【課題】 チャンバの内壁表面への膜（副生成物）の堆積を少しでも抑制できるようにしたプラズマＣＶＤ装置及び成膜方法を提供する。
【解決手段】 チャンバ１０内で原料ガスをプラズマ化して化学反応させ、化学反応によりウエーハＷ上に膜を形成するプラズマＣＶＤ装置であって、チャンバ１０内に原料ガスを供給する原料ガス供給管３２と、アダプタ４０の表面に不活性ガスだけを供給する貫通孔４２及び不活性ガス供給部５０と、を有する。アダプタ４０の表面及びその近傍では、原料ガスは不活性ガスによって希釈される。 （もっと読む）

【課題】ＧａＮ系半導体のエピタキシャル成長において、良質の結晶を得るための最適化されたガス組成や成長条件を実現することができる化学気相成長装置を提供する。
【解決手段】１つの円周上に配置された複数のサセプタ７と、サセプタ７に向けて反応ガスを供給するための複数のガス通路と、サセプタ７を加熱するための加熱手段とを有する化学気相成長装置において、加熱手段を、円環状の光源３０と、光源３０が発する光をサセプタに集光するための円環状の反射鏡３２ａ、３３ａとから構成する。 （もっと読む）

【課題】 ガス導入部の温度上昇を抑えて原料ガスを物分解させずに基板上に安定した状態で供給することができる気相成長装置を提供する。
【解決手段】 円盤状の基板保持台１１と、該基板保持台に対向配置されて基板保持台との間に偏平円筒状の反応室１３を形成する隔壁１２と、該隔壁の中央部に設けられたガス導入部１５と、前記反応室の外周に設けられたガス導出部１６と、前記基板保持台の同一円周上に配設された複数の基板保持部１９と、該基板保持部に保持した基板１８を加熱するヒーター２１とを備えた気相成長装置において、前記ガス導入部を構成する多重管の先端部に、反応室内に導入するガスを反応室の外周方向に向けてガイドするための円形のガイド板２４ａ，２４ｂを設けるとともに、基板面に対するガイド板の先端Ｂと基板中心Ｃとを結ぶ直線Ｓの仰角θを２０度以下に設定する。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理装置において、ガス吹出し口付近に付着した反応生成物の洗浄、除去のメンテナンス性を向上させること。
【解決手段】ガス供給部１７を真空容器１内側面のプラズマ源１０から基板３までの間に設け、ガス供給部１７を構成する環状の連通路１８やガス吹出し口９が、天板１５の、基板２に対向する面において開口して形成されているため、ガス吹出し口９内での放電発生を防止し、ガス吹出し口９の洗浄や反応生成物除去作業等のメンテナンスが容易に、かつ十分な清浄度まで実施でき、ダストの発生防止と安定したプラズマ処理が可能となる。 （もっと読む）

【課題】半導体基板上における原料ガスの上流側の濃度と下流側の濃度との差を縮小できるサセプタを提供する。
【解決手段】サセプタ１３は主面３１を有しており、この主面３１は複数の第１のエリア３１ａおよび第２のエリア３１ｂとを有する。また、サセプタ１３は、第２のエリア３１ｂに設けられた第１の開口３３と、主面３１と異なる当該サセプタ表面３５に設けられた第２の開口３７と、第１の開口３３を第２の開口３７に接続する孔３９とを備える。希釈ガスソース１９は、ライン５５を介してサセプタ１３の第２の開口３７に接続されているので、サセプタ１３上を流れる原料ガスＧ_Ｍに孔３９および第１の開口３３を介して希釈ガスＧ_Ｄを加えることができる。希釈ガスソース１９はサセプタ１３の第２の開口３７に接続されている。 （もっと読む）

【課題】 エピタキシャルウェーハに対する重金属汚染を防止することが可能な枚葉式エピタキシャルウェーハ製造装置を提供する。
【解決手段】 ガス流路Ｇが設けられてなるとともに被処理基板６を水平に保持するサセプター９がガス流路Ｇ内に設けられてなる箱形の反応容器２と、反応容器２の一端２ａ側に備えられて反応容器２内にガスを供給するガス供給部３と、反応容器２の他端２ｂ側に備えられて反応容器２からガスを排出するガス排出部とが少なくとも備えられてなり、ガス供給部３とは別に反応容器２内にエッチングガスを供給する供給ノズル５が反応容器２に着脱自在に取り付けられていることを特徴とする枚葉式エピタキシャルウェーハ製造装置を採用する。 （もっと読む）

【課題】高清浄雰囲気で良質な膜を生成し、膜厚均一性を向上することのできる半導体製造装置を提供する。
【解決手段】アウターチューブ１０内に、複数の半導体ウェーハ（図示せず）を積層して搭載するボート３０を設ける。アウターチューブ１０をマニホールド４０に取り付けるフランジ１４と胴体部１２との間に円錐部１３を設けて、胴体部１２の内径を小さくして、ウェーハを保持するボート３０との距離を短くすることにより、ドーパント濃度均一性、膜厚均一性の向上を図る。アウターチューブ１０とボート３０の間に原料ガスをボート３０上まで導入するノズル２１を設け、反応ガスを上から下へアウターチューブ１０内を流すことにより、反応炉内への炉下部からの汚染を防止する。 （もっと読む）

