒといった所定のイオンが注入されており、該少なくとも一部の領域１２は主面１０ａ全域の７０％以上を占めており、該領域１２の表面におけるシート抵抗値の平均は１×１０^４Ω／□以上である。 （もっと読む）

【課題】ボロンドープシリコンゲルマニウム膜を成膜する場合、ゲルマニウム原料の使用量を抑制すると共に金属膜との結合力を強くし、生産性を向上することが可能となる半導体装置の製造方法及び基板処理装置を提供する。
【解決手段】処理室内に基板を搬入する搬入工程Ｓ１４と、処理室内にシリコン原子含有ガスとボロン原子含有ガスとゲルマニウム原子含有ガスを供給して、基板上に第一膜を成膜する第一成膜工程Ｓ２２と、処理室内にシリコン原子含有ガスとボロン原子含有ガスを供給して、第一膜上に第二膜を成膜する第二成膜工程Ｓ２４と、基板を処理室内から搬出する搬出工程Ｓ３０とを有する。 （もっと読む）

【課題】膜特性の優れた堆積膜を生産性良く形成することができる堆積膜形成装置および堆積膜形成方法を提供する。
【解決手段】減圧可能で内部に基体１０２を設置可能な反応容器部１０１および、反応容器部１０１との間を開口および閉口する弁体を有するゲートバルブ部１３０からなり、弁体により反応容器部１０１とゲートバルブ部１３０との間を開口して、反応容器部１０１の中に基体１０２を搬入し、堆積膜を形成する堆積膜形成装置において、ゲートバルブ部は、弁体を摺擦することが可能な摺擦部材と、弁体が反応容器部１０１とゲートバルブ部１３０との間を閉口している位置から開口している位置に移動する際に、弁体と摺擦部材を摺擦させるか否かの選択可能であって、摺擦させる場合に、摺擦部材が弁体を摺擦することによって、弁体に付着した異物を除去し、さらに除去した異物を反応容器部１０１の中へ落とすことが可能な摺擦機構を有する。 （もっと読む）

【課題】低欠陥密度を有するエピタキシャル基材構造およびその製造方法を提供する。
【解決手段】基層２；複数の集中した欠陥群３１およびこの集中した欠陥群３１に対応する位置に複数の第１のリセス３２を有しているエピタキシャル表面３０有する第１のエピタキシャル層３（この第１のリセス３２の大きさはそれぞれ近似している）；ならびに第１のリセス３２をそれぞれ充填しており、また磨かれた表面４１を有している複数の欠陥停止ブロック４を含む、低欠陥密度を有するエピタキシャル構造。この欠陥停止ブロック４は除去速度が第１のエピタキシャル層３のものとは異なる物質で作られている。この磨かれた表面４１は実質的にエピタキシャル表面３０と実質的に同一平面であるので、この第１のエピタキシャル層３は実質的に平坦化された結晶成長表面を有している。 （もっと読む）

【課題】 エピタキシャル層と基板との界面における電気抵抗の低減が図られた化合物半導体基板及び半導体デバイスを提供する。
【解決手段】 本発明に係る化合物半導体基板１０は、ＩＩＩ族窒化物で構成され、Ｃｌ換算で２００×１０^１０個／ｃｍ^２以上１２０００×１０^１０個／ｃｍ^２以下の塩化物及びＯ換算で３．０ａｔ％以上１５．０ａｔ％以下の酸化物を含む表面層１２を表面に有する。発明者らは、鋭意研究の末、化合物半導体基板１０の表面の表面層１２に、Ｃｌ換算で２００×１０^１０個／ｃｍ^２以上１２０００×１０^１０個／ｃｍ^２以下の塩化物及びＯ換算で３．０ａｔ％以上１５．０ａｔ％以下の酸化物が含まれるときに、化合物半導体基板１０とその上に形成されるエピタキシャル層１４との間の界面のＳｉが低減され、その結果界面における電気抵抗が低減されることを新たに見出した。 （もっと読む）

【課題】ダイヤモンドおよび単結晶基板が破損することなく、かつ大面積で結晶性の高い高品質の単結晶ダイヤモンド膜を連続膜として有する積層基板とその製造方法を低コストで提供する。
【解決手段】少なくとも、単結晶基板と、該単結晶基板上に気相合成させたダイヤモンド膜を有する積層基板であって、前記単結晶基板が、Ｉｒ単結晶またはＲｈ単結晶であることを特徴とする積層基板。また、少なくとも、単結晶基板上にダイヤモンド膜を気相合成させる工程を有する積層基板の製造方法において、前記単結晶基板に、Ｉｒ単結晶またはＲｈ単結晶を用いることを特徴とする積層基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】基板上に高品質の単結晶半導体層を形成する。
【解決手段】基板上に単結晶の半導体材料の層を形成する方法に関し、この方法は、基板１を準備する工程と、基板上に少なくとも１つの半導体材料の単分子層２を含むテンプレートをエピタキシャル成長する工程と、テンプレート上に半導体材料のアモルファス層３を堆積する工程と、熱処理またはレーザアニールを行い、半導体材料のアモルファス層を、半導体材料の単結晶層に完全に変える工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】改善された光子／電子の変換効率を備える半導体基板を製造する方法を提供する。
【解決手段】本発明は、半導体基板の製造方法に関する。当該方法は、絶縁型基板上に第１の半導体層（７）を設けるステップと、拡散バリア層（９）を設けるステップと、第２の半導体層（１１）を設けるステップとを備える。拡散バリア層を設けることにより、高ドープされた第１の半導体層から第２の半導体層への拡散を抑制することが可能になる。本発明はまた、これに相当する半導体基板、および当該基板を備えるオプトエレクトロニクスデバイスに関する。 （もっと読む）

