【課題】 部品点数を増加させないで、必要な可視光を選択的に受光することが可能な光電変換装置を提供すること。
【解決手段】 緑色光の光信号を電気信号に変換する光電変換装置１０であって、In_0.4Ga_0.6Nの受光層５２と、電位差を持つとともに受光層５２の表面に電気的に接している一対の櫛歯電極７２、７４と、受光層５２よりも入射面側に設けられているとともに受光層５２のバンドギャップよりも広いバンドギャップを有するＧａＮの第１フィルタ層３２及びIn_0.2Ga_0.8Nの第２フィルタ層３４を備えている。フィルタ層３２、３４は、受光層５２が吸収する可視光よりも波長の短い可視光を吸収することを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】有機フォトダイオードの暗電流を低減し、高い感度を有する有機フォトダイオード及びそれを用いたイメージセンサを提供すること。
【解決手段】少なくとも１対の電極（陽極２、陰極４）と、前記電極間に配置され、少なくとも１種類の電子供与性材料と少なくとも１種類の電子受容性材料とが混合されてなる光電変換領域３と、前記光電変換領域３と前記１対の電極の少なくとも一方との間に介在せしめられたカーボン層５を有し、かつ電荷が蓄積可能である構成とした。 （もっと読む）

【課題】 発光または受光波長の短波長化が可能なＰＩＮ接合構造のＧａＮ系窒化物半導体多層膜を備えた窒化物半導体光電変換素子を提供する。
【解決手段】 基板２上に、基板２側から順にｐ型、ｉ型、ｎ型の各ＧａＮ系窒化物半導体層を少なくとも含んで構成される光電変換機能を有する一般式Ａｌ_ｘＧａ_ｙＩｎ_{１−ｘ−ｙ}Ｎで表されるＧａＮ系窒化物半導体の多層膜２０を備え、ｐ型ＧａＮ系窒化物半導体層２１がＡｌＮ組成比７％以上のｐ型ＡｌＧａＮまたは同等のバンドギャップエネルギを有するｐ型ＡｌＧａＩｎＮであり、多層膜２０の一部が、ｐ型ＧａＮ系窒化物半導体層２１の表面が露出するまでエッチングにより除去されており、露出したｐ型ＧａＮ系窒化物半導体層２１の表面上に、ｐ型ＧａＮ系窒化物半導体層２１より低いバンドギャップエネルギのＧａＮ系窒化物半導体からなるｐ型コンタクト層２４を備え、ｐ型コンタクト層２４上にｐ型電極２５を備える。 （もっと読む）

アノード、カソード、及び前記アノードと前記カソードとの間の有機阻止層を有する有機感光性オプトエレクトロニックデバイスであって、前記阻止層はフェナントロリン誘導体を含有し、励起子、電子及び正孔のうち少なくとも一つを、少なくとも部分的に阻止する。
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【課題】 光応答特性に優れた光センサーを提供する。
【解決手段】 導電性高分子５に炭素繊維１を混合した複合薄膜層９と、
当該複合薄膜層９の一方の面に形成された金属酸化物半導体層８と、複合薄膜層９および金属酸化物半導体層８の接合体を複合薄膜層９の側および金属酸化物半導体層８の側から挟持する電極１０，７とを備えた光センサーであって、炭素繊維１を分散処理した後、導電性高分子５と混合して複合薄膜層９を形成した光センサーとする。 （もっと読む）

【課題】 ｐ−ＭＯＳプロセスによって駆動回路と同時に作り込むことが可能で、しかも特性に優れた光電変換素子を提供する。
【解決手段】 ｐ型不純物が注入された一対のｐ＋領域４，５と、ｐ＋領域４，５の間に配されｐ＋領域よりもｐ型不純物の濃度が低いｐ−領域（受光層１０）とを有し、ｐ−領域上にゲート絶縁６膜を介してゲート電極７が形成されてなるｐ−ＭＯＳ構造の光電変換素子である。ゲート電極７の幅Ｗがｐ−領域の幅よりも小であり、ゲート電極下のｐ−領域が受光層１０として機能するとともに、ゲート電極下から外れた部分のｐ−領域がＬＤＤ領域８，９として機能する。この光電変換素子を駆動回路用の薄膜トランジスタ（ｐチャンネルＴＦＴ）と同一基板上に作り込むことで、低コストで入力機能付き表示装置が実現される。 （もっと読む）

