【課題】反応ガス供給部の内壁の腐食を防止することができる気相成長装置、III族窒化物半導体基板の製造方法、III族窒化物半導体基板を提供すること。
【解決手段】ＡｌＣｌ_３ガスを生成する生成管１１２は、内側に反応ガスの流路Ｎが形成された円筒状の内壁１１４Ａと、この内壁１１４Ａの外周を覆うように設けられた外壁１１４Ｂとを有する。内壁１１４Ａには、複数の導入孔１１４Ａ１が形成されている。導入孔１１４Ａ１には、内壁１１４Ａと、外壁１１４Ｂとの間に供給される非反応性ガスが導入される。非反応性ガスの噴出により、反応ガスが生成管１１２の生成管本体部１１３の内壁１１４Ａに接触してしまうのを防止することができる。 （もっと読む）

【課題】酸素等不純物の低減されたIII族ハロゲン化物ガスを供給することにより、酸素不純物濃度の低減されたAl系III族窒化物結晶を製造する方法を提供する。
【解決手段】三塩化アルミニウム等のAl系III族ハロゲン化物ガスとアンモニアガス等とを反応域に保持された基板上で反応させることにより、基板上に気相成長させて窒化アルミニウム等のAl系III族窒化物結晶を製造する方法において、該Al系III族ハロゲン化物ガスを金属アルミニウム１５と接触させた後に成長反応器１６に流出せしめて反応させる。 （もっと読む）

【課題】 優れた膜質の膜を成膜することができ、さらには、膜厚の制御性に優れた気相成長装置を提供すること。
【解決手段】反応ガス生成部１１と、反応部１５との間には配管１７が配置されている。また、配管１７のバルブ１７１よりも反応ガス生成部１１側には、配管１８が接続されている。配管１７により、反応ガス供給路Ｒ１が形成される。この反応ガス供給路Ｒ１は、反応ガス生成部１１〜１３で生成した反応ガスを反応部１５に供給するため経路である。
配管１７および配管１８により、排気経路Ｒ２が形成される。 （もっと読む）

【課題】半導体基板に、電気的特性のばらつきの小さい酸化膜を形成することができる酸化膜形成方法および酸化膜形成装置を提供する。
【解決手段】ボロンをドーピングした半導体基板５４が配置されたプロセスチューブ４８内に、純水供給管３３および導入管３２によって形成される管路を通して純水を供給する。純水が気化した水蒸気の雰囲気中において半導体基板５４を加熱し、半導体基板５４の表面部に酸化膜を形成する。次に、純水供給管３３に接続された排出ガス導入部３５に窒素ガスを供給することによって、純水供給管３３および導入管３２によって形成される管路に窒素ガスを供給し、管路内に残留する純水をプロセスチューブ４８内に排出する。次に、窒素ガス供給管３４によって形成される管路を通して窒素ガスをプロセスチューブ４８内に供給し、水蒸気を含まない窒素ガスのみの雰囲気中で半導体基板５４を加熱し、ボロンを拡散する。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、特に大気圧に近い圧力雰囲気で半導体基板上に薄膜を形成する装置におけるパーティクル発生の問題を回避して生産性を向上するのに好適な成膜装置および成膜方法を提供する。
【解決手段】
本発明における成膜装置は、少なくとも、半導体基板上に薄膜を形成するための反応室と、ガス供給系と、ガス排気系を有しており、前記ガス排気系は、反応室に接続する第一の排気管と、第一の排気管を分岐した第二および第三の排気管とで構成される。第二の排気管は第一のバルブと第一の圧力制御弁を有し、第三の排気管は第二のバルブと第二の圧力制御弁を備え、第一のバルブと第二のバルブとは、同時に開状態にはならないようにし、また、第一の圧力制御弁と第二の圧力制御弁とは、各々独立して機能する構成とした。 （もっと読む）

