説明

Fターム[5F046AA28]の内容

Fターム[5F046AA28]に分類される特許

2,261 - 2,280 / 2,345


【課題】 フォトレジスト層を露光対象とする液浸露光法において、フォトレジスト層における難溶化層の形成などによるレジスト形状異常の発生を抑制する。
【解決手段】 フォトレジスト層3上に、このフォトレジスト層3の感光波長帯と少なくとも一部重複する透過光波長帯を有するレジスト保護層4を設け、レジスト保護層4を、フッ素系有機溶媒などの極性溶媒やアルカリ性水性溶媒にのみ溶解する構成として、フォトレジスト層3からの酸及び酸発生剤の流出を回避する。 (もっと読む)


【課題】プレス加工による正常なパターンの転写が可能なインプリント加工用スタンパーを提供する。
【解決手段】表面に凹凸パターンを有する金属製のスタンパー本体と、スタンパー本体の表面に形成された、無機カーボンを10%以上含む膜とを具備したインプリント加工用スタンパー。 (もっと読む)


【課題】 露光装置のデフォーカス量を簡単且つ精度良く測定する。
【解決手段】 投影露光装置の投影光学系により基板上に転写されるマスクパターンが設けられた露光マスクであって、マスクパターンは、高低差のある基板32上の各高さに転写される一のパターンを含み、基板32上における投影露光装置のデフォーカス量によって、基板32上における各高さに転写されるパターンA,Bの寸法差または終端部の後退量差が変動する。これにより、露光装置のデフォーカス量を簡単且つ精度良く見積もることができる。 (もっと読む)


本発明は、微細加工ツールを支持するための機器に関し、特に、調節可能な支持体を備えた、微細加工ツール用ペデスタルに関する。本発明の一態様によれば、微細加工ツール用のペデスタル(10)が提供される。このペデスタルは、微細加工ツールを支持するように構築され、配されるフレームと、フレームに沿って移動可能であり、フレームに連結された複数の支持体(30)を備える。本発明の別の態様によれば、微細加工ツールを支持するための方法が提供される。この方法は、微細加工ツールを支持するように構築され、配されるフレームと、このフレームに連結される複数の支持体とを具備するペデスタルを設けること、およびこの支持体を、フレームに対して相対的に横方向に再配置すること、を含む。
(もっと読む)


【課題】放射ビームを生成する供給源、この放射ビームの経路内に配置された汚染物質トラップ、及びこの供給源によって生成された放射ビームを調整するように構成された照明システムを備える放射システムと、パターン化装置を支持する支持部とを含むリソグラフィ機器を提供すること。
【解決手段】このパターン化装置は、調整された放射ビームの横断面にパターンを付与するように働く。この機器は、基板を保持する基板テーブル、及びこの基板の目標部分にパターン化された放射ビームを投影する投影システムも含む。汚染物質トラップは、放射ビームの伝播方向にほぼ平行に配置されるチャネルを形成する複数のフォイルを含む。このトラップは、このトラップのチャネルの少なくとも1つにガスを注入するように配置されたガス供給システムを備える。 (もっと読む)


【課題】 液浸露光における現像液で剥離でき、なおかつレジスト膜上における均一塗布性に優れ、経時保存後のパーティクル発生数が軽減され、更には下層のレジスト組成物の感度を向上させうる、新規な保護膜を形成しうる保護膜形成組成物を提供する。
【解決手段】 (A)水不溶性かつアルカリ可溶性である樹脂、および(B)溶剤を含有し、且つ金属不純物の含有量が100ppb以下であることを特徴とする液浸露光用保護膜形成組成物、およびそれを用いたパターン形成方法。 (もっと読む)


【課題】ナノインプリント法による凹凸基板の製造時間を短くする。
【解決手段】 基板20上に樹脂30を塗布し、複数の凹部11を有する型10を基板20に押付けて、複数の凹部11に対応した複数の樹脂製凸部が形成されたパターン基板を製造し、このパターン基板の複数の樹脂製凸部をレジストとして、基板20を加工して凹凸基板を製造する。型10としては、基板20上における単位面積当りの樹脂30の塗布量よりも、型10の単位面積当りの全凹部11の容積が大きくなるよう、型10の凹部11が樹脂製凸部の目的の高さhよりも深い部分を有するものを用いる。 (もっと読む)


