【課題】十分な暗電流抑制効果と高い光電変換効率を両立させることができ、応答速度の低下を防止できる光電変換素子及び固体撮像素子を提供する。
【解決手段】一対の電極と、一対の電極の間に配置された光電変換層と、一方の電極と光電変換層との間に形成され、一対の電極への電圧印加時に前記一対の電極の一方から光電変換層に電荷が注入されるのを抑制する電荷ブロッキング層と、を備えた光電変換素子であって、電荷ブロッキング層が酸化珪素SiOx(0<x<2)と、該酸化珪素よりも電子移動度の高い材料とを含む。 （もっと読む）

【課題】接合される部材の構成材料によらず、２つの部材同士を高い寸法精度で強固に接合可能な接合方法、かかる接合方法により、２つの部材同士を強固に接合してなる接合体および半導体装置、および、前記半導体装置を備え、光電変換効率が高く容易に製造可能な光電変換素子を提供すること。
【解決手段】本発明の接合方法は、第１の基材２１と第１の接合膜３１とを備える第１の被着体４１と、第２の基材２２と第２の接合膜３２とを備える第２の被着体４２とを用意する工程と、各接合膜３１、３２にエネルギーを付与して、各接合膜３１、３２の表面のＳｉ−Ｈ結合を切断することにより、各接合膜３１、３２に接着性を発現させる工程と、各接合膜３１、３２同士が密着するように、第１の被着体４１と第２の被着体４２とを貼り合わせ、接合体を得る工程とを有する。ここで、各接合膜３１、３２は、それぞれＳｉ−Ｈ結合を含む多結晶シリコンで構成されている。 （もっと読む）

【課題】 電子輸送性の優れた有機ｎ型半導体として利用可能な新規化合物を提供すること。
【解決手段】 下記一般式（Ｉ）で表される基又は下記一般式（ＩＩ）で表される基を２以上有する共役系化合物。
【化１】



［式中、Ａｒ及びＡｒ’のいずれか一方は炭素数６以上の２価の芳香族炭化水素基、他方は炭素数４以上の２価の複素環基（これらの基は置換基を有してもよい。但し、これらの基全体としてフッ素原子を含有しない）を示し、Ｒ^１及びＲ^２はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子又は１価の基、Ａｒ’’は、３価の芳香族炭化水素基又は３価の複素環基をそれぞれ示す。但し、共役系化合物が、一般式（Ｉ）で表される基を２以上有する場合は、当該基以外の部分はフッ素原子を含有しない。］ （もっと読む）

本発明は、量子トンネル効果光検出器アレイ、および、画像生成方法を提供するものである。当該光検出器アレイは、対向する第一電極および第二電極の対の配列と、それぞれの当該対における当該対向する第一電極および第二電極の間に配置された、感光性の絶縁材料と、それぞれの当該対における当該対向する第一電極および第二電極の間の、光アシスト量子トンネル電流を検出するための電気回路と、を含む。 （もっと読む）

【課題】発光素子の発光形状を乱さずに発光素子の光量を検出可能な発光装置、電子機器を提供すること。
【解決手段】発光装置は、基板１０上に列をなすように形成された複数の発光素子２と、発光素子２と基板１０との間の層に形成された光検出素子２０とを備える。光検出素子２０は、平面視で発光素子２の外縁に沿って形成されている。光検出素子２０は、ｐ型半導体層２２、有感領域２４、ｎ型半導体層２６を有するｐｉｎダイオードを含んで構成され、このうち有感領域２４は、平面視で発光素子２の外縁２ａに沿って形成されている。 （もっと読む）

【課題】光電変換効率の低下をできるだけ抑えつつ、暗電流を減少させることができる光電変換素子及び固体撮像素子を提供する。
【解決手段】本発明は、一対の電極と、一対の電極の間に配置された光電変換層とを含む光電変換部を有する光電変換素子であって、光電変換層の少なくとも一部がｐ型有機半導体とフラーレン類の混合層を含む光電変換素子であって、該ｐ型有機半導体に対するフラーレン類の体積比が、一対の電極の正孔捕集電極側より電子捕集電極側の方が小さい。 （もっと読む）

本発明は、基板上に第１層と第２層とを具備する光電子デバイスに関する。前記光電子デバイスは、前記第１層がフッ素含有基を有する電極材料を含み、前記第２層がフッ素含有基を有する高分子材料を含み、前記第１層と前記第２層のフッ素含有基の一部の間で接着性のフッ素−フッ素相互作用を生じることを特徴とする。本発明はさらに、本発明による光電子デバイスの使用および本発明による光電子デバイスの製造方法にも関する。 （もっと読む）

