【課題】膜厚及び特性の均一性を満足する堆積膜を形成可能な触媒ＣＶＤ装置及び堆積膜形成方法を、より簡便な装置構成で達成すること。
【解決手段】触媒体ＣＶＤ装置において、触媒体４を円筒状基体７の母線に対してａ（ｍｍ）の間隔を保って設置し、円筒状基体の母線方向の長さをｂ（ｍｍ）としたときに、触媒体の長さＬ（ｍｍ）を次式（１）を満たす長さに設定する。
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【課題】バリア層上に膜質のよい高誘電率材料の絶縁体が形成され得る、絶縁体の成膜方法を提供すること。
【解決手段】半導体基板の面上に、第１の比誘電率を有する材料を本質的な成分とする第１の絶縁膜を形成する第１の工程と、第１の絶縁膜上に、第１の比誘電率より大きな第２の比誘電率を有する材料を本質的な成分とする第２の絶縁膜を第１の絶縁膜の膜厚より厚く形成する第２の工程と、を具備し、第２の工程が、処理室内に第１の原料ガスを流す工程と、第１の原料ガスをパージする工程と、処理室内に第１の酸化剤を流す工程と、第１の酸化剤をパージする工程と、処理室内に第２の原料ガスを流す工程と、第２の原料ガスをパージする工程と、処理室内に第２の酸化剤を流す工程と、第２の酸化剤をパージする工程とを順次繰り返してなされる。 （もっと読む）

【課題】薄膜中に均一に配置された微粒子を含む薄膜を形成することができる薄膜形成装置を得ること。
【解決手段】基板５を載置して加熱しながら保持する基板ホルダ６と、ガス供給部４７から基板５付近まで原料ガスを導くガス供給管４１ａ，４１ｂと、ガス供給管４１ａ，４１ｂから吹出されるガスからプラズマ４８ａ，４８ｂを生成するプラズマ源４６ａ，４６ｂとを有し、基板５に対してプラズマ処理するプラズマ処理室４ａ，４ｂと、微粒子供給部３４からの微粒子含有媒体を基板５表面に噴出する噴出口３１とを有し、基板５表面に微粒子を配置する微粒子噴出室３と、プラズマ処理室４ａ，４ｂからの原料ガスと、微粒子噴出室３からの微粒子含有媒体と、を収集する排気部８ａ，８ｂと、を備え、基板ホルダ６とプラズマ処理室４ａ，４ｂと微粒子噴出室３とを同一の容器２内に配置する。 （もっと読む）

【課題】成長させる膜のキャリア濃度の面内均一性の悪化を抑制し、かつパーティクルの混入を抑制するサセプタおよび気相成長装置を提供する。
【解決手段】サセプタ１ａは、本体部２と、第１および第２のコーティング部５、６とを備えている。本体部２は、基板１００を載置する載置面３と、基板１００の側面１００ａを支持する支持部４とを含んでいる。本体部２の表面２ａは、支持部４において載置面３の延在方向に沿った方向に伸びる領域を含み、かつ載置面３の外周を囲む第１の領域２ａ１と、第１の領域２ａ１の外周を囲む第２の領域２ａ２とを有している。第１のコーティング部５は、第１の領域２ａ１上に位置し、Ｓｉを含まない材料よりなる。第２のコーティング部６は、第２の領域２ａ２上に位置し、ＳｉＣよりなる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、エッチング後の残膜を一定の膜厚とできる残膜制御性のよい薄膜形成方法を提供することを目的とする。
【解決手段】第１膜厚の第１部分と、該第１膜厚より薄い第２膜厚の第２部分とを有する薄膜を形成する方法であって、基板上に該第１膜厚の該薄膜を成膜する工程と、成膜時の該薄膜にレーザ照射を行って反射波の干渉波形である成膜時干渉波形を取得する工程と、該薄膜の該第２部分をエッチングする工程と、該エッチング時の該第２部分にレーザ照射を行ってエッチング時干渉波形を取得する工程と、該成膜時干渉波形に基づいて、該第２部分が該第２膜厚になった状態の該エッチング時干渉波形である目標エッチング時干渉波形を演算する工程とを備え、該エッチング時干渉波形が該目標エッチング時干渉波形となった時点でエッチングをストップすることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】大口径で貫通転位の少ないＧａＮ系半導体基板、その製造方法および半導体素子を提供する。
【解決手段】ＧａＮテンプレート基板１０は、ＺｎＯ単結晶基板１１と、この基板１１の裏面１１ａと側面１１ｂに形成された保護膜１２と、ＺｎＯ単結晶基板１１の表面１１ｃに形成された界面層１３と、界面層上に形成されたＺｎＯ単結晶基板１１と格子整合するＩｎＧａＮ層１４と、ＩｎＧａＮ層上に形成された数μｍ以上の厚いＧａＮ層１５と、を備える。転位密度の小さいＺｎＯ単結晶基板１１に格子整合して成長されたＩｎＧａＮ層１４を有するＩｎＧａＮ／ＺｎＯ複合基板を下地としてＧａＮ層１５が成長されているので、ＧａＮ層１５の貫通転位密度が大幅に低減されている。ＧａＮ層１５を成長する際に、ＺｎＯ単結晶基板１１がアンモニアによって破壊されるのを保護膜１２により抑制でき、ＩｎＧａＮ層やＧａＮ層へのＺｎ，Ｏの混入を抑制できる。 （もっと読む）

