プラズマ生成システムのためのアーク検出システムは、プラズマチェンバーに投入されている（ＲＦ）電力における各電気的特性に基づいて第１信号および第２信号を生成する無線周波数（ＲＦ）センサを備える。相関モジュールは、上記第１信号および上記第２信号に基づいてアーク検出信号を生成する。上記アーク検出信号は、上記プラズマチェンバー内でアークが発生しているか否かを示し、上記アークを消弧するために、上記ＲＦ電力を生成するための上記第１信号および上記第２信号を変化させるために用いられる。
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【解決手段】プラズマ処理チャンバは、片持梁アセンブリと、大気負荷をなくすよう構成された少なくとも１つの真空隔離部材とを備える。チャンバは、内部領域を取り囲み開口部を有する壁を備える。片持梁アセンブリは、チャンバ内で基板を支持するための基板支持体を備える。片持梁アセンブリは、一部がチャンバ外に位置するように、開口部を介して伸びる。チャンバは、壁と相対的に片持梁アセンブリを移動させるよう動作可能な駆動機構を備える。 （もっと読む）

【課題】気圧変動等に起因した膜厚変動を抑制出来る熱酸化膜形成装置を提供する。
【解決手段】酸化処理部２、膜厚測定部３、処理条件算出部４及び気圧測定部５を備える半導体製造システム１を構成する。この半導体製造システム１の処理条件算出部４により、酸化処理部２で行われた過去の酸化処理の酸化時間、酸化膜厚並びに酸化処理前の気圧を含むデータを用いてモデル式を導出し、そのようなモデル式を用い、次に行う酸化処理の酸化時間をその酸化処理前の気圧を基に算出する。次に行う酸化処理前の気圧だけでなく、装置状態等、気圧変動以外の要因も含めて次に行う酸化処理の酸化時間を算出するため、酸化膜厚の変動を効果的に抑制することが可能になる。 （もっと読む）

本発明は、半導体処理機器および方法の分野に関し、特に、リアクタチャンバの内部、例えば、チャンバ壁およびその他の場所にある望ましくない堆積物をｉｎ−ｓｉｔｕ除去するための方法および装置を提供する。本発明は、高スループットの成長プロセスに洗浄ステップを統合し組み込む方法を提供する。好ましくは、成長を延期し洗浄を開始する必要があるときと、洗浄を終了し成長を再開する必要があるときは、センサ入力に基づいて自動的に判定される。本発明はまた、本発明の統合された洗浄／成長方法を効率的に実行するためのリアクタ・チャンバ・システムを提供する。 （もっと読む）

【課題】自己バイアスを最適化することが可能な自己バイアス制御システムを提供する。
【解決手段】プラズマ生成室４０の外周を囲む複数の空芯コイル（３０、３２）と、プラズマ生成室４０にマイクロ波を供給するマイクロ波発生器４２と、複数の空芯コイルのそれぞれに電流を供給して電子サイクロトロン共鳴を生じさせる電源１４と、プラズマ生成室４０に隣接する位置に設けられた試料台５２表面の電位を検出する検出器１２と、複数の空芯コイルのそれぞれに供給する電流から磁束密度曲線を計算し、試料台５２表面に生じる自己バイアス電位を計算する計算モジュール２０と、自己バイアスの計算値が予め定められた自己バイアスの許容範囲となるように複数の空芯コイルのそれぞれの電流を設定する設定モジュール２２と、検出器１２により検出された電位の測定値を許容範囲と比較する判定モジュール２４とを備える。 （もっと読む）

【課題】 高効率で異物粒子を検出できるパーティクルカウンターを搭載したプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】 処理室にガスを供給する手段と、処理室を減圧する排気手段と、被処理体を戴置するステージと、バタフライバルブとを備えたプラズマ処理装置において、該バタフライバルブがおおむね閉じた状態において、該バタフライバルブのブレード間に生じる間隙にパーティクルカウンターのレーザー光を通したことを特徴とするプラズマ処理装置
【効果】 パーティクルカウンターによる異物粒子の検出効率が高まるため、プラズマ処理装置の異物粒子による汚染度合いをより正確に把握できる。 （もっと読む）

