【課題】 この種の装置を製造技術上及び使用上好ましく改良すること。
【解決手段】 本発明は、基板を収容するための１つ以上のサセプタ（７）、プロセス室（２）の底部に形成された回転駆動可能なサセプタホルダ（６）、サセプタホルダ（６）の下方に配置されたヒータ（２２）、及びプロセス室内にプロセスガスを導入するためのガス導入機構（４）と、を備え、基板上に少なくとも１層の膜を堆積する装置に関する。この種の装置を製造技術上及び使用上好ましく改良するため、サセプタホルダ（６）が赤外線及び／又は高周波を実質的に透過させる搭載支持プレート（１４）上に滑ることができるように配置されている。 （もっと読む）

【課題】基板の蒸着処理において均一な層を得ることができる装置及び方法を提供する。
【解決手段】プロセスガスは、パンケーキ型反応器を有する半導体製造装置１００の反応空間１１８へガスリング１０６のガス注入ポートを通して供給される。プロセスガスはガス注入ポートから回転サセプタ１０８の主表面を越えガスリング１０６の排出ポート１２２へと水平に流れる。使用済みのプロセスガスは反応空間１１８から排出ポート１２２を通して除去される。 （もっと読む）

本発明は、大面積の成膜に適合した成膜チャンバをクリーニングするための方法を記述する。本発明による方法においては、リモートプラズマ源からの活性化ガスを、成膜チャンバ内へと、少なくとも２つの注入箇所を介して供給し、この際、供給を一様な態様で行い得るよう、活性化ガスのための複数の経路を、反応性種に関して互いに同等なものとする。ガス注入システムは、反応性ガスの供給源と；ガスを分散させるためのチューブと；真空引き可能なチャンバと；を具備している。チューブは、供給源に対して連通した少なくとも１つの入口と、チャンバに対して開口した少なくとも２つの出口と、を備え、これにより、少なくとも部分的に互いに独立な複数のチューブブランチを備え、各チューブブランチの長さと横断面積とは、互いに実質的に同等なものとされている。
（もっと読む）

【課題】 ＣＶＤ装置のガス供給ゾーンにおける材料ガスの反応を抑えて、パーティクル発生を抑える。
【解決手段】 ＣＶＤ装置１０は、材料ガスをガス供給ゾーン５１に供給する２重に構成されたガス供給管２６、２７を備えている。ガス供給管２６、２７を通る材料ガスは、その先端に設けられた微小なオリフィス２８、２９を通って、成膜ゾーン５２に到達してウェハ４１、４２上に薄膜を形成する。材料ガスは、ガス供給管２６，２７のオリフィス２８，２９に至るまでは所定の高圧を維持しており、ガス供給ゾーン５１で断熱膨張することによって材料ガスは冷却され、材料ガスの温度は反応温度以下に低下する。 （もっと読む）

【課題】
エピタキシャルウェーハの生産性を低下させることなくノズルの端部に堆積した材料ガスの成分からなる生成物を除去する。
【解決手段】
ノズルから塩素を含むガスが流されると共に、ヒータを用いてノズルの端部が熱せられる。このときノズルの端部の温度は、ノズルの端部に堆積した材料ガスの成分からなる生成物と塩素を含むガスとが反応する温度で保持される。具体的にはノズルの端部の温度は約５００度〜８００度程度の範囲内で保持される。高温環境下で塩素を含むガスは生成物と反応するため、生成物はノズルの端部から除去される。
（もっと読む）

【課題】活性化されたガスが死活しにくく、パーティクルの発生を抑制する基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１０は、基板１８を処理する処理室８０と、処理室８０に活性化されていない原料ガス及び活性化された酸素含有ガスを供給するガス供給部１００と、酸素含有ガスを活性化させるプラズマユニット１２０と有する。プラズマユニット１２０で活性化された酸素含有ガスは、活性化された後に直ちに処理室８０に流入し、原料ガスはプラズマユニット１２０を通過することなくガス供給部１００の側方から処理室８０へ流入し、酸素含有ガスと原料ガスとが処理室８０に収容された基板１８に薄膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】プロセスチューブの昇降温時間を短縮する。
【解決手段】バッチ式ホットウオール形ＣＶＤ装置１０は、アウタチューブ１２とイン
ナチューブ１３とを有しウエハ１を処理する処理室１４を構成したプロセスチューブ１１
と、プロセスチューブ１１を取り囲む断熱槽４１と、熱線を照射する加熱ランプ４２群と
、加熱ランプ４２群の熱線を処理室１４の方向に反射させるリフレクタ４７と、プロセス
チューブ１１と断熱槽４１との間に形成された冷却エア通路５１と、冷却エア通路５１に
周方向に等間隔に敷設された複数本のノズル５６と、各ノズル５６に冷却エア６２をアウ
タチューブ１２の方向に噴射するように開設された複数個の噴射口５７と、断熱槽４１の
天井部に開設された排気口５３、５５とを備えている。冷却エア６２を冷却エア通路５１
に流通させることにより、プロセスチューブ１１を急速に降温できる。
（もっと読む）

