【課題】基板を裏面側から支持装置により水平に支持するにあたり、当該基板と支持装置との接触による基板の裏面における傷の生成やパーティクルの発生を抑えること。
【解決手段】支持体本体３１上に形成された複数の凹部４１内に、磁性体からなる芯材４２ａと、この芯材４２ａの外周側を覆う被覆材４２ｂと、を備えた転動体４２を転動自在に収納し、これら転動体４２の上面によりウエハＷを裏面側から水平に支持すると共に、凹部４１の下方側に位置規制機構４３を設ける。そして、各々の位置規制機構４３について、支持体本体３１上に載置されるウエハＷが水平方向に移動する場合、当該ウエハＷの動きに倣って位置規制機構４３の引きつける力に抗して転動体４２が転動し、支持体本体３１上にウエハＷが載置されていない時には位置規制機構４３の上方側に転動体４２が戻るように構成する。 （もっと読む）

【課題】外側ヒータと内側ヒータとの出力の差を小さくするとともに、外側ヒータの負荷を上げることなく、半導体ウエハの温度を均一に近づける。
【解決手段】内側ヒータ８の発熱面積ＳＨ１、外側ヒータ９の発熱面積ＳＨ２、半導体ウエハ２００の面積ＳＷ、ウエハホルダの面積ＳＢと表すとき、内側ヒータ８の発熱面積ＳＨ１と外側ヒータ９の発熱面積ＳＨ２との比率が、 ＳＨ１／（ＳＨ１＋ＳＨ２）×１００＝６０乃至５５％、 ＳＨ２／（ＳＨ１＋ＳＨ２）×１００＝４０乃至４５％ を満たすように内側ヒータ８及び外側ヒータ９を構成する。 （もっと読む）

【課題】成膜反応を極めて短時間で停止させ、オーバーシュートを抑制する。
【解決手段】基板１０が収容される第１のチャンバー３と、成膜原料が混合された超臨界状態の媒体を第１のチャンバー３へ供給する供給ラインと、第１のチャンバー３内において基板１０を保持するステージ９と、第１のチャンバー３内の圧力を、前記媒体の臨界圧力よりも低い圧力に減圧させるための第２のチャンバー４と、第１のチャンバー３と第２のチャンバー４とを接続する配管７ａと、配管７ａに設けられたバルブ７ｂとを有する。 （もっと読む）

【課題】生産性を向上し、空隙率が高いエアギャップを形成することができる半導体装置の製造方法及び基板処理装置を提供することができる。
【解決手段】表面に複数の配線層が形成された基板に対し処理ガスを供給して、前記基板の表面における隣り合う配線層間に形成される溝に対して段差被覆性の悪い条件で絶縁膜を形成する工程と、前記基板に対しエッチングガスを供給して、前記絶縁膜に対して等方性エッチングを行う工程と、を所定回数行うことにより、隣り合う配線層間にエアギャップを形成する。 （もっと読む）

【課題】処理室内壁に付着する微小異物を低減して生産性を向上する。
【解決手段】内部にコーティングを施した真空処理室と、前記真空処理室内に配置され被処理材を前記真空処理室内に保持する載置電極１０２と、多孔板を有し前記真空処理室内に処理ガスを分散して供給するガス供給系１０４と、前記真空処理室内を真空排気する排気手段１０５を備え、前記真空処理室内に高周波電力を供給して、プラズマを生成し前記載置電極上に載置された被処理材にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、前記コーティング膜は耐プラズマ性の材料を含む膜であり、該膜のスパッタ物に前記コーティング膜を形成する物質が吸収する波長のレーザ光を照射するレーザ光源１２３を備えた。 （もっと読む）

【課題】基板面内のコンタクト抵抗を低く抑えることを可能とした化合物半導体エピタキシャルウェハの製造方法と、トランジスタ用エピタキシャルウェハを提供する。
【解決手段】基板１上に有機金属原料化学気相成長法で化合物半導体層を形成する気相エピタキシャル成長装置１０によってｎ型不純物がドーピングされたｎ型コンタクト層を成長させる際に、原料ガスが供給される上流側に設けられた第１ヒータ１６のヒータ温度を５００℃以上とし、第１ヒータ１６より下流側に設けられた他のヒータ１７，１８のヒータ温度を第１ヒータ１６のヒータ温度よりも低く、かつ、３５０℃以上５００℃以下に調整する。 （もっと読む）