【課題】簡単かつ汎用性のある方法で、微結晶シリコン層からなる光電変換層の表面に凹凸を設けることができる薄膜太陽電池の製造方法を提供する。
【解決手段】この薄膜太陽電池の製造方法は、基板５０上に第１導電型（例えばｎ型）微結晶シリコン層を形成する工程と、第１導電型微結晶シリコン層上にｉ型微結晶シリコン層を形成する工程と、ｉ型微結晶シリコン層を水素プラズマで処理する工程と、ｉ型微結晶シリコン層上に第２導電型（例えばｐ型）微結晶シリコン層を形成する工程とを備える。 （もっと読む）

一態様における方法は、第１熱伝導率を有する第１ダイアモンド層と、第１熱伝導率よりも高い第２熱伝導率を有する第２ダイアモンド層とを有する窒化ガリウム（ＧａＮ）層を製造するステップを含む。この製造するステップは、第２ダイアモンド層を第１ダイアモンド層上に堆積させるために、マイクロ波プラズマ化学蒸着（ＣＶＤ）プロセスを用いるステップを含む。 （もっと読む）

【課題】成長用基板上に選択成長用のマスクを配した後、横方向成長法を用いて半導体層を形成する工程を含む半導体発光装置の製造方法において、従来よりも成長過程の早い段階で平坦な膜を得ることができる半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】
成長用基板上を部分的に覆う選択成長用のマスクを成長用基板上に形成する。次に、成長用基板上のマスクで覆われていない非マスク部から半導体膜を横方向成長させてマスクを覆う貫通転位遮断層を形成する。次に、貫通転位遮断層の上に発光層を含むデバイス機能層をエピタキシャル成長させる。貫通転位遮断層を形成する工程は、常圧且つデバイス機能層の成長温度よりも低い温度雰囲気の下、互いに異なる成長速度で半導体膜の成長を行う第１ステップおよび第２ステップを交互に複数回実施する。 （もっと読む）

【課題】発光素子とした場合の発光効率が高い、高品質の窒化物半導体を提供すること。
【解決手段】本発明では、一方導電型の窒化物半導体部と、量子井戸活性層構造部と、一方導電型とは逆の他方導電型の窒化物半導体部を順次積層させた窒化物半導体を得るに際し、非極性の窒化物の主面を有する基体の上に結晶成長させることとし、一方導電型の窒化物半導体部を第１の窒化物半導体層と第２の窒化物半導体層を順次積層させたものとするとともに、第２の窒化物半導体層を４００ｎｍ〜２０μｍの厚みを有し最表面が非極性面であるようにした。結晶成長用の基体として上記のものを選択することによりＱＣＳＥ効果に基づく発光に寄与する電子とホールの空間的分離が抑制され、効率的な輻射が実現される。また、上記第２の窒化物半導体層の厚みを適正なものとすることにより、極めて激しい凹凸を呈する窒化物半導体表面となることが回避される。 （もっと読む）

【課題】有機金属気相成長法を用いた化合物半導体の製造において、剥がれた反応生成物が基板または基板上のエピ成長膜上に付着することに起因する歩留まりの低下を抑制する。
【解決手段】化合物半導体基板４０上に、有機金属気相成長法によってＩＩＩ族窒化物半導体の結晶層を化合物半導体基板４０上に順次積層してなる化合物半導体層を形成する際に、反応容器内に、その結晶成長面が上を向くように化合物半導体基板４０を取り付け、化合物半導体基板４０の上方に結晶成長面と対向する側に放射状の複数の溝６３が形成された保護部材６０を取り付け、保護部材６０の中央部に設けられた第１の貫通孔６１を介して、反応容器の内部に原料ガスの供給を行う。 （もっと読む）

【課題】 窒化アルミニウムあるいは窒化アルミニウムガリウムを含む窒化物半導体層を用い、緩やかに傾斜したフィールドプレートの形成が容易に形成ができ、電界集中を緩和して高耐圧化が実現できる窒化物半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 窒化アルミニウムあるいは窒化アルミニウムガリウムを含む窒化物半導体層に形成した側壁が斜めに傾斜した凹部内に、ゲート電極を形成する。側壁が斜めの凹部は、アルミニウムを含む窒化物半導体層の結晶性を劣化させながら成長させ、その後、結晶性の違いに応じてエッチングレートが異なるエッチング液を使用してエッチングして形成する。あるいはアルミニウムの組成比を変化させて形成することも可能である。 （もっと読む）

