【課題】ステップの進行が停滞してしまった場合に、ステップの進行に停滞が発生したことをオペレータに迅速に認識させる。
【解決手段】基板を処理する処理系と、複数のステップを処理系に順次実行させるように処理系を制御する制御部と、処理系によるステップの進行状態を操作画面に表示する操作部とを備え、制御部は、所定のステップの実行を開始してからの経過時間が、ステップの実行に予め割り当てられた許容時間を超過したら、許容時間を超過した旨を示すアラームメッセージを操作部に送信する。 （もっと読む）

【課題】複数のウェハをボートに乗せて熱処理を行う際に生じるウェハの反りによるウェハ間の接触傷等を防止する。
【解決手段】半導体製造方法は、複数枚のウェハ６０が乗せられたボート５０を熱処理炉４０内へ導入して、それらのウェハ６０を加熱する加熱工程と、熱処理炉４０からボート６０を導出し、センサ４３，４４により、複数枚のウェハ６０の反り方向を検出する反り方向検出工程と、反り方向が同一のウェハ６０を分別し、反り方向が同一のウェハ６０を別々のボートへ再収容する分別処理工程と、反り方向が同一のウェハ６０が収容されたボートを熱処理炉４０へ導入して、所定温度で熱処理を行う熱処理工程とを有している。 （もっと読む）

【課題】ガス配管内のガスの流れが電磁バルブを実際に開閉する前に表示されることで、誤った操作による電磁バルブの開閉し忘れ、或は誤ったガスの混合による危険を防止し、安全性の向上を図る。
【解決手段】ガス配管路１に設けられたバルブ２，３，３６，３８の開閉要求状態及び開閉状態を検出する状態検出部４４と、前記バルブの開閉要求状態により予測される前記ガス配管路を流れるガスの予測状態と、前記バルブを開いて前記ガス配管路を流れるガスの状態とを状態毎に識別表示する表示部４４とを具備する。 （もっと読む）

プラズマ強化型プロセスチャンバ内の部品の温度を調節するための方法及び装置が、本明細書内に提供される。いくつかの実施形態では、基板を処理するための装置は、プロセスチャンバと、プロセスチャンバ内でプラズマを形成するためにＲＦエネルギーを供給するＲＦ源を含む。プラズマが形成されたときに、プラズマによって加熱されるような部品が、プロセスチャンバ内に配置される。ヒーターは、部品を加熱するために構成され、熱交換器は、熱を部品から取り除くために構成される。チラーは、オン／オフ流量制御バルブを中に配置し、及び流量制御バルブを迂回させるバイパスループを有する第１フローコンジットを介して熱交換器に結合され、バイパスループは、流量比バルブを中に配置する。
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【課題】本発明は、基板に対する光学的および／または機械的な接触を必要としない、処理中の基板温度の精度の高い決定方法を提供する。
【解決手段】特定の壁温度を有する少なくとも１つの壁によって囲まれるガス流路を提供するステップと、基板の表面と少なくとも１つの壁との間に隙間ができるように、少なくとも１つの壁に隣接する前記ガス流路に基板を提供するステップと、前記隙間を少なくとも部分的に通って延在するガス流に、前記ガス流路を介して特定の質量流量を提供するステップと、ガス流路に沿ったガス流の圧力低下を判断するステップと、前記質量流量における、ガス流路に沿った圧力低下と壁温度と基板の温度との間の所定の関係を利用して、前記圧力低下から前記基板の温度を得るステップと、を含む基板温度の決定方法が開示される。さらに、開示される方法を実施する装置が開示される。 （もっと読む）

【課題】従来のレーザー散乱方式のパーティクルモニタでは、４５nmノード以降で課題となる３０nmレベルの微小なパーティクルを感度良く検出することが困難となる。
【解決手段】本発明によるパーティクルモニタは、プラズマ処理装置内に浮遊するパーティクルを集塵電極により積極的に集め、四重極リニアトラップ等を用いて特定の場所に蓄積し、これらを電気的に検出する、もしくは、レーザー散乱光を用いて検出する。 （もっと読む）

チャンバと、電磁放射線源とを含む半導体成長システム。反応チャンバの塩化物系化学物質による放射線源からの放射線の吸収を検出するように検出器が配置される。制御システムが、塩化物系化学物質による放射線の吸収に応答して、チャンバの動作を制御する。制御システムは、反応チャンバのパラメータを調節することによって、チャンバの動作を制御する。 （もっと読む）

【課題】再結合ライフタイム測定により熱処理に起因するウェーハの金属汚染、エピタキシャル層の欠陥等の不良を高感度かつ高い信頼性をもって評価すること。
【解決手段】１００〜１００００Ω・ｃｍの範囲の抵抗率を有するシリコンウェーハであることを特徴とする熱処理炉評価用ウェーハ。上記熱処理炉評価用ウェーハを使用する熱処理炉評価方法および半導体ウェーハの製造方法。 （もっと読む）