【課題】 より定量的な評価が可能な露光装置の評価方法を提供する。
【解決手段】 区画領域に対して前記パターンの露光を行う際の動作シーケンスを記憶する第1工程(S102)と、前記動作シーケンスのうち、前記露光動作に関わる動作パラメータの設定を変更しながら走査型露光装置を動作せしめる第2工程(S103)と、前記第2工程において前記走査型露光装置を動作せしめている時に、前記走査型露光装置の第1特性に関する情報を前記走査型露光装置内に設けられている測定装置を用いて、前記動作パラメータが変更される度に測定する第3工程(S104)と、前記第3工程で測定された複数の前記第1特性に関する情報に基づいて、前記走査型露光装置の前記所定性能を推定演算(シミュレーション)する第4工程(S105)と、を有する。 (もっと読む)


ナノスケールフィーチャを有するパターン(18a)を型(10)から基板(14)上のパターン形成可能な層(18)にインプリントする方法を提供する。この方法は、型(10)を準備し、基板(14)上にパターン形成可能な層(18)を形成し、パターン形成可能な層(18)上に型(10)をインプリントすることを含み、このパターン形成可能な層(18)は、固体状態から液体状態への室温より少なくとも10℃高い範囲の転移温度を有する金属または合金を含む。
(もっと読む)


【課題】 エレメント(光学素子)の汚染に起因する露光精度の劣化を防止でき、液浸領域の巨大化を抑制できる露光装置を提供する。
【解決手段】 露光装置EXは、投影光学系PLと液体とを介して基板Pを露光する。投影光学系PLは、その像面に最も近い第1光学素子LS1と、第1光学素子LS1に次いで像面に近い第2光学素子LS2とを有している。第1光学素子LS1は、基板Pの表面と対向するように配置された下面T1と、第2光学素子LS2と対向するように配置された上面T2とを有している。そして、上面T2のうち露光光ELが通過する領域AR’を含む一部の領域のみが液浸領域となるように第1光学素子LS1の上面T2と第2光学素子LS2との間が第2液体LQ2で満たされ、第1光学素子LS1の下面T1側の第1液体LQ1と上面T2側の第2液体LQ2とを介して基板P上に露光光ELを照射することで基板Pが露光される。 (もっと読む)


【課題】 レジスト保護膜の影響によるパターニング不良を解消し、安定した微細レジストパターンを形成するための技術を提供する。
【解決手段】 基板上にレジストよりなる層(レジスト層)を形成し、レジスト層上に制電性樹脂と光酸発生剤とを含んでなるレジスト保護膜を形成し、レジスト保護膜に対し選択的に活性エネルギー線を照射し、レジストを現像し、レジストパターンを形成する。 (もっと読む)


【課題】空間光変調器に損害を与える危険のない、空間光変調器を使用した光学システム用の波面測定システムおよび波面測定方法を提供すること。
【解決手段】電磁放射線源と、電磁放射線を、回折パターンを生成する空間光変調器に向ける照明系と、空間光変調器の像を像面上に投影する投影光学系と、像面におけるシヤリング格子と、像面からフリンジパターンを受ける検出器とを含む波面測定システムおよびソースで電磁放射線を生成し、電磁放射線を空間光変調器に供給し、空間光変調器で回折パターンを形成し、回折パターンを投影光学系の瞳にわたってスキャンし、ソースの像を受け取り、像から波面パラメータを定める、光学系の波面を測定する方法。 (もっと読む)


