【課題】 ＤＡＦを個々のデバイスに対応して確実に分割できるＤＡＦのアブレーション加工方法を提供することである。
【解決手段】 ダイアタッチフィルムにレーザビームを照射してアブレーション加工を施すダイアタッチフィルムのアブレーション加工方法であって、少なくともアブレーション加工すべきダイアタッチフィルムの領域にレーザビームの波長に対して吸収性を有する酸化物の微粉末を混入した液状樹脂を塗布して該微粉末入り保護膜を形成する保護膜形成工程と、該保護膜形成工程を実施した後、該保護膜が形成されたダイアタッチフィルムの領域にレーザビームを照射してアブレーション加工を施すレーザ加工工程と、を具備したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 ＤＡＦを個々のデバイスに対応して確実に分割できるＤＡＦのアブレーション加工方法を提供することである。
【解決手段】 ダイアタッチフィルムにレーザビームを照射してアブレーション加工を施すダイアタッチフィルムのアブレーション加工方法であって、少なくともアブレーション加工すべきダイアタッチフィルムの領域にレーザビームの波長に対して吸収性を有する炭化物の微粉末を混入した液状樹脂を塗布して該微粉末入り保護膜を形成する保護膜形成工程と、該保護膜形成工程を実施した後、該保護膜が形成されたダイアタッチフィルムの領域にレーザビームを照射してアブレーション加工を施すレーザ加工工程と、を具備したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】パターン形成性、パターン形成後の接着性、接着後の耐熱性に優れ、フィルム状に形成した場合には低温貼付性にも優れた感光性接着剤組成物を提供する。
【解決手段】
（Ａ）カルボキシル基及び／又は水酸基を有する樹脂と、（Ｂ）熱硬化性樹脂と、（Ｃ）放射線重合性化合物と、（Ｄ）光開始剤と、を含有し、（Ａ）カルボキシル基及び／又は水酸基を有する樹脂が、ポリイミド樹脂を含み、（Ｂ）熱硬化性樹脂がエポキシ樹脂を含み、（Ｃ）放射線重合性化合物が、アクリレート化合物及びメタクリレート化合物からなる群より選ばれる少なくとも一種を含み、（Ｄ）光開始剤が特定の化合物を含み、当該感光性接着剤組成物の３％重量減少温度が２７５℃以上である、感光性接着剤組成物。 （もっと読む）

【課題】加熱・焼結する際に、突沸が発生するのを抑制可能な導電性ペーストを提供する。
【解決手段】金属微粒子（Ｐ）と分散媒（Ｄ）との割合（Ｐ／Ｄ）（質量％）が５０〜９０／５０〜１０の導電性ペーストであって、該分散媒（Ｄ）が有機溶媒、及び突沸抑制溶媒（Ｔ）からなる有機分散媒（Ｄ１）であり、有機溶媒が（ｉ）常圧における沸点が１００℃以上で、かつ分子中に１もしくは２以上のヒドロキシル基（−ＯＨ）を有するアルコール及び／もしくは多価アルコールからなる、又は（ii）少なくとも有機溶媒５〜９５体積％、並びにアミド基を有する有機溶媒（ＳＡ）９５〜５体積％からなり、突沸抑制溶媒（Ｔ）がヒドロキシル基、及びカルボニル基を有し、かつカルボキシル基を有さず、分子量が５０以上で沸点が１００℃以上の化合物であり、有機分散媒（Ｄ１）中の突沸抑制溶媒（Ｔ）の割合（Ｔ／Ｄ１）（質量％）が２〜２５質量％である導電性ペースト。 （もっと読む）

【課題】印刷法で平坦状又は上に凸の半球状の接着剤層を付設でき、接着性に優れる接着剤付きウエハ、接着剤組成物及び接着剤付きウエハの製造方法を提供する。
【解決手段】 レベリング作用を有する表面調整剤を含む接着剤組成物を用いて、半導体ウエハの表面に、平坦状又は上に凸の半球状の接着剤層を印刷法により付設したことを特徴とする接着剤付きウエハ。 （もっと読む）

【課題】チップの反りを抑制する半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】集積回路が表面に設けられたチップの側面に側面接着部材を形成する側面接着部材の形成工程と、前記チップの裏面に配置された裏面接着部材を介して前記チップをチップ搭載基板に押圧しながら前記側面接着部材を前記チップ搭載基板に押圧して前記側面接着部材を前記チップ搭載基板に接着する第１の接着工程と、前記第１の接着工程の後に前記裏面接着部材を加熱して前記チップ搭載基板に前記チップを接着する第２の接着工程とを有すること。 （もっと読む）