本発明は、原子層付着法もしくは化学気相蒸着法をする際に利用可能な、付着方法および付着装置を含む。半導体基板の積層（スタック）と、前駆体注入口との間に、加熱面を用意する。そして、問題となる副反応が、半導体基板の近傍では無く、この加熱面の近傍で起こるように構成する。この前駆体注入口は、複数の前駆体注入口のうちのひとつであるようにもできる。また、この加熱面も、複数の加熱面のうちのひとつであるようにもできる。 （もっと読む）

【課題】反応炉内にガスを導入する逆開閉動作する切換弁に不具合が起きたとき、管路内のガスに触れずにバルブの不具合を検知する切換弁監視機構を提供する。
【解決手段】対をなして互いに逆開閉動作し第１か、第２のガスかを切り換える第１の切換弁１と、対をなして該第１の切換弁に連動して互いに逆開閉動作し、マスフローコントローラ５を介した導入ガスを反応炉３か、第１のバイパス管路４２かへ切り換える第２の切換弁２とを有し、処理前にあっては、第１の切換弁の一方１１と第２の切換弁の一方２２とが連動して開成し、該マスフローコントローラ５で監視される流量が、該第１のマスフローメータ５１においても監視可能であり、処理中にあっては、第１の切換弁の他方１２と第２の切換弁の他方２１とが連動して開成し、該マスフローコントローラ５で監視される流量が、該第１のマスフローメータ５１においては監視不可となるように構成する。 （もっと読む）

【課題】配管に残留した自己分解性でかつ酸素または水分と反応して不揮発性物質（例えばパーティクル）を発生する性質を有する原料液を目標とするレベルまで除去することが可能な配管のクリーニング方法を提供する。
【解決手段】（ａ）前記出口ポート管を流通配管から切り離す前に、前記流通配管部分に対して次の処理を行う工程；１）前記流通配管部分を減圧状態にする、２）溶剤を前記流通配管部分に注入し、その流通配管部分内に満たす、３）不活性ガスを前記流通配管部分にパージしてそこに満たされた溶剤を押し流す、
（ｂ）前記１）〜３）の処理を１サイクルとし、このサイクルを複数回繰り返して前記流通配管部分に残留した原料液を洗い流す工程；および
（ｃ）前記複数回のサイクルの任意の間に、不活性ガスを前記流通配管部分に流通させて乾燥する工程；を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 高品位の酸化膜を形成することができ、かつ、管理が容易な酸化膜形成装置及び酸化膜形成方法を提供する。
【解決手段】 耐圧容器１３の外部に設けられた気化器２１が水蒸気を生成し、この水蒸気は加温及び加圧された状態の耐圧容器１３内に供給される。したがって、シリコンウエハＡの周囲の雰囲気は酸化膜形成プロセスの全工程を通じ一定し、シリコンウエハＡに形成される酸化膜は高品位なものとなる。また、使用するのが水であり、使用量の管理及び安全管理が容易である。 （もっと読む）

【課題】 半導体基板の熱処理中に、半導体基板が汚染されるのを防止することができる熱処理装置および熱処理方法を提供する。
【解決手段】 基板を熱処理する処理室１３と、処理室１３にガスを供給するガス供給部１５と、処理室１３からガスを排気するガス排気部１７と、処理室１３とガス供給部１５との間に接続され、供給ガスに含まれる特定物質の濃度を計測する第１計測部１９と、処理室１３とガス排気部１７との間に接続され、排気ガスに含まれる特定物質の濃度を計測する第２計測部２１と、第１計測部１９の出力が第１基準値を超えた場合、あるいは第１計測部１９と第２計測部２１の出力の差が第２基準値を超えた場合に、警報を発する制御部２２とを具備する。 （もっと読む）

