【課題】メンテナンス作業による装置の稼働停止時間を短縮することにより、装置の稼働率を向上する。
【解決手段】アンテナ交換方法は、複数の真空チャンバ１と基材搬送チャンバ１５０の内部を真空状態に減圧し、アレイアンテナユニット３０をアンテナ搬送チャンバ２００に収容し、そのアンテナ搬送チャンバ２００の内部を真空状態に減圧し、アンテナ搬送チャンバ２００と真空チャンバ１との内部を真空状態に維持したまま当該両チャンバを連通し、真空状態を維持したまま連通された両チャンバ間で、アンテナ搬送チャンバ２００から真空チャンバ１にアレイアンテナユニット３０を搬入し、真空チャンバ１内に搬入されたアレイアンテナユニット３０の電極棒それぞれが、高周波電源に電気的に接続された複数のコネクタに接続されるようにアレイアンテナユニット３０を真空チャンバ１内に掛け止めする。 （もっと読む）

【課題】基板の面内における原料ガスの供給量を均一にし、成膜される膜の膜質を一定にすることができる成膜装置を提供する。
【解決手段】成膜容器６０内で基板を水平面内で回転可能に保持する基板保持部４４と、供給孔７５が形成された供給管７３ａを含み、供給孔７５を介して成膜容器６０内に原料ガスを供給する供給機構７０と、排気孔８３が形成された排気管８２を含み、排気孔８３を介して成膜容器６０内からガスを排気する排気機構８０と、基板保持部４４と供給機構７０と排気機構８０とを制御する制御部９０とを有する。供給孔７５と排気孔８３とは、基板保持部４４に保持されている基板を挟んで互いに対向するように形成されている。制御部９０は、基板保持部４４に保持されている基板を回転させた状態で、供給機構７０により原料ガスを供給するとともに排気機構８０によりガスを排気することによって、基板に膜を成膜するように制御する。 （もっと読む）

【課題】形成される薄膜中に残留する副生成物や中間体の濃度を制御して基板処理することができる半導体製造方法や基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板を処理室内へ搬入する搬入工程と、前記基板が搬入された処理室内へ、メチル基を含む有機シリコンガス及び酸素含有ガスを供給するガス供給工程と、前記ガス供給工程に続けて、前記基板が搬入された処理室内へ、メチル基を含む有機シリコンガス及び酸素含有ガスを供給しつつ、前記供給されたガスに紫外光を照射して励起する第１のガス励起工程とから、半導体製造方法を構成する。 （もっと読む）

【課題】シャワーヘッドの反りを防止することが可能な結晶成長装置および結晶成長方法を提供する。
【解決手段】結晶成長装置１において、シャワーヘッド２０は、前面部２１と、冷却層２３と、ガス供給層２５とを含む。前面部２１は、基板ＳＵＢに対向して設けられ、原料ガスを基板ＳＵＢに吐出する複数の吐出孔を有する。冷却層２３は、前面部２１の上に積層して設けられ、冷媒が流れる冷媒通路を有する。ガス供給層２５は、冷却層２３の上に積層して設けられ、導入された原料ガスを充満させるバッファ空間が形成される。バッファ空間は複数の吐出孔の各々と冷却層２３を貫通するガス供給管を介して連通する。予熱器５３は、結晶成長時にガス供給層２５に供給する原料ガスを予熱する。 （もっと読む）

