【課題】ガスの流れを良好にするプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】マイクロ波プラズマ処理装置１００には、噴射孔Ａを有する第１のガス供給管パーツ２８ａと、その下方に位置し、噴射孔Ｂを有する第２のガス供給管パーツ２８ｂと、各第１のガス供給管パーツ２８ａをその両端にて支持する第１の側壁と、噴射孔Ｂが基板に向かって開口するように、各第２のガス供給管パーツ２８ｂをその両端にてそれぞれ支持する第２の側壁と、第１および第２のバッファ空間４２ａ１，４２ｂ１をその一部に構成する第１および第２のガス通路４２ａ、４２ｂとを有する。アルゴンガスおよび酸素ガスは、第１のバッファ空間４２ａ１から各第１のガス供給管パーツ２８ａに通され、噴射孔Ａから処理室Ｕに供給される。シランガスは、第２のバッファ空間４２ａ２から各第２のガス供給管パーツ２８ｂへ通され、噴射孔Ｂから処理室Ｕに供給される。 （もっと読む）

【課題】HVPE法によりアルミニウム系III族窒化物などのIII族窒化物を成長するにあたり、従来法と同等程度の良好な品質を有しかつ高い収率で製造する方法およびそれに用いる装置を提供する。
【解決手段】三塩化アルミニウムガス等のIII族ハロゲン化物ガスとアンモニアガス等の窒素源ガスとを成長室４１内で反応させて、成長室４１内に保持された基板４３上にIII族窒化物を成長させる窒化アルミニウム等のIII族窒化物の製造方法において、III族ハロゲン化物ガスと窒素源ガスとを予め混合して混合ガスとした後、ガス混合時並びに導入時の温度を制御するなどの方法によりガス中に析出物を実質的に生成させることなく成長室４１内に導入して反応させる。 （もっと読む）

【課題】ガスの流速を抑えるマイクロ波プラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】マイクロ波プラズマ処理装置１００は、スロットアンテナ３０を介してマイクロ波を透過する複数の誘電体パーツ３１０から構成された誘電体窓と、梁２６の下面に固定された複数のガスノズル２７と、所定のガスを供給するガス供給部と、誘電体窓を透過したマイクロ波により所定のガスをプラズマ化して被処理体を処理する処理室Ｕとを備えている。各誘電体パーツ３１は、第１の気孔率を有する第１のポーラス材３１Ｐｈと第１のポーラス材３１Ｐｈに連結し、第１の気孔率より低い第２の気孔率を有する第２のポーラス材３１Ｐｌと、を含んで構成される。ガス供給部は、第１のポーラス材３１Ｐｈを介して第２のポーラス材３１Ｐｌからアルゴンガスを処理室内Ｕに導入し、ガスノズル２７からシランガスを処理室内Ｕに導入する。 （もっと読む）

【課題】ハイドライド気相成長装置において、大口径または多数枚のサファイア基板上にGaN膜を均一に効率的に製膜することを可能にする。
【解決手段】気相成長装置１０は、第１の反応部２０、第２の反応部３０、および減圧装置４０を備える。第１の反応部２０において、III族金属のGaメタルと、塩化物のHClとが反応し、反応生成物としてGaCl₃ガスが生じる。生成したGaCl₃ガスは、第１の反応部２０に接続されたIII族ハロゲン化物供給管５０を通じて、第２の反応部３０に供給され、NH₃ガスと反応することにより、第２の反応部３０に設けられた基板３５の上にGaN膜が気相成長する。III族ハロゲン化物供給管５０には、開口面積が調整可能な圧力調整器５２が設けられている。圧力調整器５２により、第２の反応部３０の圧力Ｐ２が第１の反応部２０の圧力Ｐ１より低くなるように調整される。 （もっと読む）

【課題】反応管内を減圧すると共に、反応管内の基板に対して熱処理を行うにあたり、反応管の内壁と基板との間隙を小さくすることによって、面内均一性の高い熱処理を行うこと。
【解決手段】反応管の外側にダクトを設けて、このダクトに反応管内に連通するガス吐出孔を形成し、このダクトからガス吐出孔を介して反応管内にガスを供給するようにすることで、反応管の内壁と基板との間にガスを供給するためのインジェクターが不要になるため、反応管の内壁と基板との間の間隙を小さくすることができる。 （もっと読む）

