【課題】真空ポンプの停止によるチャンバーへの逆流を防止すると共に復旧が容易であることを兼ね備えた逆流防止システム及び該逆流防止システムを備えた真空ポンプを提供する。
【解決手段】インバータ回路１３に流れる電流値が一時的な過負荷状態であることをタイミングｔ１でコンパレータ１７若しくはコンパレータ２７のいずれかが検出したときにゲートバルブ３の閉止信号が例えばｔ１からｔ２に至るまでの１秒間だけパルスとして送信され、ゲートバルブ３はｔ１から閉止動作を開始する。過負荷状態は一時的なものであり、すぐに収束したような場合には真空ポンプ５はそのまま停止せずに継続して動作する。しかしながら、ゲートバルブ３は閉止指令を受けてほぼ１秒後には完全に閉止しているため、センターにおいて監視員が真空ポンプの運転が継続されていることを確認した後、ｔ３においてゲートバルブ３の開指令を送信する。 （もっと読む）

【課題】光照射によって被測定物の測定状態を正確に判別することのできる測定状態判定装置を提供する。
【解決手段】ＭＯＣＶＤ装置１は、回転台４の回転によって基板３が描く軌跡上に光を照射する光照射部１１と、照射部から照射された光の反射光２１を測定する反射光測定部１２と、反射光測定部１２の測定値に基づいて、基板３の測定状態を判定する演算処理を行う演算処理部１４とを備える。演算処理部１４は、回転台４の回転中に測定された反射光測定部１２の測定値の最大値と最小値との差を、窓Ａ１８および窓Ｂ１９に存在する遮蔽物の有無を判定する閾値と比較する。 （もっと読む）

【課題】異常放電を検出するセンサを、改造を行うことなく容易に取り付けることが可能なプラズマ処理装置と、それを用いた半導体装置の製造方法とを提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置１のチャンバー２の側壁部８には、チャンバー２を接地電位に固定するアース線９が取り付けられている。アース線９が接続されている側壁部８の部分の近傍には、チャンバー２内に生成されるプラズマから接地電位へ向かって流れるリターン電流を測定する電流センサ１０が取り付けられている。電流センサ１０には異常放電検知部１４が電気的に接続されて、測定されたリターン電流に基づいて異常放電が発生したか否かが判定される。 （もっと読む）

【課題】真空チャンバ内で複数枚の基板を同時に成膜するプラズマＣＶＤ成膜装置において、基板配置部材上に配置される複数枚の基板について、基板品質を向上させる。
【解決手段】基板配置部材上に配置される複数枚の基板の２次元画像を取得し、この２次元画像を用いて、異なる波長の反射光強度によって各基板上の膜厚情報を取得し、この膜厚情報をフィードバックして成膜することによって、膜厚分布を均一化し、平均膜厚の再現性を良好なものとし、２次元画像の反射光強度の二次元分布によって基板上に付着するパーティクルによる基板上の配置位置情報を取得し、この配置位置情報をフィードバックして基板の配置位置を制御することによって、パーティクルによる不良基板の発生を低減する。 （もっと読む）

【課題】プラズマ発光の変動の影響を受け難く、信号対ノイズ比が充分で、広い波長範囲での測定を可能にするプラズマエッチングまたは堆積プロセスのモニタリング方法および装置を提供する。
【解決手段】高瞬間出力パルスを提供して広いスペクトル幅を有するフラッシュランプを用いて、薄膜の厚さとエッチング速度および堆積速度とをその場モニタリングするための干渉方法および装置。フラッシュランプとウエハで反射された光を検出するために使用される分光器との間の光路は、スペクトルの紫外領域を実質的に伝達可能である。膜厚とエッチング速度および堆積速度とは、ソフトウェアアルゴリズムによって計算される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、回転式ヒータ構造を有する化学気相蒸着装置に関し、特に、前記ヒータを回転させるモータと、前記ヒータの位置を確認する位置センサとを有する構成により、蒸着の時、ヒータを回転させることによって、反応チャンバ内の反応ガスの流入が不均一な場合でも、均一な蒸着厚さを得ることができ、同一の蒸着開始位置と蒸着終了位置とを確保できて、ウエハの方向を一定に整列することができる化学気相蒸着装置を提供する。
【解決手段】上記蒸着装置は、前記ヒータを回転させるため、回転力を供給するモータと、前記モータの回転力を伝達する回転軸と、前記回転軸から回転力が伝達され、前記ヒータを回転するようにする回転台とからなるヒータ回転部の構成を有することを特徴とする 。 （もっと読む）

