【課題】ウエハが出し入れされる方向に対して斜めに開閉駆動されるゲート弁において、プラズマが回り込みやすい側のシール部材の劣化を抑制する。
【解決手段】ゲート弁は、プラズマ処理装置のチャンバに対してウエハが出し入れされるゲートに設けられ、ウエハの出し入れの方向に対して斜めに交差する斜め方向に開閉駆動される。ゲート弁は、本体部１と、本体部１に設けられ、ゲート弁が閉じたときに、ゲート１０の周縁部に当接するシール部２と、本体部１におけるシール部２が設けられる面から突出し、シール部２の前方において、プラズマが回り込みやすい側に隙間の狭隘部３０を形成する突出部３とを備える。 （もっと読む）

【課題】縦型の熱処理炉内に混入するパーティクルを低減し、基板（ウエハ）へのパーティクル付着を抑えることができる技術を提供すること。
【解決手段】ウエハボート３を縦型の熱処理炉２内に、当該熱処理炉の下方側に形成された炉口２０から搬入し、熱処理を行う装置において、前記ウエハボート３が前記熱処理炉２の下方側に位置しているときに、前記炉口２０を塞ぐ蓋体６１を設ける。この蓋体６１は前記炉口２０を塞ぐ位置と開く位置との間で移動自在に設けられており、蓋体６１が前記炉口２０を塞ぐ位置から外れているときに、当該蓋体６１の上面のパーティクルをクリーニングノズル７により吸引して除去する。このため、次に蓋体６１が炉口２０を塞いだ時に、熱処理炉２内に持ち込まれるパーティクル量を低減できるので、ウエハへのパーティクル付着を抑えることができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、第III族−Ｎ（窒素）化合物半導体ウエハを製造するために、特にＧａＮウエハを製造するために最適化された方法及び装置に関する。
【解決手段】
具体的には、この方法は、化学気相成長（ＣＶＤ）反応器内の隔離弁取付具上の不要な材料の形成を実質的に防止することに関する。特に、本発明は、システムで使用される隔離弁上のＧａＣｌ₃及び反応副生成物の堆積／凝縮を抑制する装置及び方法と、１つの反応物質としてのある量の気体状第III族前駆体と別の反応物質としてのある量の気体状第Ｖ族成分とを反応チャンバ内で反応させることによって、単結晶第III−Ｖ族半導体材料を形成する方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】製膜処理のタクトタイムが短い場合であっても、アンロード室で基板の温度分布が少ない状態とし、基板のそり変形や破損を抑制することができる基板冷却方法、基板冷却装置および製膜装置を提供することを目的とする。
【解決手段】減圧環境下において高温条件で表面に製膜処理が施された基板７を、減圧環境下でアンロード室に受け入れて、基板７の少なくとも一方の面側から、基板７の中央部に冷媒を噴き付けて基板７の冷却を行う第１基板冷却工程と、該第１基板冷却工程を経た基板７をアンロード室から搬出した後に、基板７の一方の面の反対側から、第１基板冷却工程で冷媒を噴き付けた領域の縁から所定距離内側に冷媒を噴き付けて、あるいは、第１基板冷却工程で冷媒を噴き付けた領域の縁から所定距離外側に冷媒を噴き付けて基板の冷却を行いながら基板の面内温度分布を補正する第２基板冷却工程と、を備える基板冷却方法。 （もっと読む）

【課題】メンテナンス作業による装置の稼働停止時間を短縮することにより、装置の稼働率を向上する。
【解決手段】アンテナ交換方法は、複数の真空チャンバ１と基材搬送チャンバ１５０の内部を真空状態に減圧し、アレイアンテナユニット３０をアンテナ搬送チャンバ２００に収容し、そのアンテナ搬送チャンバ２００の内部を真空状態に減圧し、アンテナ搬送チャンバ２００と真空チャンバ１との内部を真空状態に維持したまま当該両チャンバを連通し、真空状態を維持したまま連通された両チャンバ間で、アンテナ搬送チャンバ２００から真空チャンバ１にアレイアンテナユニット３０を搬入し、真空チャンバ１内に搬入されたアレイアンテナユニット３０の電極棒それぞれが、高周波電源に電気的に接続された複数のコネクタに接続されるようにアレイアンテナユニット３０を真空チャンバ１内に掛け止めする。 （もっと読む）

