【課題】 半導体製造装置において、装置に異常が起こったときにその異常の原因を容易に推定できるようにすること。
【解決手段】 装置が異常になったときにその異常に関連する少なくとも２つの監視対象の監視結果の組み合わせパターンのモデルを用意しておくと共に各モデルと異常の原因とを対応付けて記憶部に記憶させておき、装置の異常が検出されたときに、その異常に関連する少なくとも２つの監視対象の監視結果の組み合わせパターンに対し、前記記憶部内のパターンのモデルの中で一致しているモデルが存在したときにはそのモデルに対応する異常原因を読み出して知らせるようにする。 （もっと読む）

多重変数制御器を含む適用性のある実時間熱プロセスシステムが提示される。その方法は、単分子層堆積システムの動的モデルを作成し、動的モデルに仮想センサを導入する。その方法は、インテリジェント設定点、動的モデル、かつ／または仮想センサを含むプロセス・レシピを使用することを含む。
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処理システム内で低圧堆積プロセスによって基板上の微小造形物内にシリコン含有膜を堆積する方法が提供される。シリコン含有膜は、基板を処理システムの処理チャンバー内に設置し、基板をヘキサクロロジシラン（ＨＣＤ）処理ガスに晒すことによって、微小造形物内に形成されることができる。また、例えばＨＣＤ処理ガス等の、シリコン及び塩素を含有するガスを用いて微小造形物内にシリコン含有膜を形成する処理システムを有する処理ツールが提供される。代替的に、微小造形物は、ＤＣＳ、ＳｉＣｌ_４及びＳｉＨＣｌ_３ガスに晒されてもよい。さらに代替的に、微小造形物は、（ＳｉＨ_４＋ＨＣｌ）に晒されてもよい。
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【課題】半導体製造装置に備えられる抵抗加熱ヒータの劣化程度や断線の時期を検出する。
【解決手段】抵抗加熱ヒータ５の昇温時の抵抗値を検出する抵抗値検出手段と、前記抵抗値検出手段により検出された抵抗値の変化を抵抗加熱ヒータ５の診断基準データ又は受診のための受診データとして外部データ通信回線を介して診断側に送信する送信手段１ｆとを備えた抵抗値検出装置１と、半導体製造装置に備えられる抵抗加熱ヒータ５の劣化診断装置２であって、外部データ通信回線を介してデータを受信する受信手段２ａと、前記受信手段２ａを介して半導体製造装置側から受信した抵抗加熱ヒータ５の診断基準データを格納する格納手段と、前記受信手段２ａを介して半導体生産装置側から受信した抵抗加熱ヒータ５の受診データを前記格納手段の診断基準データに対比してその大小により劣化状態を判定する。 （もっと読む）

【課題】被処理基板の温度均一性や温度制御応答性が高く、かつ十分な温度制御性を得ることができる基板載置台を提供すること。
【解決手段】基板処理装置において基板を載置する基板載置台４であって、載置台本体を構成する静電チャック４２と、静電チャック４２の基準面６０に、ウエハＷが載置された際にウエハの周縁部に接触するように形成され、その際にウエハＷの下方部分に熱伝達用ガスが充填される密閉空間６２を形成する周縁環状凸部６１と、基準面６０における周縁環状凸部６１の内側部分に、ウエハＷが載置された際にウエハＷと接触するように設けられた複数の第１突起部６３と、基準面６０における周縁環状凸部６１の内側部分に、第１突起部６３と独立して、ウエハＷが載置された際にウエハＷに接触せずに近接して設けられた複数の第２突起部６４とを有する。 （もっと読む）

【課題】 複数の基板上の各々に均一な膜厚を有する所定の膜を、高い生産効率で形成する機能性膜形成装置を提供する。
【解決手段】 制御装置１１２からの信号に基づいて駆動装置１１４により駆動されるベルトコンベアＢＣにより搬送されたパレットに載置された基板の各々の表面に表面処理装置１０２において濡れ性を付与する処理を施す。次に、成膜溶液塗布装置１０４において複数の基板の各々に配向膜材料を塗布すると共に、基板に対して配向膜材料の塗布を開始した時点からの時間を計測する。次に、配向膜材料の塗布を開始した時点から所定時間内に配向膜材料が塗布された基板を載置したパレットをベルトコンベアＢＣを介して乾燥装置１０６に搬送する。乾燥装置１０６においては、基板上に塗布されている配向膜材料の仮乾燥を行い、焼成装置１０８において基板を焼成し配向膜を形成する。そして、ラビング装置１１０において形成された配向膜にラビング処理を施す。 （もっと読む）

