【課題】基板の改質等、ワークの処理などに使用されるプラズマ発生装置において、プラズマの点灯状態を反映したメンテナンスを可能にする。
【解決手段】プラズマ発生ノズル３１の先端に設けられる保護管３６の外周面に光センサユニット３８を取付け、点灯されていることが検出されると、ＣＰＵ９０１は、メモリ９０３に記憶される点灯時間を積算して更新し、メモリ９０４に予め記憶されている閾値点灯時間となると、交換時期であることを操作部９５に表示する。したがって、プラズマの点灯状態を反映したメンテナンスが可能になり、メンテナンスのコストを抑えつつも、安定したプルームＰを得ることができる。 （もっと読む）

【課題】簡便な構成により複数のプラズマ発生ノズルのうちいずれかのプラズマ発生ノズルの状態を精度良く監視する。
【解決手段】マイクロ波発生装置２０により発生されたマイクロ波を伝搬する導波管１０と、マイクロ波を受信し、受信したマイクロ波のエネルギーに基に、処理ガス供給源９２１から供給されるガスをプラズマ化して放出するプラズマ発生ノズル３１が導波管１０に複数個配列して取り付けられたプラズマ発生部３０と、プラズマ発生ノズル３１から放出されたプルームの画像を撮影する撮影部１００と、撮影部１００により撮影されたプルームの画像を基に、複数個配列されたプラズマ発生ノズル３１のうち、正常な状態のプラズマを放出することができない欠陥ノズルを検出する欠陥ノズル検出部９４１とを備える。 （もっと読む）

【課題】 従来、光通信用の半導体レーザーは発振波長が微小（０．１ｎｍ〜０．２ｎｍ）に異なる物が求められているが、現在、制御機器の分解能不足、加熱機構の再現性の悪さ等により、半導体レーザー製造装置で製造条件を調整して発振波長に微小な差を付ける事が解決困難であった。そこで課題は、光通信用の半導体レーザーで発振波長が微小（０．１ｎｍ〜０．２ｎｍ）に異なる物を作り分ける方法及び装置を供する事にある。
【解決手段】 従来の半導体レーザー製造装置での製造条件にサセプターを傾けると言う条件を加えて上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】ＩｎＧａＮ層を適切に結晶成長させることが可能な半導体発光素子を提供すること。
【解決手段】結晶成長室２内に基板１を載置し、ＮＨ₃ガスを含む原料ガスを供給可能なガス供給手段３から結晶成長室２内に上記原料ガスを供給することにより、基板１上にＩｎＧａＮ層を結晶成長させる工程を含む、半導体発光素子の製造方法であって、上記ＮＨ₃ガス中のＨ₂Ｏ濃度を測定可能なＦＴＩＲ４を用いることにより、上記原料ガス中のＨ₂Ｏ濃度を０．１ｐｐｍ以下としている。 （もっと読む）

【課題】基板の改質等、ワークの処理などに使用されるプラズマ発生装置において、均一なプラズマ照射を可能にする。
【解決手段】各プラズマ発生ノズル３１において、チューブ３６によってノズルピース３７を伸縮可能とし、そのノズルピース３７を変位手段３９によって昇降可能にするとともに、ワークＷの高さ検知を行う高さ検知手段３８を設け、その検知結果に応答して前記ノズルピース３７の高さを制御する。したがって、基板Ｗ１に実装される電子部品Ｗ２の高さにばらつきがあるなどしても、ワークＷに対するプラズマ発生ノズルの高さを一定に維持し、均一な密度でプラズマ照射を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】異常放電により半導体素子に不良品が発生することを抑制する。
【解決手段】第１の電極２と第２の電極５を互いに向き合うように離間して配置し、前記第１の電極２、又は前記第２の電極５のうち少なくとも一方を接地し、かつ他方にプラズマ発生用の電力を印加することによりプラズマを発生させ、前記第１の電極２、又は前記第２の電極５のうち一方に載置された半導体ウェハＷａｆを前記プラズマを用いて処理しつつ、接地電位に対するプラズマ電位Ｖｐと、接地電位に対す前記半導体基板表面上の電位の差Ｖｄｃの変動を測定し、該測定した値の変動に基づいて異常放電の有無を判断する。 （もっと読む）

【課題】簡単な配管構成で，しかも簡単な制御で圧力変動などの影響を受けることなく処理室内の複数部位からガスを供給し，所望の面内均一性を実現可能とする。
【解決手段】ウエハの処理に先立って，分流量調整手段２３０に対して各分岐流路内の圧力比が目標圧力比になるように分流量を調整する圧力比制御を実行して，処理ガス供給手段２１０からの処理ガスを第１，第２分岐配管２０４，２０６に分流し，各分岐流路内の圧力が安定すると，分流量調整手段に対する制御を圧力安定時の第１分岐流路内の圧力を保持するように分流量を調整する圧力一定制御に切り換えてから，付加ガス供給手段２２０により付加ガスを第２分岐配管２０６に供給する。 （もっと読む）

