【課題】ノズルの先端部への生成物の付着を低減し、かつ生成物のクリーニングが容易にできるエピタキシャル成長炉とその運転方法を提供する。
【解決手段】ガス供給ノズル１４が、半導体ウエハ１の直径幅にわたり材料ガス２及びキャリアガス３を成長対象表面に沿って噴出するメインノズル１５ａと、半導体ウエハの直径幅にわたりメインノズルの外表面に沿って材料ガスと同一方向にキャリアガス３を噴出するサブノズル１５ｂとを有する。成膜時に、成長対象表面に沿って、メインノズル１５ａから所定の材料ガス２及びキャリアガス３を、サブノズル１５ｂからキャリアガス３を、それぞれ上部から下部へ層流状態で流してエピタキシャル層を形成させ、クリーニング時に、成長対象表面に沿って、メインノズル１５ａ及びサブノズル１５ｂからクリーニングガス４を、それぞれ上部から下部へ流してメインノズル１５ａの内面と外面の生成物を分解除去する。 （もっと読む）

【課題】送電経路での送電ロスを低減し、熱的負荷を減少させることが可能な真空処理装置を提供する。
【解決手段】真空処理装置１は、第１電源部、第２電源部、第１整合器１３ａ、第２整合器１３ｂ、放電電極３、保持電極を具備する。第１電源部は、第１高周波電力を供給する。第２電源部は、第１高周波電力と同じ周波数の第２高周波電力を供給する。第２電源部は、第１高周波電力の周波数の位相に対して、第２高周波電力の周波数に位相差を持たせて、第１高周波電力の周波数の位相に対して時間的に変化させる位相差の変調をさせ変調の振幅は高周波電力の波長λの１／４以上である。第１整合器１３ａは、第１高周波電力を第１出力側へ出力し、第２整合器１３ｂは、第２高周波電力を第２出力側へ出力する。保持電極は、放電電極３と対面配置され、被処理基板８を保持する。 （もっと読む）

【課題】基板面に成長する結晶における結晶品質の均一化を実現し得る縦型の気相成長装置、及び半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】４種類以上のガスを反応室２の中央部にそれぞれ個別に導入するように同心に重ねて形成された複数の導入管１２ａ〜１２ｄとこれらに連結する仕切板１３ａ〜１３ｄとを備える。各仕切板１３ａ〜１３ｃにおけるガス下流側先端位置は、基板１の手前に配置されている。高さ方向において基板１に近い側の仕切板１３ａから遠い側の仕切板１３ｃに伴って順次基板１に近づく位置に配されている。高さ方向において基板１に最も近くの仕切板１３ａと最も遠くの仕切板１３ｃとの間に設けられている少なくとも１つの仕切板１３ｂには、その下流側先端部の一定の範囲に複数の貫通孔Ｈが設けられている。 （もっと読む）

本発明は、表面を、表面障壁放電により形成される大気圧プラズマを用いて乾式洗浄、活性化、被覆、変性及び生物汚染除去（細菌除去、消毒、滅菌）するための方法及び一連の装置に関する。本発明は、表面を、表面障壁放電により流動状の所定のガス雰囲気内に形成される大気圧プラズマを用いて乾式洗浄、活性化、被覆、変性及び生物汚染除去するために用いられ、誘電体又は強誘電体で覆われた高電圧電極、接地された導電性の接触電極、高電圧供給部及びガス供給部、並びにガス出口開口部を備えたガスノズルを含んでおり、この場合にガスノズルは、接地された接触電極のすぐ近くに配置され、又は、ガスノズルは、接地された接触電極内に組み込まれ、又は、ガスノズルはそれ自体、接地された接触電極として作動するようになっており、かつガス出口開口部は、流出するガス流を接地された接触電極に向けるように構成されている。方法は、ガスノズルを有する接触電極と処理すべき材料とを互いに相対的に運動させることを特徴としている。
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【課題】基板面に成長する結晶における結晶品質の均一化を実現し得る縦型の気相成長装置、及び半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】縦型の気相成長装置１０は、扁平中空円柱状に形成された反応室２に設けられた円形のサセプタ２０の円周部上に戴置された複数の基板１に向けて、反応室２の中央部から複数のガスを導入して外周方向に基板１表面に放射状に供給することにより、加熱された基板１に膜を成長させる。複数のガスは、少なくとも４種類以上のガスであり、４種類以上のガスのうちの第１原料ガスが基板１上方から下向きに供給され、かつ第１原料ガス以外の他のガスが基板１表面に平行に供給されている。 （もっと読む）