【課題】同一の基板上にスイッチング素子と光センサ素子を形成する場合に、光センサ素子の感度が上げるために、活性層の膜厚を厚くすると、スイッチング素子（ＴＦＴ）の特性に悪影響を及ぼしてしまう。
【解決手段】複数の画素がマトリクス状に配置されるガラス基板５のゲート絶縁膜２４の上に、画素のスイッチング素子となる薄膜トランジスタを構成するチャネル層２５と、光センサ素子を構成する光電変換層３５とを有する表示装置の構成として、光電変換層３５をチャネル層２５よりも厚く形成したり、光電変換層３５をチャネル層２５と異なる材料で形成したりすることにより、光電変換層３５の光吸収率をチャネル層２５のそれよりも高くした。 （もっと読む）

【課題】機械的強度を保ちつつ、小型化を十分に図ることが可能な半導体光検出素子及
びその製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体光検出素子ＰＤ５は、層構造体ＬＳ２と、ガラス基板１とを備える。層構造体ＬＳ１は、ｎ型の高濃度キャリア層３、ｎ型の光吸収層５、及びｎ型のキャップ層７を含んでいる。層構造体ＬＳ１の一方面側には、受光領域９が形成されている。層構造体ＬＳ１の一方面側には、コンタクト電極７１が配置されている。層構造体ＬＳ１の他方面側には、第１パッド電極２７及び第３電極部８１が配置されている。層構造体ＬＳ１の一方面側には、受光領域９及びコンタクト電極７１を覆うように膜１０が形成されている。ガラス基板１は、膜１０における層構造体ＬＳ１とは反対側の面１０ａに接触して貼り合わされている。ガラス基板１は、入射光に対して光学的に透明である。 （もっと読む）

【課題】同一の基板上にスイッチング素子と光センサ素子を形成する場合に、光センサ素子の感度が上げるために、活性層の膜厚を厚くすると、スイッチング素子（ＴＦＴ）の特性に悪影響を及ぼしてしまう。
【解決手段】複数の画素がマトリクス状に配置されるガラス基板５上に、画素のスイッチング素子となる薄膜トランジスタを構成するチャネル層２５と、光センサ素子を構成する光電変換層３５とを有する表示装置の構成として、外光が入射する側と反対側で光電変換層３５に最も近接して対向配置される電極３３の表面に光反射膜３４を形成した。 （もっと読む）

【課題】プラズモン共鳴により光を吸収する金属の腐食、電解質溶液中への溶出が抑えられたプラズモン共鳴型光電変換素子および該製造方法を提供する。
【解決手段】酸化還元種を含む電解質溶液２０を介して配置されているカソード電極１０とアノード電極３０とを備え、カソード電極１０が、透明基板１１と、透明基板１１上に順次積層された透明導電性電極１２、金属薄膜１３、およびｎ型半導体からなる半導体薄膜１４とを有し、半導体薄膜１４表面が電解質溶液２０に接触していることを特徴とするプラズモン共鳴型光電変換素子１、および該製造方法。 （もっと読む）

【課題】可視光を透過し赤外光で吸収発電する半導体を用いた太陽電池を提供する。
【解決手段】二つの電極２，２の間に、赤外光領域に光の吸収ピークを有する有機物半導体を含有する光電変換層１が設けられている。この有機太陽電池Ａによれば、太陽エネルギーの大部分を占める赤外光を太陽電池発電に利用することができ、高効率の太陽電池を得ることができる。また、赤外光領域に光の吸収ピークを有する有機物半導体は可視光の透過率が高いため、光電変換層１を透明に形成することが可能となる。また、可視光領域を吸収して発電する太陽電池や紫外光領域を吸収して発電する太陽電池と組み合わせれば、発電効率の更なる向上を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】暗電流を抑えてＳＮ比を向上させることのできる光電変換素子を提供する。
【解決手段】下部電極１０１と、上部電極１０４と、これらの間に配置された有機光電変換層１０２とを含む光電変換素子であって、上部電極１０４を有機光電変換層１０２で発生した電子を捕集するための電極とし、下部電極を有機光電変換層１０２で発生した正孔を捕集するための電極とし、上部電極１０４と有機光電変換層１０２との間に、上部電極１０４と下部電極１０１間にバイアス電圧を印加した状態で上部電極１０４から有機光電変換層１０２に正孔が注入されるのを抑制する酸化珪素からなる正孔ブロッキング層１０３を備え、この酸化珪素の珪素に対する酸素の組成比が０．５以上１．２以下である。 （もっと読む）

【課題】暗電流の発生を抑制しつつ、光電変換効率を向上させることができる光電変換素子、光電変換素子の製造方法、固体撮像素子を提供する。
【解決手段】本発明は、一対の電極と、前記一対の電極の間に配置された光電変換層とを含む光電変換部を有する光電変換素子であって、光電変換層の少なくとも一部がｐ型有機半導体とフラーレン類の混合層を含み、該ｐ型有機半導体に対するフラーレン類の膜厚比が１：１より小さい。 （もっと読む）

