【課題】高流動性と高信頼性とを両立したダイボンディングフィルムを提供する。
【解決手段】半導体素子１と支持部材４、又は半導体素子同士を接着固定するダイボンディングフィルム２であって、ダイボンディングフィルム２は星型共重合体を含む接着剤層を有し、４０℃におけるフィルム未硬化物のタック力が１，５００ｍＮ以下、８０℃におけるフィルム未硬化物の溶融粘度が５，０００Ｐａ・ｓ以下、フィルム硬化物の２６５℃における接着強度が３．５ＭＰａ以上であるダイボンディングフィルム。 （もっと読む）

【課題】本発明は、極薄ウェハの保護テープ、又は貼り合わせるダイシングテープの軟化温度よりも低い温度でウェハ裏面にラミネートでき、かつウェハの反り等の熱応力を低減でき、半導体装置の製造工程を簡略化でき、さらに耐熱性及び耐湿信頼性に優れるダイ接着用フィルム状接着剤、当該フィルム状接着剤とダイシングテープを貼り合せた接着シートならびに半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】少なくとも接着剤層を有してなるフィルム状接着剤であって、前記接着剤層は、（Ａ）ＳＰ値が１０．０〜１１．０（ｃａｌ／ｃｍ^３）^１／２であるポリイミド樹脂、及び（Ｂ）エポキシ樹脂を含有し、
ｔａｎδピーク温度が−２０〜６０℃かつフロー量が１００〜１５００μｍであるフィルム状接着剤とする。 （もっと読む）

【課題】 十分な耐熱性、耐湿性及び耐リフロー性を有し、且つ、圧着による凹凸の埋込性に優れながらも半導体装置の製造過程における素子の反りを従来よりも少なくすることができるフィルム状接着剤、及び、これを用いて製造される半導体装置を提供すること。
【解決手段】 半導体素子９と、該半導体素子９を搭載する支持部材１０とを備え、半導体素子９及び支持部材１０が、熱硬化性であって、硬化前の８０℃における溶融粘度が５００Ｐａ・ｓ以上１００００Ｐａ・ｓ以下であり、１２０℃で１時間加熱したときの１２０℃における貯蔵弾性率が０．００５ＭＰａ以上１ＭＰａ以下であり、１２０℃で２時間加熱したときの１２０℃におけるずり貯蔵弾性率が１０ＭＰａ以下であるフィルム状接着剤の硬化物１’により接着されている半導体装置２００。 （もっと読む）

【課題】基板又は半導体チップの凹凸を完全に埋込み、かつ作業性も良好であり、ワイヤ埋込型フィルムにおいて重要となる接続信頼性を満足する接着シートを提供する。
【解決手段】（Ａ）高分子量成分、（Ｂ）硬化剤、（Ｃ）フィラーを含む接着剤組成物をシート状に成形した接着剤層を備える接着シートであって、前記接着剤組成物が（Ｄ）酸化防止剤及び／又は（Ｅ）陰イオン交換体を含むことを特徴とする接着シート。 （もっと読む）

【課題】半導体チップを実装したパッケージが高温度高湿度に曝された場合であっても、また電圧印加下で高温度高湿度に曝された場合であっても、高いパッケージ信頼性を実現すること。
【解決手段】アクリル重合体（Ａ）、エポキシ樹脂（Ｂ）、および2個以上のフェノール
性水酸基を有しフェノール性水酸基当量が103g/eq以下である化合物（Ｃ）、およびイオ
ン捕捉剤（Ｄ）を含有し、該イオン捕捉剤の含量が全樹脂成分の合計１００重量部に対して１〜２０重量部である粘接着剤組成物。 （もっと読む）

【課題】ワイヤボンディングの初期接合強度不足が発生し難く、冷熱温度サイクルの繰り返しに対しても十分な耐久寿命を確保することのできるベアチップの実装構造を提供する。
【解決手段】半導体からなるベアチップ１４，１５が、シリコーン系接着剤５０を介して、樹脂ケース２３上に搭載され、ベアチップ１４，１５の表面に露出するパッドＰに、ワイヤボンディングが施されてなるベアチップの実装構造Ｊ１であって、樹脂ケース２３上に、ワイヤボンディングにおいてベアチップ１４，１５の揺れを抑制する、揺れ制限機構Ｌが設けられてなるベアチップの実装構造Ｊ１とする。 （もっと読む）