【課題】清浄度の高い水蒸気を安定して供給すること。
【解決手段】ウエハ１を処理する処理室１２を形成したプロセスチューブ１１と、処理室１２内に水蒸気を供給する供給管１９と、供給管１９に水蒸気を送出する水蒸気発生装置３０とを備えており、水蒸気発生装置３０は供給管１９に接続された燃焼管３１と、燃焼管３１の燃焼室３２内に水素ガスと酸素ガスとを噴出させるガス噴出ノズル３４とを備えたパイロジェニック酸化装置１０において、ガス噴出ノズル３４を石英製の外管３５と、不純物含有量が極微量の炭化シリコン製の内管３６およびガス噴出部３７とによって分割可能に構成する。ガス噴出部３７には内管３６と連通するガス噴出口３８と、外管３５と内管３６との間の空間４０に連通する複数個のガス噴出口３９とを開設する。内管３６には水素ガス導入管４２を接続し、外管３５には酸素ガス導入管４５を接続する。
（もっと読む）

基板（２０）上に膜を堆積させるための堆積システム（１００）において、寄生堆積物を制御し、その型の堆積システムは、基板を収容するための反応室を画定し、および反応室の中のプロセスガス（Ｐ）および反応室と隣接する内部表面を含む。ガスバリア層が内部表面とプロセスガスの成分との間の接触を阻止するように、内部表面とプロセスガスの少なくとも一部との間にバッファガス（Ｂ）を流すことによってガスバリア層を形成して、そのような制御を与える。
（もっと読む）

【課題】従来の気相成長装置は、安全性の観点から改良すべき点がある。本発明は、安全性を大幅に改善した新規な気相成長装置、及びこの装置におけるガス混合回避方法を提供するものである。
【解決手段】本発明の気相成長装置は、チャンバー１０３に収容されたウェハ１０２上に、気相成長法により成膜するために、成膜に必要なガスを供給する第1の流路１０５ａ，１０５ｂと、この第1のガス流路のガスを制御するバルブ１０７Ａ、１０７ａ、１０７Ｂ、１０７ｂと、前記チャンバー１０３内をクリーニングするために、クリーニング用ガスを前記チャンバー１０３内に供給する第2の流路１０８と、前記チャンバー内のガスを排気する第3の流路１１０とを備えてなる気相成長装置であって、前記バルブを直列の2段構成（１０７Ａと１０７ａ、１０７Ｂと１０７ｂ）とし、その2段構成のバルブの間に圧力スイッチ１１４Ａ，１１４Ｂを設けたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 複数の処理ガスが被処理基板上に交互に供給される基板処理において、当該処理ガスの消費量を抑制し、効率よい基板処理を可能とする。
【解決手段】 被処理基板を内部に保持する処理容器と、第１の処理ガスを前記処理容器に供給する、流量調整手段を含む第１のガス供給手段と、第２の処理ガスを前記処理容器に供給する第２のガス供給手段と、を有する基板処理装置による基板処理方法であって、前記第１の処理ガスを、前記流量調整手段により第１の流量に制御して前記第１の方向に供給する第１の工程と、前記処理容器より当該第１の処理ガスを排出する第２の工程と、前記処理容器に前記第２の処理ガスを供給する第３の工程と、前記処理容器より当該第２の処理ガスを排出する第４の工程と、を繰り返してなり、１の第１の工程と当該１の第１の工程の次に実施される２の第１の工程との間に処理ガス流量安定工程を設けたことを特徴とする基板処理方法。 （もっと読む）

例えば、半導体製造プラントの下流活性流体消費プロセスユニットに、希釈活性流体を送出するための装置および方法。送出システムには、活性流体源と、希釈用流体源と、所定のフローレートで活性流体を分配するための流体フロー計測装置と、流体フロー計測装置によってこのような所定のフローレートで分配される、活性流体源からの活性ガスを希釈用流体と混合して、希釈活性流体混合物を形成するように構成されたミキサと、希釈活性流体混合物における活性流体濃度を測定し、それに応答して流体フロー計測装置を調節し、活性流体の分配レートを制御しかつ希釈活性流体混合物における所定の活性流体濃度を維持するように構成された監視装置と、が含まれる。
（もっと読む）

