【課題】流通するガスの流速をより精密に制御する気相成長装置を提供する。
【解決手段】気相成長装置１は、処理対象物である基板５を保持する、回転可能なサセプタ３と、基板５の一方の主表面上に成膜用のガスを流す流路１０とを備える。流路１０の内部における側面部に配置される多孔質体の平均孔径を、流路１０の中央部に配置される多孔質体の平均孔径よりも大きくしている。側面部に配置される多孔質体の平均孔径を、中央部に配置される多孔質体の平均孔径よりも５０％以上大きくすることが好ましい。 （もっと読む）

薄膜材料堆積のための流体搬送システムは流体分配マニホールド及び基板輸送機構を有する。流体分配マニホールドは複数の長いスロットを有する出力面を有する。流体分配マニホールドの出力面は、長いスロットが基板の第１の表面と対向し、基板の第１の表面に近接して位置付けられるように、基板の第１の表面に対向して位置付けられる。基板輸送機構は、ある方向に基板が移動するようにし、流体分配マニホールドの出力面に近接した領域において基板の第２の表面と接するフレキシブルな機構を有する。
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【課題】結晶粒間に鬆がない緻密な結晶性半導体膜（例えば微結晶半導体膜）を作製する技術を提供することを目的とする。
【解決手段】プラズマＣＶＤ装置の反応室内における反応ガスの圧力を４５０Ｐａ〜１３３３２Ｐａとし、当該プラズマＣＶＤ装置の第１の電極と第２の電極の間隔を１ｍｍ〜２０ｍｍ、好ましくは４ｍｍ以上１６ｍｍ以下として、前記第１の電極に６０ＭＨｚ以下の高周波電力を供給することにより、第１の電極および第２の電極の間にプラズマ領域を形成し、プラズマ領域を含む気相中において、結晶性を有する半導体でなる堆積前駆体を形成し、堆積前駆体を堆積させることにより、５ｎｍ以上１５ｎｍ以下の結晶核を形成し、結晶核から結晶成長させることにより微結晶半導体膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】被処理物の表面処理量を微小にする
【解決手段】拡散室画成部３０の拡散室３３を漏出口３５を介して処理空間１０ａに連ねる。好ましくは、隔壁１５で拡散室３３を処理空間１０ａから隔て、かつ隔壁１５に漏出口３５を設ける。処理ガスの導入路２９の導入口２５を拡散室３３内に開口させる。好ましくは、漏出口３５を、ガス導入方向２５に沿ってまっすぐ下流側の位置Ｐからずらし、より好ましくは、隔壁１５と交差する内壁１７の一箇所が上記位置Ｐになるようにする。す。排気路４９の排気口４１を拡散室３３内に開口させる。好ましくは、排気口４１を拡散室３３における漏出口３５の側とは反対側に設ける。 （もっと読む）

【課題】流量の時間変化を高精度に制御することにより、複数種類の薄膜が積層された高品質な積層構造を形成することが可能な気相成長装置を提供する。
【解決手段】当該気相成長装置は、処理対象物である基板１５を保持する反応室５０と、反応室５０に反応ガスを供給するためのガス導入部２１とを備えている。ガス導入部２１は、ガス供給管２０と、ガス供給管２０と反応室５０とをつないで反応ガスを流通させるガス流路拡大部とを含んでいる。ガス流路拡大部は、ガス供給管２０から反応室５０まで、基板１５の主表面に沿うとともに反応ガスの流通方向に交差する方向である平面方向での幅が、ガス供給管２０側から反応室５０側に向けて広がるように構成され、ガス流路拡大部の平面方向の幅を規定する側壁では、ガス供給管２０からガス流路拡大部へ導入される反応ガスの吐出方向に対する、側壁の傾斜角度のうちガス供給管２０側に位置する部分の傾斜角度が、側壁のうち反応室５０側に位置する部分の吐出方向に対する傾斜角度より小さくなっている。 （もっと読む）

【課題】処理ガスを処理容器へ導入するための導入部において、炭素系の付着物の発生を抑制する。
【解決手段】処理容器２に導入された処理ガスをプラズマ化させて基板Ｗを処理するプラズマ処理装置１であって、処理容器２の天井面に、処理ガスの導入部５５が設けられ、導入部５５には、処理容器２の外部から供給路５２を経て供給される処理ガスを溜めるガス溜め部６１と、ガス溜め部６１と処理容器２の内部を連通させる複数のガス噴出孔６６が形成され、ガス溜め部６１において、供給路５２の開口部５２ａと対向する位置には、ガス噴出孔６６が設けられておらず、ガス噴出孔６６の断面は、扁平な形状である。 （もっと読む）