【課題】高温雰囲気の半導体製造装置の反応室において装置部材を効率良く冷却できると共に過剰露光を低減する観察装置を提供する。
【解決手段】高温雰囲気の半導体製造装置の反応室内を撮像する撮像手段と、該撮像手段を収容すると共に同撮像手段へ前記反応室内の光像を導く透光性部材が取り付けられた収容ケースと、該収容ケース内に冷却媒体を供給する冷却媒体供給手段とを備える観察装置であって、前記透光性部材は、両面あるいは片面に金膜を有する石英ガラス板である観察装置。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理装置等の処理において、処理室内の内壁への付着物質の表面状態の粗さ等から付着状況を簡単に評価できるようにする。
【解決手段】成膜処理あるいはエッチング処理等に使用する処理用ガスを処理室１１内に導入する。導入した処理用ガスで半導体ウエハＷ等の基板を処理するとともに、処理室１１の内壁に堆積した付着物の表面粗度をレーザ変位計２０ａで計測する。計測した結果を、パーティクル不良発生の閾値、あるいは異常放電発生の閾値と比較して、異常発生前に対処する。 （もっと読む）

【課題】 エピタキシャル成長時の基板温度を間接測定するアッパパイロメータを比較的短時間にかつ正確に校正して、エピタキシャル基板の品質を向上する。
【解決手段】 温度校正用サセプタ１７に取付けた熱電対２６によりアッパパイロメータ２２を校正した後に、ロアパイロメータ２３の測定値をアッパパイロメータの校正値に一致させる。次にサンプル基板１２上へのエピタキシャル成長時にアッパパイロメータにより間接測定した基板温度とエピタキシャル成長直後に測定したサンプル用基板のヘイズとの相関線を設定し、量産用基板上へのエピタキシャル成長時にアッパパイロメータにより基板温度Ｔｘを間接測定する。更にエピタキシャル成長直後に測定した量産用基板のヘイズを上記相関線に当てはめて量産用基板上へのエピタキシャル成長時の基板温度Ｔｙを推定した後に、この推定温度Ｔｙにアッパパイロメータの測定温度Ｔｘを一致させる。 （もっと読む）

【課題】 大面積基板処理チャンバを監視及び制御する装置及び方法の実施形態を提供する。
【解決手段】 処理チャンバ内で基板処理した後の膜特性を測定するために基板処理システムにおいて複数のタイプの計測ツールを取り付けることができる。処理チャンバ内で基板処理した後の膜特性を測定するために基板処理システムにおいて数種の具体的なタイプの計測ツールを取り付けることもできる。計測チャンバ、プロセスチャンバ、搬送チャンバ、又はロードロック内に計測ツールを取り付けることができる。 （もっと読む）

引張応力を有する緻密化されたシリコン酸窒化膜を形成する方法、及び緻密化されたシリコン酸窒化膜を含む半導体デバイスが開示される。緻密化されたシリコン酸窒化膜は、ＬＰＣＶＤプロセスにて基板上に多孔質ＳｉＮＣ：Ｈ膜を堆積すること、及びＳｉＮＣ：Ｈ膜に酸素を混入し、それにより、多孔質ＳｉＮＣ：Ｈ膜より高い密度を有する緻密化されたＳｉＯＮＣ：Ｈ膜を形成するために、多孔質ＳｉＮＣ：Ｈ膜を酸素含有ガスに曝すことによって形成されることができる。緻密化されたシリコン酸窒化膜は、半導体デバイスを含んだ基板上に含められ得る。
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熱処理システム（100、200）をリアルタイムに監視するためのビルトイン・セルフテスト（ＢＩＳＴ）テーブルを作成且つ／或いは変更する方法は、熱処理システム（100、200）の処理チャンバー（202）内に複数のウェハ（Ｗ）を配置する段階、予測による動的なプロセス応答を生成するために実時間動的モデル（330）を実行する段階、測定による動的なプロセス応答を作り出す段階、動的な推定誤差を決定する段階、決定された動的な推定誤差がＢＩＳＴテーブル内の既存のＢＩＳＴルールに関連付けられ得るかを決定する段階、動的な推定誤差がＢＩＳＴテーブル内の既存のＢＩＳＴルールの何れにも関連付けられ得ないとき、新たなＢＩＳＴルールを作成する段階、及び新たなＢＩＳＴルールが作成され得ないときプロセスを停止させる段階を含んでいる。
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【課題】プラズマの影響による真空容器内の経時劣化を自動的に判定する。
【解決手段】ガス導入ライン２４および排気ライン１５が接続され、高周波発振器２７が接続された真空容器１１を有するプラズマＣＶＤ装置１０において、プラズマ生成中の高周波発振器２７の進行波電力値Ｐ_n と使用時間Δｔとの積によって表される総進行波電力量Ｗをコントローラ２８内の記憶装置３２に格納し、予め設定された管理値と比較することにより真空容器１１内のプラズマの影響による腐食または劣化を判定し、保守時期を警報する。プラズマの影響による真空容器内の経時劣化を自動的に判定することで、人為的な誤差を排除でき、プラズマＣＶＤ装置の製造歩留りやスループットを向上できる。
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半導体ウェーハ・プロセス・チャンバにおけるアーク発生問題を診断する方法及びシステムが説明される。方法は、プロセス・チャンバで電圧プローブをプロセス・ガス分配面板へ結合し、ＲＦ電源を活性化して、面板と基板ウェーハとの間にプラズマを生成することを含む。方法は、更に、ＲＦ電源の活性化中に、時間の関数としての面板ＤＣバイアス電圧を測定することを含む。この場合、面板における測定電圧のスパイクは、アーク発生事象がプロセス・チャンバ内で出現したことを表示する。半導体ウェーハ・プロセス・チャンバ内のアーク発生を低減する方法及びシステムも説明される。 （もっと読む）

