【課題】３層レジストプロセス用下層膜として反射率を低減でき（反射防止膜として最適なｎ値、ｋ値を有し）、埋め込み特性に優れ、パターン曲がり耐性が高く、特には６０ｎｍよりも細い高アスペクトラインにおけるエッチング後のラインの倒れやよれの発生がない下層膜を形成できるレジスト下層膜材料、及びこれを用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】少なくとも、下記一般式（１−１）及び／又は（１−２）で示される１種類以上の化合物と、水酸基を有するベンズアルデヒド、及び／又は、水酸基を有するナフトアルデヒドの１種類以上の化合物及び／又はその等価体とを縮合することにより得られるポリマーを含有するレジスト下層膜材料。
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【課題】 本発明は、リソグラフィーで用いられる多層レジスト膜のレジスト下層膜、特には３層を有する多層レジスト膜のレジスト下層膜、又は、レジストパターンの側壁に直接珪素酸化膜を形成したり、レジストパターンに珪素酸化膜を形成してポジネガ反転を行う際に用いるレジスト下層膜であり、反射率を低減でき、エッチング耐性が高いレジスト下層膜を形成するためのレジスト下層膜形成方法及びこれを用いたパターン形成方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 リソグラフィーで用いられる多層レジスト膜のレジスト下層膜を形成するためのレジスト下層膜材料であって、少なくともフッ素原子を有するスチレン誘導体単位を、繰り返し単位として含有する重合体を含むものであることを特徴とするレジスト下層膜材料。 （もっと読む）

【課題】第１レジストパターンの保護性能の向上及び第２レジストの面内塗布性能の向上が図れ、かつ、レジストの省薬液化を図れるようにしたレジストパターン形成方法及びその装置を提供すること。
【解決手段】ウエハにレジスト塗布処理、露光処理及び現像処理等のリソグラフィ処理を施して所定のパターンを形成するリソグラフィ工程を繰り返し行うレジストパターン形成において、ウエハに架橋剤を含有するレジストを塗布（Ｓ−１）し、その後、露光（Ｓ−４）及び現像（Ｓ−６）して第１レジストパターンを形成する。第１レジストパターンに紫外線を所定時間照射（Ｓ−７）すると共に、第１レジストパターンが形成されたウエハを所定温度で加熱（Ｓ−８）した後、第１レジストパターンが形成されたウエハに、第２レジストを塗布（ｓ−９）、露光（Ｓ−１２）及び現像（Ｓ−１４）して第２レジストパターンを形成する。 （もっと読む）

【課題】 保存安定性に優れており、レジスト膜との密着性に優れるシリコン含有膜を形成することができると共に、裾引き等のないボトム形状に優れるレジストパターンを安定して形成できるシリコン含有膜形成用組成物を提供することである。
【解決手段】 （Ａ１）ポリシロキサン、（Ｂ）特定構造を有する化合物、および（Ｃ）有機溶媒を含有することを特徴とするシリコン含有膜形成用組成物を提供する。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、単層レジストプロセス、多層レジストプロセス、サイドウォールスペーサー法用等のレジスト膜の下層のレジスト下層膜を形成するためのレジスト下層膜材料であって、現像後のレジストパターンの裾引きが抑制され、また、アンダーカット形状や逆テーパー形状を抑制し、パターン倒れがないレジスト下層膜材料、及びこれを用いてリソグラフィーにより基板にパターンを形成する方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 下記一般式（１）で示される繰り返し単位を有し、光及び／又は熱によってスルホン酸を発生する高分子化合物を含むものであることを特徴とするレジスト下層膜材料。
【化１】
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【課題】浸漬リソグラフィ処理に適した、フォトレジスト組成物の上に適用されるバリアー層組成物を提供する。別の面において、浸漬リソグラフィ処理のための新規な方法を提供する。
【解決手段】浸漬リソグラフィ用のバリアー層として、少なくとも樹脂主鎖内にフッ素置換基を含有していない１種以上の樹脂をはじめとする、１種以上の非溶媒担体材料（成分）を含有する。 （もっと読む）