【課題】 イオン捕捉性の接着シートを採用してもその接着シートのイオン捕捉性の低下を防止することができるとともに、半導体装置の製造プロセスにおいて半導体チップに混入してくる金属イオンを捕捉して半導体装置の電気特性の低下を防止可能なダイシング・ダイボンドフィルムを提供すること。
【解決手段】 本発明のダイシング・ダイボンドフィルムは、基材及び該基材上に積層された粘着剤層を有するダイシングフィルムと、上記粘着剤層上に積層された接着シートとを備え、上記接着シートは、金属イオンを捕捉し得るイオン捕捉剤を含み、上記粘着剤層の２６℃での貯蔵弾性率が１．０×１０^４Ｐａ以上１．０×１０^７Ｐａ以下である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、極薄ウェハの保護テープ、又は貼り合わせるダイシングテープの軟化温度よりも低い温度でウェハ裏面にラミネートでき、かつウェハの反り等の熱応力を低減でき、半導体装置の製造工程を簡略化でき、さらに耐熱性及び耐湿信頼性に優れるダイ接着用フィルム状接着剤、当該フィルム状接着剤とダイシングテープを貼り合せた接着シートならびに半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】少なくとも接着剤層を有してなるフィルム状接着剤であって、前記接着剤層は、（Ａ）ＳＰ値が１０．０〜１１．０（ｃａｌ／ｃｍ^３）^１／２であるポリイミド樹脂、及び（Ｂ）エポキシ樹脂を含有し、
ｔａｎδピーク温度が−２０〜６０℃かつフロー量が１００〜１５００μｍであるフィルム状接着剤とする。 （もっと読む）

【課題】接着剤層への巻き跡の転写が抑制され、被着体に接着剤層を貼り付ける際に空気の巻き込みによるボイドの発生が抑制される接着シートを提供する。
【解決手段】長尺の剥離基材１と、前記剥離基材上に、分散配置され、部分的に形成された接着剤層２と、前記接着剤層を覆い、且つ、前記接着剤層の周囲で前記剥離基材に接するように形成された粘着剤層３とを有する接着シートであって、前記接着剤層が分散配置されていない剥離基材上に、接着剤層と同じ厚み、もしくはそれ以上の厚みを持つ支持層を有した接着シート。 （もっと読む）

【課題】所定の平面形状に形成された接着剤層を有する接着シートをロール状に巻き取った場合において、接着剤層に巻き跡が転写されることを十分に抑制し、被着体に接着剤層を貼り付ける際に空気の巻き込みによるボイドの発生を十分に抑制することが可能な接着シートを提供する。
【解決手段】剥離基材と、該剥離基材上に部分的に形成された所定の平面形状を有する接着剤層と、該接着剤層を覆い、且つ、該接着剤層の周囲で前記剥離基材に接するように形成された粘着フィルムと、を有する接着シートであって、前記粘着フィルムを取り除く部分が剥離基材の短手方向（長手方向に直交する方向）の中心からずれている接着シート。 （もっと読む）

【課題】半導体チップの実装に適した形状の接着剤層を備える接着剤層付き半導体チップを容易に形成可能な半導体用積層シートを提供する。
【解決手段】半導体用積層シート１００は、粘着フィルム１２０と、当該粘着フィルム１２０に貼り付けられた接着フィルム１１０とを備え、接着フィルム１１０が、イミド骨格を有する熱可塑性樹脂と、光硬化性樹脂と、光ラジカル発生剤とを含有し、粘着フィルム１２０が、アクリル系共重合ポリマと、光ラジカル発生剤とを含有し、熱可塑性樹脂のガラス転移温度が１０℃以上であり、アクリル系共重合ポリマのガラス転移温度が０℃以下である。 （もっと読む）

【課題】ダイボンディングフィルムによって接着された半導体チップを有する半導体装置の製造において、得られる半導体装置の吸湿リフロー耐性を改善すること。
【解決手段】半導体チップ１０を、支持部材５及び／又は他の半導体チップ１０に、ダイボンディングフィルム２を介して熱圧着する工程と、ダイボンディングフィルム２を０．２〜０．５ＭＰａの加圧雰囲気７０下で加熱し、ダイボンディングフィルムの硬化を進行させる工程と、半導体チップ１０を封止樹脂により封止する工程と、をこの順に備え、半導体チップを熱圧着する工程においてダイボンディングフィルム２が到達する温度におけるダイボンディングフィルム２の溶融粘度が２００００〜１０００００Ｐａ・ｓであり、１００〜１２０℃におけるダイボンディングフィルム２のずり粘度が５０００Ｐａ・ｓ以下である、半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】薄膜形成性、低温での加工性（低温貼付性）、及び耐リフロー性に必要とされる高温時の高接着性を満足することができ、かつダイボンド後の組立工程で受ける熱履歴の低温化に対応可能な硬化性が得られると同時に高弾性化を達成できる接着剤組成物を提供すること。
【解決手段】（Ａ）熱可塑性樹脂と（Ｂ）熱硬化性成分とを含み、（Ａ）熱可塑性樹脂が、（Ａ１）ガラス転移温度が６０℃以下、かつ重量平均分子量が１００００〜１０００００のポリイミド樹脂、及び（Ａ２）樹脂分が２０質量％となるようにＮ−メチル−２−ピロリドンに溶解させたときの２５℃における粘度が１０ポイズ以上の非ポリイミド樹脂を含有し、（Ｂ）熱硬化性成分が、（Ｂ１）エポキシ樹脂及び（Ｂ２）ビスマレイミド樹脂を含有する、接着剤組成物。 （もっと読む）