【課題】製造効率に優れ、光損失が低減した異機能領域を有するモノリシック半導体光集積素子、および、その製造方法を提供する。
【解決手段】半導体光集積素子は、同一基板４０１に一方向に連続して配列された互いに機能が異なる第一領域、第二領域、および第三領域を有し、基板４０１に、光導波路層と上部クラッド層とが順次積層された層構造を有し、上部クラッド層を含むリッジＲが形成され、光導波路層は、第一領域に設けられた光導波路層４０３、および、第二、第三領域にわたって設けられた光導波路層４０６で構成され、光導波路層４０３と光導波路層４０６とが第一領域と第二領域との界面において接合し、上部クラッド層は、第一、第二領域にわたって設けられた上部クラッド層４０９、および、第三領域に設けられた上部クラッド層４１２で構成され、上部クラッド層４０９と上部クラッド層４１２とが、第二領域と第三領域との界面において接合している。 （もっと読む）

【課題】結晶薄膜の膜質および膜厚を均一にする。
【解決手段】半導体デバイスを形成するためのデバイス用薄膜と、デバイス用薄膜を囲み、デバイス用薄膜の前駆体が結晶に成長することを阻害する阻害部と、前駆体が結晶に犠牲成長することによって形成された犠牲成長部であって、デバイス用薄膜の周辺に阻害部で隔てられて設けられた犠牲成長部と、犠牲成長部の上部を覆い、かつデバイス用薄膜の上部を露出する保護膜を備えた。保護膜はポリイミドであってもよい。 （もっと読む）

【課題】リーク電流を低減できる構造を有するIII族窒化物半導体電子デバイスを提供する。
【解決手段】積層体１１は基板１３及びIII族窒化物半導体エピタキシャル膜１５を含む。基板１３は、１×１０^１８ｃｍ^−３を越えるキャリア濃度を有するIII族窒化物半導体からなる。エピタキシャル構造物１５はIII族窒化物半導体エピタキシャル膜１７を含む。基板１３の第１の面１３ａはｃ軸の方向に延びる軸Ｃｘに対して５度より大きい角度θで傾斜している。法線ベクトルＶＮ及びｃ軸ベクトルＶＣとは角度θを成す。III族窒化物半導体エピタキシャル膜１７は第１の面１３ａの法線方向に順に配置された第１、第２及び第３の領域１７ａ、１７ｂ、１７ｃを含む。第３の領域１７ｃの転位密度は第１の領域１７ａの転位密度よりも小さい。第２の領域１７ｂの転位密度は基板１３の転位密度よりも小さい。 （もっと読む）

【課題】活性化アニールを行うことなく、ｐ型ドーパントを含む窒化ガリウム系半導体を提供可能な、ｐ型窒化ガリウム系半導体を作製する方法を提供する。
【解決手段】支持体１３上に、ｐ型ドーパントを含むＧａＮ系半導体領域１７を成長炉１０で形成する。有機金属原料及びアンモニアを成長炉１０に供給して、ＧａＮ系半導体層１５上にＧａＮ系半導体層１７を成長する。このＧａＮ系半導体にはｐ型ドーパントが添加されており、ｐ型ドーパントとしては例えばマグネシウムである。ＧａＮ系半導体領域１５、１７の形成の後に、モノメチルアミン及びモノエチルアミンの少なくともいずれかを含む雰囲気１９を成長炉１０に形成する。雰囲気１９が提供された後に、ＧａＮ系半導体領域１７の成長温度から基板温度を下げる。成膜を完了して、基板温度を室温近傍まで低下させたとき、ｐ型ＧａＮ系半導体１７ａ及びエピタキシャルウエハＥの作製は完了している。 （もっと読む）

【目的】
基板上に結晶欠陥の少ない、単結晶性及び平坦性に優れた酸化亜鉛系半導体結晶の成長方法を提供する。また、高性能かつ高信頼性の半導体素子、特に、発光効率及び素子寿命に優れ、量産性に優れた高性能な半導体発光素子を提供する。
【解決手段】
ＭＯＣＶＤ法において、酸素を含まない有機金属化合物と水蒸気を用い、（ａ）２５０℃〜４５０℃の範囲内の第１の低成長温度及び１ｋＰａ〜３０ｋＰａの範囲内の低成長圧力で結晶成長を行って第１の単結晶層を形成するステップと、（ｂ）上記第１の低成長温度よりも高い第２の低成長温度及び上記低成長圧力よりも高い圧力で結晶成長を行って上記第１の単結晶層上に第２の単結晶層を形成するステップと、（ｃ）高成長温度及び上記低成長圧力よりも高い圧力で結晶成長を行って上記第２の単結晶層上に第３の単結晶層を形成するステップと、を有する。 （もっと読む）