【課題】三次元表面パターンを有するユニットを形成する方法及びこの方法の使用の提供。
【解決手段】ベース層３上に、第１処理ステップにてフォトレジストを適用。第２処理ステップにて、予め定められたマスキング露光１３をフォトレジスト層９に施す。第３処理ステップにて、フォトレジスト層９の一部を現像除去し、犠牲層領域２５を有する初期表面パターンを得る。第４処理ステップにて、初期表面パターンを覆うコーティング２９、３１を、好ましくは交代層システムとして、特にスパッタリング法で適用。第５処理ステップにて、犠牲層領域２５を不安定化させるため初期表面パターンにエネルギーを適用。第６処理ステップにて、初期表面パターンに予め定められた処理温度にて高圧液体ジェット３３を作用させ、それにて犠牲層領域２５を覆うコーティング２９の少なくとも一部を最終表面パターンを得るために機械的に除去、又は少なくともこじ開ける。 （もっと読む）

【課題】ＥＵＶ光によるリソグラフィ工程において、アウトガスの発生を抑制し、かつ製造コストの低減を図る。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、基板１０上に減圧又は真空雰囲気下においてアウトガスを発生する膜１１及び１２を形成する工程と、前記膜上に前記膜が露出しないように、減圧又は真空雰囲気下において前記膜よりも単位面積あたりのアウトガスの発生量が少ないレジスト膜１３を形成する工程と、前記レジスト膜に対してＥＵＶ（Extreme Ultra Violet）光によるパターン光を照射し、前記レジスト膜を露光する工程と、前記レジスト膜を現像する工程と、前記レジスト膜及び前記膜、又は前記膜をマスクとして前記基板を加工する工程と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】液浸リソグラフィによる溶解コントラストを向上して、良好な形状を有する微細パターンを得られるようにする。
【解決手段】基板２０１の上にレジスト膜２０２を形成する。続いて、レジスト膜２０２の上に、ハロゲン化アダマンタンを含むバリア膜２０３を形成する。続いて、バリア膜２０３の上に液体２０４を配した状態で、バリア膜２０３を介してレジスト膜２０２に対して露光光２０５を選択的に照射してパターン露光を行なう。パターン露光を行なった後に、バリア膜２０２を除去し、さらに、パターン露光が行なわれたレジスト膜２０２に対して現像を行なってレジストパターン２０２ａを形成する。 （もっと読む）

【解決手段】一般式（１）で表される繰り返し単位を有する高分子化合物（Ｐ１）を含むレジスト保護膜材料。


（Ｒ¹は水素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基である。Ｒ^2a及びＲ^2bは水素原子、又は炭素数１〜１５の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基であり、Ｒ^2aとＲ^2bは互いに結合してこれらが結合する炭素原子と共に環を形成することもできる。Ｒ³は単結合、又は炭素数１〜１５の直鎖状、分岐状又は環状のアルキレン基である。Ｒ⁴は炭素数１〜２０の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基又はフッ素化アルキル基であり、−Ｏ−又は−Ｃ（＝Ｏ）−を含んでもよい。）
【効果】上記レジスト保護膜材料はヘキサフルオロアルコールの水酸基が保護された構造を含み、波長２００ｎｍ以下の放射線に対して優れた透明性を有する。 （もっと読む）

【課題】寸法を選択的かつ適切に制御した半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、被加工膜上にレジスト膜を形成する工程と、前記レジスト膜を露光する工程と、前記レジスト膜を現像してレジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンの特定箇所に選択的にエネルギー線を照射して前記レジストパターンの前記特定箇所に酸性成分を発生させる工程と、記酸性成分により架橋反応を生じる架橋材を含む膜を、前記酸性成分が発生したレジストパターン箇所を覆うように、前記被加工膜上に形成する工程と、前記架橋材と前記レジストパターンを反応させて、前記レジストパターンの一部に架橋層を形成する工程と、前記レジストパターンと前記架橋層をマスクに前記被加工膜を加工する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】液浸露光の際にフォーカス精度の悪化を抑制できるレジストパターンの形成方法を提供する。
【解決手段】被加工膜１２上にフッ素含有ポリマーを添加した下層膜１３を形成し、この下層膜をベークし、上記下層膜上に中間膜１４を形成し、この中間膜１４上にレジスト膜１５を形成する。上記レジスト膜をベークし、レジスト保護膜１６を形成し、このレジスト膜を液浸露光した後、上記レジスト膜を現像してレジストパターンを形成する。 （もっと読む）

