第一のデバイスが提供される。第一のデバイスは、プリントヘッドと、プリントヘッドに気密的に密閉された第一のガス源とを含む。プリントヘッドは、複数のアパーチャを備えた第一の層を含み、各アパーチャは０．５から５００マイクロメートルの最小寸法を有する。第二の層が第一の層に結合される。第二の層は、第一のガス源及び少なくとも一つのアパーチャと流体連結した第一のビアを含む。第二の層は絶縁体製である。
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【課題】 キャリアガス噴出部の流路幅をキャリアガス噴出部全周に渡り均等に構成する。
【解決手段】 液体原料を気化する気化室と、気化室内を加熱するヒータと、液体原料を気化室内に噴霧させる噴霧ノズルと、噴霧ノズルの先端部分の表面の一部を覆うと共に、噴霧ノズルの先端部分の周辺から気化室内にキャリアガスを噴出させるキャリアガス噴出部を形成するキャリアガス噴出部形成部材と、を有し、キャリアガス噴出部形成部材には、噴霧ノズルの先端部分が収容される貫通孔が設けられており、その貫通孔の内壁面の複数箇所には噴霧ノズルの先端部分と接触する複数の突起部が設けられている。 （もっと読む）

【課題】高速でガスウィンドウを移動させながら原料を堆積させる場合、上下左右方向でのＣＶＤ薄膜の堆積厚さを可及的に均一化することができるレーザＣＶＤによる薄膜形成方法及び同方法に好適なガスウィンドウを提供する。
【解決手段】薄膜形成対象物の表面とガスウィンドウとの間におけるＣＶＤガス雰囲気の形成は、照射スポット１１６予定位置を取り巻くようにその周囲に配置された３個以上の複数個のガス吹出し口１１０ａ，１１１ａ，１１２ａ，１１３ａから、照射スポット予定位置に向けて集中するように、薄膜形成対象物の表面と平行に、ＣＶＤ原料ガスを吹き出すことにより行われる。 （もっと読む）

【課題】 基板の加熱温度を上げて高温処理能力を向上させる。
【解決手段】 少なくとも上面に光透過性窓を設けた反応室と、光透過性窓に対応する反応室外側に配置されたランプ加熱装置と、ランプ加熱装置と光透過性窓との間に設けられ、光透過性窓の窓枠を構成する耐熱性低熱伝導部材と、耐熱制定熱伝導部材と光透過性窓の間に設けられた窓押さえ込み部と、とを有する。 （もっと読む）

【課題】反応容器内で第１及び第２の原料ガスを反応させ、基板表面に薄膜を成膜する場合において、第１及び第２の原料ガスを、インジェクタの近傍で均一に混合してから基板に到達させることができ、成膜する薄膜の膜質、膜厚を基板間及び面内で均一に揃えることができる成膜装置を提供する。
【解決手段】反応容器内に第１及び第２の原料ガスを吐出する第１及び第２のインジェクタ１１、１２を備え、第１及び第２のインジェクタ１１、１２は、第１及び第２の原料ガスを基板に向けて吐出する複数の第１の吐出口Ｎ１、Ｎ２が設けられ、第１の吐出口Ｎ１から吐出された第１の原料ガスの流路ＦＬ１が、対応する第２の吐出口Ｎ２から吐出された第２の原料ガスの流路ＦＬ２と略同一であり、第１の原料ガスは、第１の吐出口Ｎ１から吐出された後、基板に到達する前に、第２の原料ガスと混合されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ゲート絶縁層とチャネル層との密着性が良好な電界効果型トランジスタを提供する。
【解決手段】基板と、前記基板上に、ゲート電極と、ゲート絶縁層と、チャネル層と、ソース電極と、ドレイン電極と、を有し、前記ゲート絶縁層は酸化ガリウムを含み、前記チャネル層は有機半導体層である、電界効果型トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】金属酸化物をチャネルに用いた電界効果型トランジスタにおいて、ゲート絶縁層とチャネル層との間の界面が良好な構造を提供する。
【解決手段】基板１と、前記基板１上に、ゲート電極５と、ゲート絶縁層６と、チャネル層４と、ソース電極２と、ドレイン電極３と、を有し、前記ゲート絶縁層６及び前記チャネル層４は、ガリウム（Ｇａ）及び酸素（Ｏ）を少なくとも構成元素とする層である、電界効果型トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】プラズマ表面処理装置において、処理ガスを確実にプラズマ化し処理効率を確保する。
【解決手段】電極３１と磁石４１を交互に並べる。磁石４１と電極３１との間に吹出し路６５を形成する。支持部２１によって被処理物９を支持する。吹出し路６５に導入部１１，１３の導入孔６３を連ねる。処理ガスを導入孔６３から吹出し路６５へ導入する。 （もっと読む）

