【課題】 高周波プラズマ浸漬イオン注入リアクタのようなプラズマ処理チャンバにおいて精密な実時間ドーズ計測が必要とされる
【解決手段】 本発明は、一般に、プラズマ処理中に実時間にてイオンドーズを制御する方法及び装置を提供する。一実施形態において、イオンドーズは、高周波プローブからの現場測定値と結合して質量分布センサからのプラズマの現場測定値を使用して制御することができる。 （もっと読む）

【課題】成膜装置またはエッチング装置などの基板処理装置内に置かれた基板の傾きの有無およびその程度を簡便で小型の設備で精度よく求めることができるようにする。
【解決手段】光源３とカメラ４とからなる検出部が２基、第１検出部５が、基板処理装置のチャンバーの上壁部のビューポート２に配置され、第２検出部１２が、チャンバー内に位置することが可能とされて配置され、光源は表面が鏡面である基板７の鏡面を直接照明するものであり、カメラは基板の鏡面に映る光源の画像を撮像するものであり、画像処理部では、カメラで撮像された撮像画像と予め登録された基準画像とを対比し、撮像画像と基準画像とにおけるそれぞれの基準点の位置を比較して、基準点のズレに基づいて基板の傾きを検出する。検出部には光源とカメラとが一体化されており、基板の鏡面側の上方に配置されているものが好ましい。 （もっと読む）

【課題】 半導体基板のプラズマ処理中に１つ以上の種のドーズ量を監視するための方法及び装置を提供する。
【解決手段】 本発明は、一般に、プラズマプロセス中にイオンドーズ量を監視する方法及び装置を提供する。本発明の一実施形態は、基板を処理する方法であって、プラズマの少なくとも１つの属性とドーズ量との間の相関を生成することを含む方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】 排気処理にアシストガスを使用しつつも経済性に優れた真空処理装置の運転方法および真空処理装置を提供すること。
【解決手段】 製膜室３と、製膜室３の排気流路１０に介装された、製膜室３を真空排気するドライポンプ（真空ポンプ）１４と、前記排気流路１０にアシストガスを混入させるアシストガス流路２５と、アシストガスの流量を調整するアシストガス流量調整手段と、制御装置３０とを備えたプラズマＣＶＤ装置（真空処理装置）１の運転方法において、製膜室３から排気される水素ガスの排気流量に応じて、制御装置３０がアシストガス流量調整手段を制御することによりアシストガスが流れることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ガス流量を容易に調整することができる処理システム、処理方法、及び、プログラムを提供する。
【解決手段】縦型熱処理装置１には、半導体ウエハＷを収容する反応管２内に処理ガスを供給する複数のガス供給管１６〜２０が設けられている。ガス供給管１６〜２０は、流量調整部２１〜２５に流量が制御されている。制御部５０には、処理ガスの流量を含むプロセス条件、及び、処理ガスの流量と膜厚との関係を示す膜厚流量関係モデルが記憶されている。制御部５０は、プロセス条件で半導体ウエハＷを処理した処理結果と、膜厚流量関係モデルとに基づいて、処理ガスの流量を算出し、流量調整部２１〜２５を制御して、処理ガスの流量を算出した処理ガスの流量に変更して半導体ウエハＷを処理する。 （もっと読む）

【課題】微小なパーティクルを検出することができるパーティクルモニタシステムを提供する。
【解決手段】チャンバ１１及びＤＰ１７を連通するバイパスライン１６には、レーザ光を照射するレーザ光発振器２１と、該レーザ光発振器２１から照射されてバイパスライン１６内の空間を通過するレーザ光Ｌの光路上に位置するレーザパワー測定器２２とが配され、さらに、バイパスライン１６の内壁面には、バイパスライン１６内の空間に少なくとも２以上のレーザ光Ｌの光路が位置するようにレーザ光Ｌを反射する複数のレーザ反射ミラー２３が配される。 （もっと読む）

【課題】排気管内を流れるパーティクルの数や大きさを正確に検出することができるパーティクルモニタシステムを提供する。
【解決手段】チャンバ１１及びＤＰ１７を連通するバイパスライン１６には、レーザ光を照射するレーザ光発振装置２１と、バイパスライン１６の中心軸及びレーザ光の交差部に焦点ＦＰを有する光電子倍増管２２と、円板状部材からなるパーティクル収束部材２３とから構成されるパーティクルモニタシステムが配され、パーティクル収束部材２３は焦点ＦＰに対向する貫通穴２４を有し、バイパスライン１６とパーティクル収束部材２３の周縁部との間には間隙２５が形成される。 （もっと読む）

【課題】ウエハの実際の温度を計測して熱処理温度を適正に制御する熱処理装置を提供する。
【解決手段】バッチ式縦形ホットウォール形熱処理装置１０において、プロセスチューブ１１を封止するキャップ２０に保持パイプ５２と全反射面５７を有した導波棒５６とを備えたＬ字形状の放射温度計５０を挿通し、放射温度計５０は放射温度計５０からの計測温度でヒータ３２をフィードバック制御するコントローラ３３に接続する。導波棒５６をボート２１に保持されたウエハ１、１間に挿入して保持パイプ５２で回動させることにより、全反射面５７でウエハ１の中心部の温度と周辺部の温度とを計測できるように構成する。 （もっと読む）