【課題】 リソグラフィーで用いられる多層レジスト法において、フォトレジスト膜の良好なパターン形成が可能であり、良好なドライエッチング耐性を有するエッチングマスク用ケイ素含有膜を形成でき、保存安定性が良好であり、剥離プロセスで使用される溶液で剥離が可能なケイ素含有膜形成用組成物、ケイ素含有膜形成基板、更にパターン形成方法を提供する
【解決手段】 リソグラフィーで用いられる多層レジスト法において成膜されるケイ素含有膜を形成するための熱硬化性ケイ素含有膜形成用組成物であって、少なくとも、（Ａ）酸を触媒として用いて加水分解性ケイ素化合物を加水分解縮合することにより得られるケイ素含有化合物、（Ｂ）熱架橋促進剤、（Ｃ）炭素数が１〜３０の１価又は２価以上の有機酸、（Ｄ）３価以上のアルコール、（Ｅ）有機溶剤、を含むことを特徴とする熱硬化性ケイ素含有膜形成用組成物。 （もっと読む）

【課題】重ね合わせ露光を行うことなくリソグラフィ・プロセスを用いて、露光装置の解像限界を超えるような微細パターンを形成する。
【解決手段】パターン形成方法は、ウエハＷ上にネガレジスト３及びより高感度のポジレジスト４を塗布することと、ウエハＷのポジレジスト４及びネガレジスト３をライン・アンド・スペースパターンの像で露光することと、ポジレジスト４及びネガレジスト３をウエハＷの表面の法線に平行な方向に現像することとを有する。 （もっと読む）

【課題】蒸着装置を改造することなく、金属膜形成工程における側壁付着部の形成を防ぐことができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１１上に４層のレジスト層を形成するレジスト形成工程において、第１の難溶化層１５及び第２の難溶化層１９が、第１のレジスト層１３及び第２のレジスト層１７に対してアルカリ難溶性の材料よりなり、露光後に複数のレジスト層を現像する現像工程において、第１の難溶化層１５及び第２の難溶化層１９が、第１のレジスト層１３及び第２のレジスト層１７に対して庇形状に現像される。このような構成によれば、金属膜形成工程において、第１の難溶化層１５及び第２の難溶化層１９の突出部１５ａ，１９ａが、蒸着金属粒子の進路を遮り、第１のレジスト層１３の側壁部１３ｓへの金属膜の付着を防ぐことができる。 （もっと読む）

【課題】 形成される回折格子のさらなる微細化が図られた回折格子の形成方法を提供する。
【解決手段】 本発明は、フォトマスク５０を用いて光導波路層１４に回折格子４０を形成する方法であって、光導波路層１４上に、フット部端面５４ａの幅ｗ１がヘッド部端面５６ａの幅Ｗ２よりも狭い断面形状を有する複数のマスク部５２が周期的に並んだフォトマスク５０を形成し、そのフォトマスク５０をマスクとして光導波路層１４をエッチングした後、光導波路層１４の上面１４ａを樹脂７０で覆ってフット部５４を樹脂７０で囲む。そして、フォトマスク５０を除去して、光導波路層１４の上面領域１４ａのうち、マスク部５２のフット部端面５４ａに対応する領域１４ｂを樹脂７０から露出させ、今度は樹脂７０をマスクとして、光導波路層１４の上面１４ａの露出領域１４ｂをエッチングし、最後に光導波路層１４の上面１４ａから樹脂７０を除去する。 （もっと読む）