【課題】ＣＶＤ反応装置において、サセプタ上の回転テーブルにガスを供給するガス供給系を単純化する。
【解決手段】ＣＶＤ反応装置は、回転駆動されるサセプタ（１）の上で動的ガスクッション（３）によって運ばれる多数の回転テーブル（２）を備える。各ガスクッション（３）は個別に制御されるガス流によって形成され、各ガス流は温度測定デバイス（４）によって測定される表面温度に応じて個別の制御素子（５）によって変えられる。ＣＶＤ反応装置は、更に、サセプタ（１）を運び、サセプタ（１）とともに回転するキャリア（６）を備える。共通ガス供給ライン（７）がキャリア（６）内に開いてガス流を形成するガスを供給し、制御素子（５）がキャリア（６）に配置される。 （もっと読む）

【課題】効率的なクリーニングの可能な処理装置およびそのクリーニング方法を提供する。
【解決手段】チャンバ１１と、被処理体を載置するサセプタ１７と、チャンバ１１と排気手段を接続する排気ラインＬ３と、所定のプロセスガスをチャンバ１１内に供給するプロセスガスラインＬ１と、プロセスガスラインＬ１に接続されてプロセスガスラインＬ１から導入されるプロセスガスを拡散させる拡散路２９ａと、拡散路２９ａに接続されて拡散路２９ａにより拡散されたプロセスガスをチャンバ１１内に供給する複数のガス孔２８ａと、を有するシャワーヘッドと、チャンバ１１の内部をクリーニングするためのクリーニングガスをチャンバ１１内に供給するクリーニングガスラインＬ２と、チャンバ１１内からクリーニングガスを排気するために、一端が拡散路２９ａに接続され、他端が排気ラインＬ３に接続されたクリーニングガス排気ラインＬ４と、を有する。 （もっと読む）

【課題】
反応管内に処理ガスを導入するガスノズルの反応管貫通部での強度を増大し、外力によるガスノズルの破損、更にガスノズルの破損に起因する反応管の破損の防止しようとする。
【解決手段】
基板を収納し、処理する反応管４と、該反応管の周囲に設けられる加熱手段と、前記反応管内に処理ガスを供給するガスノズル１４と、前記反応管内の雰囲気を排気する排気手段とを具備し、前記ガスノズルの少なくとも前記反応管を貫通する部分を厚肉とした。
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【課題】 堆積膜の膜厚や膜特性の均一性を向上させ、さらに堆積膜の膜特性を向上させることが可能な堆積膜形成装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 複数の原料ガス導入管からなるガス導入手段と、
円筒状反応容器内の側壁より排気する排気手段と、
放電エネルギーにより原料ガスを励起する手段
を用いプラズマＣＶＤ法により堆積膜を前記円筒状支持体上に形成する装置において、
前記原料ガス導入管と、前記円筒状反応容器内の円周方向における排気方向は、同一の数で、かつ
下記に示す領域Aには、構造物が無いことを特徴とするプラズマＣＶＤ法による堆積膜形成装置。
領域A：円周方向は、下記Ｉ、II、IIIで囲まれ、かつ軸方向は前記円筒状支持体に対応した領域
Ｉ 前記原料ガス導入管の中心から、前記円筒状支持体の中心を結んだ直線
II 前記原料ガス管からみて、最も近い排気口の中心と、前記円筒状支持体の中心を結んだ直線。 （もっと読む）

