【課題】 不純物を低減して、りん分子線を発生させることができる分子線源、分子線源使用方法および分子線源を用いた分子線結晶成長装置を提供する。
【解決手段】 分子線源６は赤りん収容手段２、トラップ手段７および解離手段３を含んで構成される。赤りん収容手段２内にりん材料を収容し、加熱して気化させると、りんよりも蒸気圧が高いＨ_２ＯおよびＨ_３ＰＯ_４は、りんに先立って気化するので、加熱開始後の初期に発生した気体を排出することによって除去され、りん材料はトラップ手段７へ移動する。トラップ手段７内の温度はＰ_２Ｏ_５が融解する温度よりも低く、黄りんが凝固する温度よりも高いので、気液平衡状態のりん材料がトラップ手段７を通過する際、りんよりも蒸気圧が低いＰ_２Ｏ_５などのりん酸化物はトラップ手段７の内壁に析出し、りん材料から除去される。その後解離手段３においてＰ_４分子からＰ_２分子に分解され、りん分子線が発生する。 （もっと読む）

【課題】基板に均一にガスを供給することが可能であり、基板に対し均一な処理を施すことが可能な処理装置及び処理方法の提供。
【解決手段】シリコン基板２が収容された圧力調整可能な処理室１内にＯ_２含有ガス５を供給してシリコン基板２に所望の処理を施すに際し、Ｏ_２含有ガス５を放射状に供給し、パラボラ状曲面を有する反射板１１を用いて放射状に供給されたＯ_２含有ガス５を反射し、シリコン基板２に対するＯ_２含有ガス５のガス流れを平行にしてシリコン基板２にＯ_２含有ガス５を供給する。 （もっと読む）

原子層堆積（ALD）のための改良された装置及び方法について記載する。特に溶液ALD前駆体を気化及び供給するための改良された方法及び装置を提供する。本発明は、特に、低揮発性金属、金属酸化物、金属窒化物及び他の薄層前駆体の処理に有用である。本発明は、溶液前駆体の利用効率を高めつつ、真のALD蒸気パルスを発生させるために完全気化チャンバと室温弁システムを使用する。 （もっと読む）

【課題】液体ソースを気化してなるガスが残留するのを防止する。
【解決手段】ウエハ１を処理する処理室２５に接続された第一処理ガス供給ライン５１と、第一処理ガス供給ライン５１に接続されて液体ソースを気化したガスを含む第二処理ガスを供給する第二処理ガス供給ライン５３と、第二処理ガス供給ライン５３に接続されたベントライン５５とを有する酸化・拡散装置において、第一処理ガス供給ライン５１と第二処理ガス供給ライン５３との接続部をバイパスするバイパスライン５６を設け、バイパスライン５６と第一処理ガス供給ライン５１との接続部には三方弁６０、７０とを設け、第二処理ガス供給ライン５３のベントライン５５との接続部よりも下流側とベントライン５５とには二方弁８１、８２を設け、三方弁６０、７０および二方弁８１、８２を制御する弁切換制御部４５を設ける。
（もっと読む）

誘電前駆物質のプラズマから基板上に誘電体層を形成するシステムを記載する。システムには、堆積チャンバと、基板を保持する堆積チャンバ内の基板台と、堆積チャンバに結合した遠隔プラズマ生成システムであって、プラズマ生成システムが、一つ以上の反応性ラジカルを有する誘電前駆物質を生成するために用いられる、前記遠隔プラズマ生成システムとが含まれるのがよい。システムには、また、基板台の上に位置決めされたデュアルチャネルシャワーヘッドを備える前駆物質分配システムが含まれてもよい。シャワーヘッドは、反応性ラジカル前駆物質が堆積チャンバに入る第一組の開口部と、第二誘電前駆物質が堆積チャンバに入る第二組の開口部を有するフェースプレートを備えるのがよい。堆積チャンバに供給される誘電前駆物質から堆積チャンバ内でプラズマを生成させるインサイチュプラズマ生成システムが含まれてもよい。 （もっと読む）