【課題】ウェットエッチングによるクリーニングの頻度を低減させることができる原子層堆積装置を提供する。
【解決手段】基板上に薄膜を形成する原子層堆積装置であって、内部が真空に維持される成膜容器と、成膜容器の内部に配置される加熱部と、成膜容器の開口に取り付け可能な筒状のインジェクタと、インジェクタを介して成膜容器の内部に薄膜の原料である原料ガスを供給する原料ガス供給部と、インジェクタを介して成膜容器の内部に原料ガスと反応して薄膜を形成する反応ガスを供給する反応ガス供給部と、不活性ガスを供給する不活性ガス供給部と、を備え、インジェクタは、原料ガスが流れる原料ガス供給口と、反応ガスが流れる反応ガス供給口と、不活性ガスが流れる不活性ガス供給口と、を備え、不活性ガス供給口は、インジェクタと成膜容器との隙間に不活性ガスが流れるように、インジェクタの外表面に設けられていることを特徴とする原子層堆積装置。 （もっと読む）

【課題】小型で設置面積の小さい真空処理装置を提供する。
【解決手段】中心に搬送ユニット１０５配置し、処理室に設けられた処理台を備え、被処理物を処理台に設置し、ガスを利用して被処理物を処理する処理室１０３，１０３’、１０４、１０４’を複数有する真空処理装置において、ガスを供給する流量調節ユニット１０７，１０７’を二つの処理室１０３―１０４、１０３’―１０４’間に配置した。 （もっと読む）

【課題】製膜室内で発生したパーティクルに起因した製膜室における内部リークの発生が防止され、良好な面内均一性を長期間、安定に実現可能な半導体膜製造装置および半導体膜製造方法を得ること。
【解決手段】製膜室５と、製膜室５の一側壁部に設けられて製膜室５へ基板２を搬入し且つ搬出するための搬入出ゲート１５と、搬入出ゲート１５を介して製膜室５と接続されて製膜室５へ基板２を搬入し且つ搬出するための減圧可能な搬送室２０と、一側壁部の搬送室２０側の側面における搬入出ゲート１５の周縁部の全周にシール材１１を挟んだ状態で搬入出ゲート１５を塞いで製膜室５を密閉可能な開閉自在のゲートバルブ１０と、搬入出ゲート１５に配置されて製膜室５内で発生したパーティクル８を捕捉するためのトラップ板９と、を備える。 （もっと読む）

【課題】成膜反応を極めて短時間で停止させ、オーバーシュートを抑制する。
【解決手段】基板１０が収容される第１のチャンバー３と、成膜原料が混合された超臨界状態の媒体を第１のチャンバー３へ供給する供給ラインと、第１のチャンバー３内において基板１０を保持するステージ９と、第１のチャンバー３内の圧力を、前記媒体の臨界圧力よりも低い圧力に減圧させるための第２のチャンバー４と、第１のチャンバー３と第２のチャンバー４とを接続する配管７ａと、配管７ａに設けられたバルブ７ｂとを有する。 （もっと読む）

【課題】真空容器内の可変コンダクタンスバルブとしてゲートバルブを用い、ガス排気を調節するとともに、真空容器をガスの流れ易い形状にすると同時に真空容器に圧力調節機構を設けることで、処理室内の圧力調整領域の拡大を実現できるプラズマ処理装置とする。
【解決手段】プラズマ処理装置の処理室２１０の電極部２１１の上部にエッチングガスを流し、放電部２００より導入された電波をあてることでプラズマを生成し、電極部２１１上のウエハをエッチングし、エッチング処理に用いたガスや、エッチング処理によって生成された生成物等の粒子を、排気部２２０にて、ガス、生成物等の粒子をチャンバ２２１、ゲートバルブ２２２、真空ポンプ２２３を通じて排気する。エッチング処理時に所望の圧力を得る手段として、同軸で軸方向に移動可能なチャンバ２２１及び左右に開閉可能なゲートバルブ２２２を用いて制御を行う。 （もっと読む）