【課題】 高速スイッチングバルブを用いずにかつ高い生産性で、ＡＬＤ法を利用することができる成膜装置および成膜方法を提供すること。
【解決手段】チャンバー１１内に、複数の基板Ｗを支持する基板支持部材１２と、ＴｉＣｌ_４を吐出する第１の処理ガス吐出ノズル２０と、ＮＨ_３を吐出する第２の処理ガス吐出ノズル２１と、ＴｉＣｌ_４とＮＨ_３とを分離するパージガス吐出ノズル２２とを設け、パージガス吐出ノズル２２の吐出口と基板Ｗ表面との距離が、第１の処理ガス吐出ノズル２０および第２の処理ガス吐出ノズル２１の吐出口と基板Ｗ表面との距離よりも大きくなるようにパージガス吐出部２２を配置し、基板Ｗに対し、ＴｉＣｌ_４、ＮＨ_３、パージガスを走査させることにより、基板ＷにＴｉＣｌ_４とＮＨ_３とを交互に吸着させる。 （もっと読む）

【解決手段】低誘電体膜層において炭素欠乏した低誘電率材料を修復するための装置、システム、および、方法が開示されており、それらは、炭化水素基を有し、炭素欠乏した低誘電率材料を修復するよう構成された修復剤を特定することと、低誘電体膜層における炭素欠乏した低誘電率材料が、低誘電率材料を実質的に修復する修復剤メニスカスに十分に曝露されるように、特定された修復剤メニスカスを低誘電体膜層に適用することと、を含む。修復された低誘電率材料は、低誘電体膜層と実質的に同等の低誘電率特性を示す。 （もっと読む）

【課題】ウェハを高速回転させずに成長速度を高める気相成長装置および気相成長方法を提供する。
【解決手段】チャンバ１０２と、チャンバ１０２に原料ガスを供給する供給部１０７と、チャンバ１０２内でウェハ１０１を載置する回転可能なホルダ１０４と、複数の羽根１１２を有し、ホルダ１０４の周囲を取り巻くように設けられた、原料ガスをウェハ１０１上から排出する回転可能な羽根車１１０と、羽根車１１０によって排出された気相成長反応後の原料ガスをチャンバ１０２から排気する排気部１０８とを備えることを特徴とする。これによりウェハ１０１を高速回転させなくても済むため、ウェハ１０１がホルダ１０４からはずれたり、破損したりすることによる生産歩留まりの低下を防止し、且つ気相成長反応の成長速度を高めることができる。 （もっと読む）

原子層堆積(ALD)法を用いた薄膜堆積システム及び方法。当該堆積システムは処理チャンバ(16)を有する。前記処理チャンバ(16)には、周辺側壁(36)、間仕切り(68,70,72,74)、及び大きなプレート(50)が備えられている。前記間仕切り(68,70,72,74)は、前記処理チャンバ(16)内部の処理空間(38)を少なくとも2つの分室(76,78)に分割する。前記大きなプレート(50)は前記処理空間(38)内部で基板(15)を支持する。また前記大きなプレート(50)は、静止した前記周辺側壁(36)及び分室(76,78)に対して前記基板(15)を回転させる。一の分室(76)は、前記基板(15)の各々の上に層を堆積するのに用いられる処理材料を受け取る。他の分室(78)は、不活性ガスを含む。前記処理材料を注入する材料インジェクタ(100,100a,100b)は、前記周辺側壁(36)を介して前記分室(76,78)とやり取りを行う。
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本発明は、トランジスタに使用するための酸化亜鉛系薄膜半導体を製造する方法に関し、基板上に薄膜材料を堆積することを含み、第１、第２および第３ガス材料を含む複数のガス材料を提供することを含み、該第１又は第２ガス材料の一方が該基体の表面にある場合に、該第１又は第２ガス材料のもう一方が反応して該基体上に材料の層を堆積するように、該第１ガス材料は亜鉛含有揮発性材料であり、該第２ガス材料はそれと反応し、そして第３のガス材料は、該第１又は第２ガス材料との反応することに関して不活性である。
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【課題】パーツの消耗を防ぎ、かつ材料ガスの消費効率に優れる気相成長装置および気相成長方法、を提供する。
【解決手段】気相成長装置は、基板２０が配置される反応室群１８Ｘおよび反応室群１８Ｙと、ガス供給部材３０と、ガス流れ規制部材４０とを備える。ガス供給部材３０は、反応室群１８Ｘ，１８Ｙに通じ、互いに異なる材料ガスが流通するガス流路３１および３２を形成する。ガス流れ規制部材４０には、ガス供給口４１および４２が周方向に交互に形成されている。ガス供給口４１は、反応室群１８Ｘおよび１８Ｙのいずれか一方とガス流路３１とを連通させる。ガス供給口４２は、反応室群１８Ｘおよび１８Ｙのいずれか他方とガス流路３２とを連通させる。ガス流れ規制部材４０および複数の反応室１８の相対的な移動により、互いに連通するガス流路３１，３２と反応室群１８Ｘ，１８Ｙとの組み合わせが入れ替わる。 （もっと読む）

