【課題】ジクロロエチレンを熱分解させて、又はジクロロエチレンと酸素とを反応させて得られたクリーニングガスを使用して、カーボンや水が処理管の中に導入されないように、半導体処理装置の処理管内部の金属汚染をクリーニングできるクリーニングガス供給装置を提供する。
【解決手段】ジクロロエチレンを収容する容器部１０と、ジクロロエチレンと酸素とを反応させて又はジクロロエチレンを熱分解させてクリーニングガスを調製するジクロロエチレン反応部２０と、該容器部１０中のキャリアガスのバブリングが生ずるように連結されたキャリアガス導入路３０と、該容器部１０から混合ガスを該ジクロロエチレン反応部２０に供給するための混合ガス供給路４０と、該ジクロロエチレン反応部２０に酸素を供給するための酸素供給路５０と、該ジクロロエチレン反応部２０から処理管にクリーニングガスを供給するためのクリーニングガス供給路６０とを有する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、触媒ＣＶＤにおいて、アモルファスシリコン堆積膜を安定して成膜が可能な装置及び方法を提供する。更には触媒ＣＶＤに用いる触媒体の処理方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、基体を収容する反応室と、該反応室内にシリコン原子を含む原料ガスを供給するガス供給手段と、該ガス供給手段より供給される該原料ガスに接触するように配置された触媒体とを備え、少なくとも水素及び／又はハロゲンを含む非単結晶シリコン膜を製造する触媒ＣＶＤ装置であって、触媒体の触媒体保持部近傍の触媒体表面に炭素皮膜が形成されていることを特徴とする触媒ＣＶＤ装置である。 （もっと読む）

【課題】ガスを効率的に使用できる中で、成膜速度が向上できるようにする。
【解決手段】成膜室１０２（装置本体１０１）の平面方向の一方の側部には、押さえ枠１０４が形成されてない領域を備えている。この領域において、平面視で、成膜室１０２と下部排気室１０３との間に開口部１０８が形成された状態となる。基板載置台１０５を上昇させてこの周縁部が押さえ枠１０４に当接した状態とすることで、装置本体１０１の内部は、成膜室１０２と下部排気室１０３とに仕切られ、成膜室１０２と下部排気室１０３とが開口部１０８で連通した状態となる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、化学気相蒸着工程時に発生する反応副産物を素早く排出することにより、被蒸着体の表面に高品質の薄膜を形成でき、チャンバ内部のクリーニングサイクルが延ばされ、生産性を向上させることができるガス供給ユニット及び化学気相蒸着装置を提供する。
【解決手段】本発明に係るガス供給ユニットは、化学気相蒸着工程時に反応ガスを供給するユニットであって、反応ガスを熱分解する熱線部と、熱線部を向かって反応ガスを噴射する噴射部と、熱線部に隣接して配置され、反応ガスの反応副産物を吸入し排出する吸入部とを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】処理の制御性を向上させることが可能な気相処理装置、気相処理方法および基板を提供する。
【解決手段】気相処理装置１は、図１に示すように、処理室４と、反応ガス供給部（反応ガス供給部材９）と、ガス導入部（導入部２）と、温度制御部３とを備える。反応ガス供給部材９は、温度制御された配管５を介して処理室４に反応ガスを供給する。導入部２は、処理室４に接続され、配管５からの反応ガスを受入れる。温度制御部３は、導入部２の温度を制御する。 （もっと読む）

【課題】ガス輸送管路に対してインライン形態で結合できかつ小型化が可能なガス加熱装置を提供する。
【解決手段】円筒の伝熱ブロック自体にヒータが埋設され、中心部に設けられた中空部にガス輸送管本体が嵌合装着されることで、伝熱ブロックを耐食製の高い金属にしなくても済み、熱伝導率の高いアルミニュウムあるいは銅等の金属製とすることで効率よくガスを外側から加熱することができる。さらにガス導入管とガス輸送管本体との結合を外周で行うことで、ガス輸送管本体の一端を閉塞することができ、この一端を支持端としてガス輸送管の中心部に丸棒状のヒータを設けることができる。 （もっと読む）

【課題】
安定した処理性能を維持しつつ生産性の高いプラズマ処理装置またはプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】
複数のガスを用いて形成したプラズマによりこの処理室内に配置された試料を処理するプラズマ処理装置であって、前記複数のガスが各々通流する複数の供給用のガスラインと、これら供給用のガスラインの各々上に配置され各々の前記複数のガス流量を各々調節する複数のガス流量調節器と、前記ガスラインに連結されて前記処理室外に配置されこのガス流量制御器からのガスの流量を検定する検定器が配置された検定用のガス流路とを有し、前記処理と並行して前記複数のガスのうち前記処理に使用されていないガスに対応するガスライン上の前記ガス流量調節器の検定を行う。 （もっと読む）

