【課題】 薄膜蒸着装置を提供する。
【解決手段】 基板上に薄膜を蒸着するためのチャンバ１１０と、チャンバ１１０に供給される液状の原料ケミカルが収容されるカニスタ１３０と、カニスタ１３０からバブリングされて供給される原料ケミカルを気化させてチャンバ１１０に供給する気化器１２０とを備える薄膜蒸着装置において、気化器１２０は、アダプタブロック１２５によってチャンバ１１０の上部や側部に一体化され、気化器１２０とチャンバ１１０との間の第１ガスラインＬ１は、アダプタブロック１２５の内部に形成されることを特徴とする薄膜蒸着装置である。これにより、高温の気化温度を有する原料ケミカルを効果的に使用できることとなる。 （もっと読む）

【課題】熱と重力でガス分配プレートが変形する事を防ぐガス分配プレートを提供する。
【解決手段】少なくとも１つの支持部材１５は、拡散器２０を通る１つ以上ののガスの流れを妨げることのない噛み合い接続によって拡散器２０と係合し、かつ拡散器から外すができ、また、その周辺を支持された拡散器２０を垂直方向に吊り下げるように設計され、あるいは周辺支持体を備えることなく、拡散器を支持することができる。１つの態様においては、少なくとも１つの支持部材１５は、ガス供給導管の一部分であり、拡散器の中央領域を垂直方向に並進させて持ち上げ、あるいは垂直方向に圧縮することができる。 （もっと読む）

【課題】III族窒化物半導体、特に基板上に結晶性のよいＡｌＮ等のバッファ層を形成することにより、その上に積層されるＧａＮ等の結晶性の優れた半導体を得ること
【解決手段】反応容器内に基板を設置し、該基板上にIII族窒化物半導体を形成するIII族窒化物半導体の製造方法において、反応容器内に固体の窒素化合物を存在させ、その固体の窒素化合物をIII族窒化物半導体の窒素源とし、その反応容器内にIII族元素源原料ガスを供給し、前記窒素とIII族元素よりIII族窒化物半導体を製造する。 （もっと読む）

【課題】 基板を処理するための方法を提供することである。
【解決手段】 基板を処理する方法は、プラズマ空間を規定するために構成される第１のチャンバ部分と、処理空間を規定するように構成された第２のチャンバ部分とを有する処理チャンバに基板を配置することと、プラズマ空間に第１のガスを導入することと、処理空間に第２のガスを導入することとを含む。プラズマは、上部チャンバ部分に結合されたプラズマソースを使用して第１のガスからプラズマ空間に形成される。プラズマがプラズマ空間から処理空間へと拡散することができるように、基板を処理するためのプロセス化学は、第１のチャンバ部分と、第２のチャンバ部分との間に配置されたグリッドを提供することによって処理空間に形成される。 （もっと読む）

本開示は、半導体処理装置においてガス分配に特に有用なスペース節約の一体化流体配送システムに関する。又、本発明は、流体フローチャンネルを含む積層基板に加えて、種々の流体取り扱い及び監視コンポーネントを含むことのできる一体化流体フローネットワークアーキテクチャーにも関する。積層基板は拡散ボンディングされ、種々の流体取り扱い及び監視コンポーネントは、設計及び材料要求に基づいて、基板へ部分的に一体化されてもよいし完全に一体化されてもよい。
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【課題】 バッチ型ＣＶＤ装置を用いた成膜において、製品ウェハ枚数に依存する膜厚のばらつきを抑制し、所定の膜厚の膜を再現性よく作製する。
【解決手段】 成膜装置１００は、製品ウェハ１０７およびダミーウェハ１０９が収容される成長炉１０１、製品ウェハ１０７およびダミーウェハ１０９が設置されるボート１０５、および成長炉１０１の外側に炉壁１０３に沿って設けられたヒータ１１１を有する。また、成膜装置１００は、ｈｉｇｈ−ｋ原料供給管１１３とＳｉＯ₂原料供給管１１５とを有するガス供給系、およびガス供給系から成長炉１０１へのガスの供給を制御する制御部１２１を有する。 （もっと読む）

【課題】上流フローライナーと中間フローライナーと下流フローライナーとを備え、上流フローライナーから半導体原料ガスを流し、中間フローライナー内に装填した基板に半導体薄膜を成長させ、下流フローライナーから排ガスを排出する気相成長装置において、フローライナーの上流フローライナーと中間フローライナーとの間の隙間や中間フローライナーの底面とウエハートレイとの間の隙間からの半導体原料ガスの漏出量を減らし、チャンバの内壁やフローライナー外壁の反応生成物の付着を抑制する。
【解決手段】中間フローライナー３と下流フローライナー４との隙間の間隔を０．０１〜３ｍｍとする。そのために、中間フローライナー３と下流フローライナー４との間に詰め物１１を設けて、隙間の間隔を０．０１〜３ｍｍとする。 （もっと読む）