【課題】フォトセンサ素子の感度を向上可能する。
【解決手段】ｎ層４７ｎとｉ層４７ｉとｐ層４７ｐとのそれぞれを液晶パネル２００の面の法線方向ｚにおいて、順次、積層することで、フォトセンサ素子３２を形成する。ここでは、ポリシリコンよりも光吸収係数が高い微結晶シリコンによって、ｉ層４７ｉを形成する。 （もっと読む）

【課題】単結晶シリコン又は多結晶シリコンを用いたエピタキシャル層を有する薄膜半導体基板を、割れを少なく低コストで製造することができる薄膜半導体基板の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】薄膜半導体基板の製造方法であって、半導体基板の面内の少なくとも１部にはイオン注入層を形成させないようにして水素イオン又は希ガスイオンの少なくとも一方をイオン注入する工程と、前記半導体基板のイオン注入された側の面上にエピタキシャル層を形成させる工程と、前記半導体基板から前記エピタキシャル層を形成された薄膜を分離させる工程とを行うことを特徴とする薄膜半導体基板の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】 超格子／量子井戸構造体を含むセグメント化された半導体ナノワイヤ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 セグメント化された半導体ナノワイヤは、テンプレートなしに、２つ又はそれ以上の半導体材料の層状構造体から材料を除去することによって製造する。除去は、層状構造体の表面上のいくつかの場所で起こり、優先的に結晶軸の方向に沿って進行するので、除去が殆どまたは全く生じなかった場所に、セグメント化された構造体を有するナノワイヤが残る。異なるセグメント間の界面は、ナノワイヤの長手方向に対して垂直であるか又はある角度をなしている。 （もっと読む）

【課題】電気的な絶縁性及び良好な熱伝導性を有する中間層を備えた化合物半導体基板の提供。
【解決手段】表面の結晶面方位が｛１１１｝面であるＳｉ単結晶基板１００と、前記Ｓｉ単結晶基板１００の表面に形成され、ＡｌＮで構成された第１層１１０ａと、ＭｇＯで構成された第２層１１０ｂとが、この順で互いに交互に複数積層された中間層１１０と、前記中間層１１０上に形成され、ＧａＮ（０００１）、ＡｌＮ（０００１）又はＩｎＮ（０００１）のいずれか１種で構成された窒化物半導体単結晶層１２０と、を備える。 （もっと読む）

【目的】本発明は、窒素成分の抜けが少なく、ゲートリーク電流の増大を抑制することができるＨｉｇｈ−ｋゲート絶縁膜を成膜する、High-kゲート絶縁膜の成膜方法を提供する。
【解決手段】 第一の処理部にて、シリコン基板上にHigh-kゲート絶縁膜を形成する工程と、シリコン基板を第二の処理部に搬入する工程と、前記ゲート絶縁膜を窒素及び希ガス含有ガスでHigh-kゲート絶縁膜を窒化する工程と、 前記窒化された基板を前記第二の処理部でアニール処理する工程とを有する半導体デバイスの製造方法。 （もっと読む）

【課題】本発明は、触媒ＣＶＤにおいて、アモルファスシリコン堆積膜を安定して成膜が可能な装置及び方法を提供する。更には触媒ＣＶＤに用いる触媒体の処理方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、基体を収容する反応室と、該反応室内にシリコン原子を含む原料ガスを供給するガス供給手段と、該ガス供給手段より供給される該原料ガスに接触するように配置された触媒体とを備え、少なくとも水素及び／又はハロゲンを含む非単結晶シリコン膜を製造する触媒ＣＶＤ装置であって、触媒体の触媒体保持部近傍の触媒体表面に炭素皮膜が形成されていることを特徴とする触媒ＣＶＤ装置である。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉ系基板上に結晶性の良いＳｉ系単結晶をエピタキシャル成長させることのできる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の一態様に係る半導体装置の製造方法は、酸化物からなる部材を備えたＳｉを主成分とする半導体基板の表面をＳｉおよびＧｅのうちの少なくともいずれか１つを含むハロゲン含有ガスに曝す工程と、前記半導体基板の前記表面をハロゲン含有ガスに曝し始めた後、前記表面をハロゲンを含まないＳｉ含有ガスおよびハロゲンを含まないＧｅ含有ガスのうち少なくともいずれか１つを含む雰囲気に曝し、前記表面にＳｉおよびＧｅのうち少なくともいずれか１つを含む結晶膜をエピタキシャル成長させる工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】発光ダイオード構造を形成する窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を基板上に成長させた後、この基板をこの層にほとんど物理的損傷を与えることなく低コストで容易に剥離することができ、垂直電流注入型の発光ダイオードを容易に製造することができる発光ダイオードの製造方法を提供する。
【解決手段】基板１１上に金属からなる凸部１２を形成し、凸部１２の間の凹部１３に、その底面を底辺とする三角形状の断面形状となる状態を経て窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層１４を成長させ、この窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層１４から横方向成長を行った後、その上に活性層１７を含む窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を成長させて発光ダイオード構造を形成する。その後、凸部１２を電気分解して除去することにより基板１１をこれらの窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層から剥離する。 （もっと読む）