【課題】 熱処理の品質を落とすことなく成膜レートなどの熱処理速度を高くすることができる熱処理装置を提供する。
【解決手段】 被処理体Ｗに対して処理ガスを流して所定の熱処理を施す熱処理装置において、複数の被処理体を所定のピッチで配列させて支持する被処理体支持具２６と、前記被処理体を収容するための真空引き可能になされた処理容器４と、前記複数の被処理体の一端側を臨むように前記被処理体の配列方向に沿って形成されたコンダクタンスの小さなガス導入口３８と、前記複数の被処理体の他端側を臨むように前記被処理体の配列方向に沿って形成されたコンダクタンスの大きなガス吸引口４０と、前記被処理体支持具を、前記処理容器内へロード及びアンロードさせる挿脱機構２８とを備える。これにより、熱処理の品質を落とすことなく成膜レートなどの熱処理速度を高くする。 （もっと読む）

【課題】原料ガスの中間反応が低減された結晶成長方法及び結晶成長装置を提供する。
【解決手段】基板を回転軸のまわりに公転させつつ、前記回転軸の側から前記基板の主面に対して略平行な方向に原料ガスおよびキャリアガスを流し、前記原料ガスの熱分解により形成される半導体膜の成長速度が最大となる位置よりも前記基板の中心が前記回転軸の側となるように配置して前記半導体膜を形成することを特徴とする結晶成長方法が提供される。 （もっと読む）

誘電前駆物質のプラズマから基板上に誘電体層を形成するシステムを記載する。システムには、堆積チャンバと、基板を保持する堆積チャンバ内の基板台と、堆積チャンバに結合した遠隔プラズマ生成システムであって、プラズマ生成システムが、一つ以上の反応性ラジカルを有する誘電前駆物質を生成するために用いられる、前記遠隔プラズマ生成システムとが含まれるのがよい。システムには、また、基板台の上に位置決めされたデュアルチャネルシャワーヘッドを備える前駆物質分配システムが含まれてもよい。シャワーヘッドは、反応性ラジカル前駆物質が堆積チャンバに入る第一組の開口部と、第二誘電前駆物質が堆積チャンバに入る第二組の開口部を有するフェースプレートを備えるのがよい。堆積チャンバに供給される誘電前駆物質から堆積チャンバ内でプラズマを生成させるインサイチュプラズマ生成システムが含まれてもよい。 （もっと読む）

【課題】反応管内のガス供給口近傍におけるIII族窒化物の析出が抑制されてなるIII族窒化物の作製装置を提供する。
【解決手段】作製装置１０の供給系１４は、三層構造の供給管を形成するように構成されてなる。供給管１４ａからは、金属Ａｌと第１ガスｇ１中のＨＣｌガスとの反応で生成するＡｌＣｌ_xガスを供給する。供給管１４ｂからはＮＨ₃ガス含む第２ガスｇ２を供給する。供給管１４ｃからは、第３ガスｇ３としてＡｌＣｌ_xとＮＨ₃との反応によるＡｌＮの生成を抑制するガス（例えばＮ₂ガス）を供給する。供給管１４ａの端部１４ｅ近傍の領域において、サセプタ１２側へと供給されるＡｌＣｌ_xガスを取り囲むように第３ガスｇ３の流れが形成されるので、当該領域においてＡｌＣｌ_xガスとＮＨ₃ガスとが反応することが抑制され、結果として、端部１４ｅへのＡｌＮの析出が効果的に抑制される。 （もっと読む）

【課題】製造コストの低廉化を図ることができるとともに、原料ガスの種類等に変更があっても均一流を確実に得ることができるガス供給用ノズル及びこれを備えた半導体製造装置を提供する。
【解決手段】ガス導入口４Ａ及びガス導出口４Ｂを有し、ガス導入口４Ａからガス導出口４Ｂに向かって幅方向寸法が漸次大きくなる第２ガス供給路４Ｄを形成してなるガス供給用のノズル部４であって、ノズル部４のガス供給方向途中部には、ガス供給路のガス流を堰き止めるような障壁部７が配設されている。 （もっと読む）