【課題】原子層堆積（ＡＬＤ）式薄膜堆積装置において反応物質パルスに続くパージ期間に反応物質残りの少ない堆積装置を提供する。
【解決手段】堆積チャンバ内に画定された空間内に載置されたウエハ上に薄膜を堆積させるように構成され、前記空間と連通するガス流入口と、さらに、密閉面６０５を含む密閉部６０４とを備え、前記堆積チャンバと、前記ウエハを前記空間内において支持するように形成されたサセプタ６０２であって、サセプタ６０２が密閉面６０５に対して密閉を行う第１の位置と、サセプタ６０２が密閉面６０５に対して密閉を行わなくなる下方の第２の位置との間を、前記堆積チャンバに対して鉛直方向に移動するように形成されたサセプタ６０２と、を備える。前記第１の位置において、密閉面６０５とサセプタ６０２との間の界面と、サセプタ６０２上に配置された前記ウエハの上面との間の垂直方向の距離が、約２ミリメートル未満である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、複数の基板に同時に薄膜を形成したり熱処理するための基板加工装置に関し、加工工程のために加工チャンバーに搬入されるボートに積載された複数の基板が均一に加熱されるようにすることによって、複数の前記基板を均一に加工することができる基板加工装置に関する。
【解決手段】本発明は、基板を支持するための基板支持台および一つまたは複数の噴射口が形成された第１ガス配管を含む基板ホルダーと、複数の基板ホルダーが積載され、前記第１ガス配管に連結される第２ガス配管を含むボートと、前記ボートに積載された複数の基板を加工するための空間を提供する加工チャンバーと、前記ボートを前記加工チャンバーの内部に搬入および搬出させるための移送部と、前記加工チャンバーの外側に位置する第１加熱手段と、前記第２ガス配管に連結される第３ガス配管を含み、前記第２ガス配管へ加熱または冷却されたガスを供給するためのガス供給部と、を含む。 （もっと読む）

【課題】簡易な構造で、ツリー状のガス流路から噴き出されるガスの流速ムラを抑制でき、装置のコンパクト化が可能なエピタキシャル成長装置を提供することを目的とする。
【解決手段】少なくとも、エピタキシャル成長させる基板を載置するサセプタが内部に設置されるチャンバーと、該チャンバー内の前記サセプタ上に載置された基板にガス供給源からのガスを供給するガス供給手段と、前記供給されたガスを前記チャンバー外に排出するガス排出手段とを具備するエピタキシャル成長装置であって、前記ガス供給手段が、少なくとも、下流に向かって複数の流路に分岐していくツリー状のガス流路を具備し、該ツリー状のガス流路の少なくとも一つの外コーナーに、半円状の断面を有するガス溜り部が形成されたものであるエピタキシャル成長装置。 （もっと読む）

【課題】 気相成長技術において、半導体膜の成長速度を速くする技術を提供する。
【解決手段】 １２００〜１４００℃に加熱されている基板の表面に、その表面に直交する方向から、塩化シランガスとキャリアガスとを含む混合原料ガスを供給する工程を有している。塩化シランガスの供給量は、基板の表面の１ｃｍ^２当たり２００μｍｏｌ／分以上である。キャリアガスは、アルゴン、キセノン、クリプトン及びネオンから選択される少なくとも１種類以上のガスと、水素ガスとを含んでいる。 （もっと読む）