【課題】 半導体基板と窒素を含む活性層との間にＡｌを含む半導体層を設けた半導体発光素子において、発光特性を著しく改善することができる半導体発光素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 Ａｌを構成元素として含む第１の半導体層５０１の成長後に、成長室内の窒素化合物原料または窒素化合物原料中に含まれる不純物が触れる場所に残留したＡｌ原料、またはＡｌ反応物、またはＡｌ化合物、またはＡｌを除去する工程を設けており、その後、層厚がＡｌを含む第１の半導体層５０１よりも薄いＡｌを含む第２の半導体層５０２を設けてから、窒素を含む活性層２０４を形成している。 （もっと読む）

【課題】ベース・エミッタをエピタキシャル成長により形成するバイポーラトランジスタにおいて、真性ベースを薄くして遮断周波数を向上すると同時に、厚い外部ベースを形成することでベース抵抗を低減する。
【解決手段】具体例を述べれば、ベース層をエピタキシャル成長した後に、低温アニールを行うことで、開口部周辺部分のシリコン・ゲルマニウム層に凸部ができるように変形させ、真性ベースのキャリア走行時間を増大させずにベース抵抗を低減する。 （もっと読む）

【課題】簡易に生産性の向上が図れる化合物半導体エピタキシャルウェハの製造装置及び製造方法を提供する。
【解決手段】複数の基板４が周方向に沿って設置される円盤状のディスク１と、ディスク１をその中心軸回りに水平に回転させる回転機構（回転軸）２と、ディスク１に基板４を設置するためのホルダ５と、ディスク１に対向して配置され、ディスク１との間にガス流路１１を形成する対向板６と、複数の基板４を加熱するヒーター３とを備え、ホルダ５のガス流路１１に面した成長面５ａと基板４のガス流路１１に面した成長面４ａとが同一平面上に位置するように、ホルダ５と基板４が配置され、且つディスク１のガス流路１１に面した成長面１ａよりもホルダ５の成長面５ａが対向板６側に突出して配置されている。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、デバイス活性層の近傍に形成した場合であっても、デバイス活性層に悪影響を与えることなく、高いゲッタリング能力をもったゲッタリング層を有するエピタキシャルウェーハ及びその製造方法を提供することにある。
【解決手段】シリコン基板２０上（図１(ａ)）又は、必要に応じて形成したシリコンエピタキシャル下地膜３０上に（図１(ｂ)）、シリコン、炭素及び酸素を含有するゲッタリングエピタキシャル膜４０を形成し（図１(ｃ)）、該ゲッタリングエピタキシャル膜４０の上又は必要に応じて形成したキャッピングシリコン膜５０上に（図１(ｄ)）、デバイス活性層となる主シリコンエピタキシャル膜６０を形成する（図１(ｅ)）ことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】開放電圧を増加させることで発電効率を向上させた光電変換装置を提供する。
【解決手段】ｐ層４１と、ｉ層４２と、ｎ層４３とが積層された光電変換層３を備える光電変換装置１００であって、前記ｐ層４１と前記ｉ層４２との界面に界面層が形成され、該界面層が窒素原子を１％以上３０％以下の原子濃度で含有する窒素含有層とされる。及び、基板１上に、ｐ層４１と、ｉ層４２と、ｎ層４３とが積層された光電変換層３を形成する工程を含む光電変換装置１００の製造方法であって、前記ｐ層４１と前記ｉ層４２との界面に界面層が形成され、該界面層として、窒素原子を１％以上３０％以下の原子濃度で含有する窒素含有層を形成する。 （もっと読む）

薄膜トランジスタ構造体中に微結晶シリコン層を形成する方法を提供する。一実施形態において、微結晶シリコン層を形成する方法は、処理チャンバ内に基板を配置し、水素系ガス、シリコン系ガス及びアルゴンガスを有するガス混合物を処理チャンバに供給することを含み、このガス混合物は、約１００：１より大きい水素系ガス：シリコン系ガス体積流量比を有し、水素系ガスとシリコン系ガスとを合わせた総流量に対するアルゴンガスの体積流量比は約５％〜約４０％であり、また微結晶シリコン層を基板上に堆積する間、処理チャンバ内のガス混合物の処理圧力を約３Ｔｏｒｒより高く維持することを含む。
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