【課題】耐久性の高い有機光電変換素子、この素子を用いた太陽電池及び光アレイセンサを提供する。
【解決手段】陰極と陽極の間に、下記一般式（１）で表される部分構造を有する低分子化合物を含有する有機光電変換素子。


〔式中、Ｚは、置換または無置換の５員または６員の芳香族環、これらの縮合芳香族環を形成するに必要な原子群を表し、Ｒ_１、Ｒ_２は、水素原子、ハロゲン原子、置換または無置換のアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、ヘテロアリール基、シクロアルキル基、シリル基、エーテル基、チオエーテル基、アミノ基を表す。〕 （もっと読む）

【課題】低い印加電圧で高い増倍率があげられる光電流倍増素子を得る。
【解決手段】対向する一対の電極２，５と、一対の電極２，５間に設けられる光導電性半導体層３と、光導電性半導体層３と一対の電極の少なくとも一方５との間に設けられる、弁作用のある遷移金属の酸化物からなる薄膜層４とを備え、薄膜層４の厚みが２ｎｍ以下であることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】 優れた光電変換効率を有する光電変換素子を提供する。
【解決手段】 基板（Ｔ）上に層状に形成された２つの電極層（Ｙ）間に、導電性高分子（ｄ）と電子受容体（ａ）を含有する光電変換層（Ｅ）を有する光電変換素子（P）を２〜４個積層してなるタンデム型光電変換素子（ＴＰ）であって、少なくとも２個の光電変換素子（P）の極大吸収波長が異なり、かつ、光電変換素子（P）の吸収バンドの半値幅が１５０ｎｍ以下であり、かつ、各々の光電変換層（Ｅ）において導電性高分子（ｄ）の最低空軌道のエネルギー準位の値と電子受容体（ａ）の最低空軌道のエネルギー準位の値の差が１ｅＶ以下であることを特徴とする、タンデム型光電変換素子（ＴＰ）。 （もっと読む）

【課題】半導体と有機物とを能動的な役割に用い、従来とは異なる全く新規な機能を有する半導体素子を提供する。
【解決手段】ＧａＮ半導体１上に有機物電極２が形成されており、有機物電極２の上にはＡｕ膜３が形成されている。ＧａＮ半導体１の裏面には有機物電極２に対向するように、Ｔｉ膜４とＡｕ膜５の多層金属膜で構成された電極が形成されている。有機物電極２とＧａＮ半導体１との接合界面は、ショットキー接合のような状態となっており、これらの間で整流作用が発生する。 （もっと読む）

【課題】吸収効率の良く、フィルタ無しで紫外線のみを検出できるワイドバンドギャップ半導体である酸化亜鉛（ＺｎＯ）などの半導体などで、ｐ型、ｎ型の双方が形成でき難い半導体であっても高感度に被測定光量が高感度で高精度であり、しかも再現性良く安定で、Ｓ／Ｎ比が大きい光検出装置を提供するための駆動方法とその光検出装置を提供する。
【解決手段】フォトダイオードに所定の順方向電圧と所定の時間印加した後、紫外線などの受光によるフォトダイオードの短絡光電流もしくはほぼ短絡光電流と見做せるような微小逆方向電圧を印加して光電流を計測するようにして、これらの短絡光電流から紫外線などの受光の量を計測する駆動方法で、順方向印加駆動回路と短絡電流の検出回路を有する光検出装置で、紫外線などの受光による短絡電流を計測する。 （もっと読む）

【課題】
従来の問題を解決するために、フォトダイオード層を備え、光を効率よく感知できる半導体構造を提供する
【解決手段】半導体構造はベース層と、シリコン層と、フォトダイオード層と、金属層とを含む。ベース層は光が透過できる材料で製作される。シリコン層はベース層の第一表面を覆うように形成されており、フォトダイオード層はシリコン層を覆うように形成されており、金属層はフォトダイオード層を覆うように形成されている。フォトダイオード層はベース層の第二表面から入射してベース層を透過した光を感知するために用いられる。第二表面と第一表面はそれぞれベース層の両側にある。 （もっと読む）

