【課題】高電圧を印加しても短絡破壊を生じないトランジスタとして動作する半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１は、基板１０（シリコン基板１０ａ）の上に形成されたバッファ層２１と、バッファ層２１の上に形成されたチャネル層２２と、チャネル層２２の上に形成され、チャネル層２２とヘテロ接合を構成する障壁層２３とを備える。バッファ層２１およびチャネル層２２は、窒化物半導体で形成されている。チャネル層２２は、膜厚を１μｍ以上２μｍ以下とされ、炭素濃度を５×１０¹⁶ｃｍ^-3以下とされている。 （もっと読む）

【課題】ワイドバンドギャップ材料内に、接合温度低下、動作中の高電力密度化、及び定格電力密度における信頼性向上を達成する高電力デバイスを形成する。
【解決手段】ＳｉＣ層１０にＳｉＯ_２層を形成し、次いで、熱伝導率を高めるためにダイアモンド層１１を形成する。そして、ＳｉＣ層１０の厚さを低減し、ダイアモンド層１１及びＳｉＣ層１０の向きを逆にしてダイアモンド１１を基板とする。次いで、ＳｉＣ層１０上に、バッファ層１６、ヘテロ構造層１４及び１５を形成する。 （もっと読む）

【課題】格子欠陥が発生することを防止した光取り出し効率の高い発光ダイオードを提供する。
【解決手段】発光ダイオードは、第一半導体層１２０と、第二半導体層１４０と、活性層１３０と、第一電極１５０及び第二電極１６０と、を含む。第一半導体層、活性層及び第二半導体層が、第一電極から離れる方向に沿って、基板に順に積層して設置され、第一半導体層が、第一電極に接続され、第二電極が、第二半導体層に電気的に接続され、第一半導体層の第一電極と隣接する表面が、複数の溝を含むパターン化表面１２２であり、第一半導体層のパターン化表面が、第一電極に接続される。 （もっと読む）

【課題】充分な選択比を備え、また、除去が比較的容易なエッチングストッパ層を得る。
【解決手段】ＧａＡｓ基板１０上に設けられた高電子移動度トランジスタ構造２０と、高電子移動度トランジスタ構造２０の上に設けられたヘテロ接合バイポーラトランジスタ構造４０と、を備え、高電子移動度トランジスタ構造２０とヘテロ接合バイポーラトランジスタ構造４０との間には、Ａｓ濃度が１．０×１０^１６ａｔｏｍｓ／ｃｃ以上１．０×１０^２１ａｔｏｍｓ／ｃｃ以下のＩｎＧａＡｓＰ層からなるエッチングストッパ層３０を備える。 （もっと読む）

【課題】クラックが入り難い高抵抗な窒化物半導体基板を提供する。
【解決手段】下地基板の表面に、第１の層Ｂと第２の層Ｆからなる窒化物半導体層１を形成し、その窒化物半導体層１を下地基板から分離して得られる直径４０ｍｍ以上、厚さ２００μｍ以上の自立した窒化物半導体基板１０であって、第２の層Ｆは、その表面の面内の平均転位密度が１×１０³ｃｍ^-2以上、１×１０⁸ｃｍ^-2未満であると共に、電気抵抗率が０．０２Ωｃｍより大きくなるように形成されており、第１の層Ｂは、第２の層Ｆよりも電気抵抗率が低くなるように形成されているものである。 （もっと読む）

【課題】本発明は、発光ダイオードの製造方法に関する。
【解決手段】本発明の発光ダイオードの製造方法は、結晶成長のための前記結晶面を有する前記基板を提供する第一ステップと、前記基板の前記結晶面にカーボンナノチューブ層を設置する第二ステップと、前記基板の前記結晶面に第一半導体層、活性層及び第二半導体層を順に成長させる第三ステップと、前記第二半導体層の表面に第二電極を設置する第四ステップと、前記基板を除去する第五ステップと、前記第一半導体層の表面に第一電極を設置する第六ステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】格子欠陥が発生することを防止した発光ダイオードを提供する。
【解決手段】発光ダイオード１０は、基板１００と、第一半導体層１２０と、第二半導体層１４０と、活性層１３０と、第一電極１５０と、第二電極１６０と、を含む。第一半導体層、活性層、及び第二半導体層は、基板から離れる方向に沿って、基板に順次的に積層され、第一電極は、第一半導体層に電気的に接続され、第二電極は、第二半導体層に電気的に接続され、第一半導体層の基板と隣接する表面は、複数の空隙を含むパターン化されたカーボンナノチューブ層１０２である。第一半導体層のパターン化された表面が基板に接続することによって複数のキャビティが形成される。 （もっと読む）