【課題】成膜品質に大きく寄与する気相反応をより広範囲にわたりより均一な条件にすることにより成膜品質が向上する装置を提供する。
【解決手段】仕切り板によって成膜原料成分を含有する複数の原料ガスおよび不活性ガスを、それぞれ分離して反応管に導入し、反応管内部に設置した被処理基板付近で混合させ、混合させた原料ガスを加熱することによって化学反応させながら、被処理基板の成膜される面に沿う方向に流すことで、成膜原料成分を被処理基板上に成長させる横型の気相成長装置において、被処理基板側の前記仕切り板の終端部には、仕切り板で隔てられた両領域の原料ガスを混合させるための貫通口を一つないしは複数配置した気相成長装置に関する。貫通口を備える仕切り板は、反応管に１つないしは２つ以上配置されており、貫通口を備える仕切り板の終端は、被処理基板よりも上流側に位置することが好ましい。 （もっと読む）

【課題】 線源における反応を時間的に安定させる方法を提供すること。
【解決手段】 本発明は、上方に開口し液体又は固体の原料（１）を収容するソース容器（２）と、原料を含有するプロセスガス（５）を作り出すために原料（１）と反応する反応ガス（４）を通す導入管（３）とを備えるＶＰＥ−成膜装置の線源構成に関する。線源での反応を時間的に安定させるために、蓋（６）が、原料（１）に直接載っていて、原料（１）の上面（７）との間に反応ガス（４）が流れていくことができる導入管（３）が開口する空間（８）を形成する、ことが提案される。 （もっと読む）

【課題】気相成長装置のポートにおいて、ポートに装着される部材の固着を防止可能とする。
【解決手段】反応炉１と連通されたポート２３内に挿入された部材２６の周囲にスペーサ３１を装着し、ポート２３と部材２６との間に反応炉内のガスの侵入を阻止する。これにより、副生成物により部材２６がポート２３に固着されることを防止する。 （もっと読む）

【課題】被処理物の表面処理に必要となるガスの供給量を削減できるプラズマエッチング装置を提供する。
【解決手段】チャンバ１１と、チャンバ１１内に配置され被処理物１２を保持するための保持台１３と、被処理物１２に向けてガスを噴出させる噴出口２を有するガス供給管１を含むガス供給手段７０と、プラズマ発生手段２５と、チャンバ１１内を排気する排気手段８０とを備えるプラズマエッチング装置１０とする。ガス供給手段７０は、排気手段８０により減圧されたチャンバ１１内に被処理物１２に向けて第１のガスを噴出させるとともに、当該第１のガスにより圧力が増加した空間へと、被処理物１２に向けて第２のガスを噴出させることにより、被処理物１２の表面に第２のガスを供給するように構成する。 （もっと読む）

【課題】
結合力の弱いアダクトを構造中に有する液体原料を気化する場合に於いて、気化過程でのアダクトの脱離を抑制し、安定に気化させて基板処理を行う。
【解決手段】
基板４を処理する処理室２と、アダクトを含有する液体原料を気化する気化器と、該気化器で前記液体原料を気化して得られた原料ガスを前記処理室に供給する原料ガス供給ライン１９と、前記気化器にアダクト蒸気を供給するアダクト蒸気供給ラインとを具備し、前記気化器はアダクト蒸気雰囲気下で前記液体原料を気化する様構成された。
（もっと読む）

【課題】
検出した流動変動が、処理炉に供給された実際の処理ガスの変動によるものであるか、或は流量制御器の誤信号によるものかを判断可能とし、成膜品質の評価が迅速に行え、又成膜品質に異常があった場合の迅速な原因解明を可能とする。
【解決手段】
処理炉２８内の圧力を検知する圧力検知手段５３と、前記処理炉に供給するガス流量を検知し、ガス流量を制御するガス流量制御手段４８と、検知ガス流量と設定ガス流量との実偏差を算出し、該実偏差と設定偏差との比較、前記圧力検知手段が検出した圧力の変動の有無に基づき前記ガス流量制御手段が検出した流量検知信号が正常信号であるか、誤信号であるかを判断する主制御部６４を具備する。
（もっと読む）