【課題】波長毎に凹面回折格子２１２の調節をする必要が無く、半導体ウエハＷの異なる層を処理するときに生じる光を、各層の物理的及び／又は化学的特性を分析するのに必要な分解能で分光することができる。
【解決手段】導入スリット２１１と、凹面回折格子２１２と、光検出部と、を備え、前記光検出部の受光面２１３ａが、前記凹面回折格子２１２により定まる仕様位置Ｐとは異なり、前記半導体ウエハＷの２以上の異なる処理の際に生じる光それぞれに対して、当該各処理の物理的及び／又は化学的特性を得るのに必要な分解能を有する位置に配置されている。 （もっと読む）

【課題】
ガス検知器による稼働時間の低下を無くすと共に有毒ガスの非検知状態を解消することで、作業の安全性を向上させる。
【解決手段】
基板２３を処理する反応管１８と、該反応管内にガスを供給する供給系２９と、前記反応管内を排気する排気系３３と、前記供給系又は前記排気系に設けられ、ガスを検知する少なくとも２以上のガス検知器１４ａ，１４ｂと、前記少なくとも２以上のガス検知器の内少なくともいずれか１は常時ガスを検知できる様制御するコントローラ４９とを具備する。
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【課題】本発明は、ガスを原料とするプラズマプロセスにおいて、運転状況を常時自動監視して高安定な運転を行うとともに、従来よりも高度なプラズマ運転条件制御を行い製造物及び被処理物の製造・処理速度の均一化、均質化、高性能化、高度処理化を行うためのプラズマ成分変化計測方法及び装置を提供することを課題とする。
【解決手段】プラズマ発生前後の気体の物性値を測定し、プラズマ装置内の気体の物性値と気体成分との相関関係から、プラズマ発生前後の気体成分の変化を検出する成分変化計測方法であって、前記物性値は粘性とし、前記物性値を測定する測定装置として、水晶振動子センサー１、水晶摩擦真空計またはスピニングロータゲージを用いた （もっと読む）

【課題】データを良好な効率をもって適正に切り出す。
【解決手段】複数の基板処理装置Ｍ１〜Ｍｎを管理する群管理装置３にサマリデータ作成システム８０を設ける。サマリデータ作成システム８０は基板処理装置Ｍ１〜Ｍｎから取得したデータを第一メモリー８１に蓄積し、第一メモリー８１から理論データを取得し、理論データからデータ取得期間検出部８４によりデータ取得期間検出用データを生成し第二メモリー８２に蓄積する。一定時間毎に第二メモリー８２からデータを取得しデータ取得期間検出用データを用いて解析し、サマリデータ蓄積・管理部８５によりサマリデータを第三メモリー８３に蓄積する。オペレータはデータ解析時等にサマリデータを第三メモリー８３から取得できるので、容易かつ高精度に解析できる。
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【課題】一つの処理単位の処理が終了していなくても、半導体基板の処理中に異常を検知することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】半導体製造装置１は、ガスを導入するガス導入ライン１２８と、ウエハＷが載置されるカソード電極１３０と、高周波電力を供給する高周波発振器１３２とを有し、高周波発振器１３２が供給する高周波電力で生成されたプラズマを利用して、ウエハＷに所定の処理を施し、ウエハＷを処理する際に、カソード電極１３０に発生する自己バイアス電圧のデータを所定時間蓄積して格納する記憶手段１４２と、記憶手段１４２に格納された自己バイアス電圧のデータから自己バイアス電圧の変化量を求め、算出された変化量があらかじめ設定された許容量より小さくなるかどうかにより自己バイアス電圧が安定しているか判定するコントローラ１１８とを有する。 （もっと読む）