【課題】複数の基板を同時に表面処理する場合に、全ての基板の表面を均一に処理できる基板処理装置及び基板処理方法を提供する。
【解決手段】複数の基板１１２を傾斜させて、かつ、間隔をあけて垂直方向に積層保持する縦型基板保持具と、前記複数の基板の間隔よりも狭い間隔で垂直方向に配置された複数のガス導入口１５７と、を備え、前記縦型基板保持具を、その長手方向を回転軸として回転させる事で、傾斜した前記基板面に衝突したガス流が攪拌されて全ての基板に均一に原料ガスが供給された後に垂直方向に配置された複数のガス排気口１５８から排気される。 （もっと読む）

プロセスチャンバ（１）の床（３）は基板（４）を受容するサセプタ（２）により形成され天井（６）は多数のガス入口開口（１３，１４）を具備するガス入口部品（５）の下面により形成され、ガス入口開口は帯状の第１及び第２のガス入口区域（１１，１２）に分割されており、第１のガス入口開口（１３）は第１のプロセスガスを導入するために第１のプロセスガス供給ライン（９）に接続され、第２のガス入口開口（１４）は第２のプロセスガスを導入するために第２のプロセスガス供給ライン（１０）に接続され、かつ、第１及び第２のガス入口区域は互いに沿って交互に並んでおり、各々は延在方向に対して垂直な方向に一列に並んだガス入口開口を有し、隣り合うガス入口開口の間隔（Ｄ）はプロセスチャンバの高さ（Ｈ）のほぼ１／４であり、ガス入口区域の各々の幅（Ｗ）はほぼ高さ（Ｈ）に相当するＣＶＤ反応炉である。 （もっと読む）

【課題】カーボンナノチューブを大面積の基板上に高速に形成する化学気相成長装置等を提供する。
【解決手段】化学気相成長装置１０１において、ノズル１０２は、炭素源ガスを供給し、ヘッド１０３は、表面に触媒を配置した基板１０６の一部を覆うスカート１２３を有し、ノズル１０２から供給された炭素源ガスを基板１０６の対向する領域に供給し、移動部１０４は、基板１０６に対してヘッド１０３を所定の方向へ所定の速度で相対的に移動させ、加熱部１０５は、基板１０６に対してヘッド１０３が移動される間、基板１０６の表面のうち、ヘッド１０３に対向し、かつ、触媒が配置された導電性部材を加熱する。 （もっと読む）

【課題】薄膜への不純物の混入をできるだけ防止し得る薄膜形成装置を提供する。
【解決手段】真空容器１内に設けられて薄膜を形成するための基板Ｋを水平面内で回転させる回転ステージ２と、真空容器１内の基板に２種類の原料ガスの超音速分子線Ｍを略９０度の交差角でもって供給する第１及び第２分子線発生装置4A，4Bと、超音速分子線Ｍにそれぞれ励起用のレーザ光Ｒ１を照射する第１及び第２レーザ照射装置5A，5Bと、回転ステージ２の基板Ｋ表面の前方位置に配置されて各超音速分子線Ｍの交差領域に生成した反応生成物を選択し通過させるためのピンホール3aが形成された生成物選択部材３とから構成すると共に、予め検出されている反応生成物の散乱角を入力して反応生成物が生成物選択部材３のピンホール3aを通過するように回転ステージ２の回転位置を制御するようにしたもの。 （もっと読む）

【課題】 被処理基板の大型化に対応できる誘導結合プラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】 被処理基板を収容してプラズマ処理を施す処理室４と、処理室４内で被処理基板Ｇが載置される載置台２３と、処理室４内に処理ガスを供給する処理ガス供給系２０と、処理室４内を排気する排気系３０と、処理室４内に誘導電界を形成する高周波アンテナ１３と、高周波アンテナ１３に高周波電力を供給する第一の高周波電源１５と、を具備し、高周波アンテナ１３と処理室４との間に、処理室４を構成する本体容器１と絶縁されて形成された非磁性体で導電性の金属窓２が形成されている。 （もっと読む）

【課題】原料ガス導入方向とサセプタ回転導入方向とを同一方向としたときのパージガスや原料ガスの流量を一定に保つことができる自公転型の気相成長装置を提供する。
【解決手段】円盤状のサセプタを支持して回転させる中空駆動軸１２の内部に原料ガス供給管２０を同軸に配置し、中空駆動軸と原料ガス供給管との間にパージガス流路２１を形成するとともに、パージガス流路からフローチャンネル１８の外周方向にパージガスを導入するパージガス導入ノズルにおけるガス導入路１９ｃをサセプタの上面に対して平行な方向で、かつ、上下寸法を一定に形成する。 （もっと読む）

