【課題】基板を垂直に保持する構成や基板を水平に配置する構成においても活性化あるいは分解によって生成された堆積種を基板面内に均一に堆積させることができる触媒ＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】基板ホルダー５ａ，５ｂの基板保持面側と逆側の背面に反応ガス溜め込み容器８ａ，８ｂを設けて、前記基板ホルダーの背面と基板保持面との間を貫通するようにして複数のガス噴出し孔７を形成し、前記ガス導入系から前記反応ガス溜め込み容器内に反応ガスを導入して、前記反応ガス溜め込み容器内に溜め込んだ反応ガスを前記ガス噴出し孔から前記触媒体３に向かって噴出することにより堆積種とし、前記基板ホルダー上に設けられた前記基板６に堆積させるように構成し、前記反応ガス溜め込み容器８ａ，８ｂの容積を可変とした。 （もっと読む）

【課題】クリーニングレートの低下を防止したシャワープレートを提供する。
【解決手段】シャワープレートの空隙部内全面における陽極酸化皮膜表面での腐食ガス等のガスと陽極酸化皮膜との酸化膜等の反応生成物の発生を防止するため、アルミニウムまたはアルミニウム合金の表面に陽極酸化皮膜が形成されたシャワープレートの陽極酸化皮膜の細孔を水和物で封孔処理し、ＪＩＳ−Ｈ８６８３−３の封孔度試験方法によるアドミッタンス値が２０μＳ以下となるように構成する。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板上に膜を効率よく形成することができる加熱装置およびこれを具備した膜形成装置を提供する。
【解決手段】支持台２６上に載置されたガラス基板２４の表面２５に、このガラス基板の軟化点温度よりも高い高温ガスを垂直に吹き付ける加熱装置を有し、高温ガスとともに加熱分解して膜堆積を発生する堆積用ガス４３を前記ガラス基板の表面に同時に吹き付ける膜形成装置である。 （もっと読む）

【課題】優れた品質の膜を形成することが可能な気相成長装置および半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】気相成長装置１は、サセプタ６と、原料ガス供給口（ガス流路２２ａのガス供給口２９およびガス流路２２ｃのガス供給口２９、またはガス流路２３ａのガス供給口２９およびガス流路２３ｃのガス供給口２９）とガス供給口（ガス流路２２ｂのガス供給口２９またはガス流路２３ｂのガス供給口２９）とを含む供給口群を複数備える。サセプタ６は、基板７を主面上に保持する。複数の供給口群は、サセプタ６の主面に沿った方向において周期的に配置されている。 （もっと読む）

【課題】異常放電を抑制して均一なプラズマを生成することが可能なプラズマ電極を提供する。
【解決手段】プラズマ反応により薄膜が堆積される基板を載置する基板電極と、プラズマを生成するプラズマ空間を挟んで基板電極と対向し、プラズマ空間に面する第１主面６及び第１主面６の反対側の第２主面８で両面を定義し、第１主面から第２主面に貫通する複数のガス吹き出し部を有する高周波電極１０とを備える。高周波電極１０の複数のガス吹き出し部のうち、少なくとも外周部に設けられたガス吹き出し部が、第１開口部２及び第１開口部２に接続された第２開口部４を有し、第１開口部２の開口幅が第２開口部４よりも小さく、貫通する方向に測った第１開口部２の長さが１ｍｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】ヒータを反応管内に設置せずにガスノズルを加熱することができる基板処理装置の提供。
【解決手段】ウエハ１を収容する処理室３２と、ウエハ１を加熱するヒータと、液体原料を気化させる気化器と、気化器が気化させたガスを処理室３２内へ供給するガスノズル４７とを備えたＡＬＤ装置において、ガスノズル４７下端部に三重管構造体８０を処理室３２内外にわたって設け、三重管構造体８０の最内側管８１内には気化ガスを流し、最内側管８１の外側の中間管８２内には気化ガス液化防止温度以上の温度の不活性ガスを流し、最外側管８３内には低温の不活性ガスを流す。最内側管８１を流れる気化ガスの液化を中間管８２内を流れる高温の不活性ガスで防止できるので、ガスノズル４７の詰まりを防止できる。最外側管８３の表面温度が成膜温度以上になるのを最外側管８３内を流れる不活性ガスで防止できるので、パーティクルの発生を防止できる。 （もっと読む）

【課題】基板処理装置に於いて、処理室に処理ガスを導入するガス供給ノズル接続部からの処理ガスの外部へのリークを防止し、ガス供給ノズル取付け時の破損を防止すると共に取付けが容易に行える様にする。
【解決手段】基板４を積層して収納する処理室６１と、該処理室内を所望の温度迄加熱する加熱手段５８と、前記処理室に所望の処理ガスを供給するガス供給手段と、前記処理室内を排気する排気手段６２，６３，６４とを具備し、前記ガス供給手段は、前記基板の積層方向に立設された直管のガス供給ノズル６６と、該ガス供給ノズルを支持する金属配管６５と、前記処理室の下部を形成するマニホールド２とを有し、前記金属配管は、前記処理室外から前記マニホールドを貫通して前記処理室内に延在する第１の部位と、該第１の部位に接続され、前記積層方向に沿って延在する第２の部位とを有し、前記ガス供給ノズルは前記第２の部位に嵌合して支持される。 （もっと読む）