【課題】チャンバ内に導入する放電ガスや材料ガスの面内分布を均一とし、膜厚分布を改善する。
【解決手段】マイクロ波を誘電体部材を介してチャンバ２内に導入し、マイクロ波から表面波を形成し、表面波によりチャンバ内の放電ガスを励起して表面波励起プラズマを生成し、表面波励起プラズマにより被処理物を処理する表面波励起プラズマ処理装置において、材料ガスを導入し、この導入した材料ガスをガス噴き出し口からチャンバ内に噴出する材料ガス導入部１０と、放電ガスをチャンバ内に導入する放電ガス導入部２０とを備え、材料ガス導入部１０は、複数のガス噴き出し口を有し、各ガス噴き出し口からチャンバ内に噴き出す引き出すガス量を概略均一とし、また、放電ガス導入部２０からチャンバ２内に導入するガス量を概略均一とする。 （もっと読む）

【課題】プラズマ生成空間を形成する１対の板状部材の長さに関わらず、ワークに対する処理を均一かつ安定的に行うことができるプラズマ装置を提供すること。
【解決手段】プラズマ装置１は、プラズマを放出するプラズマ放出部２を備え、このプラズマ放出部２は、誘電体材料で構成され、ワーク１００のプラズマ放出部２に対する移動方向と直交しかつ被処理面１０１の法線方向と直交する方向に沿って互いに平行に配置され、それらの間にプラズマ生成空間２１を形成する１対の板状部材２３、２４と、板状部材２３、２４に固定され、プラズマ生成空間２１の少なくとも一部を板状部材２３、２４の長手方向に沿って複数の小空間に区画する区画部材２７と、１対の板状部材２３、２４間に電圧を印加する通電手段と、プラズマ生成空間２１に所定のガスを供給するガス供給手段２９とを備えている。区画部材２７は、スペーサとしての機能や整流効果を有する。 （もっと読む）

反応性および不活性ガスの連続および交互の流れが、処理槽の周囲に位置する複数の複合ノズルから同軸状に取り付けられた回転する円筒形のサセプターへ向く、広範囲で高速の原子層化学蒸着処理のための装置および方法に関する。フレキシブル基板が同軸状のサセプター上に取り付けられる。一実施例において、処理反応装置は、円筒形のサセプターの回転軸に対し実質的に垂直に設けられた４つの複合インジェクターを有する。他の実施例において、サセプターの断面は、小表面上に取り付けられた複数の基板を有する多角形である。処理反応装置は、高速化学蒸着処理モードと同様の単一の原子層の精度で、多層のフレキシブルなまたは平面の基板を処理する働きをすることができる。本発明の原子層化学気相処理は、また、注入された反応性の化学的前駆体の未使用部分を下流で捕捉することを規定する。 （もっと読む）

【課題】ガスの流速を抑えることにより，良好なプラズマ処理が可能なプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】マイクロ波プラズマ処理装置１００は，スロットに通したマイクロ波を透過させる複数枚の誘電体パーツ３１と，各誘電体パーツ３１より下方に位置するガスノズル２７とを有している。誘電体パーツ３１およびガスノズル２７は，ポーラス（多孔質体）とバルク（緻密質体）とから形成されている。第１のガス供給部は，アルゴンガスを各誘電体パーツ３１のポーラス３１Ｐから処理室内に供給する。第２のガス供給部は，シランガスおよび水素ガスをガスノズル２７のポーラス２７Ｐから処理室内に供給する。ガスは各ポーラスを通る際に減速され，これにより，ガスの過剰な攪拌を抑止することができる。この結果，均一なプラズマを生成し，これにより良質なアモルファスシリコン膜を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】基板の全面に対して処理ガスを高速にかつ高い均一性をもって供給する成膜装置を提供すること。
【解決手段】処理容器内に設けられた載置台に載置された基板を加熱すると共に前記基板に原料ガスを供給して薄膜を形成する成膜装置において、前記基板にその側方から原料ガスを供給するための原料ガス用の自励振動ノズル３２と、この自励振動ノズル３２に対して基板を挟んで設けられた排気口６１と、を備えるように成膜装置を構成する。自励振動ノズル３２は、ガスを供給するガス供給路と、このガス供給路の先端に形成されたガス吐出口と、このガス吐出口の入口の左右にその一端と他端とが接続された連結流路とを有する。 （もっと読む）