【課題】 半導体ウェハに形成されているノッチ部が裏面から表面にまで貫通しており、レジスト除去工程にて半導体ウェハ表面に達しているノッチ部にて溶剤の飛散、液浸露光時のパターンのばらつき、保護テープ切り離し工程での保護テープの密着性悪化など発生していた。
【解決手段】 裏面から表面に達しない溝によりノッチ部が形成されている半導体ウェハを提供する。これにより、半導体ウェハ表面にノッチ部が露出しないため、各種プロセス実行時にノッチ部に起因する障害の発生を防止することを可能とした。 (もっと読む)


リソグラフィを介して形成されたパターンにおいて、丸くなった角、ライン端部の短縮のような欠陥を補正する為の方法および装置を提供する。このような欠陥は、ピクセル・マップのグレースケール値を操作することにより、「後のラスタライゼーション」で補正される。
(もっと読む)


【課題】 近接場露光に使用するフォトマスクにおいて、各スリットにおける近接場光の強度分布が同等となるようにする。
【解決手段】 フォトマスクを使用して、波長436nmの露光光で露光を行う。フォトマスクの遮光膜102には、5本のスリットsを相互に平行に形成されている。各スリットsの開口長さは2000nm、各スリットS間のピッチp(中心間距離)は、100nmである。内側の3本のスリットSは、開口幅40nmに、また外側の2本のスリットSの開口幅は50nmに設定した。これにより、波長436nmの露光光で露光を行ったときに、各スリットsによる近接場光の強度分布を同等にすることができる。 (もっと読む)


【課題】 ナノインプリント法を用いることでコストを抑えることができる、半導体装置の作製方法の提案を課題とする。
【解決手段】 本発明は、島状の半導体膜上にゲート絶縁膜と、導電膜と、レジストとを順に形成し、パターンが形成されたモールドをレジストに押し付けた状態でレジストの硬化を行なうことで、パターンをレジストに転写し、導電膜の一部が露出するまでパターンが転写されたレジストの表面をアッシングし、アッシングされたレジストをマスクとして用い、導電膜をエッチングすることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】従来の技術では達成できなかった高アスペクト比構造を実現する。
【解決手段】微細な凹凸構造を備えた微細パターンを形成されたモールドをパターニング材料に圧接して、上記パターニング材料に微細な凹凸構造を備えた微細パターンを形成する微細パターン形成方法において、微細な凹凸構造を備えた微細パターンを形成されたモールドとパターニング材料とを圧接する第1のステップと、上記圧接された上記モールドと上記パターニング材料とを圧接方向と直交する方向に相対的に移動させる第2のステップと、上記モールドと上記パターニング材料との圧接を解除して、上記パターニング材料から上記モールドを引き抜く第3のステップとを有する。 (もっと読む)


【課題】 露光用マスクの破壊防止と寿命の向上が可能な露光装置を提供する。
【解決手段】 加減圧手段51により、微小開口パターンを有する露光用マスク109を加減圧により弾性変形させて被露光物110Aに接触、又は剥離させると共に、制御手段200により加減圧手段51による加減圧動作を制御する。さらに、制御手段200により、加減圧手段51による加減圧動作を予め用意された制御データに基づいて制御することにより、急激な加圧や減圧による露光用マスク109への衝撃負荷を低減することができるようにする。 (もっと読む)


【課題】 本発明は、レチクルチャック面のクリーニングを自動的に行い、露光装置のダウンタイムを低減することが可能な露光装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 レチクル搬送装置またはレチクル交換装置のいずれかを用いてレチクルチャック面をクリーニングする工具を搬送し、この工具を用いてレチクルチャック面のクリーニングを行うことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】 本発明は、環境制御されたチャンバー内部に基板の搬出入を行うロードロック機構において、チャンバー内部とロードロック内部の圧力差を短時間でなくし、ロードロック内部とチャンバー内部を繋いだときのパーティクルの巻き上げ等を防止することのできるロードロック機構を提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明は、互いに独立した2つ以上の異なる雰囲気の空間のそれぞれとゲートバルブを介して連結自在であるロードロック機構において、前記空間のうち少なくとも1つの空間と、少なくとも1つのロードロック機構とを、少なくとも1つの圧力調整手段を介して連結したことを特徴とする。 (もっと読む)


2,261 - 2,280 / 2,345