【課題】反応容器内の鉛直方向にある複数のウエハ相互間の熱処理均一性を向上させることができる基板処理装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】各ガス導入部２３０には各ガス導入ポート１１を設け、各ガス導入ポート１１内にはエルボ管形状のガス導入ノズル１２の横部材を挿入し、縦部材はインナチューブ２０４の内壁に沿って延在させる。ガス導入ポート１１とガス導入ノズル１２とは継手部２０によって接続する。４個のガス導入ポート１１はガス導入ノズル１２の横部材の延在方向に対して筋違い方向で、隣り合う継手部２０の太さの一部が重なり合うように配置する。複数のガス導入ノズルを集中的に配置する。 （もっと読む）

【課題】構造が単純で製作が容易であり、また例えばＡＬＤなどのプロセスを適用した場合におけるガスの置換性が良好で、スループットの向上に寄与できるガス供給装置等を提供する。
【解決手段】処理容器２内の載置台３上の基板Ｗに処理ガスを供給するガス供給装置４において、天板部材４２は載置台３と対向する位置に、ガスの拡散空間４０を構成するためにこの載置台３に向かって末広がりの形状に形成された凹部４２２を有し、ガス供給ノズル４１は凹部４２２の頂部から当該凹部４２２内に突出すると共に、この凹部４２２の周方向に沿って複数のガス供給孔４１１が設けられている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、化学気相蒸着工程時に発生する反応副産物を素早く排出することにより、被蒸着体の表面に高品質の薄膜を形成でき、チャンバ内部のクリーニングサイクルが延ばされ、生産性を向上させることができるガス供給ユニット及び化学気相蒸着装置を提供する。
【解決手段】本発明に係るガス供給ユニットは、化学気相蒸着工程時に反応ガスを供給するユニットであって、反応ガスを熱分解する熱線部と、熱線部を向かって反応ガスを噴射する噴射部と、熱線部に隣接して配置され、反応ガスの反応副産物を吸入し排出する吸入部とを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板の表面に形成された低誘電率絶縁膜の比誘電率を向上させることができる、基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置１は、ウエハＷをほぼ水平に保持するスピンチャック２と、スピンチャック２に保持されたウエハＷの表面付近の雰囲気をその周囲から遮断するための遮断板３とを備えている。遮断板３の下面には、シリル化剤（ＨＭＤＳガス）を吐出するためのシリル化剤ノズル１１と、窒素ガスを吐出するための窒素ガス吐出口１５とが形成されている。遮断板３がスピンチャック２に保持されたウエハＷの表面に対向配置された状態で、窒素ガス吐出口１５からウエハＷと遮断板３との間に窒素ガスが供給される。また、遮断板３がスピンチャック２に保持されたウエハＷの表面に対向配置された状態で、シリル化剤ノズル１１からウエハＷと遮断板３との間にシリル化剤が供給される。 （もっと読む）

【課題】処理表面の欠陥が少なく、かつ、均一な処理を行なうことが可能な気相処理装置および気相処理方法を提供する。
【解決手段】この発明に従った気相処理装置１は、反応ガスを流通させる処理室４と、ガス導入部（ガス供給口１３）と、整流板２０とを備える。ガス導入部は、処理室４の上壁６において、反応ガスの流れる方向（矢印１１、１２に示す方向）に沿って複数形成されている。整流板２０は、処理室４の内部においてガス導入部を覆うように形成される。整流板２０は、ガス導入部から処理室の内部に供給されるパージガスを、反応ガスの流れる方向に沿った方向に流れるように案内する。整流板２０は、ガス導入部が形成された処理室４の上壁６において、反応ガスの流れる方向に対して交差する方向である幅方向に延びるように形成されている。 （もっと読む）

【課題】慣用のチャンバの改造に使用可能で、処理ガスの迅速なパージも可能としつつ、基板全体に亘ってより良好なガス、温度及び圧力均一性を付与するＡＬＤ処理キット及びチャンバ構成部品を提供する。
【解決手段】原子層堆積チャンバ２２は、ガス流入部６４とガス流出部６６との間に円錐状流路７８を有している中央キャップ部６０を備えたガス分配装置４０を備えている。このガス分配装置４０は、連結された第１及び第２円錐状開口部９２、９４を備えた天井プレート９０も有している。第１円錐状開口部９２は、中央キャップ部６０のガス流出部６６から処置ガスを受け取る。第２円錐状開口部９４は、第１円錐状開口部９２から半径方向外側に向かって延びている。このガス分配装置４０は、チャンバ２２の側壁部３０上に据えられる周縁棚部１０４も有している。 （もっと読む）