【課題】基板を低温に維持したまま、膜の高温アニール等の熱処理をし、または熱ＣＶＤ膜を基板表面に形成することができる安価な膜形成方法および膜形成装置を提供する。
【解決手段】支持台４上に支持された基板１の表面上に、複数の高温ガスビーム２ｂ，２ｃを相互に所要の間隔を置いてほぼ垂直に吹き付けると基板表面１ａ上の膜のみをアニールできる。これと共に、これら高温ガスビーム２ｂ，２ｃと前記基板１の表面とにより画成された高温空間６に、堆積性を有する膜形成用の熱分解ガス７を供給し、それを熱分解させて活性種を生成させ基板１の表面に吹き付けることにより、熱ＣＶＤ膜を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】ヒータに対して均一にパージガスを供給することができる気相成長装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る気相成長装置は、気相成長を施す基板５を加熱するためのヒータ７と、基板５を保持するためのサセプタ６と、上記ヒータ７に対する基板の反対側において、上記ヒータの対面側の放熱を抑制するために互いに水平に設置された板状かつ複数の対面リフレクタ８ａ、８ｂ、８ｃと、ヒータ７の側面側における放熱を抑制する側面リフレクタ９とを備えており、ヒータ７に対して基板５の反対側から、対面リフレクタへパージガスを供給するパージガス供給管１３と、パージガスを排出する排出口３を備え、対面リフレクタ８ａ、８ｂ、８ｃのそれぞれには、複数の通気孔が形成されており、上記対面リフレクタのうち、隣接する対面リフレクタに形成された複数の通気孔同士は対向しない位置に形成されている。 （もっと読む）

【課題】電源が大きくなるのを抑制しながら、成膜速度を大きくするとともに、膜厚および膜質が不均一になるのをより有効に抑制することが可能なプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】このプラズマ処理装置１は、基板１０を保持することが可能な上部電極３と、上部電極３と対向するように設置され、上部電極３と対向する部分に複数の凸部４ａおよび複数の凹部４ｂが形成される下部電極４とを備えている。また、下部電極４の凸部４ａには、原料ガスを供給するためのガス供給口４ｃが形成されるとともに、下部電極４の凹部４ｂには、未反応ガスや、負イオン、悪性ラジカルおよびフレークを排出するためのガス吸引口４ｅが形成されている。 （もっと読む）

【課題】
基板処理装置に於いて、ガスノズルの交換を容易とし、作業時間を短縮し、作業者の負担を軽減し、更にガスノズルの損傷の虞れを軽減する。
【解決手段】
基板７を収納する処理室１と、該処理室の下方に気密に連設されるロードロック室４と、前記処理室に立設され処理ガスを供給するガスノズル１１とを具備し、前記ロードロック室の天板部４ａには前記処理室に開口するガスノズル保持孔が垂直方向に形成され、前記ガスノズルは前記ガスノズル保持孔に下方から貫通し、該ガスノズル保持孔により前記ガスノズルの下端部が前記処理室、前記ロードロック室に対して気密になる様に保持され、前記ガスノズルの下端部に連絡孔が穿設され、前記天板部にはガス供給源と接続されるガス流路１９が形成され、該ガス流路は前記連絡孔を介して前記ガスノズルに連通する。
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【課題】スループットを向上させつつ、反応ガスの消費を抑制した成膜装置を提供する。
【解決手段】真空容器１内にて基板Ｗの表面に第１、第２の反応ガスとを交互に供給することにより当該基板Ｗの表面に薄膜を成膜する成膜装置において、基板Ｗの載置領域を含む複数の下部材２は、各々上部材２２と対向して載置領域との間に処理空間２０を形成し、処理空間２０は、当該処理空間２０の周方向に沿って形成され当該処理空間内と真空容器１内とを連通するための排気用開口部６１、及び真空容器１内の雰囲気を介して真空排気手段６４により真空排気される。 （もっと読む）

【課題】基板の表面に複数の反応ガスを順番に供給して積層された反応生成物の薄膜を形成するにあたり、高いスループットが得られ、基板上にて複数の反応ガスが混合されることを防止して良好な処理を行うことができる成膜装置等を提供する。
【解決手段】成膜装置は回転方向に沿って複数の基板Ｗを載置する回転テーブル２を備え、分離領域Ｄは各反応ガスが供給される第１の処理領域Ｐ１と第２の処理領域Ｐ２との雰囲気を分離するために、これらの処理領域Ｐ１、Ｐ２の間に設けられている。第１の排気路６３ａ及び第２の排気路６３ｂはこれらの処理領域Ｐ１、Ｐ２の雰囲気を互いに独立して排気するために各々第１の真空排気手段６４ａ、第２の真空排気手段６４ｂと接続されている。 （もっと読む）