【課題】大電流密度の電流を活性層に注入した場合における発光効率の低下を抑制する。
【解決手段】ｎ型窒化物半導体層と、ｐ型窒化物半導体層と、ｎ型窒化物半導体層とｐ型窒化物半導体層との間に設けられた活性層とを備え、活性層は、量子井戸層と、ｐ型窒化物半導体層に接する障壁層とを含む多重量子井戸構造を有し、障壁層は、ＡｌＧａＮ層と、ＧａＮ層との２層構造からなり、障壁層のＡｌＧａＮ層が量子井戸層のｐ型窒化物半導体層側に接している窒化物半導体発光ダイオード素子である。 （もっと読む）

【課題】電子のトラッピング現象を緩和すると共に、ヘキサゴナル欠陥の発生を抑制可能な窒化物半導体エピタキシャルウェハの製造方法を提供する。
【解決手段】基板１上に核生成層２を形成し、その核生成層２上に第一の窒化物半導体層３を形成し、その第一の窒化物半導体層３上に、前記第一の窒化物半導体層３よりも電子親和力の小さい第二の窒化物半導体層４を形成する窒化物半導体エピタキシャルウェハ１０の製造方法において、前記第一の窒化物半導体層３を形成する際の成長温度が、前記第二の窒化物半導体層４を形成する際の成長温度よりも低くするものである。 （もっと読む）

【課題】ＩＶ族基板表面の混合結晶上に結晶性を向上させたＩＩＩ族窒化物層構造を有する窒化物半導体素子を提供する。
【解決手段】立方晶のＩＶ族基板材料のＩＶ族基板表面を有する基板上にエピタキシャル堆積されている、ＩＩＩ族窒化物層構造を有する窒化物半導体素子であって、ＩＶ族基板表面が、Ｃ２対称性の単位格子を有するが、Ｃ２対称性より高度の回転対称性の単位格子は有さない｛ｎｍｌ｝表面［式中、ｎ、ｍはゼロ以外の整数であり、かつｌ≧２］であるようにする。 （もっと読む）

【課題】 基板を保持する基板ホルダー、該基板ホルダーを回転自在に保持するサセプタ、該サセプタの対面、該基板を加熱するためのヒータ、該サセプタと該サセプタの対面の間隙からなる反応炉、原料ガスを供給する原料ガス導入部、反応ガス排出部、及び基板ホルダー回転駆動器を有するIII族窒化物半導体の気相成長装置であって、サセプタの脱着が容易でメンテナンス性に優れ、基板ホルダー回転駆動器及び基板ホルダー回転駆動軸に対するヒータからの熱伝導を抑制できる構造を有するIII族窒化物半導体の気相成長装置を提供することである。
【解決手段】 基板を保持する複数の基板ホルダーが、基板ホルダー回転駆動器から、基板ホルダー回転駆動軸、該基板ホルダー回転駆動軸に設けられた複数本のツメ、及び反応炉の中心部に設けられ該ツメと脱着可能に噛み合わされた基板ホルダー回転板を介して伝達される回転駆動力により回転する構成とする。 （もっと読む）

【課題】基板の反りを抑制しつつ、バッファ層及び化合物半導体の厚さを稼ぐことができ、素子耐圧を向上することができる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、基板２と、バッファ層３と、窒化物系化合物半導体４とを備える。バッファ層３は、ＡｌＮ層とＧａＮ層とを積層した第１のバッファ領域３２１，３３１と、ＧａＮ層を有する第２のバッファ領域３２２，３３２とを交互に積層して構成される。バッファ層３において窒化物系化合物半導体４側の第１のバッファ領域３３１とそれに隣接する第２のバッファ領域３３２との１組の全体のＡｌ組成は基板側の１組のＡｌ組成に対して大きく設定されている。 （もっと読む）

【課題】光閉じ込め性の低下を縮小しながら駆動電圧の低減を可能にする窒化物半導体レーザを提供する。
【解決手段】半導体領域１９では、発光層１３の活性層２５、第１のクラッド領域２１及び第２のクラッド領域２３は主面１７ａ上に設けられる。第２のクラッド領域２３は、第１ｐ型III族窒化物半導体層２７及び第２ｐ型III族窒化物半導体層２９を含む。第１ｐ型III族窒化物半導体層２７はＩｎＡｌＧａＮ層からなり、第２ｐ型III族窒化物半導体層２９は該ＩｎＡｌＧａＮ層と異なる半導体からなる。このＩｎＡｌＧａＮ層は非等方的な歪みを内包する。第１ｐ型III族窒化物半導体層２７は第２ｐ型III族窒化物半導体層２９と活性層２５との間に設けられる。第２ｐ型III族窒化物半導体層２９の比抵抗ρ２９は第１ｐ型III族窒化物半導体層２７の比抵抗ρ２７より低い。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体を用いた半導体装置のオン抵抗を低減できるようにする。
【解決手段】半導体装置は、アンドープのＡｌＧａＮ層１０４と、該ＡｌＧａＮ層１０４の上に形成され、ＡｌＧａＮ層１０４とオーミック接触するソース電極１０７及びドレイン電極１０８とを有している。ＡｌＧａＮ層１０４の上部における少なくとも各電極１０７、１０８と接触する部分には、不純物拡散層１１０が形成されている。不純物拡散層１１０は、ＡｌＧａＮ層１０４に対しアクセプタ性を示す不純物が拡散し、且つ、ＡｌＧａＮ層１０４における窒素空孔と不純物とが結合してなる不純物準位が、ＡｌＧａＮ層１０４の伝導帯端の近傍に形成される。 （もっと読む）