【課題】押し上げピンの昇降の際に、パーティクルを発生させるような接触や破損するような衝突や摺動を防止することができる処理装置を提供する。
【解決手段】ウエハＷを載置する載置台２０２に複数設けられたピン挿入孔３１２に押し上げピン３１１が嵌入されている。押し上げピン３１１は、上端面が平坦であり、下端には貫通しない範囲で嵌合穴３１４が形成されている。嵌合穴３１４には位置決め駆動ピン３１５の上端部分が挿入され、位置決め駆動ピン３１５の下端は押し上げ部材３１６に貫装して固定されている。押し上げピン３１１の外径は、ピン挿入孔３１２内径よりもやや小さくなっており、僅かな隙間３１３ができるようにする。ピン挿入孔３１２はウエハＷの裏面と載置２０２の上面との間の空間Ｓ１と、載置台２０２の裏面側（下方）の空間Ｓ２とを隙間３１３を介して連通している。 （もっと読む）

【課題】クリーニング処理開始前の被処理体の処理枚数に関係なく、ジャストエッチの時点を自動的に確実に把握することにより、エッチング処理の適正な終点時点を決定することが可能な処理装置を提供する。
【解決手段】真空引き可能になされた処理チャンバー１６と、所定の処理が施される被処理体Ｗを載置する載置台２０と、処理チャンバーへ必要なガスを供給するガス供給手段４０と、途中に真空ポンプが介設されて処理チャンバー内の雰囲気を真空引きする排気系６とを有す処理装置において、排気ガス中に含まれるパーティクル数を計測するために前記排気系に設けられたパーティクル計測手段８と、処理チャンバー内にクリーニングガスを流してクリーニング処理を行う時にパーティクル計測手段の計測値に基づいてクリーニング処理の終点時点を決定するクリーニング終点決定手段１４とを備える。 （もっと読む）

【課題】クリーニング処理開始前の被処理体の処理枚数に関係なく、ジャストエッチの時点を自動的に確実に把握することにより、エッチング処理の適正な終点時点を決定することが可能な処理装置を提供する。
【解決手段】真空引き可能になされた処理チャンバー１６と、所定の処理が施される被処理体Ｗを載置する載置台２０と、処理チャンバーへ必要なガスを供給するガス供給手段４０と、途中に真空ポンプが介設されて処理チャンバー内の雰囲気を真空引きする排気系６とを有す処理装置において、排気ガス中に含まれるパーティクル数を計測するために前記排気系に設けられたパーティクル計測手段８と、処理チャンバー内にクリーニングガスを流してクリーニング処理を行う時にパーティクル計測手段の計測値に基づいてクリーニング処理の終点時点を決定するクリーニング終点決定手段１４とを備える。 （もっと読む）

【課題】加熱された処理基板の表面に原料ガスを供給して半導体結晶膜を生成する際に、塵等により結晶膜が汚されることなく、結晶膜が一定の成長速度で生成され、結晶膜の処理効率が向上する半導体成膜装置及び半導体成膜方法を提供する。
【解決手段】処理基板１４が間隙をあけてお互いに対向するように、処理基板１４を円板形状のサセプタ１６に支持固定し、サセプタ１６のそれぞれの中央部から、対向するサセプタ１６間の間隙に原料ガスを導入する。円板形状のサセプタ１６を回転させて、導入された原料ガスをサセプタ１６の中央部から円周上の端部に向かって流し、高温に加熱された処理基板１４の成膜処理用ガスとする。 （もっと読む）

【課題】 原子層堆積のための方法と装置。
【解決手段】 基板を収容するように構成されたチャンバを含んでいる高圧処理システム。流体導入システムは、第１の組成物、および第２の組成物を供給するように構成された少なくとも１つの組成物供給システムと、流体を供給するように構成された少なくとも１つの流体供給システムとを含む。流体供給システムは、チャンバへ交互に、かつ不連続的に流体内で、第１の組成物、および第２の組成物を導入するように構成される。 （もっと読む）