【課題】ホールパターンの疎密に依存することなく解像限界以下のホールパターンを形成する方法を提供することを目的とする。
【解決手段】半導体基板１０１上に形成した加工対象層１０２に微細なホールパターン５５を形成するホールパターンの形成方法であって、前記加工対象層１０２上に、カーボン膜層１０３、中間マスク層１０４、フォトレジスト層１０５を順次積層して３層構造体を形成する３層構造体形成工程と、前記中間マスク層１０４にホールパターン５０をパターニングする中間マスク層パターニング工程と、サイドウォール用酸化膜形成工程と、前記サイドウォール用酸化膜１０６からなるサイドウォール部１１６を形成するサイドウォール部形成工程と、前記加工対象層１０２に前記微細なホールパターン５５をパターニングする加工対象層パターニング工程とを有することを特徴とするホールパターンの形成方法を用いることにより、上記課題を解決できる。 （もっと読む）

【課題】良好な形状を有する微細なパターンを得ることのできるダブルパターニングを用いたパターン形成方法を提供することにある。
【解決手段】基板１０１上に下層膜１０２、中間層膜１０３を形成した後、第１のレジスト膜１０４を用いた１回目のパターン露光、及び第２のレジスト膜１０７を用いた２回目のパターン露光で形成されたレジストパターンを中間層膜１０３に転写し、さらに中間層パターン１０３ｂをマスクに下層膜１０２をエッチングして下層膜パターン１０２ｂを形成する。ここで、下層膜１０２は、フッ素系の界面活性剤又は無機のナノパーティクルを添加物として含み、酸素系プラズマに対する耐性が付与されている。 （もっと読む）

【課題】ダブルパターニング法における工程数を低減できる新規なパターン形成方法を提供する。
【解決手段】支持体上に第一のポジ型レジスト組成物を塗布して第一のレジスト膜を形成し、該第一のレジスト膜上に第二のポジ型レジスト組成物を塗布して第二のレジスト膜を形成し、該第一のレジスト膜の最低露光量（Ｅｔｈ_１）よりも小さくかつ該第二のレジスト膜の最低露光量（Ｅｔｈ_２）よりも大きな露光量（Ｄｏｓｅ_２）で、該第二のレジスト膜に対し選択的に露光し、現像して、該第二のレジスト膜からなる粗パターンを形成し、該第一のレジスト膜の最低露光量（Ｅｔｈ_１）よりも大きな露光量（Ｄｏｓｅ_１）で、該第一のレジスト膜に対し、該粗パターンを介して露光し、現像して、該粗パターンを除去すると共に該第一のレジスト膜からなる密パターンを形成することを特徴とするレジストパターン形成方法。 （もっと読む）

【解決手段】（Ａ−１）酸を触媒として用いて加水分解性ケイ素化合物を加水分解縮合することにより得られるケイ素含有化合物、
（Ａ−２）塩基を触媒として用いて加水分解性ケイ素化合物を加水分解縮合することにより得られるケイ素含有化合物、
（Ｂ）式（１）又は（２）で表される化合物、
Ｌ_aＨ_bＸ （１）
（ＬはＬｉ，Ｎａ，Ｋ，Ｒｂ又はＣｅ、Ｘは水酸基、又は有機酸基であり、ａは１以上、ｂは０又は１以上）
Ｍ_aＨ_bＡ （２）
（Ｍはスルホニウム、ヨードニウム又はアンモニウムであり、Ａは上記Ｘ又は非求核性対向イオン）
（Ｃ）有機酸、
（Ｄ）環状エーテルを置換基として有するアルコール、
（Ｅ）有機溶剤
を含む熱硬化性ケイ素含有膜形成用組成物。
【効果】本発明の熱硬化性ケイ素含有膜形成用組成物で形成されたケイ素含有中間膜を用いることで、良好なパターン形成ができる。また、フォトレジストパターンを転写可能で、基板を高い精度で加工できる。 （もっと読む）