【課題】１装置当たりの処理能力を増加する基板搬送装置。
【解決手段】半導体加工部品処理装置は第１チャンバと、搬送ビークルと、他のチャンバとを有している。第１チャンバは外部環境から隔離されることが可能である。搬送ビークルは第１チャンバ内に位置しており、第１チャンバから移動自在に支持されており、第１チャンバに対して直線状運動する。搬送ビークルはベースと、該ベースに運動自在に取り付けられて、該ベースに対して多アクセス運動が可能な統合した半導体加工部品移送アームとを有している。他のチャンバは第１チャンバに第１チャンバの閉鎖自在な開口部を介して連通自在に接続されている。開口部は搬送ビークルが第１チャンバと他のチャンバとの間で開口部を介して通行可能な大きさを有している。 （もっと読む）

【課題】外部リークをより少なくして真空状態を維持することができ、ロール交換時に巻き出し室や巻取り室を素早く大気圧状態に戻し、ロール交換後も素早く真空状態に戻すことができるフィルム製造装置を提供する。
【解決手段】フィルム製造装置１は、巻き出し手段６、巻き取り手段７、３つの反応室４Ａ、４Ｂ、４Ｃ、フィルム搬送路５より構成され、フィルムが通過する少なくとも一の開口部を有する反応室内に配置され、かつ、開口部には、該フィルムを挟みながら封止することにより真空室を密封可能とする弁体を有するバルブ機構１１〜１６が具備されている。 （もっと読む）

【課題】バルブ閉鎖の全長に亘って均等な接触力、密閉力のフラップトランスファーバルブを提供する。
【解決手段】バルブ閉鎖ビーム４は共通回転軸１０の周りに回動できるように軸受け要素２７に取り付けられている。回転軸１０は第１の開口部１の側面において、第１の密閉面３の平面２８上を延びている。バルブ閉鎖ビーム４は閉鎖位置と開放位置との間で、回転軸１０の周りに約９０度まで回動できる。閉鎖位置ではバルブ閉鎖ビーム４の閉鎖面８は、第１の開口部１をカバーして閉鎖する。開放位置ではバルブ閉鎖ビーム４は第１の開口部１から離れるように回動して、第１の開口部１を開放する。回転軸１０は第１の開口面１５に向き合う軸受け要素２７の片側にあり、シャフト軸１２は第２の開口面１６に向き合う軸受け要素２７の反対側にある。 （もっと読む）

【課題】真空下の半導体処理システムにおいて加工中の製品を処理する方法及びシステムに関する。
【解決手段】複数のロボットアームセットを持つロボットコンポーネントを使用した半導体を搬送するシステムであって、ロボットコンポーネント４００２は加工中の製品を搬送する下部ロボットアームセットを有し、ロボットコンポーネントは前記下部ロボットアームセットに対して実質上垂直な位置に、前記加工中の製品を搬送する上部ロボットアームセットを有する。 （もっと読む）

【課題】従来の比較可能なサイズの搬送チャンバの平坦な底部より薄く形成することができ、費用と重量を低減する。
【解決手段】基板処理ツール２０１の搬送チャンバ２０３は、少なくとも一の処理チャンバ１７と少なくとも一のロードロックチャンバ１５に連結される側壁部２１５を有する本体部２０７を有している。本体部は、少なくとも一の処理チャンバと少なくとも一のロードロックチャンバの間で基板を搬送するために用いられるロボット２０５の少なくとも一部を収容している。蓋部２２７は、搬送チャンバの本体の上部に連結されてこれを封止している。搬送チャンバは、搬送チャンバの本体の底部に連結されてこれを封止するために用いられるドーム型底部２３３を有している。 （もっと読む）