【課題】 処理ガス筐体の吸込口から処理ガスが流出するのを防止する。
【解決手段】処理室に基板を処理する処理ガスを供給する第１処理ガス供給路と、第１処理ガス供給路に流入する処理ガスの供給流量を制御する処理ガス供給流量制御部と、第１処理ガス供給路と処理ガス供給流量制御部とを接続する第１接続部と、処理ガス供給流量制御部に処理ガスを供給する第２処理ガス供給路と、処理ガス供給流量制御部と第２処理ガス供給路とを接続する第２接続部とを備える。第１接続部、処理ガス供給流量制御部、及び第２接続部は処理ガス筐体に収納される。処理ガス筐体には、処理ガス筐体外の雰囲気を処理ガス筐体内に吸い込む吸込口８４と、吸込口８４から吸い込まれる処理ガス筐体外の雰囲気とともに処理ガス筐体内の雰囲気を排気する排気口８１ａとが設けられる。吸込口８４と第２接続部との間に第２接続部から漏洩する処理ガスが吸込口８４に向かって流れるのを阻止する遮蔽手段が設けられる。 （もっと読む）

【課題】プロセス上必要とされる流量のフッ素ガスを安全かつ安定に連続的に供給でき、さらに、安価で操作性に優れた簡易な方法を提供すること。
【解決手段】本発明のフッ素ガスの供給方法は、金属フッ化物固体の熱分解反応によりフッ素ガスを発生して供給するフッ素ガスの供給方法であって、金属フッ化物固体を入れた容器をフッ素ガス供給配管部に接続した後に容器接続部の気密を確認する工程［１］と、フッ素ガスの発生圧力を測定し、得られた圧力値に基づいて、前記容器の加熱温度を制御し、一定の圧力でフッ素ガスを発生させる工程［４］と、発生したフッ素ガスを、前記フッ素ガス供給配管部に設けられたフッ素ガス供給弁を開放して供給する工程［５］と、発生したフッ素ガスの供給を、前記フッ素ガス供給弁を閉じて停止させる工程［６］などとを順次に自動運転操作により進行することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】
簡単な構成で、効率よく、高品質な処理ガスを供給できるガス供給系を具備した基板処理装置を提供する。
【解決手段】
基板を収納する処理室４と、前記基板を加熱する加熱手段３と、前記処理室内に処理ガスを供給するガス供給手段と、前記処理室内の雰囲気を排出する排気手段１６と、制御部４１とを有し、前記ガス供給手段はガス供給管９と、該ガス供給管から分岐する複数のガス供給ノズル１１ａ，１１ｂ，１１ｃ，１１ｄ，１１ｅと、前記分岐する位置に設けられるガス分配器４３とを少なくとも備え、前記制御部は、前記ガス分配器を制御することにより、前記ガス供給管から供給される処理ガスの前記複数のガス供給ノズルへの分岐状態を制御する。
（もっと読む）

【課題】超臨界状態の二酸化炭素を使用する製造方法であって、信頼性の高い半導体シリ
コン基板を与えることのできる半導体シリコン基板の製造方法を提供すること。
【解決手段】温度３１〜１００℃および圧力１８〜４０ＭＰａの条件下、超臨界状態の二
酸化炭素の存在下に、被処理基板に対し洗浄を行なう洗浄工程、
温度１５０〜３５０℃および圧力７．５〜１２ＭＰａの条件下、導電膜および絶縁膜か
らなる群より選ばれる少なくとも一つを形成する成膜工程、
温度３１〜１００℃および圧力１８〜４０ＭＰａの条件下、エッチングを行うエッチン
グ工程、ならびに
温度３１〜８０℃および圧力１８〜４０ＭＰａの条件下、レジストを除去するレジスト
剥離工程、
のうち少なくとも２つの工程を有することを特徴とする半導体シリコン基板の製造方法
。 （もっと読む）