【課題】 高誘電率絶縁膜の吸湿を抑制し、信頼性を向上させる。
【解決手段】 処理容器内に基板を搬入する工程と、処理容器内で基板上に高誘電率絶縁膜を形成する工程と、処理容器内で高誘電率絶縁膜上に高誘電率絶縁膜よりも吸湿性の低い低吸湿性絶縁膜を形成する工程と、処理容器内より低吸湿性絶縁膜形成後の基板を搬出する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】本発明の実施形態は、ドライエッチングされた基板の表面に、良好な結晶性を有する窒化物半導体を形成することができる半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態は、ドライエッチングにより処理された基板の表面をハロゲン元素を含む雰囲気中で熱処理し、前記熱処理した前記基板の前記表面に窒化物半導体層を形成することを特徴とする半導体素子の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】 低コストで必要な仕事関数及び耐酸化性を有する金属膜を備えた半導体装置を提供する。
【解決手段】 表面に金属膜が形成された基板を処理容器内に搬入する工程と、処理容器内に原料ガスと酸化源とを供給し排気することで、基板の表面に形成された金属膜上に所定膜厚の金属酸化膜を形成する処理を行う工程と、処理済基板を処理容器内から搬出する工程と、を有し、処理を行う工程では、酸化源としてオゾンガス、酸素ガスまたはプラズマにより活性化された酸素ガスを用い、所定膜厚の金属酸化膜を形成する過程において形成される金属酸化膜越しに、酸化源に含まれる酸素原子を、金属膜の表面に導入することで、金属膜の表面を酸化して導電性の金属酸化層に改質する。 （もっと読む）

【課題】カーボン基材またはＳｉ含浸ＳｉＣ基材の基板支持具表面に形成された高純度ＳｉＣ膜の、処理室クリーニング時におけるエッチングを抑制し、処理室内や基板の汚染を回避する。
【解決手段】基板支持具の表面にＳｉ含有層を形成する工程と、減圧下で酸素含有ガスと水素含有ガスとを用いて前記Ｓｉ含有層をＳｉＯ層に変化させる工程と、を交互に繰り返すことにより基板支持具の表面にＳｉＯ膜を形成する工程Ｓ１，Ｓ２と、表面にＳｉＯ膜が形成された基板支持具により基板を支持した状態で基板上に薄膜を形成する工程Ｓ４と、基板支持具に付着した堆積物をフッ素含有ガスを用いて除去する工程Ｓ５と、その後に再度、基板支持具の表面にＳｉ含有層を形成する工程と、減圧下で酸素含有ガスと水素含有ガスとを用いてＳｉ含有層をＳｉＯ層に変化させる工程と、を交互に繰り返すことにより基板支持具の表面にＳｉＯ膜を形成する工程Ｓ６と、を有する。 （もっと読む）

【課題】ウエットクリーニングによらず、ＭＯＣＶＤ装置の処理容器内を短時間に、かつ低温で清浄化する方法を提供する。
【解決手段】ＭＯＣＶＤ法により窒化物半導体を成膜するＭＯＣＶＤ装置の処理容器内の付着物に、水素ラジカル又はハロゲンラジカルを作用させることにより、前記付着物を揮発成分に変化させて前記処理容器の外部へ排出させる。水素ラジカル又はハロゲンラジカルは、処理容器の内部でクリーニングガスのプラズマを生成させたり、クリーニングガスへレーザー照射したりする方法で発生させてもよく、処理容器の外部で発生させて処理容器内へ導入してもよい。 （もっと読む）

【課題】シャワープレート等を取り外さずに、シャワープレートの有無を切り替えて基板の処理や成膜が可能なガス分散用装置、このガス分散用装置を備えた真空処理装置、並びにこの真空処理装置を用いた基板の処理方法及びカーボンナノチューブの形成方法を提供する。
【解決手段】ガス供給管に連通する第１の開口部３２及び真空処理装置内部にガスを供給するための第２の開口部３３をそれぞれ対向して上面及び下面に有するハウジング３１と、ハウジング内に設けられた水平方向に滑動自在のガス分散用部材３４であって、複数のガス供給用孔３４ｃが設けられている前方部分３４ａ及びこの孔が設けられていない後方部分３４ｂとからなるガス分散用部材と、ガス分散用部材を滑動せしめるための駆動機構３５とを備えてなり、ガス分散用部材を前方に滑動せしめた時に、第２の開口部に前方部分が位置するように構成される。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣを高温アニールするような場合であっても、低熱容量で且つ均一加熱が可能な熱処理装置を提供する。
【解決手段】熱処理装置において、平行平板電極２、３と、これら電極間に高周波電圧を印加し放電させる高周波電源６と、これら電極間に配置される被加熱試料１の温度を計測する温度計測手段１７と、これら電極間へのガス導入手段１０と、これら電極の周囲を覆う反射鏡１３と、高周波電源６の出力を制御する制御部１８を備える。これら電極間での放電によるガス加熱を用いて被加熱試料１の熱処理を行う。 （もっと読む）

