【課題】処理チャンバへの流れを提供する方法と装置を提供する。
【解決手段】一実施形態において、内容積部を有するチャンバ本体と、内容積部に配置された基板支持部と、非対称分布のガス注入ポートを有するガス分配アセンブリとを含む真空処理チャンバを提供する。他の実施形態において、基板を処理チャンバ内の基板支持部上に配置し、処理チャンバ内の基板上に配置されたガス分配板上に規定した空間に処理ガスを横方向に流し、処理ガスを存在させて基板を処理することを含む基板を真空処理する方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】処理室内に発生した異物の攪拌を抑制することにより、基板への異物の吸着を抑制することが可能な基板処理装置、および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】
基板を処理する処理室と、処理室内に処理ガスを供給する処理ガス供給ラインと、処理室内に不活性ガスを供給する不活性ガス供給ラインと、不活性ガス供給ラインに設けられ不活性ガス供給ラインに供給された不活性ガスを処理室内に供給することなく排気する不活性ガスベントラインと、不活性ガス供給ラインの不活性ガスベントラインが設けられる部分よりも下流側に設けられた第１バルブと、不活性ガスベントラインに設けられた第２バルブと、処理室内を排気する排気ラインと、を有する。 （もっと読む）

【課題】マイクロ波プラズマ処理装置において、プラズマ励起のためのガス導入経路での放電を防止する。
【解決手段】被処理基板を処理するプラズマ処理装置において、プラズマを励起するための空間と、プラズマを励起するためのプラズマガス導入経路を多孔質媒体、たとえば多孔質セラミック材料で分離することにより、前記プラズマガス導入経路でのプラズマの励起を防止して、所望のプラズマ励起空間において高密度かつ均一なプラズマを励起させることが可能とする。 （もっと読む）

本発明は、第III族−Ｎ（窒素）化合物半導体ウエハを製造するために、特にＧａＮウエハを製造するために最適化された方法及び装置に関する。具体的には、この方法は、化学気相成長（ＣＶＤ）反応器内の隔離弁取付具上の不要な材料の形成を実質的に防止することに関する。特に、本発明は、システムで使用される隔離弁上のＧａＣｌ₃及び反応副生成物の堆積／凝縮を抑制する装置及び方法と、１つの反応物質としてのある量の気体状第III族前駆体と別の反応物質としてのある量の気体状第Ｖ族成分とを反応チャンバ内で反応させることによって、単結晶第III−Ｖ族半導体材料を形成する方法を提供する。
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【課題】小流量から大流量の水蒸気の生成を可能とするパイロジェニック酸化装置を提供する。
【解決手段】ウエハを処理する処理炉と、酸素と水素とを燃焼反応させて水蒸気を生成する水蒸気発生装置５０と、水蒸気発生装置５０で生成した水蒸気を処理炉内に供給するガス導入部とを備えているパイロジェニック酸化装置において、水蒸気発生装置５０に小流量用ノズル６０と複数本の大流量用ノズル７０とを設ける。小流量の水蒸気を供給する時には小流量用ノズル６０を使用して、細長い炎６９を生成して紫外線センサ５６の検出を確保する。大流量の水蒸気を供給する時には複数本の大流量用ノズル７０を使用して、大流量の水蒸気の生成を確保しつつ、短い炎７９を形成して石英の失透を防止する。 （もっと読む）

【課題】水蒸気熱酸化を利用して酸窒化膜へ高濃度の窒素を加え、基板上へ酸窒化物薄膜を成長させる方法を提供する。
【解決手段】基板上に酸窒化膜を成長する方法は、処理チャンバ内に基板を設ける工程１００、処理チャンバを加熱する工程１０２、並びに、水蒸気を含む湿式処理ガス及び亜酸化窒素(NO)を含む窒化ガスを処理チャンバへ流し込む工程１０４を有する。湿式処理ガス及び窒化ガスは、基板上に酸窒化膜が成長するように、基板と反応する処理雰囲気を形成する。 （もっと読む）