【課題】貫通穴を目詰まりさせることなく、ガス供給電極の表面に粗面化することができ、また、貫通穴を加工する際に、穴の位置がずれたり、ドリルが破損したりすることがなく、これにより、成膜を行う際に、電極の表面に堆積した成膜物が電極から剥離して基板に付着することを抑制でき、また、安定したガス供給を行なうことができ、高品質な膜を形成することができるガス供給電極の製造方法を提供する。
【解決手段】穴あけ加工を行なって、前記複数の貫通穴を形成する穴加工工程と、
前記穴加工工程の後に、プラズマの生成領域に対面する側の供給面に、プラズマ溶射処理によって、溶射膜を形成する溶射工程とを有することで上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】貫通穴を目詰まりさせることなく、ガス供給電極の表面に粗面化することができ、また、貫通穴を加工する際に、穴の位置がずれたり、ドリルが破損したりすることがなく、これにより、成膜を行う際に、電極の表面に堆積した成膜物が電極から剥離して基板に付着することを抑制でき、また、安定したガス供給を行なうことができ、高品質な膜を形成することができるガス供給電極の製造方法を提供する。
【解決手段】プラズマの生成領域に対面する側の供給面の表面粗さを上げる粗面化工程と、粗面化工程の後に、供給面とは反対側の裏面から穴あけ加工を行なって、複数の貫通穴を形成する穴加工工程とを有することで上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】複数枚の基板に不純物が均一にドーピングされた炭化珪素膜を成膜することができる半導体製造装置及び基板の製造方法及び基板処理装置を提供する
【解決手段】反応室内に延在されて設けられる第１のガス供給ノズル６０及び第２のガス供給ノズル７０と、第１のガス供給ノズルの基板の主面と平行であって、第２のガス供給ノズルの方向に１以上分岐され1以上の第１のガス供給口６８を有する第１の分岐ノズルと、第２のガス供給ノズルの基板の主面と平行であって、第１のガス供給ノズルの方向に１以上分岐され、1以上の第２のガス供給口７２を有する第２の分岐ノズルとを備え、第１のガス供給口と第２のガス供給口とが基板の積層方向に隣接するように設けられた基板処理装置によって課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】
基板上に成長結晶層の膜厚均一性を向上させることができ、歩留まりが高い気相成長装置を提供することを目的とする。
【解決手段】
気相成長装置は、その中心に成長用基板を担持して成長用基板を加熱および回転するサセプタと、サセプタの少なくても材料ガス供給側の半分を矩形に囲む、サセプタと同じ熱伝導率を有する素材からなる不動の受熱板と、周囲から受熱板を固定し、成長用基板に水平に材料ガスを誘導する不動のフロー補助板と、その開口する先端がフロー補助板上に位置し受熱板の端部と略平行にかつ成長用基板の直径よりも幅広に形成され、成長用基板の全面に沿って材料ガスの層流を水平に供給する材料ガスノズルと、その材料ガスノズル側の縁部が受熱板の端部に略平行に形成され、その全面が直上のサセプタと受熱板の全面に対向してサセプタと受熱板を均一に加熱する矩形の加熱器と、成長用基板とサセプタと受熱板の全面に向けて材料ガスノズルよりも幅広の領域に押さえガスを供給する押さえガス噴出器と、を備える。 （もっと読む）

【課題】低温の原料ガスが原因となる膜質低下の問題を抑えることができるＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】チャンバと、チャンバ内に設けられ、基板が載置されるとともに、載置された基板の温度を上昇させる基板ヒータ部を有するアノード電極と、アノード電極に対向する位置に配置され、チャンバ内に原料ガスを供給するガス供給口が形成されたカソード電極を有するカソードユニットと、を備え、カソードユニットには、アノード電極側に流路制御板が設けられており、この流路制御板は、ガス供給口から吐出された原料ガスのアノード電極側への流れを抑える遮蔽部と、カソード電極側とアノード電極側とに連通して開口するガス流通孔とを有する。 （もっと読む）

【課題】原料ガスをあらゆる角度に対して均等な流量で噴出でき、サセプタの対面においては原料ガスの分解、結晶化を抑制できる気相成長装置を提供する。
【解決手段】サセプタ２の対面が内部に冷媒を流通する手段を有し、原料ガス導入部が円板状の仕切り１２，１２”により上下方向に仕切られた構成からなる複数のガス噴出口１３を備え、該ガス噴出口１３の少なくとも１つが複数の柱状の仕切り１４により円周方向に仕切られた構成を備えてなる気相成長装置とする。 （もっと読む）