【課題】三角欠陥及び積層欠陥が低減され、キャリア濃度及び膜厚の均一性が高く、ステップバンチングフリーのＳｉＣエピタキシャルウェハを提供する。
【解決手段】本発明のＳｉＣエピタキシャルウェハは、０．４°〜５°のオフ角で傾斜させた４Ｈ−ＳｉＣ単結晶基板上にＳｉＣエピタキシャル層を形成したＳｉＣエピタキシャルウェハであって、前記ＳｉＣエピタキシャル層の表面の三角形状の欠陥密度が１個／ｃｍ^２以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣエピタキシャル成長過程でサセプタに付着した膜を除去し、製造歩留まりを向上させることのできる半導体製造装置を提供する。
【解決手段】サセプタＳに載置されるウェハＷ上にＳｉＣエピタキシャル膜を形成する成膜室２と、サセプタＳが搬送される搬送用ロボット１７を有する搬送室４を介して成膜室２に連結され、サセプタＳに付着したＳｉＣ膜を除去するクリーニング室５とを有する。クリーニング５室は、サセプタＳを４００℃以上の温度で加熱するヒータ２０８と、サセプタＳの上方からエッチングガスを供給してＳｉＣ膜を除去するエッチングガス供給手段とを備える。クリーニング室５は、サセプタＳの表面にＳｉＣ膜を形成する再生室を兼ねる。 （もっと読む）

【課題】紫外光による基板のダメージを最小限に抑えながら基板の酸化膜の改質を行う。
【解決手段】オゾンと紫外光とを基板１１に供して基板１１上の酸化膜を改質する酸化膜改質装置１は、格納された基板１１に対してオゾンと紫外光が供される処理炉２と、前記改質が開始されてからの基板１１に供された後のオゾンガスのオゾン濃度の上昇を検出しこの検出したオゾン濃度の上昇速度の変化に基づき紫外光の照射を制御する制御部７とを備える。制御部７は前記オゾン濃度の上昇速度の低下を検出した時点で基板１１に対する紫外光の照射を停止させる。 （もっと読む）

【課題】基材の表面近傍をごく短時間だけ均一に高温熱処理するに際して、あるいは、反応ガスによるプラズマまたはプラズマと反応ガス流を同時に基材へ照射して基材を低温プラズマ処理するに際して、基材の所望の被処理領域全体を短時間で処理することができ、かつ、再現性に優れたプラズマ処理装置及び方法を提供することを目的としている。
【解決手段】プラズマトーチユニットＴにおいて、螺旋形の導体棒３が石英管４の内部に配置され、その周囲に真鍮ブロック５が配置されている。筒状チャンバ内にガスを供給しつつ、導体棒３に高周波電力を供給して、筒状チャンバ内にプラズマを発生させ、基材２に照射する。真鍮ブロック５は開口部１２を先端として先細形状に構成され、放射光の光軸４３が真鍮ブロック５によって遮られない位置に、基材２の表面温度を測定するための放射温度計受光部４２が配置されている。 （もっと読む）

【課題】混合基板の選択された領域上に、Ｓｉ含有膜を選択的に堆積するためのトリシランおよびハロゲン含有エッチャントソース（塩素など）を使用する化学気相成長方法を提供すること。
【解決手段】ドーパントソースは、ドープしたＳｉ含有膜を選択的に堆積させるために、トリシランおよびエッチャントソースと混合することもできる。この選択的堆積方法は、半導体製造などの様々な用途に有用である。 （もっと読む）

【課題】面内にわたって表面抵抗率を均一化し、得られるＨＥＭＴ素子の製品抵抗のバラツキを低減した化合物半導体エピタキシャルウェハ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ＧａＡｓからなる基板１上に、少なくともＡｌＧａＡｓからなるバッファ層３、ＡｌＧａＡｓからなる下部電子供給層４、ＧａＡｓもしくはＩｎＧａＡｓからなる電子走行層５、ＡｌＧａＡｓからなる上部電子供給層６、ＡｌＧａＡｓからなるショットキー層７、及びｎ型不純物を含有するＧａＡｓからなるオーミックコンタクト層８が順次形成された化合物半導体エピタキシャルウェハ１０において、オーミックコンタクト層８の外周部のキャリア濃度を中心部のキャリア濃度より高くしたものである。 （もっと読む）

【課題】高い寸法精度で製造することができ、かつパーティクル・ダストの排出を抑制することができるガスノズルを提供する。
【解決手段】ガスノズル４は、ガスが流れる貫通孔１２，１４を備えた本体１３を有する。本体１３は、貫通孔１２，１４のそれぞれの内周面に複数の環状の段差部１６ａ，１６ｂ，１６ｃを有し、ガスが流れる方向における各段差部１６ａ，１６ｂ，１６ｃの上流よりも下流において、貫通孔１２，１４のそれぞれの内周面が、より中心側に位置している。 （もっと読む）