【課題】非処理体上へのプラズマの流れを妨げないようにガス噴射部材を設けたプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】マイクロ波プラズマ処理装置１００の梁２６には，噴射孔Ａを有する横吹きガスノズル２７と噴射孔Ｂを有する氷柱ガスノズル２８とが多数固定されている。第１のガス供給部は，噴射孔Ａから誘電体３１近傍にアルゴンガスを噴射する。第２のガス供給部は，噴射孔Ｂから，ガスが過剰に解離されない位置にシランガスおよび水素ガスを噴射する。このようにして噴射された各ガスは，各誘電体パーツ３１ａを透過したマイクロ波によりプラズマ化される。氷柱ガスノズル２８は基板Ｇ上へのプラズマの流れを妨げないように位置するため，イオン，電子は，氷柱ガスノズル２８に衝突しにくくなる。この結果，氷柱ガスノズル２８に堆積する反応生成物の量を抑えることができる。 （もっと読む）

デバイスを製造する際に表面上に層を形成する方法であって、気化した材料を受け取る分配部材であって、チェンバーを規定する1つ以上の壁面を持ち、1つの壁面の中に複数の開口部からなる多角形二次元パターンが形成されていて、その開口部が気化した材料を分子流として上記表面上に供給する構成の分配部材を用意するステップと；開口部からなる多角形二次元パターンに少なくとも4つの頂部を設け、第1の開口部セット（80）をその頂部に配置し、縁部用の第2の開口部セット（78）を第1の開口部セットの2つの開口部の間に配置して多角形二次元パターンの縁部を規定し、内側用の第3の開口部セット（74）を、第1の開口部セットと第2の開口部セットによって規定される多角形二次元パターンの周辺部の中に配置するステップと；望む流速が得られるように開口部のサイズを決めるステップを含む方法。
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【課題】
簡単な構成で、効率よく、高品質な処理ガスを供給できるガス供給系を具備した基板処理装置を提供する。
【解決手段】
基板を収納する処理室４と、前記基板を加熱する加熱手段３と、前記処理室内に処理ガスを供給するガス供給手段と、前記処理室内の雰囲気を排出する排気手段１６と、制御部４１とを有し、前記ガス供給手段はガス供給管９と、該ガス供給管から分岐する複数のガス供給ノズル１１ａ，１１ｂ，１１ｃ，１１ｄ，１１ｅと、前記分岐する位置に設けられるガス分配器４３とを少なくとも備え、前記制御部は、前記ガス分配器を制御することにより、前記ガス供給管から供給される処理ガスの前記複数のガス供給ノズルへの分岐状態を制御する。
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【課題】反応室内で複数枚の基板を一括処理する際に各基板に所望の成膜条件を選択できる薄膜堆積装置および薄膜堆積方法を提供する。
【解決手段】原料ガスG1が供給される反応室内に、複数枚の基板Wを保持し回転する基板ホルダとしてのプラッタ2と、プラッタ2上の基板Wを加熱するヒータ5などの加熱手段とを有し、基板Wの表面に化学気相成長法で薄膜を形成する薄膜堆積装置において、任意の基板Wの表面を原料ガスG1から遮蔽する移動自在な遮蔽板9を設ける。任意の基板Wの表面への原料ガスG1の供給を遮蔽板9で遮断し、他の基板Wには原料ガスG1を供給することで、個々の基板Wの表面反応を制御することができ、膜種や膜厚が異なる薄膜、したがって品種の異なる積層膜を堆積させることが可能である。よって少量多品種生産を効率的に行える。 （もっと読む）

【課題】ウエハの降温速度を高める。
【解決手段】ウエハ１を処理する処理室３２と、処理室３２に水素ガスを供給する水素ガス供給装置３９と、処理室３２に窒素ガスを供給する窒素ガス供給装置８５と、処理室３２の水素ガスの濃度を検出する水素ガス濃度計４６と、排気ポンプ４２が設けられた第一排気ライン４１と、除害装置４８が設けられた第二排気ライン４７と、排気ポンプと除害装置４８を迂回したバイパス排気ライン４９とを備えたアニール装置１０において、アニール後に水素ガス濃度計４６が設定値よりも高い濃度を検出している時には第一排気ライン４１または第二排気ライン４７にて排気し、設定値以下を検出した時には第三排気ライン４９にて排気する。 （もっと読む）