処理装置にガスの形態で揮発性金属化合物を送出する汎用金属送出源（ＧＭＤＳ）は、固体金属原料物質を保持し、処理装置に接続され、揮発性金属化合物を供給するための出口を有する反応室と、前記固体金属原料物質を加熱するための、反応室に接続する原料加熱器と、反応性ガスを供給するためのガス源と、ガス種を反応室に送出するための、ガス源から反応室へのガス送出導管と、ガス送出導管に接続するプラズマ発生装置とを有する。プラズマ発生装置は、反応性ガス分子を解離し、反応室に単原子反応種を供給し、単原子反応種は、加熱された固体金属原料物質からの金属と化合し、揮発性金属化合物を形成する。 （もっと読む）

【課題】 気密において、ボンベ内のガスを有効に利用することができるようにする。
【解決手段】被試験配管５２とガス供給ボンベ１を接続する供給用配管２２と、供給用配管２２に設けられたバルブ４と、被試験配管５４とガス供給ボンベ１を接続する供給用配管２３と、供給用配管２３に設けられたバルブ５と、被試験配管５２とガス供給ボンベ１ａを接続する供給用配管２２ａと、供給用配管２２ａに設けられたバルブ４ａと、被試験配管５４とガス供給ボンベ１ａを接続する供給用配管２３ａと、供給用配管２３ａに設けられたバルブ５ａと、ガス供給ボンベ１の残圧を検出する残圧検出部３と、ガス供給ボンベ１ａの残圧を検出する残圧検出部３ａと、残圧検出部３，３ａそれぞれが検出した残圧に基づいて、バルブ４，４ａ，５，５ａを制御することにより、ガス供給ボンベ１，１ａの一方を被試験配管５２に接続し、他方を被試験配管５４に接続する制御部３０とを具備する。 （もっと読む）

【課題】ガスを使用する複数の基板処理装置が同時に作動していても所望のガスについて重複使用を回避可能な基板処理システムを提供すること。
【解決手段】基板処理工程中にガス使用工程を含む複数の基板処理装置１１と、これら各装置１１を制御する処理制御装置１２と、前記各装置１１と前記処理制御装置１２とを接続するネットワーク１３と、前記各装置１１と離れた場所に設置されたガス共通供給源１６から導出され、分岐を経て前記各装置１１の基板処理室に導入されるガス配管群１４とを有し、処理制御装置１２により、ネットワーク１３を介して各基板処理装置１１間の基板処理工程の実行開始タイミングを調節する基板処理システムとする。 （もっと読む）

【課題】 処理容器内の常圧復帰時におけるパーティクルの飛散を防止することが可能な成膜方法を提供する。
【解決手段】 真空引き可能になされた縦型の処理容器２２内に、複数段に支持された被処理体Ｗを収容し、前記被処理体を加熱しつつ前記処理容器内に成膜用ガスを流して減圧雰囲気中で前記被処理体に薄膜を堆積させるようにした成膜方法において、前記処理容器内を常圧復帰させる際に、前記処理容器内に前記成膜用ガスの流れ方向とは逆方向になるように常圧復帰用ガスを流すようにする。これにより、処理容器内の常圧復帰時におけるパーティクルの飛散を防止する。 （もっと読む）

【課題】イオン損傷が少なく、しかも、膜厚の均一性の良好な絶縁膜を得ることができる絶縁膜の形成方法を提供する。
【解決手段】電磁波入射面Ｆを有する真空容器２と、この真空容器２内に設けられた第１のガス噴出口４２、真空容器２内に、第１のガス噴出口４２より電磁波入射面Ｆから遠い位置に設けられた第２のガス噴出口５２を有するプラズマ成膜装置１ａにより絶縁膜１０１を形成する。第１のガス噴出口４２から真空容器２内にプラズマ発生用ガスとしての第１のガスを供給する工程と、第２のガス噴出口５２から真空容器２内に有機珪素化合物ガスおよび有機金属化合物ガスのうち少なくとも一方のガスと酸素ガス及び希釈ガスのうち少なくとも一方のガスとを含む第２のガスを供給する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】 設置スペースの増大や製造コストの増大を招くことなく、従来に較べて正確にガス流量を検定及び較正することができ、正確なガス流量で精度の良い処理を行うことのできる基板処理装置を提供する。
【解決手段】 処理ガスを供給するガス供給系の処理室１１の入口近傍に設けられた開閉弁１３ｄ，１４ｄの上流側から分岐し、排気配管１７に接続された分岐配管１８が設けられている。この分岐配管１８には、ガス流量検出機構１９が介挿され、流路を処理室１１側と分岐配管１８に切換えるための開閉弁１３ｈ，１４ｈが設けられている。ガス流量検出機構１９は、抵抗体にガスを通流させその両端の圧力を測定して圧力差からガス流量を検出する。この検出値によって、マスフローコントローラ１３ａ，１４ａを検定又は較正する。 （もっと読む）