【課題】 膜厚等の再現性に優れ、かつ欠陥や転位の存在しない薄膜を、高い成膜速度を確保しつつ基板に形成可能な真空成膜装置および薄膜形成方法を提供する。
【解決手段】 真空成膜装置１１０は、内部を減圧可能な真空チャンバー４と、真空チャンバー４の内部に配置され基板６ａを保持するサセプター１と、所定のギャップ９を隔ててサセプター１の基板６ａを保持する面に対向して、真空チャンバー４の内部に配置される対向部材２と、サセプター１を誘導加熱する加熱手段３と、真空チャンバー４の内部への原料ガス供給用のガス供給口７と、真空チャンバー４の内部のガスを排気するためのガス排気口４ｃと、を備え、サセプター１から基板６ａに熱伝導に基づく熱が伝熱され、ガス供給口７を通過した原料ガスは、サセプター１の周囲からその中心部に向かってギャップ９を流れる。 （もっと読む）

【課題】
処理ガス供給ノズル内での処理ガスの反応を抑制し、該処理ガス供給ノズルに反応生成物が付着することを防止し、パーティクルの発生を抑制し、製品品質の向上、歩留りの向上、更に前記処理ガス供給ノズルの洗浄の保守間隔を延長して歩留りの向上を図る。
【解決手段】
基板２７を処理する処理室６と、該処理室を加熱する加熱手段５と、前記処理室内に配置され、処理ガスを前記処理室内に供給する処理ガス供給ノズル１１とを備え、該処理ガス供給ノズルは、断熱構造を有している。
（もっと読む）

基板加熱装置（３）により加熱した基板（１７）を成膜室（１１）に導入して成膜を行う真空成膜装置であって、基板加熱装置（３）が、加熱室（２３）と、加熱室（２３）に搬入される基板（１６）の面と所要の間隔を有して加熱室（２３）に配置されガス導入口（３４）が形成された扁平形状のプレートノズル（３３）と、プレートノズル（３３）のガス導入口（３４）に加熱ガスを導く加熱ガス導入装置（３２）とを備え、プレートノズル（３３）における基板（１６）と対向する面板（３３ａ）に基板（１６）を加熱ガスの衝突噴流により加熱するための複数のガス噴出口（３５）を備える。
（もっと読む）

【課題】 太陽電池に用いられる基板の表面にパターニングにて形成されるセル形成用の凹溝を高効率にて直接且つ均一に形成するプラズマ加工装置の開発を課題とする。
【解決手段】 被加工物載置用放電電極(1)と、該放電電極(1)に対向して配置された対向放電電極(2)と、対向放電電極(2)の被加工物載置用放電電極(1)側の面に設けられた固体誘電体(3)と、固体誘電体(3)と被加工物載置用放電電極間(1)の空間(4)に雰囲気ガスを供給する雰囲気ガス供給管(5a)とで構成されたプラズマ加工装置であって、固体誘電体(3)の被加工物載置用放電電極(1)に対する対向面に放電用凸部(8)又は放電用凹部(7)が形成されていることを特徴とする。
（もっと読む）

半導体処理チャンバ内で用いるためのガス分配器が提供される。ガス分配器は、ガス注入口と、ガス排出口と、らせん状ねじ山を有するステム部分とを備えている。ガス分配器は、更に、ステム部分から外向きに放射状に伸びているガス偏向面を有する本体とガス偏向面から本体の反対側に配置された下面と、らせん状ねじ山とガス偏向面との間に配置された横シートと、ガス注入口からステム部分と本体を通ってガス排出口に伸びているガス通路とを備えている。個々の実施形態においては、横シートはシーリング部材を保持するように適合される。 （もっと読む）

【課題】 保守時に要するコストを抑制し得る半導体製造用熱処理炉を提供する。
【解決手段】 熱処理炉１０では、閉塞板３０は、パイロチューブ１５、１６の吐出口１５ａ、１６ａ側とパイロチューブ１５、１６の導入口１５ｂ、１６ｂ側との途中を支持し得るとともにパイロチューブ１５、１６の吐出口１５ａ、１６ａを炉心管２０に収容した状態で炉心管２０の開口２２を閉塞可能に構成され、また気密部４０は、炉心管２０の開口２２を閉塞板３０により閉塞した場合に開口２２を形成する開口部２４の周縁２５と閉塞板３０とを気密可能に密着させ得る。 （もっと読む）

【課題】 スピンコート方法、低誘電率絶縁膜、及び、半導体装置に関し、簡単な装置構成によって、機械的強度、比誘電率、或いは、膜密着性に優れた絶縁膜を成膜する。
【解決手段】 スピンコート中に、スピンコート材料３と反応する気相材料４をスピンコータカップ１内に導入する。 （もっと読む）