磁性ガーネット単結晶膜を液相エピタキシャル成長させるための磁性ガーネット単結晶膜形成用基板２を製造するための方法である。まず、液相エピタキシャル成長させるために用いるフラックスに対して不安定なガーネット系単結晶から成るベース基板１０を形成する。次に、ベース基板１０の少なくとも結晶育成面に、フラックスに対して安定なガーネット系単結晶薄膜から成るバッファ層１１を形成する。このベース基板１０にバッファ層１１を形成する際に、基板１０を積極的に加熱せずに、スパッタリングなどの薄膜形成法によりベース基板１０にバッファ層１１を形成する。
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本発明は、第１の基板上に金属膜、絶縁膜及び非晶質半導体膜を順に形成し、前記金属酸化物膜及び前記非晶質半導体膜を結晶化し、該結晶化された半導体膜を活性領域に用いて第１の半導体素子を形成した後、前記第１の半導体素子上に粘着材を用いて支持体を接着し、前記金属膜と前記絶縁膜との間で剥離し、前記剥離された絶縁膜に第２の基板を接着したのち、前記第１の粘着材を除去して前記支持体を剥離し、前記第１の半導体素子上に非晶質半導体膜を形成し、該非晶質半導体膜を活性領域に用いる第２の半導体素子を形成することを特徴とする。
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【課題】短波長紫外線検出器として有用なＡｌＮ結晶もしくはＡｌ組成比が高いＡｌＧａＮ結晶においては、Ｐ型、Ｎ型のいずれの導電性においても低抵抗化が困難なため正常なオーミック特性が得られず、良好な感度を有する紫外線検出器が実現できなかった。
【解決手段】バンドギャップの大きい半導体を光吸収層とし、光により励起されたキャリアを半導体層の横方向に走行させ、部分的に形成されている低抵抗層に導き、本低抵抗層に形成されている電極部から光電流を取り出すことにより、短波長紫外線を高感度で検出する。たとえばキャリア濃度の低いＡｌＮ結晶層もしくはＡｌＧａＮ結晶層に逆バイアスを印加し、空間電荷領域を横方向に広げることにより、広い光感度領域が得られ高感度な受光素子が得られる。 （もっと読む）

本発明は放射線（７）を検出する放射線検出器に関する。基板（１）上に置かれた半導体層（２）は変換層（６、９）と重ねられている。半導体層（２）は多数の検出素子（Ｄ）から形成された検出器アレイの構成要素である。検出素子（Ｄ）の感度を高めるために、半導体層（２）が多結晶半導体材料から作られることが考慮される。
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【課題】 周知の窒化アルミニウム或いは窒化ガリウムバッファ層の欠陥密度過高の問題を解決する窒化ガリウム系ダイオード装置のバッファ層構造の提供。
【解決手段】 窒化シリコン（Ｓｉ_x Ｎ_y ，ｘ，ｙ≧０）で第１バッファ層を低温成長させる。この第１バッファ層内で、Ｓｉ_x Ｎ_y は複数のランダム分布クラスタのマスクを形成する。その後、この第１バッファ層の上に、更に窒化アルミニウムインジウムガリウムＡｌ_w Ｇａ_z Ｉｎ_1-w-z Ｎ（０≦ｗ，ｚ≦１，ｗ＋ｚ≦１）の第２バッファ層を成長させる。該第２バッファ層は直接には第１バッファ層の上に成長させられず、エピタキシャル側方向成長（Ｅｐｉｔａｘｉａｌｌｙ Ｌａｔｅｒａｌ Ｏｖｅｒｇｒｏｗｔｈ；ＥＬＯＧ）方式で、第１バッファ層のＳｉ_x Ｎ_y マスクの未遮蔽の基板の上に成長開始され、更にオーバーグローにより第１バッファ層のマスク上を被覆する。 （もっと読む）