【課題】反応ガスがサセプターに当たる際の渦流の発生を防止し、膜厚均一性を向上できるＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】反応炉及び基板２を加熱用ランプヒーター５により所定の温度まで上昇させ、基板２をセットしたサセプター４を所望の回転数で回転させながら、反応炉内下部中央の反応ガス導入管１より、反応ガスを供給する。この時、反応ガスは反応ガス分岐部６の分岐点で衝突し、1回目の攪拌が行われ、その後、反応ガス合流部７の合流部で合流する際に、２回目の攪拌が行われる。反応ガスは反応ガス導入管１開口部より放射状に反応炉内に供給され、反応炉内下部の反応ガス導入管１の開口部と同軸上に位置するサセプター４の下部表面に設けられた円錐形の反応ガス流動案内部８により、サセプター４の外周方向に案内され、基板上での成膜に伴い消費された後、反応ガス排出部３より排出される。 （もっと読む）

所望の質量の気体を搬送するシステムであって、チャンバと、前記チャンバへの気体フローを制御する第１の弁と、前記チャンバからの気体フローを制御する第２の弁と、前記チャンバ内部の圧力の測定値を提供する圧力トランスデューサと、このシステムから搬送される所望の質量の気体を提供する入力装置と、前記第１及び第２の弁と前記圧力トランスデューサと前記入力装置とに接続されたコントローラであって、前記所望の質量の気体を前記入力装置を介して受け取り、前記第２の弁を閉鎖し、前記第１の弁を開放し、前記圧力トランスデューサからチャンバ圧力測定値を受け取り、前記チャンバ内部の圧力が所定のレベルに到達すると前記入口弁を閉鎖し、所定の待機期間を待機して前記チャンバ内部の気体が平衡状態に近づくことを可能にし、時刻ｔ_０において出口弁を開放し、放出された気体の質量が前記所望の質量と等しくなる時刻ｔ^＊において前記出口弁を閉鎖するようにプログラムされているコントローラと、を含む。
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単一のフローを所望の比率の２以上の二次フローに分割するシステムであり、前記単一のフローを受け取る入口と、前記入口に接続された少なくとも２つの二次フロー・ラインと、少なくとも１つの所望のフロー比率を受け取る入力手段と、前記フロー・ラインのそれぞれによって生じた製品の測定値を提供する少なくとも１つのインサイチュ・プロセス・モニタと、前記入力手段と前記インサイチュ・プロセス・モニタとに接続されたコントローラとを含む。このコントローラは、前記入力手段を介して所望のフロー比率を受け取り、前記インサイチュ・プロセス・モニタから前記製品の測定値を受け取り、前記所望のフロー比率と前記製品の測定値とに基づいて訂正されたフロー比率を計算するようにプログラムされている。製品測定値が等しくない場合には、訂正されたフロー比率は所望のフロー比率とは異なるようになる。
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本発明は、プラズマ処理装置の処理ガス供給部の冷却効率を向上させ、当該処理ガス供給部の温度上昇を抑制することを課題としている。
そのため、本発明では、被処理基板を保持する保持台を備えた処理容器と、前記処理容器上に、被処理基板に対面するように設けられたマイクロ波アンテナと、前記保持台上の被処理基板と前記マイクロ波アンテナとの間に、前記被処理基板に対面するように設けられた処理ガス供給部とを備えたプラズマ処理装置であって、前記処理ガス供給部は、前記処理容器内に形成されたプラズマを通過させる複数の第１の開口部と、処理ガス源に接続可能な処理ガス通路と、前記処理ガス通路に連通した複数の第２の開口部と、当該処理ガス供給部を冷却する冷却媒体が流れる冷却媒体通路を備え、前記冷却媒体はミストを含むことを特徴とするプラズマ処理装置を用いている。 （もっと読む）

基板上に形成する薄膜の再現性と面内均一性、組成均一性を改善する。 反応室１００に原料ガスを供給する原料ガス供給管５ｂに、バルブ３４、３５を設け、原料ガス供給管５ｂから分岐したバイパス配管１４ａにバルブ３３を設ける。バルブ３４、３５の間に不活性ガス供給配管２３を設ける。制御装置２５０は、バルブ３３〜３５を次のように制御する。成膜時と成膜停止時との間の成膜停止遷移時は、バルブ３４を閉じ、バルブ３３とバルブ３５を共に開き、原料ガスをバイパス配管１４ａからバイパスさせると共に、不活性ガス供給配管２３から不活性ガスを流して原料ガス供給管５ｂ内のバルブ３５よりも下流側デッドスペースの残留ガスを反応室から排気する。成膜停止時は、バルブ３５を閉じ、バルブ３４とバルブ３３をともに開き、不活性ガス供給配管２３から不活性ガスを流して原料ガス供給管５ｂ内の不活性ガス供給箇所よりも上流側デッドスペースの残留ガスを、原料ガスと共にバイパス配管１４ａから排気する。 （もっと読む）