【課題】 シリコン窒化膜の成膜処理後に、この表面にパーティクルが発生乃至付着することを防止することが可能な成膜方法を提供する。
【解決手段】 真空引き可能になされた処理容器内に、シラン系ガスと窒化ガスとを供給して加熱された被処理体Ｗの表面にシリコン窒化膜の薄膜を堆積させるようにした成膜方法において、前記処理容器内に前記シラン系ガスと前記窒化ガスとを供給してＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）により前記シリコン窒化膜の薄膜を堆積する薄膜形成工程と、前記薄膜形成工程の後に前記処理容器内に窒化ガスを流して前記薄膜の表面を窒化する表面窒化工程と、を備える。これにより、被処理体の表面にパーティクルが発生乃至付着することを防止する。 （もっと読む）

【課題】基板表面を高温加熱して清浄化する際に、装置内に残存している有機金属の未反応原料や反応生成物が再蒸発して基板に付着することを回避しうる成膜方法および装置を提供する。
【解決手段】被処理物５を加熱する加熱空間１Ａと、被処理物５が露出し少なくとも成膜用の原料ガスが供給される成膜空間１Ｂとを含んで構成された反応処理装置Ａを準備し、上記反応処理装置Ａの外側に配置された清浄化処理装置Ｂにより被処理物５の表面を加熱してあらかじめ清浄化処理を行い、上記清浄化処理がなされた被処理物５を反応処理装置Ａの所定の箇所に取り付けて被処理物５に成膜を行う方法と装置である。このため、清浄化処理装置Ｂを不純物が被処理物５に付着しない環境で動作できるので、良質な清浄化表面に高品質の成膜ができる。 （もっと読む）

【課題】 生産性の向上及び生産コストの大幅な低減並びに品質の向上を効果的に図ることができるプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 真空処理可能なチャンバ内でプラズマを発生させるプラズマ発生源１と、被処理基板１００をプラズマ発生源１と対向配置させた状態で搬送するローラ２とを備え、プラズマ発生源１から発生したプラズマを用いて、被処理基板１００に処理を行うプラズマ処理装置であって、プラズマ発生源１は、マイクロ波を発生させるマイクロ波発生器と、マイクロ波発生器から発せられたマイクロ波が伝播する導波管と、導波管の長手方向に延在して設けられ、プラズマを発生させ、チャンバ内へ導くギャップとを備える。 （もっと読む）

本発明は、基板表面をムラなく効率的に処理することができるオゾン処理装置に関する。オゾン処理装置１は、基板Ｋが載置される載置台２０と、基板Ｋを加熱する加熱装置と、オゾンを含んだ処理ガスが流通する処理ガス流路３２及び冷却流体が流通する冷却流体流路を有するヘッド本体３１、ヘッド本体３１の下面に固設され、処理ガス流路３２と連通し且つ基板Ｋ上面に向けて開口した処理ガス吐出路を有するノズル体４０を具備した処理ガス供給ヘッド３０と、処理ガス流路３２に処理ガスを供給するガス供給装置と、冷却流体流路に冷却流体を供給，循環させる冷却流体循環装置とを備え、ヘッド本体３１とノズル体４０との間に断熱部材が介装される。断熱部材によりヘッド本体３１から断熱されたノズル体４０は、逆に加熱装置によって加熱され、ノズル体４０内を流通する処理ガスはその一部が熱分解した状態で吐出される。
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【課題】 プラズマ処理装置において、きわめて短時間にガスの置換を行なうことが可能な装置を提供する。
【解決手段】 プラズマ処理装置は、大気圧近傍の圧力下であるプラズマ発生空間１６に対して所望のガスを供給するためのガス供給手段と、プラズマ発生空間１６内にプラズマ８を発生させるための３以上の電極５ａ，５ｂ，５ｃと、プラズマ発生空間１６内にプラズマ８を発生させるために上記３以上の電極の中から選択された１以上の電極である電圧印加対象電極に電圧を印加するための電源６と、プラズマ発生空間１６内におけるプラズマ８の発生する領域が互いに異なる第１の発生領域と第２の発生領域との間で切り替わるように、上記電圧印加対象電極の選択を切り替えるための電圧印加状態切替手段としてのスイッチング回路７とを備える。 （もっと読む）

【課題】反応ガスがサセプターに当たる際の渦流の発生を防止し、膜厚均一性を向上できるＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】反応炉及び基板２を加熱用ランプヒーター５により所定の温度まで上昇させ、基板２をセットしたサセプター４を所望の回転数で回転させながら、反応炉内下部中央の反応ガス導入管１より、反応ガスを供給する。この時、反応ガスは反応ガス分岐部６の分岐点で衝突し、1回目の攪拌が行われ、その後、反応ガス合流部７の合流部で合流する際に、２回目の攪拌が行われる。反応ガスは反応ガス導入管１開口部より放射状に反応炉内に供給され、反応炉内下部の反応ガス導入管１の開口部と同軸上に位置するサセプター４の下部表面に設けられた円錐形の反応ガス流動案内部８により、サセプター４の外周方向に案内され、基板上での成膜に伴い消費された後、反応ガス排出部３より排出される。 （もっと読む）