【課題】液体原料供給配管を洗浄する洗浄溶媒の使用量を減らし、液体原料供給配管の洗浄能力を高めることが可能な基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置は、基板を処理する処理容器４と、液体原料を気化する気化器３と、液体原料を気化器３に供給する液体原料供給配管１３と、液体原料を気化したガスを処理容器４内に供給する原料ガス供給配管１７と、液体原料供給配管１３に設けられ液体原料供給配管１３内の流体を排出する少なくとも１つの排出配管と、排出配管に設けられ排出配管のコンダクタンスを調整するコンダクタンス調整機構と、液体原料供給配管１３内に洗浄用溶媒を供給する溶媒供給機構２９とを有する。 （もっと読む）

【課題】等方性酸化を複数枚の基板が積層して配置された装置にて実施する場合に、基板配置場所により水素濃度が異なり酸化膜厚が大きく変動するのを抑制し、高品質な半導体装置を製造する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、複数枚の基板１を処理室４内に搬入する工程と、処理室４内の圧力を大気圧よりも低くした状態で処理室４内に酸素含有ガスと水素含有ガスとを供給して複数枚の基板１を処理する工程と、処理後の複数枚の基板１を処理室４より搬出する工程と、を有し、基板１を処理する工程では、処理室４内壁および処理室４内を加熱した状態で、複数枚の基板１よりも上流側から前記酸素含有ガスを供給すると共に、複数枚の基板１が存在する領域に対応する処理室４内壁近傍の複数箇所から前記水素含有ガスを供給する。 （もっと読む）

【課題】Ａｌ_２Ｏ_３膜等を生成する際、副生成物であるノズル内のＡｌ膜等の成膜を抑えることができるようにする。
【解決手段】反応管２０３と、シリコンウエハ２００を加熱するヒータ２０７とを有し、トリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）とオゾン（Ｏ_３）とを、反応管２０３内に交互に供給してウエハ２００の表面にＡｌ_２Ｏ_３膜を生成する基板処理装置であって、オゾンとＴＭＡとをそれぞれ流す供給管２３２ａ、２３２ｂと、反応管２０３内にガスを供給するノズル２３３と、を備え、２つの供給管２３２ａ、２３２ｂを、反応管２０３内のウエハ２００付近の温度よりも低い温度の領域で、ヒータ２０７の内側に配置されたノズル２３３に連結させて、オゾンとＴＭＡをノズル２３３を介して反応管２０３内にそれぞれ供給する。 （もっと読む）

化学薬品貯蔵装置および化学薬品使用量検出方法はここに記述する。装置および開示された方法は化学薬品貯蔵キャニスターと１つの可搬型ユニットに組み込まれるロードセルとを利用する。ロードセルは、半導体産業に用いられる取付け分配装置の付加的な重量を補償することができる。また、分配装置が化学薬品貯蔵装置から取り外せるので、ロードセルは化学薬品の重量を連続的に表示する。これらの機能性は、ロードセルの、ロードセル自身に組み込まれた制御論理回路を含む。 （もっと読む）

【課題】 混合される複数の原料ガスを、その流速分布を乱すことなく反応管に導入するとともに反応管内での原料ガスの分解を防止し、かつ用いる原料ガスの切換応答性を高めることによって、同一層内において均一な厚みおよび組成を有し、積層界面において組成の急峻性を有する層を形成できる気相成長装置を提供する。
【解決手段】 第１の原料ガスを反応管４２に導入する第１ガス導入管４６と、第１の原料ガスと反応する第２の原料ガスまたは第１の原料ガスと反応する第３の原料ガスを反応管４２に導入する第２ガス導入管４７とを積層して設け、第２ガス導入管４７に第２の原料ガスを供給する第２ガス供給部５０および第２ガス導入管４７に第３の原料ガスを供給する第３ガス供給部５１を含むガス供給部と、第２ガス導入管４７に供給する原料ガスを第２の原料ガスと第３の原料ガスとの間で選択するガス選択手段５４とを備える。 （もっと読む）