【課題】液体原料の気化ガスの処理室への供給を安定させる。
【解決手段】基板処理装置は、液体原料を貯留する液体原料タンク３２０，３４０と、液体原料タンク３２０にキャリアガスを供給するキャリアガス供給ライン３１２と、液体原料タンク３２０の液体原料を液体原料タンク３４０へ圧送する原料供給ライン３２２と、液体原料タンク３４０にキャリアガスを供給するキャリアガス供給ライン３２２と、液体原料タンク３４０の液体原料の気化ガスを処理室２０１へ供給する原料供給ライン２３２ｂと、キャリアガスの流量を制御するマスフローコントローラ３１４と、液体原料の気化ガスの流量を検出するマスフローコントローラ３４４と、マスフローコントローラ３４４の検出結果をマスフローコントローラ３１４にフィードバックするフィードバック装置と、を有する。 （もっと読む）

【課題】複数の基板処理装置の信頼性を向上することができる基板処理装置の管理システムを提供する。
【解決手段】基板処理装置の管理システム１は、後述する基板処理装置本体１２及びその制御装置１４を含む複数の基板処理装置１０−１〜１０−ｎと、複数の基板処理装置１０−１〜１０−ｎに関するデータのバックアップを行うバックアップ装置１６とを含む。基板処理装置１０の制御装置１４は、バックアップ装置１６から送信されるバックアップ指示に基づいて、バックアップの対象となるデータをバックアップ装置１６に対して送信する。バックアップ装置１６は、複数の基板処理装置１０−１〜１０−ｎから取得したデータを保存する。 （もっと読む）

【課題】
システムが大型化し、しかも管理項目が増大してもメンテナンスがし易いメンテナンス画面を表示パネルに表示することが可能な基板処理装置、そのような基板処理装置のメンテナンス時における表示パネルの表示方法、プログラム及び記録媒体を提供する
【解決手段】
表示パネル３０１の第１の表示領域３１１ａに例えば処理室１４０Ｅ内の模式的な構造を表示すると共に複数の部位Ａ１〜部位Ａ８を部位ごとに異なる色で表示する。そして、表示パネル３０１の第２の表示領域３１１ｂには、例えば第１の高周波電源４０の電圧計、電流計などにより計測された複数のパラメータ値を複数の部位Ａ１〜部位Ａ８ごとに部位Ａ１〜部位Ａ８ごとの色に対応した色で列挙して表示している。 （もっと読む）

【課題】バイアス電圧制御方式のプラズマ処理装置にて、プラズマ処理特性を安定させることができるとともに、故障診断を容易に実施することができるプラズマ処理装置およびその制御方法を提供する。
【解決手段】バイアス電圧測定部１７は、被処理体１６が載置される下部電極１３と、整合器１５との間で、バイアス高周波電力の直流成分を取得する。バイアス電源制御部１８は、当該直流成分が所定値となる状態にバイアス高周波電源１４の出力電力を制御する。また、電力値取得部３１は、バイアス高周波電力の電力値を取得する。演算部３２が備える波形生成部は、取得した電力値の時間に対する波形を生成する。判定部３３は、プラズマ処理中の所定期間内に取得された電力値の平均値と予め設定された基準値とを比較するとともに、生成された波形と予め設定された基準波形とを比較し、装置異常に起因するインピーダンス変動の有無を判定する。 （もっと読む）

【課題】異物数に基づいて適切な洗浄時期を判定できる、プラズマ処理装置、プラズマ処理装置及び洗浄時期予測プログラムを提供する。
【解決手段】測定回路９は、真空処理室１の内壁と真空処理室１内に生成されたプラズマ１３との間の電荷量に応じて変動するアンテナバイアス電圧を計測する。取得されたアンテナバイアス電圧は、統計値に変換された後、当該が取得されたプラズマ処理により被処理物に付着した異物の数と対応づけて統計値記憶部２３に格納される。対応関係算出部２４は、複数回のプラズマ処理に対して取得され、統計値記憶部２３に格納された、アンテナバイアス電圧及び異物数から、アンテナバイアス電圧と異物数との対応関係を求める。そして、予測部２５は、対応関係算出部２４が求めた対応関係に基づいて、予め設定された規格値に異物数が到達するアンテナバイアス電圧を予測する。 （もっと読む）