【課題】シート状圧電センサを使用することによって、検出対象物の異常状態を低コストで高感度かつ高精度に検出できるようにした異常状態検出方法およびその方法に使用するシート状圧電センサを提供する。
【解決手段】検出対象物に可撓性を有するシート状の圧電センサ１を密着させて固定する手順と、前記検出対象物からの音響振動を前記圧電センサによって検出する手順と、前記音響振動の検出信号により前記検出対象物の異常状態を判別する手順とを有する異常状態検出方法である。そして、前記圧電センサは、可撓性を有するシート状の基板３上に圧電層４として、窒化アルミニウム、窒化ガリウム、窒化インジウム、酸化亜鉛およびニオブ酸リチウムから選択された一つの圧電性金属化合物を主成分とする薄膜を形成したものである。 （もっと読む）

【課題】 プラズマ処理のおける成膜レートや膜質の変動を抑制し、且つその前処理としてのコンディショニングに多くの時間を費やすことを防ぐことが可能なプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】 被処理基体１０を設置するサセプタ１２と、被処理基体１０の上方のプラズマ生成箇所を覆う石英部１４と、サセプタ１２と石英部１４とを収納するチャンバ１と、チャンバ１の外側に配置され、石英部１４表面に形成される窒化物層の膜厚をモニタする分析部２０ａと、分析部２０ａに接続され、窒化物層の膜厚に基づいて、コンディショニングの終了を判断する制御部３０とを備える。 （もっと読む）

本発明は、装置の現在状態を示す出力を持つセンサを有する製造装置における障害検出の方法を提供し、それは以下のステップを含む。
(a)障害状況下の装置の状態を表すセンサデータを確立し(「障害フィンガープリント」)、
(b)障害フィンガープリントライブラリに、データを格納し、
(c)センサを使って、装置の現在状態を特定し、及び、
(d)現在状態のセンサデータと、障害フィンガープリントライブラリ内の障害フィンガープリントとの比較に基づいて、障害を検出する。
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【課題】反応炉内にガスを導入する逆開閉動作する切換弁に不具合が起きたとき、管路内のガスに触れずにバルブの不具合を検知する切換弁監視機構を提供する。
【解決手段】対をなして互いに逆開閉動作し第１か、第２のガスかを切り換える第１の切換弁１と、対をなして該第１の切換弁に連動して互いに逆開閉動作し、マスフローコントローラ５を介した導入ガスを反応炉３か、第１のバイパス管路４２かへ切り換える第２の切換弁２とを有し、処理前にあっては、第１の切換弁の一方１１と第２の切換弁の一方２２とが連動して開成し、該マスフローコントローラ５で監視される流量が、該第１のマスフローメータ５１においても監視可能であり、処理中にあっては、第１の切換弁の他方１２と第２の切換弁の他方２１とが連動して開成し、該マスフローコントローラ５で監視される流量が、該第１のマスフローメータ５１においては監視不可となるように構成する。 （もっと読む）

【課題】 反応管の交換を行う場合、熱処理または酸化シリコン膜等の膜が形成される基板を載置するためのボートと反応管との距離が、基準となる位置よりずれる場合がある。当該反応管とボートとの位置がずれると、反応管内でのガスの流れの乱れや、反応管内での均熱性の乱れが生じるため、半導体基板の処理不良が発生する。
【解決手段】 前記ボートの上部部材の寸法公差内の寸法で形成された上部部材と、前記上部部材を支持するための、前記ボートの寸法公差内の寸法で形成された支持部材と、前記支持部材を支持し、前記上部部材を反応管の内部に挿入するように駆動させる駆動装置の上に載置するための、前記ボートの下部部材の寸法公差内の寸法で形成された下部部材と、を有し、前記上部部材の周縁上に、前記距離測定手段として距離センサを備えた。 （もっと読む）