【課題】低シート抵抗化、リーク電流の低減、および、オーミック電極の接触抵抗の低減を実現する。
【解決手段】基板と、基板上に設けられ第１の窒化物系化合物半導体からなるチャネル層と、チャネル層上に設けられたバリア層と、バリア層上に設けられた第１電極と、チャネル層の上方に設けられた第２電極とを備え、バリア層は、チャネル層上に設けられ第１の窒化物系化合物半導体よりバンドギャップエネルギーが大きい第２の窒化物系化合物半導体からなる障壁層と、第２の窒化物系化合物半導体よりバンドギャップエネルギーが小さい第３の窒化物系化合物半導体からなり量子準位が形成された量子準位層とを有する半導体デバイスを提供する。 （もっと読む）

【課題】製造工程の煩雑化を伴うことなく製造中におけるウエハの割れを防止すること。
【解決手段】窒化物半導体素子形成用ウエハは、基板の上に、下地層、第１導電型窒化物半導体層、活性層、および第２導電型窒化物半導体層が順に積層されて構成されている。基板は、窒化物半導体素子材料とは異なる材料からなる。また、下地層および／または第１導電型窒化物半導体層の膜厚は、基板の中央側と基板の周縁側とで異なっており、基板の周縁側からその基板の中央側へ向かうにつれて大きくても良いし、基板の周縁側からその基板の中央側へ向かうにつれて小さくても良い。窒化物半導体素子は、窒化物半導体素子形成用ウエハを用いて作製されたものである。 （もっと読む）

【課題】大型化が比較的容易で、比較的安価な窒化物半導体用基板を提供する。
【解決手段】基材１２０と、該基材１２０の上部に設置されたバッファ層１６０と、該バッファ層１６０の上部に設置された窒化物半導体層１８０とを有する窒化物半導体用基板１００であって、前記基材１２０は、石英で構成され、前記バッファ層１６０は、ガリウム（Ｇａ）および／またはアルミニウム（Ａｌ）の窒化物を含み、前記窒化物半導体層１８０は、ガリウム（Ｇａ）および／またはアルミニウム（Ａｌ）を含む窒化物半導体で構成され、前記基材１２０と前記バッファ層１６０の間には、応力緩和層１２５が設置され、該応力緩和層１２５は、前記基材１２０に近い側のアモルファス層１３０および前記基材１２０に遠い側の結晶化層１５０を有し、または前記基材１２０に遠い側に結晶成分を含むアモルファス層を有し、前記応力緩和層１２５は、窒化珪素または酸窒化珪素を含む。 （もっと読む）

【課題】 暗電流を増大させることなく、近赤外の長波長側に受光感度を拡大することができる、受光素子等を提供する。
【解決手段】本発明の受光素子は、ＩｎＰ基板１の上に位置し、ＩｎＧａＡｓ層３ａとＧａＡｓＳｂ層３ｂとが交互に積層されたタイプ２の多重量子井戸構造の受光層３を備え、ＩｎＧａＡｓ層またはＧａＡｓＳｂ層の層内において上面または下面へと、そのＩｎＧａＡｓまたはＧａＡｓＳｂのバンドギャップエネルギが小さくなるように、厚み方向に組成の勾配が付いていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉオフ基板上にＧａＡｓを低欠陥密度でヘテロエピタキシャル成長させることのできる半導体基板及び半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体基板４は、主表面を｛１ ０ ０｝面から＜０ １ １＞方向へ傾斜させたＳｉオフ基板１と、Ｇａ_１−ｘＩｎ_ｘＰ（０≦ｘ≦０．５）からなり、積層方向に沿って組成比ｘが連続的に増大するバッファ層２と、バッファ層２上に形成されたＧａＡｓ層３とを備えていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】光照射に適合した、少なくとも１つの電位障壁、又は表面障壁を持つ半導体デバイスの製造または処理に関し、高い絶縁破壊電圧と、大電流で低いキヤリア密度を有するデバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】ａ）基板１を用意するステップと、ｂ）第１エピタキシャル半導体層３を基板１の上に設けるステップと、ｃ）１次元または２次元の繰り返しパターンを形成するステップと、を含み、パターンの各部分が、０．１〜５０の範囲のアスペクト比を有するようにした方法を開示する。対応する半導体デバイス、電子回路および装置も開示している。 （もっと読む）