ロールツーロールＣＶＤシステムは、ＣＶＤ処理の際、堆積チャンバを通して、ウェブを搬送する、少なくとも２つのローラーを含む。堆積チャンバは、少なくとも２つのローラーによって搬送される間、ウェブを通過させるための通路を画定する。堆積チャンバは、複数の処理チャンバのそれぞれ内に別個の処理化学物質を維持する、障壁によって隔離される、複数の処理チャンバを含む。複数の処理チャンバはそれぞれ、ガス流入ポートおよびガス排出ポートと、複数のＣＶＤガス源とを含む。複数のＣＶＤガス源のうちの少なくとも２つは、複数の処理チャンバのそれぞれのガス流入ポートに連結される。
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【課題】連通路に流すパージガスの流れを制御し、連通路の上壁面に堆積する副生成物を抑制し、半導体ウェーハ上のパーティクルの発生量を低減してＬＰＤの発生量を低減可能なエピタキシャル成長装置を提供する。
【解決手段】半導体ウェーハの表面にエピタキシャル膜を成膜する反応ガスが反応室の供給口から供給される。反応ガスは、供給口に対向配置された排出口に向かって流される。一方、パージガスは、長さ方向が、この反応ガスの流れと略直交する方向に長い連通路に噴出される。このとき、連通路において、供給口側のパージガスの流量を排出口側のそれよりも多くする。 （もっと読む）

インライン堆積システムにおいて有機材料層を基板上に形成する方法であって、有機材料は、所定の一定でない堆積レートプロファイルで堆積される。該プロファイルは、所定の第１平均堆積レートで有機材料層の少なくとも第１単分子層を堆積するために用意した所定の第１堆積レート範囲と、所定の第２平均堆積レートで有機材料層の少なくとも第２単分子層を堆積するために用意した所定の第２堆積レート範囲とを含む。インジェクタの開口を経由した有機材料の注入は、所定の堆積レートプロファイルを実現するために制御される。
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本明細書では、処理システム内の基板にプロセスガスを供給する方法および装置が開示される。いくつかの実施形態では、この基板処理システムは、基板支持体がその中に配置されたプロセス室と、基板支持体に向かってエネルギーを導くためにプロセス室の上方に配置された光源と、光源によって供給された光エネルギーが基板支持体に向かってプロセス室に入ることを可能にするために、光源と基板支持体との間に配置された窓アセンブリであり、プロセスガスを受け取る入口と、プロセスガスをプロセス室内へ分配する１つまたは複数の出口とを含む窓アセンブリとを含む。
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【課題】アンモニアを窒化源として用いることができ、かつ、大量のアンモニアを用いることなく、既存のＭＯＣＶＤ（ＭＯＶＰＥ）装置に簡単な改良を施すだけで高品質のＩｎ系ＩＩＩ族元素の窒化物を製造することができるＩｎ系ＩＩＩ族元素窒化物の製造方法を提供する。
【解決手段】アンモニアを分解してＩｎ系ＩＩＩ族元素に供給し、Ｉｎ系ＩＩＩ族元素窒化物を製造するＩｎ系ＩＩＩ族元素窒化物の製造方法において、前記アンモニア４を触媒６によって分解する。前記触媒とともに又は前記触媒として、水素吸収性を有する材料を用いてもよい。Ｉｎ系ＩＩＩ族元素窒化物がＩｎＮである場合には、ＩｎＮの成長温度を５００℃〜６００℃とするとよい。 （もっと読む）

【課題】電源が大きくなるのを抑制しながら、成膜速度を大きくするとともに、膜厚およ
び膜質が不均一になるのをより有効に抑制することが可能なプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】このプラズマ処理装置１は、基板１０を保持することが可能な上部電極３と、上部電極３と対向するように設置され、上部電極３と対向する部分に複数の凸部４ａおよび複数の凹部４ｂが形成される下部電極４とを備えている。また、下部電極４の凹部４ｂに絶縁部材１４が配置されている。 （もっと読む）

【課題】チャンバー内に原料供給管が設置される気相成長装置において、ｐ型不純物のメモリー効果を抑えるとともに、不純物ドーピングを確実に行える気相成長装置を得る。
【解決手段】本発明の気相成長装置は、チャンバー本体３と、チャンバー蓋５と、チャンバー本体３内に設置されて薄膜が成長する基板９が載置されるサセプタ１１と、サセプタ１１に対向配置される対向面部材１３とを備え、サセプタ１１に基板９を載置した状態で基板９を加熱し、対向面部材１３とサセプタ１１とで形成される反応室に気相原料を導入する複数の原料導入流路３７、３９、４１とを備えた気相成長装置であって、複数の原料導入流路の少なくとも一つの流路３９をドーピング原料が供給されるドーピング原料導入流路とし、該ドーピング原料導入流路の流路壁に隣接させて熱媒体を通流させる熱媒体ジャケット４３を設けると共に熱媒体の温度を制御する温度制御装置を設けたものである。 （もっと読む）

【課題】オゾンガスの酸化力低下を防止し、効率的に基板の酸化処理を行うことができるようにすることにある。
【解決手段】基板処理装置は、ウエハ２００を収容する処理室２０１と、処理室２０１内に設けられ、噴出孔２４８ｂを有するノズル２３３ｂと、ノズル２３３ｂの内側であって噴出孔２４８ｂの近傍に設けられる貴金属系触媒１０４と、ノズル２３３ｂにオゾンガスを供給するオゾンガス供給系２５２と、を備える。 （もっと読む）