【課題】メンテナンスに必要な寸法を減少し専有床面積を減少する。
【解決手段】基板処理装置は、基板を移載する基板移載装置が配置された移載室と、該移載室の背面に配設され、基板を待機させる待機室と、前記待機室の上方に配設され基板を処理する処理室とを備えており、前記基板移載装置は、前記移載室内の幅方向一方側に配置され、前記移載室内の前記幅方向他方側には、前記移載室の雰囲気を清浄するクリーンユニットが配置され、前記幅方向他方側の前記移載室の正面または背面には、開口部と該開口部を開閉する開閉手段とが、前記基板移載装置よりも前記クリーンユニットに近くなるに従って前記移載室の空間が漸次小さくなるように配置されている。 （もっと読む）

【課題】半導体処理槽の開閉を行うバルブにおいて、バルブ前後の圧力差が大きくなっても問題なく操作可能なバルブを提供する。
【解決手段】開口を封止するように適合され、かつ第１の壁と、該第１の壁に形成された第１の開口１１５と、第２の壁と、該第２の壁に形成された第２の開口１１７とを有するバルブハウジング１０５を含むスリットバルブ１０１ａを基本とし、該スリットバルブかつ該第２の開口を封止するように適合された封止部１０７と、該封止部１０７に対して移動可能であり、かつ該第１の壁に接触するように適合された支持部材１０９とを有する閉鎖部材１０３を含むスリットバルブ。 （もっと読む）

【課題】連通路に流すパージガスの流れを制御し、連通路の上壁面に堆積する副生成物を抑制し、半導体ウェーハ上のパーティクルの発生量を低減してＬＰＤの発生量を低減可能なエピタキシャル成長装置を提供する。
【解決手段】半導体ウェーハの表面にエピタキシャル膜を成膜する反応ガスが反応室の供給口から供給される。反応ガスは、供給口に対向配置された排出口に向かって流される。一方、パージガスは、長さ方向が、この反応ガスの流れと略直交する方向に長い連通路に噴出される。このとき、連通路において、供給口側のパージガスの流量を排出口側のそれよりも多くする。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェーハの外周側に位置するプロセスチャンバー部に設置されている、ウェーハ搬送部とプロセスチャンバー部を仕切るゲートバルブ部近傍部の温度低下を改善する。
【解決手段】ウェーハ搬送部２８とプロセスチャンバー部２１とを仕切るゲートバルブ部２９の近傍温度を制御可能とする。ゲートバルブ部２９とプロセスチャンバー部２１との間に新たな仕切部３２を設け、本仕切部３２の材質はプロセスチャンバー部２１と同じ材質とし、さらに仕切部３２の内部には、温度制御可能なヒータ３３および熱電対３４を設け熱電対３４の温度に基づいてヒータ３３の制御を行う。 （もっと読む）

【課題】開口部を開閉するための弁体にヒーターを取り付け、且つこのヒーターに容易に電力を供給することができるようにする。
【解決手段】ゲートバルブ装置１０は、隣接する２つの空間を仕切る壁に設けられた開口部１１２を開閉するための弁体１２と、弁体１２を移動させる弁体移動装置２０と、弁体１２を加熱するためのヒーター１３と、ヒーター１３に電気的に接続されていると共に、ヒーター１３に供給される電力を出力する電力出力部に対して電気的且つ物理的に接続可能なコネクタとを備えている。弁体１２、ヒーター１３およびコネクタは一体化されている。コネクタは、弁体１２が開口部１１２を閉塞した状態では電力出力部に対して電気的且つ物理的に接続され、弁体１２が開口部１１２を開放した状態では電力出力部から電気的且つ物理的に乖離するように、弁体１２と連動する。 （もっと読む）