【課題】 ウエハの有無と、ウエハのプロセス進捗状況とを対応させて表示し、装置が停止した場合にも、操作者にウエハの処理状況を正確に知らせて、良品を廃棄するのを防ぎ、歩留りを向上させることができる半導体製造装置を提供する。
【解決手段】 ウエハ毎に搬送レシピを指定した搬送テーブル２９と、搬送レシピ毎にウエハの位置情報を格納する位置管理テーブル２２ａ〜２２ｃと、ウエハＮｏ．毎に位置情報とプロセス状況を格納する状況テーブル２５´を設け、位置情報監視手段２１´が、個々のウエハについて位置及びプロセス状況を監視し、ウエハ毎に異なる搬送レシピを設定した場合にも、ウエハ毎のプロセス進捗状況を表示する半導体製造装置である。 （もっと読む）

【課題】半導体製造装置の状態に応じた正確な制御データによって半導体製造装置の加工処理を制御する半導体製造装置の制御方法を得ること。
【解決手段】半導体製造装置によって加工処理されたウェハの処理結果を検査データ３１として測定するとともに、検査データ３１を加工処理の制御に反映する半導体製造装置の制御方法において、半導体製造装置のログデータＬ１，Ｌ２に基づいて、検査データ３１の中から半導体製造装置の動作状態が異常状態であった場合に加工処理されたウェハの処理結果を異常値として特定する異常処理特定ステップと、測定された検査データ３１および異常値に基づいて半導体製造装置の制御データ６１を作成する制御データ作成ステップと、作成した制御データ６１を用いて半導体製造装置の加工処理を制御する制御ステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】処理単位の全ての基板処理が終了していない状況でも、基板処理中に異常を検知することができ、異常を検知した後、例えば、以後の生産を停止させる機能を持つ基板処理装置を提供することにある。
【解決手段】プラズマを生成してウェハＷを処理する際に、サセプタに発生する自己バイアス電圧を検出する検出手段と、該検出手段から検出された前記自己バイアス電圧の最大値及び最小値と、予め設定された上限許容値、下限許容値及び許容値幅を格納する格納手段と、前記自己バイアス電圧の最大値と最小値との幅と前記上限許容値と下限許容値との幅との差を前記許容値幅と比較して処理の異常を判定する判定手段と、該判定結果に応じて異常を通知する通知手段とを有する。 （もっと読む）

【解決手段】処理中に処理チャンバ内の基板上の付着膜を特性化するための方法が提供される。方法は、測定コンデンサが第１の容量値に設定された状態で、プローブヘッドについての電圧電流特性を決定することを含む。方法は、また、測定コンデンサが第１の容量値よりも大きい容量値に設定された状態で、プローブヘッドにＲＦ列を印加することを含む。方法は、更に、付着膜についての初期抵抗値及び初期容量値を提供することを含む。方法は、尚もまた、初期抵抗値、初期容量値、及び電圧電流特性を利用して疑似電圧時間曲線を生成することを含む。方法は、尚も更に、一ＲＦ列の間における付着膜を通した電位降下を表わす測定電圧時間曲線を決定することを含む。方法は、そのうえ、これら２つの曲線を比較することを含む。もしこれらの差が所定の閾値未満である場合は、付着膜を特性化するために初期抵抗値及び初期容量値を利用する。 （もっと読む）

【課題】基板の主表面上に、基板の主表面を構成する材料の格子定数とは格子定数の異なる材料からなる薄膜を成膜することによりヘテロエピタキシャル膜を成膜させる際に、膜の界面付近において組成が急峻に変化していない遷移層が出現する。この遷移層が、ヘテロエピタキシャル膜の界面付近における結晶の特性を劣化させる。
【解決手段】成膜させたい薄膜を構成する材料の格子定数と、薄膜が成膜される基板の一方の主表面を構成する材料の格子定数とに応じて、主表面に沿った方向に対して基板を湾曲させる。そして、基板を湾曲させた状態で、その基板の一方の主表面上に薄膜を成膜させる。 （もっと読む）