本発明は、大気圧下で基板上に連続化学気相堆積する装置及び方法に関する。装置は反応チャンバに基づき、基板は反応チャンバの開放された側面に沿って案内され、その結果、反応チャンバの内部に向いた基板の側面が対応して被覆される。 （もっと読む）

【課題】 シャワーヘッド等のガス吐出機構の温度上昇を効果的に抑止し、ガス吐出機構の温度上昇に起因する処理の不良や不均一を低減すること。
【解決手段】 成膜装置１００は、ウエハを収容するチャンバー１と、チャンバー１内に配置され、ウエハが載置される載置台と、載置台上と対向する位置に設けられ、チャンバー１内へ処理ガスを吐出するシャワーヘッド４と、チャンバー１内を排気する排気機構とを具備し、シャワーヘッド４は、処理ガスを吐出するための多数のガス吐出孔４５ａ、４５ｂが形成された中央部４６と、中央部４６の外周側に位置する、ガス吐出孔４５ａ、４５ｂの存在しない外周部４７とを有し、成膜装置１００は、シャワーヘッド４の熱を外周部４７の全周から大気側に放熱する放熱機構をさらに具備する。 （もっと読む）

【課題】 通気管を取り外さないで十分な清掃等のメンテナンスをする。
【解決手段】 半導体装置を製造するための密閉された製造空間５０の内部と外部とを通気し、製造空間５０を真空処理するための通気管１０を備えた半導体製造装置において、液体供給手段により、通気管１０の内壁に付着した付着物を内壁から脱離させる洗浄用液体が供給される。さらに、気体供給手段により、通気管１０の内壁に付着した付着物を内壁から脱離させるパージ用気体が供給される。 （もっと読む）

【課題】半導体基板上にエピタキシャル成長したシリコンゲルマニウム膜の結晶欠陥や表面粗度を低減して半導体装置の信頼性を向上させる。
【解決手段】半導体ウエハ７０上にシリコンゲルマニウム膜７１がエピタキシャル成長され、シリコンゲルマニウム膜７１上に歪シリコン膜７２がエピタキシャル成長される。シリコンゲルマニウム膜７１の厚み方向のゲルマニウム濃度分布は、シリコンゲルマニウム膜７１の厚み方向の中間領域に最大濃度のピークを有している。その後、シリコンゲルマニウム膜７１および歪シリコン膜７２が形成された半導体ウエハ７０に半導体素子が形成される。 （もっと読む）

【課題】
基板処理装置の処理炉に於けるガス供給管等の細管の取付け位置調整を容易にする。
【解決手段】
基板を処理する処理室を形成する反応管４５，４６と、該反応管が立設されるマニホールド４４と、該マニホールドに設けられたポート４０と、前記処理室内で前記ポートに挿入される細管４７と、該細管に形成した突起部と、前記マニホールドに設けられ、前記突起部と係合状態で前記突起部の処理室半径方向の変位を拘束する係止手段とを具備した。
（もっと読む）

本発明は、ウェーハ処理装置の処理室の中でサセプタを支持し、回転させるためシステムであって、処理室の中に配置され、サセプタ（３）を支持することができる支持部材（２）と、持上げガスの流れによって支持部材（２）を持ち上げることができる手段（４）と、回転ガスの流れによって支持部材（２）を回転させることができる手段（５）とを備えるシステムに関する。
（もっと読む）

【課題】処理容器に処理ガスに起因する付着物がつき難い処理装置を提供すること。
【解決手段】被処理基板であるウエハＷを収容するチャンバー１１と、チャンバーの１１上方に設けられたベルジャー１２と、ベルジャー１２内に導電磁界を形成するためのアンテナ部材としてのコイル６５と、コイル６５に高周波電力を印加する高周波電源６６と、処理ガスを供給するガス供給機構４０と、ベルジャー１２内にプラズマ生成ガスおよび処理ガス吐出部を有するシャワーヘッド３０とを具備し、ベルジャー１２内に形成された電磁界によりプラズマを形成してウエハＷを処理する処理装置において、シャワーヘッド３０はチャンバー１１の上部に処理ガス吐出口を有する。 （もっと読む）