【課題】自公転する回転台の上に置かれた被測定物の形状を精度良く測定することができる形状計測装置を提供する。
【解決手段】形状計測装置１は、回転台と、変位計測器３と、被測定物検出器４と、演算処理部５とを備え、演算処理部５は、高さ変位から、被測定物通過情報に基づいて、被測定物の高さ変位を抽出する被測定物変位抽出部６と、被測定物通過情報と、変位計測器３による被測定物上の計測点の軌道と、被測定物通過情報に基づく経過時間とに基づいて、変位計測器３による被測定物上の計測点を表す座標値を供給する座標供給部７と、被測定物変位抽出部６により抽出された被測定物の高さ変位と、座標供給部７により供給される座標値とを対応付けて記録する座標変位記録部８と、座標変位記録部９によって記録された被測定物の高さ変位から、回転台の機構に起因する回転台変位を分離して被測定物の形状を演算する形状演算部９とを含む。 （もっと読む）

【課題】センサの故障等を検知することができるセンサ故障検知方法、センサ故障検知装置、及び、プログラムを提供する。
【解決手段】まず、処理装置に配置されているセンサがＯＮ／ＯＦＦしたか否かを判別する（ステップＳ１）。センサがＯＮ／ＯＦＦしたと判別すると（ステップＳ１：Ｙｅｓ）、センサが異常パターンに該当するか否かを判別する（ステップＳ２）。センサが異常パターンに該当すると判別すると（ステップＳ２：Ｙｅｓ）、センサの変化情報を作成する。次に、作成したセンサの変化情報を処理装置の操作パネルに表示する（ステップＳ３）。そして、センサの変化情報をセンサ情報記憶部に記憶する（ステップＳ４）。 （もっと読む）

【課題】密封部材を介して蓋により処理管の炉口を確実に密封状態にする。
【解決手段】基板を載置するボートと、前記ボートを収納する処理管と、前記ボートが載置され前記処理管の下端に設けられた炉口を開閉する蓋と、前記処理管の下端面と前記蓋との間を密封する密封部材と、前記蓋を昇降させる昇降機構と、前記昇降機構を駆動するモータと、前記蓋の位置を検出する位置検出手段と、前記蓋が上昇して位置検出手段によって前記処理管の下端面から規定離間距離だけ離れた位置に前記蓋が位置したことが検出された後、前記蓋が上昇する際の前記モータが受ける負荷を監視し、前記モータが受ける負荷が規定負荷値に達したときに前記処理管が気密に密封されたと判定する制御部と、を有する。 （もっと読む）

【課題】空気によって少なくとも部分的に吸収される光を使用するよう設計され、かつ、より能率的なパージングシステムを有する、光学ツールのための方法を開発する。
【解決手段】試験体の測定のための方法において、該試験体の反射率測定データおよび分光偏光解析データを測定する工程と、該反射率測定データから、該試験体上に形成された窒化酸化物ゲート誘電体の厚さを判定する工程と、該厚さおよび該分光偏光解析データから、窒化酸化物ゲート誘電体の屈折率を判定する工程と、該屈折率から、該窒化酸化物ゲート誘電体の窒素濃度を判定する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】
ＭＯＣＶＤ装置の基板など移動台の上に置かれた被測定物の形状測定を行う場合、速度計測装置の使用状態で異なるオフセット値の影響により、測定精度が低下することと、回転台に複数の被測定物を配置する装置で測定精度が低下すること、回転台の振動や回転軸の傾きなどで測定精度が低下することなどで、精度よく測定することができなかった。
【解決手段】
被測定物を移動させる移動台と、レーザ光線によるドップラー効果を利用した速度計測手段と、被測定物検出手段と、演算処理手段と記録手段により、被測定物の形状を測定する。前記演算処理手段は、前記被測定物の速度を抽出する被測定物速度抽出手段と、速度データから速度平均値を算出する速度平均算出手段と、速度データから速度平均値を減算する減算手段と、速度を積分する積算手段を設ける。 （もっと読む）

【課題】 抵抗加熱ヒータの劣化に起因する抵抗値の変化を高い分解能で検出することにより、抵抗加熱ヒータの交換時期を正確に予測できる電力供給システムを提供する。
【解決手段】 電力供給システム１００は、抵抗加熱ヒータ１０６、供給電力調節器１１０、温度調整用調節計１３０、抵抗検出装置１４０、及び熱電対１３１、１４１を備えている。供給電力調節器１１０は、入力側フィルタ回路１１１、ＩＧＢＴ変換器１１２、カレントトランス１１３、電圧測定ライン１２３、電源変動検出手段フィードフォワード回路１１４、周波数変換回路１１５、出力側フィルタ回路１１６、カレントトランス１１７、電圧測定ライン１１８、及び負荷変動検出手段フィードバック回路１１９を備えている。抵抗検出装置１４０は、演算器（ＣＰＵ）１４４、ヒータ製作時基準テーブル１４５、及びヒータ温度係数テーブル１４６を備えている。 （もっと読む）

【課題】 安定したｐ型ＺｎＯ系半導体結晶を得ることが可能なＺｎＯ系化合物半導体の製造方法を提供する。
【解決手段】 ＺｎＯ系化合物半導体の製造方法は、単結晶表面を有する基板を準備する工程と、亜鉛ビームと、酸素を含むガスをラジカル化した酸素ラジカルビームと、Ｎ_２ガスとＯ_２ガスとを混合したガスをラジカル化した窒素ラジカルビームとを、前記基板上に同時に照射して、窒素添加ｐ型ＺｎＯ系化合物半導体を結晶成長する工程とを有し、前記Ｎ_２ガスとＯ_２ガスとを混合したガスの混合比Ｏ_２／Ｎ_２が、０より大きく１以下である。 （もっと読む）