−プロセス空間雰囲気圧のプロセス空間雰囲気を用意することと、−プロセス空間雰囲気圧とは異なる外部雰囲気圧の外部雰囲気を用意することと、−外部雰囲気がプロセス空間雰囲気に開口連通する通路であって、外部雰囲気とプロセス空間雰囲気との間での基板の交換が可能である通路を設けることと、−この通路の少なくとも一部を通って延在する交換用流体の流れを生じさせるように、少なくとも１つの交換用流体注入点において交換用流体を通路に注入することと、を含む方法であって、この流れの方向は、−外部雰囲気圧がプロセス空間雰囲気圧より大きい場合は、外部に向かい、−外部雰囲気圧がプロセス空間雰囲気圧より小さい場合は、プロセス空間に向かう、方法。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理装置において、簡易かつ低コストの構成で、プロセスガスの導入位置を基板の配置（特にバッチ処理の場合）や基板のサイズ（特に枚葉処理の場合）に応じて高い自由度で設定可能とし、それによって高生産性と品質安定化を達成する。
【解決手段】チャンバ３の上部開口に配置された天板７には、ガス供給口７ｄとガス導入口７ｊ，７ｋが設けられている。天板７の上面７ａには、ガス供給口７ｄとガス導入口７ｊ，７ｋを接続するために、供給ガス溜め部７ｅ、共通導入溝部７ｇ、分配ガス溜め部７ｆ、分岐溝部７ｉ、及び個別ガス溜め部７ｈが設けられ、これらの上部開口は天板７の上面７ａに配置された蓋部材８により閉鎖されている。個々のガス導入口７ｊ，７ｋは基板サセプタ６に保持された基板２の中央領域の上方に位置している。 （もっと読む）

【課題】処理室内にＬ型ガスノズルを設けた縦型熱処理装置において、処理室を減圧した場合や、ガス圧力のかかるガス導入時においても、Ｌ型ガスノズルが処理室内側に引き込まれることを防止する縦型熱処理装置を提供する。
【解決手段】縦型熱処理装置を次のように構成する。すなわち、複数の基板を搭載したボートを収容し基板に熱処理を行う処理室と、処理室下部を水平方向に貫通する水平部と処理室内において垂直方向に延伸する垂直部とを有するＬ型ガス導入ノズルと、Ｌ型ガス導入ノズル垂直部とボートとの間に設けられるノズル押さえ部と、処理室内壁に設けられノズル押さえ部が取り付けられるノズル押さえ取付部とを有することを特徴とする縦型熱処理装置。 （もっと読む）

【課題】回転テーブルに基板を載置し、この基板を回転させて複数の反応ガスを順番に供給して反応生成物の層を多数積層するにあたり、基板上にて複数の反応ガスが混合されることを防止して良好な処理を行うことができる技術を提供すること。
【解決手段】回転テーブルの回転方向に互いに離れた第１、第２の処理領域に夫々第１の反応ガス及び第２の反応ガスを供給する第１の反応ガス供給手段と第２の反応ガス供給手段とを設ける。前記回転方向において第１、第２の処理領域の間に分離ガス供給手段を設け、この分離ガス供給手段の前記回転方向両側にて低い天井面を設ける。さらに前記回転テーブルの回転中心部と真空容器とにより区画した中心部領域から回転テーブルの周縁に向けて分離ガスを吐出する。また第１の処理領域及び第２の処理領域に夫々対応する真空容器の側壁部位に一方及び他方の真空排気口を形成する。 （もっと読む）

【課題】
薄膜シリコン太陽電池の微結晶シリコン膜及び多結晶シリコン太陽電池のパッシベーション膜等を製造するプラズマＣＶＤ装置の応用分野においては、生産性向上及び低コスト化を図るために、大面積基板を対象に高速、高品質のシリコン系膜の形成が可能なプラズマＣＶＤ装置及びその装置を用いたシリコン系膜の製造法が求められている。特に、パウダーの発生を抑制可能なプラズマＣＶＤ技術が強く求められている。
【解決手段】
一対の平行平板電極を備えたプラズマＣＶＤ装置において、ガス噴出孔を有する電極に、凹凸部を設け、該凸部に原料ガスのみを噴出する複数の原料ガス噴出孔を配置し、該凹部に希釈ガスのみを噴出する複数の希釈ガス噴出孔を配置するとともに、該原料ガス噴出孔を該噴出方向が基板表面の法線方向以外に向くように設置させるということを特徴とする。 （もっと読む）

流体分配マニホールドは、第１のプレートと第２のプレートとを備える。少なくとも第１のプレートおよび第２のプレートの少なくとも一部は、レリーフパターンを画成する。レリーフパターンによって画成される流体流配向パターンを第１のプレートおよび第２のプレートが形成するように、第１のプレートと第２のプレートとの間に金属結合剤を配設する。
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