【課題】吸収の半値幅が狭く色再現に優れた光電変換膜、光電変換素子、及び撮像素子（好ましくはカラーイメージセンサー）を提供し、さらに、光電変換効率が高く耐久性にも優れた光電変換膜、光電変換素子、及び撮像素子等を提供する。
【解決手段】少なくとも２つの電極に挟まれた有機光電変換膜が特定構造を有するクマリン化合物からなる正孔輸送性材料を含有する光電変換膜、光電変換素子、及び撮像素子、並びに、これらに電場を印加する方法。 （もっと読む）

【課題】 高効率な光電変換素子、及び前記光電変換素子を用いた高画質のデジタル放射線画像が得られる放射線画像検出器を提供する。
【解決手段】 透明電極と、前記透明電極を透過した光を吸収し電荷分離を行う光電変換層と、前記光電変換層を挟んで前記透明電極と反対側に設けられた対電極を有する光電変換素子において、光電変換層は、電子受容体および電子供与体を混合した複数の層を有し、前記複数の層は、それぞれ電子受容体と電子供与体の混合比が異なることを特徴とする光電変換素子。また、入射した放射線の強度に応じた発光を行う第１層と、第１層から出力された光エネルギーを電気エネルギーに変換する第２層と、第２層で得られた電気エネルギーの蓄積および蓄積された電気エネルギーに基づく信号を出力する第３層と、支持体である第４層を有する放射線画像検出器において、第２層に前記光電変換素子を用いる。 （もっと読む）

【課題】 低コストかつ簡単な高帯域幅光相互接続および用途のための高速低コスト光チャネルを提供する。
【解決手段】 高速光チャネルは、光ドライバおよびＣＭＯＳ光受信器における光検出器を含む。光チャネル・ドライバは、受動素子（例えば集積ループ・インダクタ）を駆動するＦＥＴドライバおよび垂直キャビティ面発光レーザ（ＶＣＳＥＬ）ダイオードを含む。ＶＣＳＥＬダイオードは、バイアス供給によってバイアスをかけられている。集積ループ・インダクタは、ＣＭＯＳ技術によって、ＦＥＴドライバおよびＶＣＳＥＬダイオードのいずれか一方またはその双方と同じＩＣチップ上に集積することができる。光検出器は、絶縁層上に配することができる半導体（シリコン）層、すなわちＳＯＩである。シリコン層上の１つ以上の超薄金属電極（＜２０００Å）が、ショットキ・バリア・ダイオード接合を形成し、これが、超薄金属電極とショットキ・バリア・ダイオード接合との間に、２次元電子ガスを含む量子井戸を形成する。
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【課題】３ｅＶ前後の禁止帯幅をもたらすＢＰ結晶層の形成方法が開示されていないため、リン化硼素（ＢＰ）及びＢＰ系混晶を利用した耐環境型半導体素子を提供できない問題を解決する。
【解決手段】気相成長法を用いて、室温での禁止帯幅を２．８ｅＶ以上で３．４ｅＶ以下とするリン化硼素（ＢＰ）層またはそのリン化硼素を含む一般式Ｂ_αＡｌ_βＧａ_γＩｎ_1-α-β-γＰ_δＡｓ_εＮ_1-δ-ε（０＜α≦１、０≦β＜１、０≦γ＜１、０＜α＋β＋γ≦１、０＜δ≦１、０≦ε＜１、０＜δ＋ε≦１）で表記されるリン化硼素（ＢＰ）系混晶層を具備する半導体素子を作製する。 （もっと読む）

【課題】 ダイオードによるフォトセンサはその構造上リフレッシュができず、光が当たっていない時のリーク特性が不安定であるため、フォトセンサには不適当である。また、薄膜トランジスタのフォトセンサは、光量は非常に微小なものであり、フィードバックが困難となる問題があった。
【解決手段】 薄膜トランジスタのフォトセンサに、出力電流を電圧に変換する検出回路を付加する。これにより微小な電流をフィードバックが可能な所望の範囲の電圧に変換できる。また、回路を構成する抵抗、容量、フォトセンサの接続数を変動させることによりフォトセンサの感度を変化させることができる。 （もっと読む）