【課題】半導体チップの上面に接続されたボンディングワイヤーの一部が接着テープ内に埋め込まれたときに、接着テープ内のワイヤーの周囲における空隙の形成を抑制することができる半導体チップ積層体の製造方法を提供する。
【解決手段】ボンディングワイヤー７ａ，７ｂが上面１ａに接続されている第１の半導体チップ１と、第２の半導体チップ２と、接着テープ３とを用意する工程と、接着テープ３の溶融粘度が３００〜３０００Ｐａ・ｓ、かつ位相差が４５°以上となる温度に接着テープ３を加熱し、第１の半導体チップ１の上面１ａに、接着テープ３をボンディングワイヤー７ａ，７ｂの一部が接着テープ３内に埋め込まれるように積層する工程と、接着テープ３の上面３ａに、第２の半導体チップ２を積層する工程とを備える、半導体チップ積層体１２の製造方法。 （もっと読む）

【課題】従来の半導体製造装置には、製造される半導体装置の歩留まりの面で向上の余地があった。
【解決手段】実施形態に係る半導体製造装置は、フレーム上に載置された親チップ（第１の半導体チップ）を認識するフレーム上チップ認識カメラ２（チップ認識部）と、親チップ上に子チップ（第２の半導体チップ）をダイボンディングするボンディングヘッド６（ボンディング部）と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】製造工程の増大を招くことなく、ワイヤー長の短縮およびチップサイズの縮小化を図ることを目的とする。
【解決手段】基板と半導体チップの間のペースト材または封止樹脂が注入される領域に、ペースト材または封止樹脂の広がりを抑制する堤防としての機能を有する基板配線２１１を設けることにより、ペースト材または封止樹脂の広がる領域を制御し、ワイヤーボンディングの接続端子２１３がペースト材または封止樹脂に覆われないようにすることで、ワイヤーボンディングの接続端子２１３を半導体チップ近傍に寄せることが可能となり、製造工程の増大を招くことなく、結果としてパッケージサイズの縮小及びワイヤー長の短縮を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】ボンディング装置において、湾曲した回路基板の吸着固定と加熱とを同時に行う。
【解決手段】搬送ガイド１３の間に、搬送された回路基板１２を上面の基板吸着面１５に吸着保持し、吸着した回路基板１２を加熱するヒートブロック１０を設ける。ヒートブロック１０の基板吸着面１５には孔１９が設けられており、真空吸引ベローズ１８を含む真空吸引パッド１６が取りつけられ、真空吸引パッド１６は真空装置に接続されている。真空吸引パッド１６内の空気を真空装置に吸引しながらヒートブロック１０を回路基板１２に向かって上昇させて、真空吸着ベローズ１８によって回路基板１２を吸引して回路基板１２を基板吸着面１５に吸着固定すると同時に加熱する。 （もっと読む）

【課題】凹凸のないＩＣタグインレットを低コストで製造すること。
【解決手段】低密度の紙で構成された基材１１の上に印刷によってアンテナ１２を形成した後、アンテナ１２の上に接合剤１４を塗布してＩＣチップ１３を載置し、ＩＣチップ１３を加圧しながら基材１１に埋め込むことによって、基材１１の表面にＩＣチップ１３の厚みによる凹凸ができないようにする。 （もっと読む）

この方法は、ろう材を形成するマス１６を加熱するステップを含む。本発明により、方法は、加熱ステップの前に、マス１６および部材１２を支持体１４上に配置するステップを含む。具体的には、方法は、マス１６を支持体１４上に位置付けるステップと、前記マス１６を支持体１４に対して押し付けるように、第１の圧縮力Ｆ１をマス１６上に加えるステップとを含み、第１の力Ｆ１の強度は、マス１６を平らにするように選択される所定の第１の値まで上がる。次に、方法は、部材１２を、平らにされたマス１６上に位置付けるステップと、前記部材１２を、平らにされたマス１６および支持体１４に対して押し付けるように、第２の圧縮力Ｆ２を部材１２に加えるステップとを含み、第２の力Ｆ２の強度は第２の所定値まで上がり、第２の所定値は第１の所定値より低い。
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【課題】最終的な半導体装置としてのサイズの縮小化、及び薄型化が可能で、且つ、製造工程の容易化等を図る。
【解決手段】半導体装置は、平坦な被搭載面を有する回路チップ４０と、この回路チップ４０よりもサイズの小さな回路チップ２０と、シート状の支持体２２とを備えている。回路チップ２０は、基板上に形成され、この基板に固定された平坦な裏面と、この裏面の反対側に位置する平坦な表面とを有している。支持体２２は、回路チップ２０の表面に貼着され、この回路チップ２０を支持するものである。そして、支持体２２により支持された回路チップ２０の裏面を前記基板から剥離して前記被搭載面に圧接し、回路チップ２０の裏面と前記被搭載面とを分子間結合力（例えば、水素結合）により固定している。 （もっと読む）