【課題】液体原料の気化ガスがキャリアガス供給ラインに流入するのを防止又は抑止する。
【解決手段】基板処理装置は、ウエハ２００を収容する処理室２０１と、ウエハ２００を加熱するヒータ２０７と、処理室２０１内に所望の処理ガスを供給するガス供給系と、処理室２０１内の雰囲気を排気するガス排気系と、コントローラ２８０とを備え、前記ガス供給系は、液体の原料を気化させる気化ユニットを含み、前記気化ユニットは、バルブ３１１を介して接続されるキャリアガス供給管３１０と、バルブ３０１を介して接続される液体原料用のガス供給管２３２ａとを含み、コントローラ２８０は、キャリアガス供給管３１０内の圧力をガス供給管２３２ａ内の圧力よりも高く維持させ且つバルブ３０１を閉じる動作を行う際は、バルブ３１１が開放されていることを条件に閉動作を実行する。 （もっと読む）

【課題】稼働率の低下を防止しつつドライクリーニング方法を実施する。
【解決手段】ＣＶＤ装置の処理炉３０は、処理室３６内に成膜ガスやクリーニングガスを供給するノズル５１、５６と、ノズル５１、５６に開閉弁５３、５８を介して接続され成膜ガスを供給する成膜ガス供給ライン５２、５７と、ノズル５１、５６に開閉弁６３、６７を介して接続されクリーニングガスを供給するクリーニングガス供給ライン６２、６６と、ノズル５１と成膜ガス供給ライン５２を加熱するヒータ７２とを具備する。排気管４０にヒータ７１を敷設する。成膜する際にはヒータ７２を所定の温度に加熱維持する。ドライクリーニングする際には、ヒータ７１、７２をエッチング温度以下に制御する。
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【課題】半導体処理システムにガスを分配する方法及び装置を提供する。
【解決手段】一実施形態において、ガスを半導体処理システムに分配する装置は、入口及び出口ポートを有する複数のガス入力及び出力ラインを含む。接続ラインは、各対のガス入力及びガス出力ラインを結合している。接続バルブが配置されて、各接続ラインを通してフローを制御する。マスガスフローコントローラが配置されて、各入口ポートへのフローを制御する。他の実施形態において、方法は、複数の出口の少なくとも１つに選択的に結合された少なくとも複数の入口を有するマニホルドを提供し、処理又は較正回路の前に、処理チャンバをバイパスする真空環境に、マニホルドを通して、１種類以上のガスを流し、基板処理中に、処理チャンバへ１種類以上のガスを流すことを含む。 （もっと読む）

【課題】レーザ照射手段のような大掛かりな装置を必要とせず、ＰＦＣ系ガスを用いずに、十分な処理効果を奏するプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法、ガス発生装置及びガス発生方法、並びに、フッ素含有高分子廃棄物処理方法を提供する。
【解決手段】プラズマを発生させる放電空間４に配置されたフッ素含有高分子原料１と、プラズマ中において上記フッ素含有高分子原料と反応することによって、フッ素含有化学反応種を発生させるガスを供給するガス供給手段８とを備え、プラズマ中にフッ素含有化学反応種を発生させ、該フッ素含有化学反応種により被処理物を処理するプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法、ガス発生装置及びガス発生方法である。フッ素含有高分子廃棄物にプラズマ又はプラズマ中を通過したガスを照射することにより、当該フッ素含有高分子廃棄物のフッ素を回収するフッ素含有高分子廃棄物処理方法である。 （もっと読む）

【課題】フットスペースを小さくできるガス集積ユニットを提供すること。
【解決手段】ガス集積ユニット１に、第１ガスの供給を制御する第１ガスユニット７２Ａ，７２Ｂ，７２Ｃと、第１ガスユニット７２Ａ，７２Ｂ，７２Ｃに接続し、複数の流体制御機器３１〜３４、３８Ａ〜４３Ａ、３８Ｂ〜４３Ｂ、３８Ｃ〜４３Ｃにより第１ガスユニット７２Ａ，７２Ｂ，７２Ｃに合流させるパージガスを制御する第２ガスユニット７３と、第１ガスユニット７２Ａ，７２Ｂ，７２Ｃに積み重ねられる積層ブロック６１Ａ，６１Ｂ，６１Ｃと、を設け、流体制御機器の一部３８Ａ，３８Ｂ，３８Ｃを積層ブロック６１Ａ，６１Ｂ，６１Ｃに積み重ねる。 （もっと読む）