【課題】長期使用に伴う性能劣化を抑制する拡散炉を提供すること。
【解決手段】拡散炉は、円筒状の断熱筒２１と、断熱筒２１の内周面に螺旋状に配置される電熱線２２とを備え、断熱筒２１の径外方向に移動可能な移動式セパレーター２３Ｂに電熱線２２を固定する。制御回路部３１は、電流値に基づいて電熱線２２の劣化状態を検出すると、モーター２４１を制御して移動式セパレーターを断熱筒２１の径外方向に移動させる処理をする。このため、電熱線２２の一部が垂れ下がった場合でも、電熱線２２を径外方向に移動することで、電熱線２２の接触による断線を防止できる。 （もっと読む）

【課題】低誘電率膜のダメージ回復処理を行う際に、回復処理に寄与する処理ガスの量を十分に確保しつつ、処理ガスの使用量を減少させることができる処理方法を提供すること。
【解決手段】表面部分にダメージ層が形成された低誘電率膜を有する被処理基板が収容された処理容器内にメチル基を有する処理ガスを導入して低誘電率膜に形成されたダメージ層に回復処理を施す処理方法であって、減圧状態にされた処理容器内に希釈ガスを導入して、処理容器内の圧力を回復処理の際の処理圧力よりも低圧の第１の圧力まで上昇させ（工程３）、その後、希釈ガスを停止し、処理ガスを処理容器内の被処理基板の存在領域に導入して、処理容器内の圧力を回復処理の際の処理圧力である第２の圧力まで上昇させ（工程４）、この処理圧力を維持し、被処理基板に対して回復処理を行う（工程５）。 （もっと読む）

【課題】均一な薄膜を再現性よく形成するために、原料ガスの流れを監視する。
【解決手段】基板上に薄膜を形成する原子層堆積装置であって、基板載置位置に載置した基板上に薄膜を形成する原料ガスを導入するガス導入口を備える容器と、ガス導入口と正対する位置からガス導入口に向けてレーザを照射するレーザ光源部と、ガス導入口から原料ガスを導入する際に、原料ガス成分からなるパーティクルがレーザに照射されることにより、基板載置位置のガス導入口側の端とガス導入口との間で生じる散乱光を測定する測定部と、を有する。 （もっと読む）

【課題】中性粒子ビームが照射される被処理体の加工状態を把握するため、被処理体と同じ位置において中性粒子ビームの諸特性（全エネルギーフラックス、残留イオン、光エネルギーフラックス）を観測することが可能な測定ユニットを提供する。
【解決手段】測定ユニット１２は、真空処理空間内にあって、中性粒子ビームが照射される被処理体１１と同じ領域内に収容可能なチップ状の基材と、該基材に配された全エネルギーフラックスの測定部および残留イオンの測定部と、を少なくとも備える。 （もっと読む）

【課題】小さな負荷で短時間に装置の正常／異常を判定することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】センサ及びコントローラの信号値を取得する装置側モジュールＡ，Ｂ，・・・，Ｚと、これらの信号値を演算する演算モジュールＭ１と、演算モジュールＭ１により得られる演算結果をチェックするチェックモジュールＭ２とを備え、信号値を演算モジュールＭ１で基板処理装置が管理する処理単位毎に、あるいは一定の期間単位毎に代表値化し、代表値化した値がチェックモジュールＭ２でチェックされる。 （もっと読む）

【課題】近赤外線放出源によって加熱され近赤外放射に対して透過性の処理チャンバ内で熱処理を行っている間に、回転サセプタの円形のポケット内にある半導体ウェハの不適正な位置を識別する方法において、サセプタのポケット内の半導体ウェハの実際の位置を求め、誤差が発生している場合にはこの誤差およびその原因を検出して解消すること。
【解決手段】パイロメータによって検出される測定スポットの一部は前記半導体ウェハ上であり、該測定スポットの一部は該半導体ウェハの外側であって前記回転サセプタ上であるように前記パイロメータを方向決めし、前記半導体ウェハの不適正な位置とは、前記回転サセプタのポケット内の偏心位置である方法。 （もっと読む）

【課題】確率分布を用いたパーティクル汚染の予測に用いることができるパーティクル汚染事象予測装置、パーティクル汚染事象予測方法、及び、パーティクル汚染事象予測プログラムを提供する。
【解決手段】ポアソン分布と処理室１０のパーティクル量の少なくとも一部を計測した計測値が閾値以上のパーティクル汚染事象を特定したパーティクル汚染事象分布とを比較して、前記処理室１０で次の前記パーティクル汚染事象が生じる確率が所定基準を満たす時期を特定する時期特定手段を備えることを特徴とする。 （もっと読む）