【課題】設置場所を確保する上でレイアウト上の問題がなく、且つ可動する電極に追従して確実にガスを供給することができる信頼性の高いガス流路構造体を提供する。
【解決手段】 内部を減圧可能な処理室１１と、処理室１１内に配置された対向電極２４を載置電極１２に対して移動可能に支持するシャフト２６と、シャフト２６が処理室１１の壁面１３を貫通する貫通部において壁面１３に対する対向電極２４の変位を吸収し、シャフト２６周辺の雰囲気から処理室１１内をシールするようにシャフト２６の外周部に、シャフト２６と同心状に配置された環状の第１のベローズ３１と、第１のベローズ３１の外周部に、同心状に配置された第２のベローズ３２とを有し、第１のベローズ３１と第２のベローズ３２で環状のガス流路３５を形成する。 （もっと読む）

【課題】異種基板上へＺｎＯ系半導体結晶を高温で成長可能なヘテロエピタキシャル成長方法、ヘテロエピタキシャル結晶構造、ヘテロエピタキシャル結晶装置および半導体装置を提供する。
【解決手段】異種基板４０上に酸化物または窒化物の配向膜からなるバッファ層４２を形成する工程と、バッファ層上にハロゲン化ＩＩ族金属と酸素原料を用いて、ＺｎＯ系半導体層４４，４６を結晶成長する工程とを有するヘテロエピタキシャル成長方法、ヘテロエピタキシャル結晶構造、ヘテロエピタキシャル結晶装置および半導体装置。 （もっと読む）

【課題】処理チャンバ内の処理空間に対して給排気を行うための給排気構造を有する基板処理装置において、処理チャンバから漏洩するＸ線を効果的に減衰させる。
【解決手段】壁面側での孔形成禁止範囲以外にアルゴンガス供給孔２７を形成して漏洩Ｘ線Ｘ２の経路上にチャンバ壁２６が位置し、また壁面対向面側での孔形成禁止範囲以外に供給孔８３２を形成して漏洩Ｘ線Ｘ１の経路上に供給カバー８３１の壁面が位置するように、アルゴンガス供給孔２７および供給孔８３２が配置されている。したがって、処理空間２１内で発生したＸ線は必ず供給カバー壁および／またはチャンバ壁２６を透過し、処理チャンバ２から漏洩するＸ線を効果的に減衰させることができる。 （もっと読む）

【課題】 充填容器内の液体材料の液量を正確に管理し、過充填を防止でき、かつ定期的な一定量の補充を行うことができる充填容器内の液体材料の供給装置および該液体材料の供給装置における充填容器内の液面管理方法を提供すること。
【解決手段】 充填容器１内の液体材料が搬送ガスに同伴して供給される液体材料の供給装置において、充填容器１の上部に配設され一定量の内容積を有する定量供給器２と、一端が定量供給器２の下部と接続され、他端が充填容器１内の液体材料の液層内に浸される配管Ｌａと、一端が定量供給器２の上部と接続され、他端が充填容器１内にあり配管Ｌａの他端よりも上部に位置する配管Ｌｂと、を備える。 （もっと読む）

【課題】半導体装置用ガスを処理表面に対して均一に供給することができると共に、ガスを供給する圧力を適切に調整することができる半導体装置用ガスの流動制御方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造工程においてチャンバへ供給されるガスの流量をバルブケース１０に収納されるコントロールバルブ１２の開閉により制御する。バルブケース１０の内壁面１０ａとコントロールバルブ１２との間に水平方向及び上下方向のギャップ１４Ａ、１４Ｂを形成し、ガスをこのギャップ１４Ａ、１４Ｂによりコントロールバルブ１２の全周方向から回り込むように対流させてチャンバへ供給する。この場合、コントロールバルブ１２を上下動させることにより、上下方向のギャップ１４Ｂの大きさを制御して、ガスの供給圧力を所定の値に調整する。 （もっと読む）

【課題】パージガスがシャワーヘッド内部を経由しないで、成長室に吐出されることにより、シャワーヘッドのカバープレート側の表面に原料ガスが付着することがなく、シャワーヘッド作製にかかる時間、手間、およびコストを低減し、かつメンテナンス性に優れた気相成長装置および気相成長方法を提供する。
【解決手段】シャワーヘッド２０とカバープレート３０との間には、パージガスが導入されるパージガス分配室３２ａが設けられ、パージガス分配室３２ａには、シャワーヘッド２０の複数の原料ガス流路２１ｂとカバープレート３０のプレート原料ガス流路３１ｂとを互いに連通する連通管３１ｄが設けられている。カバープレート３０のプレート原料ガス流路３１ｂを除く領域には、パージガス分配室３２ａのパージガスを成長室７に供給するプレートパージガス流路３２ｂが設けられている。 （もっと読む）