【課題】処理空間の全領域にガスを均一に供給し、処理の面内均一性を向上させることが可能なガス導入機構及び被処理体の処理装置を提供する。
【解決手段】処理容器４内でガスを用いて被処理体Ｗに対して処理を施すためのガス導入機構５０において、処理容器の外部からガスを導入するためのガス導入ポート部５２を有すると共に、天井部に近い側壁にその周方向に沿って設けられたガス導入リング部材５４と、処理容器内の天井部に回転可能に設けられた円板状の回転基台５６と、回転基台の周辺部に、側面がガス導入リング部材の側面と接近して対向するように設けられ、回転基台の周方向に沿って形成されたガス噴射用のスリット部５８を有するリング状のガス噴射リング部材６０と、ガス導入リング部材とガス噴射リング部材の対向する側面に、周方向に沿って且つガス導入ポート部に対応させて設けられたリング状のガス案内溝部６２とを備える。 （もっと読む）

【課題】結晶性に優れた窒化物半導体を製造することができる窒化物半導体製造装置、窒化物半導体の製造方法および窒化物半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】原料ガスを流すためのフローチャンネル１０２とフローチャンネル１０２の形状を変化させるための形状変化装置１０４とを備える構造とした。また、この窒化物半導体製造装置を使用して、原料ガスを流すフローチャンネル１０２の形状を変化させて窒化物半導体を製造する。 （もっと読む）

デュアルマグネトロンスパッタリングモードで動作する、少なくとも第１および第２のスパッタリングカソードを備えるマグネトロンスパッタリング装置に使用するデュアルマグネトロンスパッタリング電源であって、それぞれ前記第１および第２のカソードに伴われ、かつそれぞれが対応する前記第１および第２のカソードへの反応ガス・フローを制御するように適合された第１のフロー制御バルブ（１２）および第２のフロー制御バルブ（１４）を介して、前記第１のカソード（１）および第２のカソード（４）のそれぞれに対して反応ガス・フローを供給するための手段を備え、前記電源は、前記第１および第２のカソードのそれぞれについて、前記カソードで発生する過剰な電圧に関連してフィードバック信号を送付する手段と、前記それぞれのフロー制御バルブを調整することにより前記それぞれのカソードが伴うそれぞれのフロー制御バルブへの前記反応ガス・フローを制御するともに、前記それぞれのカソードから前記カソードについて設定される設定値に対応した電圧フィードバック信号を取得するように、前記フローバルブを調整する制御回路と、を備えるデュアルマグネトロンスパッタリング電源である。また、このような電源が組み込まれたマグネトロンスパッタリング装置が請求されている。
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【課題】部品の劣化を抑制することができるガス供給装置、ガス供給方法、薄膜形成装置の洗浄方法、薄膜形成方法及び薄膜形成装置を提供する。
【解決手段】水素導入管１７ｄは、内部流路１７４と、内部流路１７４を覆うように形成された外部流路１７５とを有している。内部流路１７４から水素が供給され、外部流路１７５から窒素が供給される。このため、内部流路１７４から供給された水素は、その周囲が窒素に覆われた状態で水素導入管１７ｄから供給される。 （もっと読む）

【課題】基板に対する熱負荷を低減できる半導体装置の製造方法等を提供する。また、半導体素子の特性を向上させることができる半導体装置の製造方法等を提供する。
【解決手段】ノズル２２に設けられた開口部から放出される過熱水蒸気を基板１００上に走査し、基板１００上のシリコン層を熱処理する。この熱処理によって、シリコン層が再結晶化される。この際、シリコン層の表面に酸化膜が形成される。この酸化膜をゲート絶縁膜や容量絶縁膜として使用することができる。かかる処理によれば、過熱水蒸気によりシリコン層の再結晶化を行なうことができる。また、過熱水蒸気によりシリコン層の改質を行うことができる。また、ノズル２２と基板１００との距離や走査速度を調整することにより基板１００に対する熱負荷を低減することができる。 （もっと読む）