【課題】アンモニアガスを原料ガスの一つとして使用する化合物薄膜半導体製造装置への水分の混入を十分に低く抑えることができ、安定した状態で高品質、高性能な化合物薄膜半導体を製造することができる化合物薄膜半導体製造装置並びにアンモニアガスの供給装置及び方法を提供する。
【解決手段】化合物薄膜半導体製造装置のアンモニアガス入口部における水分濃度に応じてアンモニアガスの供給を制御する。複数のアンモニアガス供給系統を設け、前記水分濃度が上昇したときに一方のアンモニアガス供給系統から他方のアンモニアガス供給系統に切り換えてアンモニアガスを連続供給する。アンモニアガス供給系統では、アンモニアガス供給開始前に系統内をアンモニアガスによりパージしてからアンモニアガスの供給を開始する。 （もっと読む）

【課題】誘電率が低く、かつ誘電率の経時安定性、機械強度、密着性等の特性が良好な絶縁膜の提供。
【解決手段】有機化合物と空孔形成剤とを含む膜形成用組成物を基板上に塗布して前記基板上に皮膜を形成し、前記皮膜を硬化し、その後、前記皮膜をポアシール剤を含む超臨界媒体で処理して得られる、低誘電率層間絶縁膜。 （もっと読む）

【課題】
基板処理装置に於いて、保守時等の蓋部の開閉が配管の切離し、接続作業なしに、行える様にし、作業の簡略化、作業時間の短縮を図り、保守時間を短縮して稼働率の向上を図る。
【解決手段】
開口部を有し、内部に基板を収納して処理する反応容器２と、該反応容器の前記開口部を気密に閉塞する蓋体５と、該蓋体に設けられ、前記反応容器内にガスを供給するガス供給部７と、前記反応容器に固定され複数のガス流路を有する第１ブロック５２と、該第１ブロックと対向する様前記蓋体に固定され、該蓋体の閉塞状態で前記第１ブロックの前記複数のガス流路のそれぞれに連通する複数のガス流路を有する第２ブロック５４と、該第２ブロックの前記複数のガス流路と前記蓋体の前記ガス供給部とを連結する複数の配管６５とを有する。
（もっと読む）

エピタキシャル層の有機金属化学気相成長を実行するＭＯＣＶＤ反応器のような、ＣＶＤ反応器が提供される。ＣＶＤ、又はＭＯＣＶＤ反応器は、一般的に、フローフランジアセンブリ、調節可能均整フローインジェクタアセンブリ、チャンバアセンブリ、及びマルチセグメント中心回転軸を含む。反応器は、堆積物の性能を改善する一方で、ガスの使用を低減させる働きをする新しい構造を特定の構成要素に提供する。
（もっと読む）

【課題】従来に比べてガス供給装置から金属不純物が発生する可能性を低減することができ、生産性の向上を図ることのできるガス供給装置、半導体製造装置及びガス供給装置用部品を提供する。
【解決手段】ガス供給装置１の接続用ブロック２２は、ガスに対して耐食性を有するセラミック又は貴金属からなり、ガスと接触する接ガス部を構成する耐食性ブロック部材２２ａと、耐食性ブロック部材２２ａを嵌合させるための嵌合穴２８を有し、耐食性ブロック部材２２ａの周囲を囲むように設けられ、耐食性ブロック部材２２ａを保護する金属製ブロック部材２２ｂとから構成されている。 （もっと読む）

【課題】処理ガスの濃度を数ｐｐｂ〜数１００ｐｐｂレベルの極めて低い濃度で精度良く制御することができる処理ガス供給システムを提供する。
【解決手段】ガス使用系４に対して希釈ガスにより希釈された処理ガスを供給する処理ガス供給システム２において、処理ガスタンク１０と、希釈ガスタンク１２と、処理ガスタンクとガス使用系とを接続する主ガス通路１４と、主ガス通路に介設した複数の流量制御器ＦＣ１、ＦＣ５と、希釈ガスタンクから延びると共に、複数の流量制御器の内の最下流側の流量制御器以外の各流量制御器の直ぐ下流側の主ガス通路に接続された希釈ガス通路１６と、希釈ガス通路に介設される流量制御器ＦＣ２と、複数の流量制御器の内の最上流側の流量制御器以外の各流量制御器の直ぐ上流側の主ガス通路に接続されて余剰な希釈された処理ガスを排出する余剰ガス排出通路２４とを備える。 （もっと読む）