【課題】半導体処理装置に供給される電力の変動を管理する方法を提供する。
【解決手段】ある態様では、本発明は、半導体処理装置に供給される電力の変動を管理する方法を提供し、その方法は、半導体処理活動中の電力変動事象の発生を検出するために半導体処理装置に供給される電力を監視する過程を含む。電力変動事象を検出すると、半導体処理は、中断されてよい。電力変動事象の終了の後に、半導体処理装置の少なくとも一つの動作パラメーター、例えば、排気された処理チャンバ内の真空レベル、が測定されてよく、半導体処理は、測定された動作パラメーターが受容可能な範囲内にある場合には、再開されてよい。測定された動作パラメーターは、好ましくは、電力変動事象によって悪影響を及ぼされた場合に他の動作パラメーターよりもゆっくりと回復する動作パラメーターを含んでいてよい。 （もっと読む）

【課題】III−Ｖ族化合物半導体層の層厚を目標値に一致させることができる半導体層の層厚制御方法を提供する。
【解決手段】有機金属気相成長装置を用いて、ＡｌとＧａとＡｓとを含む材料ガスをｎ−ＧａＡｓ基板１１に供給することにより、光反射層２１をｎ−ＧａＡｓ基板１１上に形成する。このとき、材料ガスによってサセプタ１の中央部に堆積する堆積物の量を求め、堆積物の量に応じて、材料ガスのIII族元素の供給量を変更する。 （もっと読む）

【課題】材料処理システムを監視する方法及び装置
【解決手段】本発明は、材料処理システムを監視する改良された装置及び方法を提供し、前記材料処理システムは、処理ツールと、電気的データを生成して伝送するために、前記処理ツールに結合された多数のＲＦ反応電気センサと、前記複数のＲＦ反応電気センサから前記電気的データを受取るように構成されたセンサインタフェースアセンブリ（ＳＩＡ）とを含む。
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【課題】 膜厚の再現性向上を図ることができるＥＣＲスパッタ装置の提供。
【解決手段】 ＥＣＲスパッタ装置において、ターゲット電圧を一定とするとともに、ターゲット電流値の変化に応じて前記マイクロ波発生部のマイクロ波電力を変化させてターゲット電流値が一定となるように制御する制御部とを設ける。その結果、成膜レートが安定するとともに、反応性スパッタにおける膜質の向上を図ることができる。さらに、ターゲット電流値の積分値が予め設定された所定値に達したならば成膜を終了することにより、膜厚の再現性の向上を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理条件が変化することによって、プラズマのインピーダンスが、大幅に或いは急峻に変動する場合においても、適切なインピーダンス調整を実現し、プラズマ処理による製品の品質および再現性を改善する。
【解決手段】高周波電源１１３より出力された高周波電力を、整合器１１４及び高周波電極１１７を介して反応容器１０１内に導入し、プラズマを生起して、基体１０２にプラズマ処理を施す。この際、高周波電源１１３の出力インピーダンスと整合器１１４の入り口のインピーダンスとのインピーダンス整合の状態を表す整合パラメーターが、予め設定された設定条件を満たすように、整合器１１４内の整合回路のインピーダンス調整を実施する。この設定条件は、プラズマ処理条件が一定の際の設定条件をｐ、プラズマ処理条件が変化する際の設定条件をｑとした場合、ｐ⊂ｑとする。 （もっと読む）

【課題】 信頼性の高い異常検出システムを提供する。
【解決手段】 マスフローコントローラ１１ｂの検出情報を２重に検出し，当該各検出情報毎に，入力部や判定部を有する回路Ｃ１，Ｃ２が備えられる。入力部６０，７０は，入力したアナログの検出情報をデジタル化できる。各判定部６３，７３は，同じ回路の入力部から出力された検出情報に基づき，マスフローコントローラ１１ｂで制御されているガス流量の適否を判定できる。また，各判定部６３，７３は，同じ回路の入力部から出力された検出情報と，異なる回路の入力部から出力された検出情報との整合の適否を判定できる。 （もっと読む）

【課題】均一な膜厚のエピタキシャル膜を得ることができる気相エピタキシャル成長装置を提供する。
【解決手段】ウェーハＷが投入されるチャンバ１１と、チャンバ内に反応ガスを導入するガス導入装置１２と、ガス導入装置により導入された反応ガスの流量を検出するガス流量センサー１５と、チャンバ内に投入されたウェーハを加熱するヒーター１３１〜１３４と、ヒーターによる加熱エネルギーを調節する加熱調節装置１６と、チャンバ内に投入されたウェーハの温度を検出する温度センサー１４１〜１４２と、ガス流量センサーにより検出されたガス流量と温度センサーにより検出されたウェーハ温度とをパラメータとして入力し、予め定められたシミュレーションモデルにしたがってエピタキシャル膜が最も均一となるときの加熱エネルギーの最適値を求め、これを加熱調節装置に出力する制御装置１７とを備える。 （もっと読む）