本発明は、エピタキシャル反応炉の反応チャンバの中に反応ガスを導入するデバイス（１）に関する。本デバイス（１）は、ガス供給パイプ（２）と、この供給パイプ（２）の一方の端部に配置され、供給パイプ（２）を冷却し、それによって、その中を流れるガスを冷却することができる冷却部材（３）と、を備える。
（もっと読む）

【課題】 複数本のガス供給管パーツを用いて処理ガスを処理容器内に供給するプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】 マイクロ波プラズマ処理装置１００は，複数のガス導入管３０と複数本のガスパイプ２８とそれらのガスパイプ２８を支持する複数の支持体２７とを含んで構成されている。複数の支持体２７の内部には，ガス導入管３０に連結された第１の経路または第２の経路が設けられている。アルゴンガスは，ガス導入管３０を介して第１の経路から供給され，マイクロ波によりプラズマ化（Ｐ１）される。シランガスおよび水素ガスは，ガス導入管３０，第２の経路を介して複数本のガスパイプ２８から供給され，アルゴンガスをプラズマ化するときに弱められたマイクロ波によりプラズマ化（Ｐ２）される。このようにして生じたプラズマにより良質なアモルファスシリコン膜を生成することができる。 （もっと読む）

【課題】製造が容易で，しかも，処理室内に均一なプラズマを発生させることができるプラズマ処理装置を提供することにある。
【解決手段】導波管２５に導入されたマイクロ波をスロット４０に通して誘電体２２に伝播させ，処理容器２内に供給された所定のガスをプラズマ化させて，基板Ｇにプラズマ処理を施すプラズマ処理装置１であって，導波管２５を複数本並べて配置し，それら導波管２５毎に複数の誘電体２２をそれぞれ設け，かつ各誘電体２２毎に１または２以上のスロット４０を設けた。各誘電体２２の面積を著しく小さくでき，誘電体２２の表面全体にマイクロ波を確実に伝播させることができる。また，誘電体２２を支持する支持部材４５も細くて済むので，基板Ｇの上方全体に均一な電磁界を形成でき，処理室内に均一なプラズマを発生できる。 （もっと読む）

【課題】少なくとも１つの基板(5)上に少なくとも１層、特に半導体層を蒸着する方法及び装置を提供する。
【解決手段】反応装置(1)のプロセスチャンバ内で基板ホルダ(4)により基板(5)が保持され層が一定の化学量論的組成の２種成分からなり第１及び第２プロセスガスとして導入されエネルギー供給によって分解した生成物が層を形成する。熱活性化エネルギーの小さい第１プロセスガスは成長速度を決定し、大きい第２プロセスガスは過剰に供給され、第１プロセスガスはガス流入部品(3)の表面(18)上の多数孔から基板ホルダ(4)の方向(11)へ流れ、第２プロセスガスは前処理されて基板ホルダ(4)の周縁(19)上で入り表面(20)に平行に流れる。
（もっと読む）

【課題】基板の温度を好適に調節できるロードロック装置及び処理方法を提供する。
【解決手段】外部に対して基板を搬入出させる搬入出部側に設けた搬入口と，基板を処理する処理部側に設けた搬出口とを備えたロードロック装置において，基板Ｇを加熱する加熱用プレート７１を備え，前記加熱用プレート７１は，多孔質材からなるプレート本体７５と，プレート本体７５に加熱した加熱用ガスを供給する加熱用ガス供給路７６とを備える構成とした。加熱用ガスは，プレート本体７５中を通過し，プレート本体７５の表面から噴き出て，基板Ｇに供給されるようにした。 （もっと読む）

【課題】被処理体やこの被処理体に形成される絶縁膜に損傷が与えられるのを抑制しつつ、被処理体上に良好に絶縁膜を形成することができるプラズマＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】内部に被処理基板１００を配置可能な真空容器１０と、真空容器１０の内部にエバネッセント波を入射させるプラズマ源アンテナ２０と、希ガス及び酸素ガスのうちの少なくとも一方を含む第１のガスを真空容器１０の内部に導入させる上部ガス導入管５１を有する上部ガス導入系５０と、有機シリコン化合物及び有機金属化合物のうちの少なくとも一方を含む第２のガスを真空容器１０の内部に導入させる下部ガス導入管６１を有する下部ガス導入系６０とを備える。第１のガス及び第２のガスをエバネッセント波によってプラズマ化させることで被処理基板１００に絶縁膜１０１を形成するように構成されている。 （もっと読む）