【課題】十分な洗浄を行うことができるガス供給装置及び薄膜形成装置を提供する。
【解決手段】薄膜形成装置１のクリーニングガス供給管１０は、反応管２の下部に設けられ、その先端が反応管２の上部を向くように屈曲形成されている。クリーニングガス供給管１０の先端は、複数の排気口３ａのうち最も下に設けられた排気口３ａの位置Ｐより下方となるように形成されているとともに、半導体ウエハＷの成膜領域Ｓより下方となるように形成されている。また、クリーニングガス供給管１０は、反応管２の下部の排気口３ａが設けられた位置と対向する位置に形成されている。 （もっと読む）

【課題】膜厚の面内均一性や膜質の良好な成膜処理行いつつ、装置の熱的劣化を抑えることのできる成膜装置等を提供する。
【解決手段】
真空容器２内に処理ガスを供給し、基板Ｗを加熱して成膜処理を行う成膜装置１において、昇降機構３０は基板Ｗの処理位置及び受け渡し位置の間で載置台３００を昇降させ、囲み部分２６は基板Ｗ処理時に載置台３００を取り囲むことにより真空容器２内を上部空間と下部空間とに区画する。前記上部空間に連通し、基板Ｗ上方の処理雰囲気よりも外側に位置する真空排気路２１は、前記処理雰囲気の真空排気のために設けられ、排気されるガスの通流空間に露出する部位は処理ガスの反応物が付着しないように加熱手段２１４、４７により加熱される。これら加熱手段２１４、４７と、真空容器２の下側部分との間には断熱部２１２、２５４が設けられている。 （もっと読む）

【課題】位置により温度差があっても処理室内を良好にクリーニングすることができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１は、処理炉２０２と、ウエハ２００を加熱するヒータ２０７と、処理炉２０２内にガスを導入する第１のノズル２３３ａと、ウエハ２００に膜を形成するための処理ガスを処理炉２０２内に供給する第１ガス供給ライン２３２ａと、処理炉２０２内を排気する排気路２３１とを備え、第１のノズル２３３ａより処理炉２０２内にＮＦ_３ガスを供給する第1のクリーニングガス供給ライン２６０ａと、第1のクリーニングガス供給ライン２６０ａのガス噴出口よりもガス噴出口が低温部に開口しＦ_２ガスを導入する第２のノズル２３３ｂと、Ｆ_２ガスを処理炉２０２内に供給する第２のクリーニングガス供給ライン２６０ｂとを有する。 （もっと読む）

本発明は、薄膜トランジスタ、環境バリア層、キャパシタ、絶縁体、及びバスライン等の薄膜電子部品及び装置の製造に関し、これらの層の多くは大気圧原子層堆積法によって製造される。
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基板を用意する工程、該基板に堆積阻害材料を適用する工程、ここで、該堆積阻害材料は、有機化合物又はポリマーであり、そして工程（ｂ）の後又は該堆積阻害材料を適用するのと同時に、該堆積阻害材料をパターン化して、該堆積阻害材料を事実上有さない選択された基板領域を提供する工程を含んで成るパターン付き薄膜を形成するための原子層堆積法。無機薄膜材料は、該堆積阻害材料を有さない選択された該基板領域内だけに実質的に堆積される。
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封止するOLEDデバイスの表面に薄膜材料を堆積させてそのOLEDデバイスを薄膜封止パッケージするため、一連のガス流を実質的に平行な細長い出口開口部に沿った方向に向ける操作を含む方法であって、上記一連のガス流が、順番に、少なくとも1つの第1の反応性ガス材料と、不活性なパージ・ガスと、第2の反応性ガス材料を、場合によっては繰り返して含んでおり、上記第1の反応性ガス材料は、上記第2の反応性ガス材料で処理した基板の表面と反応して封止薄膜を形成することができ、上記第1の反応性ガス材料は、揮発性の有機金属前駆体化合物である方法が開示されている。この方法は、実質的に大気圧で、または大気圧よりも大きな圧力で実施され、堆積中の上記基板の温度は250℃未満である。
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【課題】ノズルの先端部への生成物の付着を低減し、かつ生成物のクリーニングが容易にできるエピタキシャル成長炉とその運転方法を提供する。
【解決手段】ガス供給ノズル１４が、半導体ウエハ１の直径幅にわたり材料ガス２及びキャリアガス３を成長対象表面に沿って噴出するメインノズル１５ａと、半導体ウエハの直径幅にわたりメインノズルの外表面に沿って材料ガスと同一方向にキャリアガス３を噴出するサブノズル１５ｂとを有する。成膜時に、成長対象表面に沿って、メインノズル１５ａから所定の材料ガス２及びキャリアガス３を、サブノズル１５ｂからキャリアガス３を、それぞれ上部から下部へ層流状態で流してエピタキシャル層を形成させ、クリーニング時に、成長対象表面に沿って、メインノズル１５ａ及びサブノズル１５ｂからクリーニングガス４を、それぞれ上部から下部へ流してメインノズル１５ａの内面と外面の生成物を分解除去する。 （もっと読む）