【課題】 修正の領域、材料、あるいは種類等における適用範囲を大幅に拡大できる表示装置の修正方法およびその装置の提供。
【解決手段】 基板の表面にパターン欠陥を有する電子回路パターンが形成された表示装置の前記パターン欠陥を修正する修正装置であって、
前記パターン欠陥の領域に局所的なプラズマの照射によって前記パターン欠陥を修正するプラズマ照射手段を備えてなる。 （もっと読む）

【課題】 絶縁管の消耗率を下げ、絶縁管の寿命を長くすること。
【解決手段】 成膜装置は、排気系を備えた真空チャンバー内に向けて、プラズマビームを生成するホローカソードとプラズマビームに電位勾配を与える一以上の中間電極とを有するプラズマガンと、プラズマガンからプラズマビームを出力するための出口部と同軸に位置する真空チャンバーの管部の外周を包囲するように設けられプラズマビームを管部を介して真空チャンバーへ引き出す収束コイルと、管部の内部においてプラズマガンの出口部と同軸に配置され陽極の極性を有する反射電子帰還電極と、を備える。ホローカソードの電位より高い電位を有し接地された反射電子帰還電極の内周部に設けられた絶縁管が、反射電子帰還電極に対して最も近い位置に配置されている中間電極と電気的に接触している。 （もっと読む）

【課題】クロスパージ性能を有する石英泡立て容器であり、このクロスパージによって、ユーザーは、単に不活性ガスを流すことによって容易に空気および化学製品をバルブ入口およびバルブ出口からパージすることができる。
【解決手段】その設計は、泡立て容器１０の入口１９および出口２１の接続部に取り付けられた少ない設置面積の２つの３方向バルブ７，１１を組み入れる。それぞれのバルブの３番目のポートは、クロスパージ管路をともなった複数のバルブの間に一緒に配管される。バルブは、腐食耐性があり、漏れがなく、保全不要であり、不純物の浸出もなく、そして、（アンプルの入口および出口の）石英ブレークシールを突き通すことになる任意選択的なブレークシールクラッシャーを適用する。 （もっと読む）

【課題】固体原料を使用する基板処理装置において、原料供給用タンクを装置から外すことなく原料供給用タンクに原料を補充することができる基板処理装置および原料補充方法を提供する。
【解決手段】固体原料を保持する第１の原料容器２７０と、該第１の原料容器と第１の配管を介して接続され固体原料が補充される第２の原料容器２６０と、該第２の原料容器と処理室を接続する第２の配管２３０と、少なくとも第１の原料容器及び第１の配管を加熱可能な加熱手段２８３と、少なくとも第１の原料容器及び第２の原料容器の内部の圧力を調整可能な圧力調整手段とを設け、第１の原料容器から第２の原料容器へ固体原料を補充する際には、固体原料を気体原料へ変態させて補充するように加熱手段及び圧力調整手段を制御するようにした。 （もっと読む）

【課題】 複数の内部処理空間を有する多重基板処理チャンバーおよびこれを含む基板処理システムを提供することを課題とする。
【解決手段】 少なくとも二つの内部処理空間が形成されたチャンバーハウジングと、前記チャンバーハウジングに設置され、前記チャンバーハウジングを前記少なくとも二つの内部処理空間に分割する少なくとも一つのパーテーション部材とを含んで、前記各内部処理空間は前記パーテーション部材と結びついて均一な処理反応が発生する対称的な形状を有することを特徴とする。本発明の多重基板処理チャンバーは、内部処理空間がパーテーション部材との結合によって、対称的な形状を有するので処理反応が内部処理空間の全領域にかけ均一に発生して基板処理工程の再現性と均一性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】プロセスチャンバ内においてガス分配プレートを支持するための装置および方法を提供する。
【解決手段】チャンバ１００内においてガス分配プレート２０を支持するための装置であって、チャンバと、中央領域と中央領域に存在する少なくとも１つの開口とを有するチャンバ内におけるバッキングプレート２８と、中央領域を有するチャンバ内におけるガス分配プレートと、バッキングプレートにおける少なくとも１つの開口内に存在しかつガス分配プレートの中央領域に係合する少なくとも１つの支持部材１５であって、ガス分配プレートが、少なくとも１つの支持部材によって吊り下げられる、少なくとも１つの支持部材と、を備える装置。 （もっと読む）

【課題】多重シール構造の内部微小リークを検出することができる基板処理装置の提供。
【解決手段】基板処理装置は、基板を処理する処理容器４７と、処理容器４７を閉塞する蓋部４６と、蓋部４６に設けられ処理容器４７内にガスを供給する第１ガス流路７２が形成された第１マニホールド７１と、処理容器４７に設けられ第１ガス流路７２に接続される第２ガス流路７４が形成された第２マニホールド７３と、第１マニホールド７１と第２マニホールド７３との間に第１ガス流路７２と第２ガス流路７４との接続部を囲むように設けられてシールする内側シール部材７６および外側シール部材７８と、内側シール部材７６と外側シール部材７８との間に不活性ガスを導入するガス導入路８０と、内側シール部材７６と外側シール部材７８との間に導入された不活性ガスを排気するガス排出路８１と、ガス排出路８１における排気圧を測定する圧力計８４と、を有する。 （もっと読む）