【課題】ガス処理装置のガスラインに設けられたバルブの開閉状態を簡易にかつ正確に確認することができる方法を提供すること。
【解決手段】チャンバ内のベース圧を形成し、バルブを閉じた状態で、複数のガスラインにラインフィルモードでガスを流し、チャンバ内圧力がトレランスを超えたか否かを判断し、トレランスを超えた際に、実際には閉じていないバルブが存在すると判断してアラームを発生し、 トレランスを超えていない場合に、複数のバルブを開いた状態で複数のガスラインに流量を制御しつつガスを流し、ガス流量がトレランスを下回ったか否かを判断し、トレランスを下回った際に、そのガスラインのバルブが実際には開いていないと判断し、アラームを発生し、ガス流量がトレランスを下回ったラインが存在しない場合に異常なしとする。 （もっと読む）

【課題】製造時に半導体装置に加わる熱履歴のばらつきの小さい製造方法及び半導体製造装置を提供する。
【解決手段】半導体基板を、常圧かつ酸化雰囲気中で熱処理する工程Ｓ１０と、半導体基板を、常圧かつ不活性雰囲気中で熱処理する工程Ｓ１４と、を具備する。酸化雰囲気中での熱処理において、熱処理時間または熱処理温度は、少なくとも大気圧の変動に基づいて変更する。不活性雰囲気中での熱処理時間を、酸化雰囲気中での熱処理時間または熱処理温度に基づいて定める。不活性雰囲気中で熱処理する工程において、熱処理温度を、酸化雰囲気中での熱処理温度と略同一にするのが好ましい。また、酸化雰囲気中での熱処理において、熱処理時間を、少なくとも大気圧の変動に基づいて変更し、不活性雰囲気中で熱処理する工程において熱処理時間を、不活性雰囲気中での熱処理時間と酸化雰囲気中での熱処理時間の和が略一定になるように設定してもよい。 （もっと読む）

【課題】熱処理装置に用いられるヒータ素線が断線する前にその寿命を事前に予測する際に，ヒータ素線の断線の兆候が現れ易い期間（例えば昇温期間）のデータを利用することにより，ヒータ素線の寿命を従来以上に的確に予測する。
【解決手段】ウエハを熱処理するのに先立ってヒータ素線に電力を供給して熱処理温度まで上昇させる昇温期間内においてヒータ素線に供給された電力の大きさの最大値を検出するとともに電力の振幅の大きさを示す指標を求め，これら電力の大きさ及び電力の振幅の大きさを示す指標がそれぞれの閾値を超える場合にヒータ素線の寿命が近いことを知らせる。 （もっと読む）

【課題】半導体処理システムにガスを分配する方法及び装置を提供する。
【解決手段】一実施形態において、ガスを半導体処理システムに分配する装置は、入口及び出口ポートを有する複数のガス入力及び出力ラインを含む。接続ラインは、各対のガス入力及びガス出力ラインを結合している。接続バルブが配置されて、各接続ラインを通してフローを制御する。マスガスフローコントローラが配置されて、各入口ポートへのフローを制御する。他の実施形態において、方法は、複数の出口の少なくとも１つに選択的に結合された少なくとも複数の入口を有するマニホルドを提供し、処理又は較正回路の前に、処理チャンバをバイパスする真空環境に、マニホルドを通して、１種類以上のガスを流し、基板処理中に、処理チャンバへ１種類以上のガスを流すことを含む。 （もっと読む）