本発明の実施形態は、原子層堆積（ＡＬＤ）等の気相堆積プロセス中に基板上に材料を堆積する装置と方法を提供する。一実施形態では、チャンバが、チャンバ蓋内に直接またはその上に取り付けられた漏斗状ライナー内に形成された断熱材料内に形成された膨張チャネルを収容している。チャンバは、膨張チャネル内でガス入口に結合され、渦、螺旋、渦巻等の円方向にガス流を提供するように位置決めされた少なくとも１個の導管をさらに含んでいる。チャンバは、保持リング、上プロセスライナー、下プロセスライナーまたはスリップ弁ライナーを収容することができる。ライナーは、通例、研磨表面仕上げを有しており、石英ガラスまたはセラミック等の断熱材料を含有している。代替的な実施形態では、堆積システムがＡＬＤチャンバに接続された触媒水蒸気発生器を収容する。 （もっと読む）

本発明による実施形態は、ワークピースの表面上方にプロセスガスを分配するためのシステム及び方法に関する。本発明の一実施形態によれば、プロセスガスは、供給源から、複数のオリフィスを画成するガス分配シャワーヘッドを通してワークピースの表面へ流される。又、ガス分配シャワーヘッドは、ウェハ表面上の材料を除去するための複数の排気オリフィスも特徴とする。シャワーヘッドの排気オリフィスにより与えられる補足的排気は、ウェハ表面を横切る半径方向の流れに起因するガス速度の変化を減少するように働き、これにより、ウェハの縁に生じる処理とウェハの中心に生じる処理との間の均一性を向上させる。分配アパーチャー面積と排気アパーチャー面積との比は、フェースプレートにわたって変化してもよいし、一定に保たれてもよい。更に、分配アパーチャー及び排気アパーチャーのサイズ及び数は、半導体ウェハ表面にわたるガス分布を最適にするように選択できる。 （もっと読む）

本発明は、プラズマ処理装置の処理ガス供給部の冷却効率を向上させ、当該処理ガス供給部の温度上昇を抑制することを課題としている。
そのため、本発明では、被処理基板を保持する保持台を備えた処理容器と、前記処理容器上に、被処理基板に対面するように設けられたマイクロ波アンテナと、前記保持台上の被処理基板と前記マイクロ波アンテナとの間に、前記被処理基板に対面するように設けられた処理ガス供給部とを備えたプラズマ処理装置であって、前記処理ガス供給部は、前記処理容器内に形成されたプラズマを通過させる複数の第１の開口部と、処理ガス源に接続可能な処理ガス通路と、前記処理ガス通路に連通した複数の第２の開口部と、当該処理ガス供給部を冷却する冷却媒体が流れる冷却媒体通路を備え、前記冷却媒体はミストを含むことを特徴とするプラズマ処理装置を用いている。 （もっと読む）

本発明は、キャリアに保持された基板又はウェーハを熱処理する熱処理装置に関する。熱処理装置(230)は、各ウェーハ(242)の表面を横切る気体流の均一性を改善するための本発明による交差流れライナ(232)を含む。交差流れライナ(232)は、交差流れ注入システム(250)を収容するための長手方向出っ張り部分(232)を含む。交差流れライナ(232)は、それがウェーハキャリア(240)に対して共形であるようなパターン及び大きさにされ、その結果、交差流れライナ(232)とウェーハキャリア(240)との間の隙間を減少させ、ウェーハキャリア(240)とライナ内壁との間の隙間領域の渦及び淀みを減少又は消失させる。
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反応器中に配置された基材上に結晶を成長させる方法であって、この反応器は、反応器チャンバを提供し、この基材は、この反応器チャンバの中に配置され、この方法は、この反応器チャンバの内部に反応性ガスをこの基材に向かって流す工程であって、この反応性ガスは、互いに結合してこの結晶を形成し得る成分を含有する工程；緩衝ガスを加熱する工程；およびこの加熱された緩衝ガスを、この反応性ガスとこの反応器壁との間のこの反応器チャンバ中で、この反応性ガスおよびこの緩衝ガスが相互作用し得るように、流す工程、を包含し、ここでこの流れている緩衝ガスが、この反応性ガスにより生成される第１の物質の少なくとも１つがこの反応器壁に到達するのを阻害し、そしてこの反応性ガスがこの基材に到達する前に、この反応器壁により生成される第２の物質が反応器チャンバー中のこの反応性ガスに到達するのを阻害する。
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【課題】 処理容器内に晒される軸受をなくして、パーティクルの発生を完全に防止することができる枚葉式の処理装置を提供する。
【解決手段】 処理容器３２内にて載置台３８上に載置された被処理体Ｗに対して所定の処理を施す枚葉式の処理装置において、前記載置台を浮上させる浮上用磁石機構６０と、前記載置台の周縁部に設けた羽根部材４４と、前記羽根部材に対して不活性ガスを噴射させて前記載置台に回転力を付与する回転用ガス噴射手段６４とを備えるように構成する。これにより、処理容器内に晒される軸受をなくして、パーティクルの発生を完全に防止する。 （もっと読む）