【課題】基板上に素子などの物体、特に微小な物体を実装する場合に、容易にしかも確実に高い位置精度で実装することができる実装方法を提供する。
【解決手段】粘度を制御することができる物質からなる素子保持層１２を基板１１上に形成し、素子保持層１２の、素子の実装領域を含む第１の部分１２ａの粘度を素子が自然に移動可能な粘度に制御し、かつ、素子保持層１２の、第１の部分１２ａの外側の第２の部分１２ｂの粘度を素子が自然には移動不可能な粘度に制御し、第１の部分１２ａに一つの素子１３を実装した後、第１の部分１２ａの粘度を素子１３が自然には移動不可能な粘度に制御する。 （もっと読む）

【課題】圧着荷重の制御の精度を向上させることができる電子部品の押圧装置および押圧方法を提供することを目的とする。
【解決手段】電子部品を圧着ヘッド１７により基板３に押圧してボンディングする電子部品の圧着装置において、圧着ヘッド１７を上下動自在に支持する昇降部７と圧着ヘッド１７の間に介在して圧着ヘッド１７に作用する荷重を検出する荷重検出手段として、ロードセル１５と線形な荷重・変位特性を有するスプリング１６を直列に組合せて用いるようにした。これにより、荷重検出手段の変位量を大きくして単位昇降動作あたりの押圧荷重の変化量を小さくし、すなわち押圧荷重の分解能を改善することができ、したがって押圧荷重制御の精度を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】厚さが25μmを超える接着剤層を半導体ウエハと共に切断するにあたって、接着剤層の切断不良に起因する半導体素子のピックアップ不良や素子不良を抑制する。
【解決手段】半導体ウエハ２１の裏面に厚さが25μmを超える接着剤層２２とダイシングテープ基材２３とを積層する。切り込み深さが接着剤層２２に達する第１のブレード２５を用いて、半導体ウエハ２１を接着剤層２２の一部と共に切断する。次いで、切り込み深さがダイシングテープ基材２３に達すると共に、第１のブレード２５より幅が狭い第２のブレード２６を用いて、接着剤層２２をダイシングテープ基材２３の一部と共に切断する。これら切断工程で接着剤層２２と共に個片化して作製した半導体素子を、ダイシングテープ基材２３からピックアップして他の半導体素子や回路基材上に接着する。 （もっと読む）

【課題】ＡＣＦテープを自動的に接続して追加することのできる貼着装置の提供。
【解決手段】ＡＣＦテープ２１０により供給されるＡＣＦ２１２をガラスパネル２００に貼着する貼着装置１００であって、使用中のＡＣＦテープ２１０の終端部を保持する第１保持部１１１と、追加用のＡＣＦテープ２１０の始端部を保持する第２保持部１１４と、前記ＡＣＦテープ２１０の端部同士を厚さ方向に重なるように配置する配置部１１５と、重ねられたＡＣＦテープ２１０の端部同士を厚さ方向に押圧する押圧部１１６とを備える。 （もっと読む）

【課題】センサチップへの振動や衝撃の影響を抑制すると共に、温度が変化する環境下においてもセンサチップを安定して動作させる手段を提供する。
【解決手段】有底のケース体と、ケース体に収納されるセンサチップとを備えた半導体パッケージにおいて、ケース体の底板に、センサチップより大きい凹部を設けると共に、凹部の内壁に固定される支持枠と、センサチップを貼付する取付部と、弾性を有し、取付部と支持枠とを接続する梁部とを備えた衝撃吸収部材を設ける。 （もっと読む）

【課題】局部低温チップ接合技術を達成する高分子材料とチップとの局部接合構造を提供するこ
【解決手段】高分子材料とチップとの局部接合構造であって、電路デバイスが形成されている基板と、前記基板上に形成されている高分子材料層と、前記基板の周辺に形成され、電流を供給することにより所定の温度を発生する金属導線と、を備え、前記金属導線から温度を発生させることより、内部電路デバイスに影響を与えることなく前記高分子材料層と前記基板とが瞬間的に局部密封接合される。 （もっと読む）

【課題】μＢＧＡ構造において良好な応力緩和性とパッケージ高さを確保できる厚膜の接着部材を提供するとともに、スタックドＣＳＰにおいて良好なチップ積層性および良好なワイヤーボンディング性を確保する接着部材を提供する。
【解決手段】接着剤層２を有する接着部材１であって、総厚みが１５０μｍ以上であるチップ積層型のチップサイズパッケージ用の接着部材１であり、スタックドＣＳＰにおいては２段目の半導体チップ９を積層する際に１段目の半導体チップ７のワイヤー８に接触することのない適切な間隔が確保されている。 （もっと読む）