【課題】薄膜形成や平坦化処理において薄膜の応力を制御できる薄膜形成方法を提供することを目的とする。
【解決手段】処理中の基板の曲率半径を測定しながら薄膜形成や平坦化処理を実施して処理の終点を検出し、薄膜形成や平坦化処理を終了する。 （もっと読む）

【課題】ＢＴＢＡＳ（ビス３級ブチルアミノシラン）ベースの窒化膜（ＢＴＮ）の剥離を抑えるため、反応管の石英と同じＳｉＯ₂からなる酸化膜（ＢＴＯ）をプリコート膜として反応管上に形成していても、堆積膜を除去するためのガスクリーニングの終点を適当に定め、総膜厚を抑えることのできる減圧ＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】本発明は、プリコート膜成膜後の１バッチ目のモニタ・ウェーハの窒化膜の堆積時間と膜厚を用いて、ＢＴＮ膜の成膜レートを算出する手段と、その成膜レートによりプリコート膜のＢＴＮ膜の膜厚を算出する手段と、そのＢＴＮ膜の膜厚及びＢＴＯ／ＢＴＮ成膜比よりＢＴＯ膜の膜厚を算出する手段と、プリコート膜の膜厚及び成膜プロセス処理毎の累積膜厚より総膜厚を算出する手段と、ＢＴＮ膜単体のガスクリーニングの終点を検出する手段と、総膜厚と検出した終点にしたがって、ガスクリーニングを実施する手段とを備える。 （もっと読む）

【課題】前駆体含有流体流を搬送するための容器、装置を用いる方法を提供する。
【解決手段】容器内に含まれる前駆体物質から前駆体含有流体流を搬送するための容器。上方容積部と下方容積部とに分割された内部容積部。上方容積部と下方容積部とが流体連通していて且つ下方容積部が前駆体物質を含む内部容積部、少なくとも１種のキャリアガスを容器の内部容積部に導く流体入口、流体出口、および上方容積部の少なくとも一部を内部に備えた内部凹部を含む蓋、少なくとも一部が蓋に接する上方リップを有する側壁、蓋と側壁との間に配置されたセパレーター。上方リップに隣接してあり且つ内部容積部を上方容積部および下方容積部に分割しているセパレーター。少なくとも１種のキャリアガスをセパレーターを経由し且つ前駆体物質の方へ導くためにセパレーターに向かって開口しているプレナム室を有する流体入口と流体連通している入口プレナムを含む。 （もっと読む）

【課題】チャンバー内の気流による影響を排除してレーザー光等による光学的な観察、測定を確実に行うことができる気相成長装置を提供する。
【解決手段】チャンバーと、該チャンバー内に配置されたフローチャンネルと、該フローチャンネル内に設置された基板と、該基板を加熱する加熱手段と、前記フローチャンネル内に反応ガスを供給する反応ガス供給手段と、前記チャンバーに設けられたビューポートとを備えた気相成長装置において、前記ビューポートのチャンバー内部側をフローチャンネルに向けて延出し、該延出部の先端面をフローチャンネルの外面近傍に配置する。 （もっと読む）

【課題】導波管の下面に設けられた複数のスロットから処理室内に効率良くマイクロ波を伝播させることができるプラズマ処理装置と方法を提供することにある。
【解決手段】マイクロ波を方形導波管３５の下面に複数形成されたスロット７０に通して処理室４の上面に配置された誘電体３２中に伝播させ、誘電体３２表面で形成させた電磁界での電界エネルギーにより処理室４内に供給された処理ガスをプラズマ化させて、基板Ｇにプラズマ処理を施すに際し、方形導波管３５内を伝播するマイクロ波のＶＳＷＲ（Ｖｏｌｔａｇｅ Ｓｔａｎｄｉｎｇ Ｗａｖｅ Ｒａｔｉｏ）を測定し、測定されたＶＳＷＲに基いて、方形導波管３５内を伝播するマイクロ波の波長を変化させる。 （もっと読む）

【課題】従来の情報処理装置においては、単位等の尺度の異なる値を、尺度に依存しない、解析等に適した値に変換することができないという課題があった。
【解決手段】半導体を含む処理対象物に処理を行う半導体製造装置２００の、処理時の状態に関する値である状態値を処理する情報処理装置１００であって、状態値を受け付ける状態値受付部１０１と、状態値の基準となる値である基準値が格納され得る基準値格納部１０２と、状態値が所望の値であるか否かの判断に用いられる値である閾値が格納され得る閾値格納部１０３と、状態値受付部１０１の受け付けた状態値と基準値との差に関する値と、閾値と基準値との差に関する値との比を算出する算出部１０４と、算出部１０４が算出した比を出力する出力部とを具備するようにした。 （もっと読む）