【課題】 熱履歴を経た後のイオン捕捉性の低下を抑制することが可能な半導体装置製造用の接着シートを形成可能な接着剤組成物を提供すること。
【解決手段】 陽イオンと錯体を形成する有機系錯体形成化合物を少なくとも含有し、有機系錯体形成化合物の熱重量測定法による５％重量減少温度が１８０℃以上である半導体装置製造用の接着剤組成物。 （もっと読む）

【課題】接着剤の無駄が少なく、かつ、均一な膜厚で半導体ウェハ上に接着剤層を形成することができる接着剤層付き半導体ウェハの製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体ウェハの一方の表面全体に、メッシュスクリーン印刷法によって接着剤を塗布して接着剤層を形成する工程と、上記接着剤層を加熱によりＢステージ化する工程と、を含み、上記接着剤の２５℃での粘度が１〜１００Ｐａ・ｓであり、チキソトロピー指数が１．０〜２．０である、接着剤層付き半導体ウェハの製造方法。 （もっと読む）

【課題】接着剤層が粘着テープの粘着剤層から剥離するのを防止する。
【解決手段】ウエハ加工用テープは、接着剤層３の外周部３２の剥離力が、接着剤層３の半導体ウエハが貼り合わせられる予定の貼合予定部３０の剥離力よりも大きく、貼合予定部３０の剥離力が０．０１以上で０．４Ｎ／ｉｎｃｈ未満の場合は、外周部３２の剥離力が貼合予定部３０の３０倍以上または０．９Ｎ／ｉｎｃｈ以上のどちらか小さい方であり、貼合予定部３０の剥離力が０．４Ｎ／ｉｎｃｈ以上で０．９Ｎ／ｉｎｃｈ未満の場合は、外周部３２の剥離力が０．９Ｎ／ｉｎｃｈ以上である。 （もっと読む）

【課題】低温で半導体ウェハに貼り付け可能であって、熱時の弾性率が高い半導体用接着フィルムを提供する。
【解決手段】半導体素子を被着体に接着するために用いられる接着フィルムにおいて、熱可塑性樹脂、３官能以上のアクリレート化合物（Ａ）、熱硬化性樹脂、平均粒子径の異なる二種類の無機フィラーを含有してなり、３官能以上のアクリレート化合物（Ａ）の含有量が、熱可塑性樹脂１００質量部に対し、６０〜８０質量部である、接着フィルム。 （もっと読む）

【課題】アルカリ現像液によるパターン形成性に優れ、露光後の十分な再接着性を有するとともに、低温貼付け性にも優れたフィルム状接着剤を提供する。
【解決手段】（Ａ）アルカリ可溶性ポリマーと、（Ｂ）熱硬化性樹脂と、（Ｃ）一種又は複数の放射線重合性化合物と、（Ｄ）光開始剤と、を含有する感光性接着剤組成物をフィルム状に成形してなる、フィルム状接着剤であって、（Ｃ）放射線重合性化合物が、下記一般式（Ｉ）で表されるイソシアヌル酸エチレンオキシド変性ジ又はトリアクリレートを含有するものであり、フィルム状接着剤の５％重量減少温度が２６０℃以上である、フィルム状接着剤１。


［式（Ｉ）中、Ｒ^１は水素原子又は−ＣＯＣＨ＝ＣＨ_２を示す。］ （もっと読む）

【課題】粒子径が小さく、流動性に優れ、樹脂への分散性に優れたシリカ系微粒子と樹脂とからなる半導体装置実装用ペ−ストを提供する。
【解決手段】流動性に優れ、樹脂への分散性に優れたシリカ系微粒子と樹脂とからなる半導体装置実装用ペ−ストであって、シリカ系微粒子の平均粒子径が５０〜１０００ｎｍの範囲にあり、該シリカ系微粒子は限外濾過膜処理および／またはイオン交換処理し、ついで乾燥して得られたものである。シリカ系微粒子のアルカリ金属の含有量は２０ｐｐｍ以下であり、ペ−スト注のシリカ系微粒子の含有量は３０〜９０重量％の範囲にある。 （もっと読む）

【課題】生産性を低下させることなく、電磁波シールド層を有するダイボンドフィルム、ダイボンドフィルムの製造方法及び半導体装置を提供する。
【解決手段】接着剤層３０と、金属箔からなる電磁波シールド層３１とを有するダイボンドフィルム４０、又は、接着剤層３０と、蒸着により形成された電磁波シールド層３１とを有するダイボンドフィルム４０。前記ダイボンドフィルムが、ダイシングフィルム上に積層されたダイシング・ダイボンドフィルムであって、前記ダイシングフィルムは、基材上に粘着剤層が積層された構造であり、前記ダイボンドフィルムは、前記ダイシングフィルムの粘着剤層上に積層されていることを特徴とするダイシング・ダイボンドフィルム。 （もっと読む）