【課題】入射光量が小さい場合であっても、容量素子への電荷の蓄積を行い、光の強度の検出ができ、構成する定電流源またはスイッチ等の素子数を増加させることなく動作させることを課題とする。
【解決手段】光電変換素子と、光電変換素子の出力電流を増幅する増幅回路と、を含む光電変換回路と、第１のスイッチを介して第１の電位が供給され、第２のスイッチを介して増幅回路で増幅された電流に応じた充電または放電がなされる容量素子と、容量素子の一方の電極の電位と第２の電位を比較するためのコンパレータと、を有する。 （もっと読む）

【課題】電極で生じる応力に起因する光電変換素子の性能の低下を防止することができる光電変換素子及び固体撮像素子を提供する。
【解決手段】一対の電極１０１，１０４と、一対の電極１０１，１０４の間に配置された光電変換層１０２と、一対の電極１０１，１０４のうち一方と光電変換層１０２とに挟まれた少なくとも一つの応力緩衝層を備え、応力緩衝層の少なくとも一部が結晶層１０８を含む積層構造である。 （もっと読む）

本発明はＸ線を電荷に変換するＸ線用の光検出器に関する。光検出器の活性有機層内にナノ粒子が加えられる。 （もっと読む）

【課題】フォトダイオードのリーク電流を抑制することができるフォトセンサを提供すること。
【解決手段】本発明に係るフォトセンサは、薄膜トランジスタ５２の上層に形成された第１パッシベーション膜４１と、ドレイン電極１３と、下部電極１４とを電気的に接続する、第１パッシベーション膜４１に設けられた開口部と、薄膜トランジスタ５２、及びフォトダイオード５１を被覆する第２パッシベーション膜４２と、第２パッシベーション膜４２の上層に形成され、当該第２パッシベーション膜４２に設けられたコンタクトホールを介して上部電極１５と電気的に接続される上層配線２３と、コンタクトホールを形成する際に上部電極１４が露出しないように、上部電極１４より上層に形成された接続膜１６と、を備えるものである。 （もっと読む）

【課題】ＧａＮ系発光素子又はＧａＮ系受光素子が２次元状に多数形成された半導体装置で、入射光や出射光が電極間の配線に遮られないようにしたＧａＮ系半導体を提供する。
【解決手段】成長用基板１上に選択成長用マスク１１が形成され、選択成長用マスク１１の一部が除去された領域にＡｌＮバッファ層２が形成される。ＡｌＮバッファ層２上には、アンドープＧａＮ層３、ｎ型ＧａＮ層４、活性層５、ｐ型ＧａＮ層６が順に積層され、素子間を分離する分離溝Ａが形成される。各ＧａＮ系半導体素子Ｄのｐ側透明電極８及びｎ電極７が半導体素子Ｄの光の取り出し面又は受光面側に形成される。各電極を接続する配線１２、１３の一部は、ｐ側透明電極８と同じ材料で構成されている。 （もっと読む）

【課題】簡便且つ低コストで半絶縁性の酸化ガリウム単結晶を得ることができる半絶縁性酸化ガリウム単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】酸化ガリウム粉末を原料としてラバーチューブに封入し、ラバープレスで成形、電気炉で温度1500℃、10hで焼結した焼結体を原料棒として、フローティングゾーン法で酸化ガリウム単結晶を育成し（Ｓ１）、育成された酸化ガリウム単結晶を原料として酸素100％の雰囲気中にてフローティングゾーン法で酸化ガリウム単結晶を成長させる（Ｓ２）。 （もっと読む）

【課題】 高移動度と対環境安定性を兼ね揃えた半導体および半導体素子を提供する。また可視光領域に受光感度を有する半導体および半導体素子を提供する。
【解決手段】 金属酸窒化物から構成され、前記酸窒化物がＩｎ、Ｇａ、Ｓｎ、Ｍｇ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｙ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗ、Ａｌから選択される少なくとも１つの元素と、Ｚｎと、を含み、且つ、前記酸窒化物中のＮ／（Ｎ＋Ｏ）で表されるＮの原子組成比率が、７原子％以上８０原子％以下であることを特徴とする酸窒化物半導体。 （もっと読む）