【課題】 原料の利用効率を高くし、高品質の化合物半導体を成長させる。
【解決手段】 成長室１内に、基板ＳＢを保持する回転自在な基板保持台２と、基板保持台２の加熱手段３と、基板ＳＢに向けて反応ガスを供給するガス供給部４と、排ガスを成長室１外へ排出する排気口９とを備えた気相成長装置において、成長室１の側壁１０の内径を基板保持台２の外径と略同じとして成長室１内に反応空間ＲＳを形成し、ガス供給部４を互いに離隔して配置された第一原料ガス供給部５、第二原料ガス供給部６及びドーパントガス供給部８で構成し、基板ＳＢの回転軌跡の法線方向と直交し、下辺１１ｂが基板保持台２と平行で且つ近接する方形の開口面１１ａを有する排気導入管１１を排気口９に接続し、第一原料ガス供給部５、第二原料ガス供給部６、ドーパントガス供給部８、開口面１１ａを、基板保持台２の回転で基板ＳＢが順次遷移するように配設する。 （もっと読む）

【課題】発熱体と電力供給機構とを電気的に接続する複数個の接続端子を電気的に絶縁を図りつつ予め定められている位置に保持し、当該接続端子に接続される発熱体を接続端子に接続される発熱体の接続部領域が処理容器内の空間に露出しないようにして基板ホルダーに対向させて支持する接続端子ホルダーが一個又は複数個処理容器内に設置されている発熱体ＣＶＤ装置において、形成される膜特性向上と安定性向上を図る。
【解決手段】発熱体の端部に発熱体より大径の接続用ピンを配備し、接続用ピンの径より小さい内径の小孔を有すると共に該小孔を形成する周壁に軸方向に伸びるスリットを備えている接続端子のピン受けの該小孔に前記接続用ピンを嵌挿する。 （もっと読む）

プラズマ処理システムにおいて、ガス供給システムをマルチゾーン噴射器に接続するための一体型ガス流量制御組み立て品を開示する。組み立て品は、第一流速を備えた第一バルブ組み立て品、第二流速を備えた第二バルブ組み立て品、第三流速を備えた第三流量組み立て品、および第四流速を備えた第四流量組み立て品にガス供給システムを接続する第一組のチャネルを有し、前記第一バルブ組み立て品が実質的に開であるとき第三流速は第一流速より小さく、前記第二バルブ組み立て品が実質的に開であるとき第四流速は第二流速より小さい。組み立て品はさらに、第三流量組み立て品と第一バルブ組み立て品をマルチゾーン噴射器の第一ゾーンに接続するための第二組のチャネルを有する。組み立て品はさらに、第四流量組み立て品と第二バルブ組み立て品をマルチゾーン噴射器の第二ゾーンに接続するための第三組のチャネルを有する。前記第一バルブ組み立て品が閉であればマルチゾーン噴射器の第一ゾーンの流速は第三流速と同様であり、第二バルブ組み立て品が閉であればマルチゾーン噴射器の第二ゾーンの流速は第四流速と同様である。
（もっと読む）

【課題】放電空間内にガスの対流を作ることにより、均一かつ高安定な処理が行え、さらに多層の処理が行える簡素でかつ安価な大気圧プラズマ処理装置の提供にある。
【解決手段】大気圧近傍の圧力下で、処理基材４を挟んで一対の電極１、２を備え、該電極間に処理ガスを導入する処理ガス供給口８と、ガスを排気するための処理ガス排気口７とを備えてなり、電圧を印加することにより、前記処理基材４にプラズマ処理を施す大気圧プラズマ処理装置であって、少なくとも一方の電極１に処理ガス供給口８を２つ以上、及び処理ガス排気口７を２つ以上設けてなり、かつ該処理ガス供給口８及び処理ガス排気口７が交互に配設されている大気圧プラズマ処理装置とするものである。 （もっと読む）

【課題】半導体装置において、真空処理室を大気開放することなく、反応ガス放出部の交換を行なうことができる装置を提供する。
【解決手段】真空処理室１と、反応ガス供給部６とを備え、反応ガス供給部６は、ミキシング部２と反応ガス放出部３から構成される。反応ガス放出部３は真空処理室１と連結した真空室１６に複数組収納され、使用済みの反応ガス放出部３をミキシング部２と分離させた後、回収し、清浄な反応ガス放出部３を真空処理室１内のミキシング部２と結合させるための、搬送、固定、保持及び回転機構を備え、真空処理室１の真空度を維持した状態で、反応ガス放出部３を交換することができるものである。これにより、メンテナンスサイクルを長くすることができ、装置の稼動ロスを低減することができる。 （もっと読む）

【課題】 窒化物半導体素子の特性を面内で均一にすることができる窒化物半導体の製造装置およびそれを用いて製造された窒化物半導体を用いた窒化物半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】 本発明の窒化物半導体の製造装置は、基板と平行に原料ガスを含むガスを流すフローチャネルを備え、基板の上流側からフローチャネル内に原料ガスを導入して窒化物半導体を結晶成長させる気相成長装置であって、前記フローチャネルの内壁には、複数の凸状の突起部が設けられている。 （もっと読む）