本発明は、プラズマの励起電流の電気的特性を測定するためのプローブに関する。当該プローブは、内側導体（２１）および外側導体（２２）を含む導電性ライン（２０）上に取り付けられており、電流センサ（４１）および電圧センサ（４２）を含み、該電流センサが、該導体（２２）中を流れる電流のための迂回路を形成するために、該導体の１つの主要部内に形成されたグルーブ（４１０）と、該導体に接続されたアースと該グルーブのポイントとの間の電圧を測定するためのポイントとを含み、それによって、該電流センサは、該励起電流の強度（Ｉ_{ｐｌａｓｍａ}）の一次時間微分に比例する電圧（Ｖ１）を測定することができる。該電圧センサ（４２）は、該励起電流の電圧（Ｖ_{ｐｌａｓｍａ}）の一次時間微分に比例する電圧（Ｖ２）を測定することができる分路センサである。本発明はまた、上記タイプのプローブを有するプラズマ反応器に関する。 （もっと読む）

【課題】 クラックの発生を抑制することができるようにした絶縁膜の形成方法及び、絶縁膜の形成装置を提供する。
【解決手段】 メタル配線が形成された半導体基板上にＴＥＯＳ膜を形成する方法であって、シリコンウエーハに一定の大きさ以上の反りが有るか無いかを検査し（ステップＳ１〜Ｓ３）、反りが有る場合には当該反りを強調する方向に応力が働くＴＥＯＳ膜をシリコンウエーハ上に形成し（ステップＳ４，５）、反りが無い場合には応力特性が中庸であるＴＥＯＳ膜をシリコンウエーハ上に形成する（ステップＳ６）。このような構成であれば、ＴＥＯＳ膜の応力はシリコンウエーハの反りを強調する方向に働くので、シリコンウエーハとＴＥＯＳ膜との間で作用し合う力を緩和することができる。 （もっと読む）

【課題】不活性ガスとともに酸素ガスを用いたスパッタ法において、より安定した酸化の状態で酸化物の薄膜が形成できるようにする。
【解決手段】高周波電源１２１の出力の交流電圧の平均値Ｖ_DCを検出するＶ_DCモニタ１２２と、Ｖ_DCモニタ１２２が検出したＶ_DCにより反応性ガス導入部１１２より導入されるガスの流量を制御するマスフローコントローラ１２３を制御する制御部１２４とを備え、Ｖ_DCモニタ１２２で検出されたＶ_DCの値が、既定値Ｖ₀となるように、制御部１２４がマスフローコントローラ１２３を制御し、反応性ガス導入部１１２より導入される酸素ガスの流量を制御する。 （もっと読む）

プラズマ処理システムを監視するために圧力制御システムを使用する方法と装置が提供されている。圧力制御システムの状態における変化を監視することで、故障状態、誤作動故障状態又はサービス状態が決定される。例えば、サービス状態には、継続的な予防保守作業間の残渣の蓄積の監視が含まれる。
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【課題】 常に一定の紫外線強度をもって処理基板を処理できる熱安定化装置を提供する。
【解決手段】 処理基板Ｗに照射する紫外線強度については予め決めておき、この値とセンサ１６で検出した紫外線強度とが異なる場合には、昇降部材１５によってランプハウジング１２を昇降動させ、所定の強度の紫外線を処理基板Ｗに照射する。このようにして、処理基板Ｗの表面に形成したレジスト膜に、減圧下で、加熱と紫外線照射を施すことで、熱安定化処理が終了し、この後は通路６を介して処理空間Ｓ内に不活性ガスを充填し、処理基板Ｗを払い出し、この後例えばエッチングにてパターンを形成するとともにパターン間にめっき液を供給する。 （もっと読む）

プラズマ処理システムの半導体基板を処理する処理方法が開示される。本処理方法は、第１の電気的な測定装置に接続された第１の端子と、第２の電気的な測定装置に接続された第２の端子とを有する高周波結合構造体を提供することを含む。本処理方法は、第２の端子に補償回路を接続することも含んでいる。本処理方法は、前記第１の電気的な測定装置および前記第２の電気的な測定装置から情報を得るように接続されたフィードバック回路を提供し、フィードバック回路の出力が、前記第１の端子の第１の電気値と前記第２の端子の第２の電気値の間の比率をほぼ所定の比率に保つように前記補償回路を制御するのに用いられる。 （もっと読む）

バッチ式プロセスシステムのプロセスチャンバにおけるシステム構成要素の状態をモニタリングするための方法及びシステムが提供されている。この方法は、システム構成要素を光源からの光に露出させることと、システム構成要素の状態を決定するためにシステム構成要素との光の相互作用をモニタリングすることとを有している。この方法は、チャンバクリーニングプロセス、チャンバコンディショニングプロセス、基板エッチングプロセス及び基板フィルム形成プロセスを含み得るプロセスの間のシステム構成要素からの光の透過並びに／もしくは光の反射を検出することができる。システム構成要素は、プロセスチューブ、シールド、リング、バッフル及びライナーのようなシステムの消耗する部分であり得て、保護コーティングをさらに有することができる。
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