【課題】ソース線を介しての画素間のクロストークの発生を防止することにより、解像度を向上させることのできる固体撮像装置を提供すること。
【解決手段】固体撮像装置１００の各画素１００ａには、第１電極８１ａ、ドレイン電極６ｃ、および電界効果型トランジスタ３０のドレインに対して、当該画素に対してＸ方向で隣接する画素のソース線６ａが位置する側に、定電位に保持されたシールド線７が形成されている。従って、データ線６ａ₂の電位変化が画素１００ａ₁の第１電極８１ａ₁の電位に及ばないので、画素１００ａ間のクロストークを防止することができ、解像度が高い固体撮像装置１００を実現することができる。 （もっと読む）

【課題】光電変換効率を低下させることなく、暗電流を抑制することができる光電変換素子、光電変換素子の製造方法及び固体撮像素子を提供する。
【解決手段】一対の電極１０１，１０４間に配置された光電変換層１０２と、電極１０１，１０４と光電変換層１０２との間に形成された電荷ブロッキング層１０５とを備え、電荷ブロッキング層１０５の表面の平均粗さが２．０nm以下とする。または、電荷ブロッキング層１０５のＸ線回折スペクトルにおいて回折ピークが現れない、もしくはその中で最大となる回折ピークの半値幅が５°以上とする。 （もっと読む）

【課題】外部ストレスによる亀裂、ヒビ、カケなど外観上の不良を低減された半導体装置を提供することを課題の一とする。また、薄型化された半導体装置の製造歩留まりを向上させることを課題の一とする。
【解決手段】複数の半導体集積回路が固着された繊維体に有機樹脂が含浸された構造体を有する。複数の半導体集積回路はそれぞれ構造体に形成された開口に設けられ、光電変換素子と、側面に段差を有し幅寸法は段差よりも一方の面に向かう先の部分が小さい透光性基板と、透光性基板の他方の面に設けられた半導体素子層と、透光性基板の一方の面及び側面の一部を覆う有彩色の透光性樹脂層とを含む。複数の半導体集積回路において、有彩色の透光性樹脂層の色が異なる。 （もっと読む）

感光性構造体が、電気的に直列に接続された複数の感光領域(１２４）を備える。遮光層が、上記構造体の主要面上への入射光から上記感光領域(１２４）を遮蔽するように配置された複数の導電領域(５０１）を備える。上記導電領域（５０１）は、互いに電気的に絶縁されている。
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【課題】 基板に平行にｐｉｎ構造の半導体層が配置された薄膜フォトダイオードにおいて、光電流量を増加させる。
【解決手段】 薄膜フォトダイオードにおいて、基板１１上に形成されたｐ型半導体からなる第１の半導体層１３１と、基板１１上に第１の半導体層１３１と接して形成され、第１の半導体層１３１よりも不純物濃度の低いｐ型半導体又はｉ型半導体からなる第２の半導体層１３２と、基板１１上に第２の半導体層１３２と接して形成されたｎ型半導体層からなる第３の半導体層１３３と、を含む薄膜セル部と、薄膜セル部の上方に形成され、光軸中心の位置が、第２の半導体層１３２及び第３の半導体層１３３の境界と第２の半導体層１３２の中心との間に設定されたマイクロレンズ１９とを備えた。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタを有する半導体装置を安価に大量生産することを可能にする、半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】プラスチック基板１１等の基板上にアモルファスシリコン層１３を形成する工程と、アモルファスシリコン層１３をパターニングして、薄膜トランジスタとなる所定のパターンを形成する工程と、その後、パターニングされたアモルファスシリコン層１３を結晶化する工程とを有して、薄膜トランジスタを有する半導体装置を製造する。 （もっと読む）

【課題】青色光の波長領域の光を選択的に吸収して電流を発生させる有機光電変換膜およびそれを備える光電変換素子を提供する。
【解決手段】光電変換素子は、所定の間隔で互いに離れて設けられるアノード１１０およびカソード１２０と、アノードとカソードとの間に形成される有機光電変換膜１３０と、を備える。有機光電変換膜は、ルブレンを含むｐ型物質層１３１と、ｐ型物質層上に形成され、フラーレンまたは高次フラーレンを含むｎ型物質層１３２と、を備える。 （もっと読む）