【課題】反応し及び／又は核を形成してガス中に浮遊する汚染粒子を生成する少なくとも１種の不純物を含有するガスを処理装置に供給するための改良方法の提供。
【解決手段】粒子計数器及び／又は粒子捕獲フィルタを用いて処理装置の上流側でガスの流れをサンプリングしてこのガスの流れ中の汚染粒子の量を検出することと、粒子量が所定の量を超過したならば信号を発生させることが挙げられる。この方法を実施するための装置は、供給源、少なくとも１つの処理手段、この処理手段の上流側且つ該供給源の下流側の粒子計数器、少なくともこの粒子計数器と電気通信状態にあるマイクロプロセッサ、そして随意的に、該粒子計数器と並列の粒子捕獲フィルタ、を含む。該方法及び装置は、集積回路の製造において有用である。 （もっと読む）

本発明の態様は基板処理システムをモニタリングするのに用いられる方法及び装置を含む。一実施形態は、処理チャンバに配置された基板に関連する訓練データを得るためのデータ収集アセンブリと、電磁放射線源と、測定データを提供する少なくとも１つのイン・サイチュ計測モジュールと、ニューラルネットワークソフトウェアを含むコンピュータとを含み、ニューラルネットワークソフトウェアが、複数の訓練と、基板処理に関連するその他のデータの間の関係をモデル化するように適合されている、基板処理チャンバ中で基板の処理に関するイン・サイチュのデータを得るための装置を提供する。

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【課題】異常放電が発生した場合であっても連続運転が可能な真空処理装置を提供する。
【解決手段】電極１１が配置された真空チャンバー１０と、電極１１に交流電圧２０ａを印加する交流電源２０と、電極１１からの反射波に含まれる高周波成分を分離する方向性結合器３１と、方向性結合器３１からの分離出力３１ａに基づいて異常放電を検出する異常放電検出回路３０と、異常放電の検出に応答して、交流電源２０による交流電圧２０ａの印加パターンを変化させる制御回路４０とを備える。これにより、作製するデバイスに実質的な影響を与えることなく、異常放電を制御することが可能となることから、異常放電を検出するたびに装置を停止させるなどの処置を行う必要がなくなり、連続運転を行うことが可能となる。 （もっと読む）

【課題】エロージョンの進行したターゲットによりスパッタリングしても良好な結晶性を有する強誘電体膜を形成し、歩留まりを向上させる技術を提供する。
【解決手段】減圧成膜室１１と、被処理基板１４の温度を調整可能な静電チャック手段１２と、被処理基板１４に高周波マグネトロンスパッタするためのターゲットと１５と、減圧成膜室１１に放電ガスを供給するガス供給手段１１ａと、被処理基板１４とターゲット１５との間に放電電圧を印加し、かつターゲット１５がそれまでに放電した電気の積算電力量Ｌ１（ｋＷｈ）を計測する電源手段１７と、静電チャック手段１２と電源手段１７とを制御する制御手段１８とを備え、ターゲット１５がそれまでに放電した電気の積算電力量に基づいてスパッタリングに最適な被処理基板１４の温度を算出し、被処理基板１４を所定の温度に調整した後にスパッタリングする。 （もっと読む）

【課題】再現性よく薄膜を形成する。
【解決手段】前回の成膜が終了すると（ステップＳ１）、前回の成膜結果、成膜条件、原料ガス消費量が収集される（ステップＳ２）。次に、次回の成膜条件が収集され（ステップＳ３）、次回の成膜基板が成膜炉に設置される（ステップＳ４）。次に、次回成膜基板の情報が収集され（ステップＳ５）、次回の成膜条件が補正される（ステップＳ６）。そして、補正された次回の成膜条件に基づいて、自動的に成膜が開始される（ステップＳ７）。次回の成膜条件は、製品基板の枚数を用いて補正され高精度に制御されるので、成膜炉内環境が変動した場合にも、再現性よく薄膜を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】簡素な構造で地震の際の被害を低減することができる縦型拡散炉の保護装置及び保護方法を提供する。
【解決手段】Ｐ波検知部５１は、Ｐ波が到来するとその旨をＰ波解析部５２に知らせる。Ｐ波解析部５２は、Ｐ波検知部５１からＰ波が到来したことを知らされると、到来したＰ波の波形及び振幅等からその後にＳ波が到来した時の、縦型拡散炉５４が設置されている地域の震度を予測する。そして、予測結果が震度５以上であるか否かを判断する。この結果、震度が５以上となるという結果が得られている場合には、気圧制御部５３にその旨を知らせる。気圧制御部５３は、Ｐ波解析部５２から震度が５以上になるという予測結果を知らされると、拡散炉内の気圧を低下させる。つまり、真空ポンプによる排気の程度を変更することなく、供給されるガスの量を減少させることにより、拡散炉内の気圧を低下させる。 （もっと読む）