【課題】化学気相蒸着法による薄膜形成の際に、蒸着チャンバーへ供給するソースガスの量を正確に制御することができるソースガス供給装置を提供する。
【解決手段】本発明に係るソースガス供給装置１００は、ソース物質１２０を気化させてソースガスを生成するソース物質蒸発部１１０、ヒーター１３０、搬送ガス供給部１４０、待機チャンバー１５０、及び複数の弁Ｖ１〜Ｖ６を備えており、ソース物質蒸発部１１０と蒸着チャンバーとの間に、蒸着チャンバーへ所定量のソースガスを供給するための待機チャンバー１５０が設けられている。待機チャンバー１５０内には、ソースガス１２５を堆積させる堆積板１６０が設けられている。 （もっと読む）

【課題】半導体製造装置の成膜室に液体と気体とが混ざり合った状態の成膜ガスやガスの混合比が偏った状態の成膜ガスが導入されるのを防ぐことができる半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】成膜ガスを成膜ガス導入配管１５から成膜ガス排気配管２０に導くようにバルブ１４、１８、１９を設定して、成膜ガスを排気するガス排気ステップと、ガス排気ステップの期間に成膜室１１内部の圧力が所定値以下であることを確認する第１の確認ステップと、第１の確認ステップの後に、成膜ガスを成膜ガス導入配管１５から成膜室１１に導くようにバルブ１４、１８、１９を設定して、成膜ガスを成膜室１１に導入して、半導体基板２上に膜を形成する膜形成ステップとを有する。 （もっと読む）

薄膜製造方法が提供される。基板チャンバ内に提供される。チャンバ内に第１反応ガス及び第２反応ガスが供給される。第１反応ガスが解離されて結晶性ナノ粒子を形成する。第２反応ガスを利用して基板上に非結晶性物質の形成が抑制される。そして、基板上に提供された結晶性ナノ粒子から結晶性薄膜を形成する。
（もっと読む）

【課題】 放電空間に一様で安定したプラズマを形成させるために用いられる、高い絶縁耐力、高い耐放電スパッタ性、優れた耐オゾン性を有する放電用電極部材を提供すること。
【解決手段】 ＡｌをＡｌ_２Ｏ_３換算で９９重量％以上含有する焼結体からなり、２０ｎｍ以下の粒界層を有する放電用電極部材とする。また、一対の電極が互いに対向して配置されたオゾン発生器において、前記電極の少なくとも一方に前記放電用電極部材が取り付けられているオゾン発生器とする。 （もっと読む）

【課題】ＣＶＤ反応装置において、サセプタ上の回転テーブルにガスを供給するガス供給系を単純化する。
【解決手段】ＣＶＤ反応装置は、回転駆動されるサセプタ（１）の上で動的ガスクッション（３）によって運ばれる多数の回転テーブル（２）を備える。各ガスクッション（３）は個別に制御されるガス流によって形成され、各ガス流は温度測定デバイス（４）によって測定される表面温度に応じて個別の制御素子（５）によって変えられる。ＣＶＤ反応装置は、更に、サセプタ（１）を運び、サセプタ（１）とともに回転するキャリア（６）を備える。共通ガス供給ライン（７）がキャリア（６）内に開いてガス流を形成するガスを供給し、制御素子（５）がキャリア（６）に配置される。 （もっと読む）

【課題】より良質な層膜を高速に対象基板に形成することができる構造の気相成長装置を提供する。
【解決手段】高周波磁束により誘導加熱される固定サセプタ１１０に移動サセプタ１２０を介して対象基板ＣＢが保持される。ただし、固定サセプタ１１０の発熱の温度が補償される状態に移動サセプタ１２０への伝熱が伝熱調整機構で調整される。このため、固定サセプタ１１０の盤面の発熱温度が均等でなくとも、伝熱により加熱される移動サセプタ１２０の温度を均等とすることができる。このため、対象基板ＣＢを均等に加熱することができ、層膜を良好な品質で形成することができる。 （もっと読む）

【課題】キャニスター内の薬液の残量を測定し、残量が基準値以下になれば、バッファー側での低速真空吸入を行うことで、キャニスター内の薬液残量を低減して材料費を節減するケミカル供給装置を提供する。
【解決手段】薬液が充填されるキャニスター、前記キャニスター内に充填された薬液を受けて半導体装備側に送り出すための放出バルブが下部に設置され、前記薬液に含まれた気泡を外部に放出させるための気泡排出バルブが上部に備えられるバッファー、前記キャニスター内の薬液残量を測定するための残量測定手段、及び前記残量測定手段による測定結果、キャニスター内の薬液残量が基準値以下であるとき、バッファー内の薬液収容空間を収縮及び膨脹させて、キャニスター内の薬液を吸入するようになった体積可変手段、を含む。 （もっと読む）