【課題】凹部が浅く扁平であるＰＳＳ（Ｐａｔｔｅｒｎｅｄ Ｓａｐｐｈｉｒｅ Ｓｕｂｓｔｒａｔｅ）を用いた場合であっても、ＰＳＳと窒化物半導体膜との間に空洞を確実に形成することのできる、ＰＳＳ／窒化物エピウェハの製造方法を提供する。
【解決手段】Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ（０＜ｘ≦１）からなる低温バッファ層を、凹部の底面上と凸部の上面上とで低温バッファ層の成長速度および／またはＡｌ組成ｘが異なるように成長させる工程と、この工程に続いて窒化物半導体膜を成長させる工程とを有し、窒化物半導体膜を成長させる工程の初期において、凹部の底面上における窒化物半導体の成長速度が、凸部の上面上における窒化物半導体の成長速度よりも小さくなるように、低温バッファ層の膜厚を設定する。 （もっと読む）

半導体構造を製造する方法を開示する。方法は、誘電体層に少なくとも１つのトレンチを形成して、半導体基板の一部を露呈させる工程と、少なくとも１つのトレンチの少なくとも底部に、シリコンゲルマニウムバッファ層を形成する工程と、シリコンゲルマニウムバッファ層の上にゲルマニウムシード層を形成する工程と、ゲルマニウムシード層の上にゲルマニウム層を形成する工程とを備える。さらに半導体構造を開示する。半導体構造は、半導体基板と、半導体基板の上に形成される誘電体層と、誘電体層に形成されて、半導体基板の一部を露呈させる少なくとも１つのトレンチと、少なくとも１つのトレンチの少なくとも底部に形成されるシリコンゲルマニウムバッファ層と、シリコンゲルマニウムバッファ層の上に形成されるゲルマニウムシード層と、ゲルマニウムシード層の上に形成されるゲルマニウム層とを備える。 （もっと読む）

本発明は、小さい欠陥密度を有するＩＩＩ族窒化物半導体材料からなる実質的に連続的な層を製造するための方法を提供する。この方法は、ベース基板上において核形成層をエピタキシャル成長させ、この核形成層を熱処理し、不連続なマスク層をエピタキシャル成長させることを含む。簡単に説明されるこの方法は、マスクし、消滅させ、および、融合させることによって欠陥を減少させることを促進し、それによって、小さい欠陥密度の半導体構造をもたらす。本発明は、広い範囲の半導体材料に適用されてもよく、元素半導体、例えば、ひずみＳｉ（ｓＳｉ）と組み合わせたＳｉ（シリコン）、および／または、Ｇｅ（ゲルマニウム）、および、化合物半導体、例えば、ＩＩ−ＶＩ族およびＩＩＩ−Ｖ族の化合物半導体材料のいずれにも適用されてもよい。 （もっと読む）

本発明は、小さい欠陥密度を有しかつ選択された結晶極性をオプションとして有する、ＩＩＩ族窒化物半導体材料からなる実質的に連続的な層を製造するための方法を提供する。この方法は、テンプレート構造上に不規則に配置されたＩＩＩ族窒化物材料からなる複数のピラー／アイランドの上部にエピタキシャル成長の核形成および／または播種することを含む。アイランドの上部は、小さい欠陥密度を有し、また、選択された結晶極性をオプションとして有する。本発明は、また、マスク材料からなる実質的に連続的な層を有するテンプレート構造を含み、ピラー／アイランドの上部は、このマスク材料から突き出る。本発明は、広範囲の元素半導体材料および化合物半導体材料に適用されてもよい。 （もっと読む）

【課題】発光領域と受光領域とが混在するシート状の撮像素子であって、医療用に最適な撮像素子を提供する。
【解決手段】平面視において発光領域２ｂと受光領域２ａとが混在したシート状の撮像素子２であって、シート状の透光性基板２３と、透光性基板２３の表面上方の受光領域２ａに形成された光電変換素子２５と、透光性基板２３の表面上方の発光領域２ｂに形成された光を透過する透光部２４と、透光性基板２３の裏面側から透光性基板２３を介して透光部２４に光を入射する発光シート２２とを備え、透光性基板２３が赤外光を透過するものであり、光電変換素子２５が赤外光を検出するものであり、透光部２４が赤外光を透過するものであり、発光シート２２が赤外光を透光部２４に入射するものである。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】 半導体デバイスの製造方法が開示される。前記方法は、複数のエピタキシャル層が上にマウントされた基板を用意すること；および、前記複数のエピタキシャル層を損なわずに、前記基板を前記複数のエピタキシャルから分離することを具備する。これは、前記複数のエピタキシャル層の電気的、機械的および光学的な特性を保持する。 （もっと読む）