薄膜材料を基体上に堆積させる方法であって、供給ヘッドの出力面から基体表面に向けて一連のガス流を同時に案内することを含み、一連のガス流が、少なくとも、第１反応性ガス状材料と、不活性パージガスと、第２反応性ガス状材料とを含み、第１反応性ガス状材料が、第２反応性ガス状材料で処理された基体表面と反応することができる方法を開示する。かかる方法を実施することのできるシステムも開示する。
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薄膜材料を堆積させるための供給装置（１５０）は、第１ガス状材料、第２ガス状材料及び第３ガス状材料のための共通供給をそれぞれ受容するための少なくとも第１、第２及び第３流入ポート（１４），（１６），（１８）を有する。第１、第２及び第３の細長い放出チャネル（１３２）の各々が、対応する第１、第２及び第３流入ポート（１４），（１６），（１８）のうちの１つとガス流体連通可能である。この供給装置は、複数のアパーチャ付きプレート（１００），（１１０），（１２０），（１３０）から形成されており、当該複数のアパーチャ付きプレートは重なり合って、ガス状材料の各々をそれらの対応する流入ポート（１４），（１６），（１８）からそれらの対応する複数の細長い放出チャネル（１３２）に送るための、相互接続供給チャンバ及び案内チャネルの網状構造を規定している。
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【課題】 簡単な構造でかつ低コストで製作でき、その上、乱流、対流及び熱対流の発生を押えて混合ガスのガス流を均一にできるようにＣＶＤ装置を構成する。
【解決手段】 円筒形状の真空反応室５２内部に、基板が載置されるステージ５３を設け、ステージに対向して該真空反応室上面の中央部に、混合ガスを真空チャンバ内に導入するガスヘッド３を配設する。ステージの周囲を、所定の長さを有する円筒形状のスリーブ部材６１で囲い、スリーブ部材と真空チャンバ内壁面との間の間隙を介して、排ガスがガスヘッドとステージとが形成する第１空間内で対流することなく該第１空間から等方排気されるように、真空排気手段２が接続されたステージ下側の第２空間の容積が第１空間の容積より大きくなる位置にステージの高さ位置を設定する。 （もっと読む）

【課題】プラズマにより発生した異物を捕捉するとともに、アーク放電を防止するプラズマ処理装置およびこれを用いてワークの被処理面を処理する表面処理方法を提供すること。
【解決手段】プラズマ処理装置１は、ワーク１０に対して相対的に移動可能な互いに対向する１対の電極２、３と、１対の電極２、３間に電圧を印加する電源７２を備えた電源回路７と、１対の電極２、３間にプラズマ生成のための処理ガスを供給するガス供給手段８と、ワーク１０の被処理面１０１に向けてプラズマを噴出するプラズマ噴出部５とを備え、１対の電極２、３間に、処理ガスを供給しつつ、電圧を印加することにより、処理ガスを活性化してプラズマを生成させ、該プラズマによりワーク１０の被処理面１０１が処理されるよう構成されているプラズマ処理装置１であって、プラズマ噴出部５またはその近傍に、プラズマの生成により発生した異物４０を捕捉する多孔質の絶縁性材料で構成された異物捕捉部９を有する。 （もっと読む）

【課題】ガス供給ノズルの破損を検知可能な基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板を処理する処理室２０１と、処理室内に載置された基板を加熱する加熱手段２０７と、処理室内の所定方向に延在し、所望のガスを処理室内に供給するガス供給ノズル２３２と、処理室内の雰囲気を排気する排気手段２３１、２４６と、前記所定方向に沿ってガス供給ノズル２３２に設けられた電気的に導通可能な配線１ａ、１ｂと、配線の導通状態を測定する測定手段１ｄとを備える。 （もっと読む）