【解決手段】基板処理中にプラズマを自動的に特性化するための方法が提供される。方法は、プロセスデータの集合を収集することを含み、該プロセスデータの集合は、電流及び電圧に関するデータを少なくとも含む。方法は、また、プロセスデータの集合について関連性範囲を特定することも含み、該関連性範囲は、プロセスデータの集合のなかの小集合を含む。方法は、更に、シード値の集合を決定することを含む。方法は、尚も更に、関連性範囲及びシード値の集合を用いて曲線適合を実施することを含み、該曲線適合は、プラズマが自動的に特性化されることを可能にする。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】レシピに対してマスフローコントローラ（ＭＦＣ）制御スキームを確立する方法が提供されており、ＭＦＣ制御スキームは、処理チャンバ内へのガス供給のタイムスケールを短縮するよう構成される。その方法は、レシピの実行中に利用され、目標供給タイムスケールよりも遅い１組の供給時間を有する１組の遅延ガス種を特定する工程を備える。その方法は、さらに、１組の遅延ガス種に含まれる各ガス種の初期オーバーシュート強度および初期オーバーシュート持続時間を確立する工程を含む。方法は、さらに、レシピの実行中に各ガス種のＭＦＣハードウェアを調整することによってＭＦＣ制御スキームを確立する工程を含む。ＭＦＣハードウェアの調整は、ＭＦＣ制御スキームが、各ガス種に、処理チャンバの平衡圧の目標精度の範囲内にある圧力プロファイルを提供するか否かを判定するために、初期オーバーシュート強度を初期オーバーシュート持続時間にわたって適用することを含む。 （もっと読む）

【課題】半導体基板などを加熱雰囲気中で成膜させる際には、昇温させるだけでも半導体基板には相当の反り（湾曲）が発生する。反りが原因で、基板上に成膜させた膜質の均質性が劣化したり、基板にクラックが発生しやすくなるなどの問題が起こる。
【解決手段】基板の主表面の上側と下側との両方から基板を加熱することにより、主表面の上側と下側との温度勾配（温度差）を小さくし、基板の反りを抑制する。 （もっと読む）

【課題】電力使用系に対する電圧及び電流を正確に測定して精度の高い抵抗値を求め、断線の予測を精度良く行うことができる電力使用系の断線予測装置を提供する。
【解決手段】電力使用系４２Ａ〜４２Ｅに対して個別に各給電ライン４６Ａ〜４６Ｅを介して供給される電力を制御するようにした電力供給回路系２４に設けた断線予測装置２６において、各給電ライン毎に設けられ、異なる周波数のパルス波をオフ期間に対応させて発生するパルス波発生手段５２Ａ〜５２Ｅと、自己のパルス波発生手段にて発生したパルス波を混合させるパルス波混合手段５４Ａ〜５４Ｅと、伝送される自己のパルス波を検出するパルス波検出手段５６Ａ〜５６Ｅと、パルス波検出手段にて検出されたパルス波に基づいて電力使用系の断線予測を判断する判断手段５８とを備える。 （もっと読む）

【課題】シール機構に問題がある場合に確実に装置の稼働を停止させることが可能な気相成長装置及び気相成長装置の稼働判断方法を提供する。
【解決手段】回転環とシール部材との間にパージガスを供給した後、パージガスの供給圧が基準範囲内であるか否かを判別する（ステップ１０４）。供給圧が基準範囲内であり、かつ、パージガスの供給により変位したシール部材の変位量が基準範囲内である場合に、モータによる回転軸の回転駆動が許可され、気相成長装置の稼働が許可される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、プロセスガスの無駄な消費を抑制することができるプラズマ処理装置、プラズマ処理方法、および電子デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】間隔を隔てて対向する一対の電極と、前記一対の電極間に電界を印加する電界印加手段と、前記一対の電極間にプロセスガスを導入する複数の導入管と、前記導入管に前記プロセスガスを供給するガス供給手段と、前記複数の導入管のそれぞれに設けられ、前記プロセスガスの導入を制御する選択弁と、前記導入管から前記一対の電極の間に導入される前記プロセスガスの流路上に設けられる被処理物のプラズマ処理されるべき処理領域の位置に関するデータに基づいて、前記選択弁を制御する制御手段と、を備えたことを特徴とするプラズマ処理装置が提供される。 （もっと読む）

生物学に基づく自律学習ツールシステムと、生物学に基づく自律学習ツールシステムが学習と分析とに用いる方法とを提供する。生物学に基づく自律学習ツールシステムは、（ａ）１つ以上のツールシステムと、（ｂ）相互作用マネージャと、（ｃ）生物学的な学習原理に基づく自律学習システムとを含む。１つ以上のツールシステムは、特定のタスク又はプロセスのセットを実行して、アセットと、アセットに関するデータとを生成する。アセットと、アセットに関するデータは、様々なプロセス及び関連するツールの性能を特徴付ける。相互作用マネージャは、データを受信して、フォーマットする。このようなシステムは、メモリプラットフォームと処理プラットフォームとを含む。メモリプラットフォームと処理プラットフォームは、再帰的に定義され、ネットワークを通して通信する。次第に複雑化する自律ツールをアセンブルするために、自律ツールシステムは、再帰的に配備され得る。個々の又はアセンブルされた複雑な自律ツールに関連する自律学習システムにおいて生成され蓄積された知識は、意味ネットワークにキャストされ得る。意味ネットワークは、コンテキストに基づいてツールの目標を学習して進めるために用いられ得る。 （もっと読む）