【課題】 処理容器内が設定圧力となるような処理ガスを短時間で供給することができる処理ガス供給機構を提供する。
【解決手段】 処理ガス供給機構３は、基板Ｇを収容する処理容器としてのチャンバー２内に処理ガスとしてのＨｅガスを供給するためのＨｅガス供給源３０と、Ｈｅガス供給源３０からのＨｅガスを一時的に貯留するための処理ガスタンク３３と、Ｈｅガス供給源３０からのＨｅガスを処理ガスタンク３３に送給し、処理ガスタンク３３内のＨｅガスをチャンバー２内に送給する処理ガス通流部材３５とを具備し、Ｈｅガスが、処理ガス通流部材３５を介して、Ｈｅガス供給源３０から処理ガスタンク３３に一旦貯留され、処理ガスタンク３３からチャンバー２内に供給される。 （もっと読む）

前駆体原料容器１００が、容器本体１０４、容器本体１０４内の通路１４５、及び本体１０４の表面に取り付けられる弁１０８、１１０、２１０を備える。内部チャンバ１１１が化学反応物を収容するようになっており、通路１４５は、本体１０４の外側からチャンバ１１１まで延びる。弁１０８、１１０、２１０は、通路１４５を通る流れを調整する。容器１００は、入口弁１０８及び出口弁１１０、及び場合によっては内部ガスを抜くためのベント弁２１０を有する。外部ガスパネル９７が、出口弁１１０と基板反応チャンバ１６２との間に流体的に介装される少なくとも１つの弁１８２を含み得る。ガスパネル弁１８２は、容器１００の平坦な表面と概ね平行でありこの表面からの距離が約１０．０ｃｍ以下である平面に沿ってそれぞれが位置決めされ得る。容器蓋１０６又は壁にあるフィルタ１３０が、容器の弁１０８、１１０、２１０を通るガス流を濾過する。クイック接続アセンブリ１０２が、ガスパネル９７への容器１００の迅速で容易な接続を可能にする。 （もっと読む）

【課題】処理装置で処理ガスを使用しない場合には，処理ガス供給源から処理装置までの配管内を不活性ガス充填状態にしてその間に配管内に堆積物が発生することを防止する。
【解決手段】ガスボンベ２１０からの処理ガスを処理装置へ供給する処理ガス供給配管２２０と，ガス供給配管に不活性ガスを供給する不活性ガス供給源２３０とを備え，システム稼働中はガス供給配管内に不活性ガスを充填して待機し，処理装置から処理ガス使用開始信号（Ｓ）を受信すると，ガス供給配管内の不活性ガスを真空引き排気して処理ガスを充填して処理ガス供給源からの処理ガス供給を開始し，処理装置から処理ガス使用終了信号（Ｆ）を受信すると，処理ガス供給源からの処理ガス供給を停止してガス供給配管内の処理ガスを真空引き排気して不活性ガスを充填する。 （もっと読む）

【課題】ガスを供給するガス供給管と放電電極との接続を安定的に行うとともに、膜厚分布や膜質分布の発生を抑制することが可能な薄膜製造装置を提供する。
【解決手段】薄膜製造装置は、製膜室２と、製膜室２内に設けられ接地された対向電極５と、製膜室２内に設けられ表側を対向電極５に対向しガスを放出する放電電極３と、外部から製膜室２内に伸び、放電電極３に高周波電力を供給する給電線８と、製膜室２内において放電電極３の裏側に接続され放電電極３の放電を調整するように設けられた放電調整部６と、外部から製膜室２内に伸び放電電極３の裏側に接続され放電電極３にガスを供給する導体製のガス供給管１０とを具備する。放電調整部６とガス供給管１０とは、放電電極３の裏側において略一体となり、略一体の当該部分が共に放電電極３に接続される。 （もっと読む）