【課題】高いスループットが得られると共に、１台の装置において、反応ガスの種類や、反応ガスの吸着時間が異なる多数のプロセスを実施することができて、プロセスの変更に対応する自由度が高い装置を提供すること。
【解決手段】ウエハが配置された回転テーブルの回転方向において反応ノズル３１，３２との間に、分離ガスノズル４１，４２を設け、この分離ガスノズル４１，４２の前記回転方向両側にて低い天井面を形成するための天井部材４を設ける。この構成では、回転テーブルを回転させてウエハを移動させた状態で反応ガスを供給しているので、スループットが高くなる。また反応ガスノズル３１，３２や分離ガスノズル４１，４２を、真空容器１の周方向に沿って着脱自在に設ける共に、天井部材４を天板１１に着脱自在に設けているので、処理領域の大きさや反応ガスの吸着時間を調整でき、プロセスの変更に対応する自由度が高くなる。 （もっと読む）

本明細書において、窒化アルミニウム製バッフルに関する方法及び装置が提供される。幾つかの実施形態において、半導体プロセス・チャンバで用いるためのバッフルが、窒化アルミニウムと金属酸化物結合剤とを含む本体を含むことができ、本体の表面上における金属酸化物に対する窒化アルミニウムの比は、該本体内における該比より大きいか又はこれと等しい。幾つかの実施形態において、本体は、中央ステムと、該中央ステムの下部に結合され、そこから半径方向外方に延びる外側環とを有することができる。幾つかの実施形態において、バッフルを製造する方法は、アルミニウム、窒素、及び金属酸化物結合剤を焼結して、その表面上に過剰な金属酸化物結合剤が配置されたバッフルの本体を形成し、表面から過剰な金属酸化物結合剤のバルクを除去するステップを含むことができる。 （もっと読む）

【課題】薄膜に微小凹凸部を形成するときに、エッチング液を用いることなく、且つ工程の簡略化を図ることができる薄膜形成方法及び薄膜形成装置を提供する。
【解決手段】薄膜の材料を粒子として溶媒に分散ないしは溶解させた粘性のインクを噴射する複数の噴射ノズルを備えるインクジェットヘッドから、搬送テーブル３２により搬送される被処理体に対してインクを噴射するときに、各噴射ノズルから噴射したインクが被処理体２１上で凸曲面形状となり、且つ隣接するインク同士が端部において連続した形状となるようにインクを噴射し、被処理体２１上のインクを加熱して溶媒を気化させ、材料を被処理体２１に熱硬化させるときに、被処理体２１に形成された各インクが端部から先に順次中央部に向けて熱硬化する上昇温度で緩速加熱を行っている。 （もっと読む）

【課題】基板の主表面上に、基板の主表面を構成する材料の格子定数とは格子定数の異なる材料からなる薄膜を成膜することによりヘテロエピタキシャル膜を成膜させる際に、膜の界面付近において組成が急峻に変化していない遷移層が出現する。この遷移層が、ヘテロエピタキシャル膜の界面付近における結晶の特性を劣化させる。
【解決手段】成膜させたい薄膜を構成する材料の格子定数と、薄膜が成膜される基板の一方の主表面を構成する材料の格子定数とに応じて、主表面に沿った方向に対して基板を湾曲させる。そして、基板を湾曲させた状態で、その基板の一方の主表面上に薄膜を成膜させる。 （もっと読む）

【課題】組成の異なる複数膜を積層した素子を膜厚分布を抑えて、効率よく製造する方法を提供する。
【解決手段】材料ガスの種類および流量のうち少なくとも一方を変化させる際ながら気相成長を繰り返すことにより複数層を積層させる。材料ガスの種類や流量を変化させる際に、ガス供給ノズルと基板保持部との距離を予め定めておいた距離に変化させることにより、基板保持部の径方向についての膜厚分布のピークを基板と重ならない位置に生じさせる。これにより、基板を自転および公転させることにより基板上の膜厚を均一化することができる。 （もっと読む）

【課題】
特定の反応ガスの加熱不足によるウェーハ面内、ウェーハ間の膜厚不均一、及び膜質悪化を改善し、省スペースで安価な基板処理装置を提供する。
【解決手段】
基板５を収納し処理する反応室と、該反応室を画成する反応管２，３と、該反応管を収納するヒータ１と、前記反応室内にガスを導入するガス導入管８と、基板を前記反応室内で保持する基板保持具４と、前記ガス導入管に接続されて前記反応室内に設けられたノズル３３とを具備し、該ノズルは、内部流路と該内部流路の周囲に形成された外部流路を有する二重構造となっており、前記内部流路と前記外部流路は最上部で連通し、前記内部流路より導入されたガスは、該内部流路を上昇して最上部で折返し、前記外部流路を下降し、該外部流路の下部に設けられた排出口よりガスを前記反応室内に供給する。
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