【課題】サブミクロンサイズの微細なパーティクルを除去し、高品質の成膜処理を行うことを目的とする。
【解決手段】弾性波２１を印加したパージガスによりパーティクルを除去することにより、成膜処理前に反応炉内の反応副生成堆積膜２０から発生する微細パーティクルを強制的に除去排出するので、成膜処理時には微細パーティクルの発生を抑制でき、高品質の成膜処理を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】周期表１４族元素の多結晶体を高速で得ることが可能な製造方法を提供する。
【解決手段】周期表１４族元素の多結晶体の製造方法であって、所定の電極１１，１２を備えた反応容器１０中に導入された周期表１４族元素のハロゲン化物の超臨界流体状態を形成する超臨界形成工程と、超臨界形成工程で形成された周期表１４族元素のハロゲン化物の超臨界流体状態において電極１１，１２間に印加することによりプラズマ放電を発生させ周期表１４族元素の多結晶体を生成させるプラズマ放電工程と、を有する周期表１４族元素の多結晶体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】レシピに対してマスフローコントローラ（ＭＦＣ）制御スキームを確立する方法が提供されており、ＭＦＣ制御スキームは、処理チャンバ内へのガス供給のタイムスケールを短縮するよう構成される。その方法は、レシピの実行中に利用され、目標供給タイムスケールよりも遅い１組の供給時間を有する１組の遅延ガス種を特定する工程を備える。その方法は、さらに、１組の遅延ガス種に含まれる各ガス種の初期オーバーシュート強度および初期オーバーシュート持続時間を確立する工程を含む。方法は、さらに、レシピの実行中に各ガス種のＭＦＣハードウェアを調整することによってＭＦＣ制御スキームを確立する工程を含む。ＭＦＣハードウェアの調整は、ＭＦＣ制御スキームが、各ガス種に、処理チャンバの平衡圧の目標精度の範囲内にある圧力プロファイルを提供するか否かを判定するために、初期オーバーシュート強度を初期オーバーシュート持続時間にわたって適用することを含む。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板上に膜を効率よく形成することができる加熱装置およびこれを具備した膜形成装置を提供する。
【解決手段】支持台２６上に載置されたガラス基板２４の表面２５に、このガラス基板の軟化点温度よりも高い高温ガスを垂直に吹き付ける加熱装置を有し、高温ガスとともに加熱分解して膜堆積を発生する堆積用ガス４３を前記ガラス基板の表面に同時に吹き付ける膜形成装置である。 （もっと読む）

【課題】不所望の不純物の混入を抑制することができる薄膜製造装置を提供する。
【解決手段】本発明の薄膜製造装置は、真空容器１１と、真空容器１１内に設けられた高周波アンテナ１３と、真空容器１１内に高周波アンテナ１３から離間して設けられた基板保持部１９と、高周波アンテナ１３の近傍に設けられたプラズマ生成ガス供給口１４と、プラズマ生成ガス供給口１４と基板Ｓの間に設けられた主原料ガス供給口１５と、プラズマ生成ガス供給口１４と基板Ｓの間であって主原料ガス供給口１５と基板Ｓの間に設けられたドーピングガス供給口１６、１７とを備える。ドーピングガス供給口１６、１７が最も基板Ｓに近い位置にあることにより、ドーピングガスがアンテナ側に逆流することを防ぐことができるため、ドーピング原子がアンテナ等に付着することを防ぐことができる。そのため、不所望のドーピング材料が不純物として薄膜に混入することが抑えられる。 （もっと読む）

【課題】処理容器内の基板に対向して配置され、前記基板にガスを供給してガス処理を行うにあたり、その内部の流路におけるガスの置換を高速で行うことができるガス供給装置を提供すること。
【解決手段】縮径端側から拡径端側にガスを通流させるための概ね円錐形状のガス通流空間を形成する本体部と、前記ガス通流空間の縮径端側に設けられ、当該ガス通流空間にガスを導入するためのガス導入ポートと、前記ガス通流空間を、外側に向かうにつれて末広がりの程度が大きくなるように同心円状に区画するための区画部材と、を備えるようにガス供給装置を構成することで従来のガスシャワーヘッドに比べてガス供給装置内部のガス流路におけるコンダクタンスを大きくして、そのガス流路におけるガスの置換性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】気化器の気化効率低下を防止し、また気化器の閉塞を防止する基板処理装置及び半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】気化器３１は２ノードのペリトロコイド曲線のまゆ型であり、内部に３葉の内包絡線で形成された三角おむすび型の回転子４０を有している。回転子４０は芯のずれた軸に取り付けられて気化器３１内で回転する。気化器３１には、気化器３１にキャリアガス４２を供給する配管３７と、気化器３１に液体ソース４３を供給する配管３６と、反応室１１に反応ガス４４を供給する配管３８とが接続されている。 （もっと読む）