【課題】カルコパイライト型半導体に高電界を印加することで、衝突電離による電荷の増倍を発生させ、かつ暗電流特性を改善することにより、低照度でも検出効率を高め、Ｓ／Ｎ比が高いフォトダイオードおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】カルコパイライト構造の化合物半導体薄膜からなる光吸収層１２と、光吸収層１２上に配置され、化合物半導体薄膜よりも高いバンドギャップエネルギーを有する表面層１４と、表面層１４上に配置され上部電極層１８と、上部電極層１８と対向し、光吸収層１２の裏面に配置された下部電極層１０とを備え、上部電極層１８と下部電極層１０間に逆バイアス電圧を印加して、化合物半導体薄膜内で光電変換により発生した電荷を検出し、また、衝突電離により光電変換により発生した電荷の増倍を起こさせるフォトダイオードおよびその製造方法。 （もっと読む）

本発明は、特に光電子工学、太陽光技術、およびセンサ技術の電子部品において使用するための透明な整流性接触構造ならびにその製造方法に関する。本発明による透明な整流性接触構造は、下記の構成要素：ａ）透明な半導体、ｂ）金属酸化物、金属硫化物、および／または金属窒化物から成り、透明で絶縁性でなく伝導性でなく、固有抵抗が好ましくは１０^２Ωｃｍ〜１０^７Ωｃｍの範囲内である層、およびｃ）透明な導電体から成る層を有し、層ｂ）は半導体ａ）と層ｃ）の間に形成されており、この層ｂ）の組成は特許明細書の中で詳しく定義されている。 （もっと読む）

ｎ型材料と接触している有機ｐ型材料を含み、前記ｎ型材料が、ＳｎＯ_２よりも高いバンドギャップ及び／又はＳｎＯ_２よりも真空準位に近い伝導帯端を有する表面被覆材料、例えばＭｇＯなど、の少なくとも１つの表面被覆を有するＳｎＯ_２を含む、固体ｐ−ｎヘテロ接合。本発明は、かかるｐ−ｎヘテロ接合を含むオプトエレクトロニクスデバイス、例えば太陽電池又は光センサーなど、並びにかかるヘテロ接合デバイスの製造方法を提供する。
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本発明は、基板（１）と、アノード（２）およびカソード（１０）と、該アノードとカソードの間に配置された少なくとも１つの活性層（６）とを有する光電構成素子に関する。アノード（２）のカソード側表面上は、酸化金属、窒化金属または酸化窒化金属を含有するか、またはそれらからなる非結晶誘電層（３）が直接配置されている。酸化金属、窒化金属または酸化窒化金属に含まれる金属は、アルミニウム、ガリウム、チタン、ジルコニウム、ハフニウム、タンタル、ランタン、および亜鉛からなる群の１つまたは複数の金属から選択されている。
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【課題】優れた光電変換効率を有する光電変換素子を提供する。
【解決手段】基板Ｔ上に形成された２つの電極Ｙ間に、導電性高分子ｄと電子受容体ａを含有する光電変換層Ｅを有する光電変換素子Ｐであって、該導電性高分子ｄが、下記一般式（１）で示されるポリセレノフェン誘導体を含有することを特徴とする、光電変換素子を用いることで優れた光電変換効率を達成する。
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【課題】有機光電変換材料で構成される光電変換層に形成した複数の光電変換素子の直列接続構造を製造容易な形で実現できる光電変換デバイス及び光電変換デバイスの製造方法を得ることを目的とする。
【解決手段】光過性基板上に、光透過性のｎ個（但しｎは２以上の整数）の第１電極と、空隙を有せずに一括形成された有機光電変換材料からなる１つの光電変換層と、前記第１電極とは異なる材料を用いたｎ個の第２電極とがこの順に積層され、ｋ番目（但し１≦ｋ≦ｎ−１）の前記第１電極及び前記第２電極に挟まれた前記光電変換層にｋ個目の光電変換素子が形成される場合に、ｋ番目の前記第２電極と（ｋ＋１）番目の前記第１電極は、前記光電変換層が存在しない領域にて接続されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】大面積で均一な低転位密度窒化ガリウムおよびその製造プロセスを提供する。
【解決手段】１５ｃｍを超える大面積と、少なくとも１ｍｍの厚さと、５Ｅ５ｃｍ^−２を超えない平均転位密度と、２５％未満の転位密度標準偏差比率と、を有する大面積で均一な低転位密度単結晶ＩＩＩ−Ｖ族窒化物材料、たとえば窒化ガリウム。かかる材料は、（Ｉ）たとえばＩＩＩ−Ｖ族窒化物材料の成長表面の少なくとも５０％にわたってピットを形成するピット化成長条件下で、ＩＩＩ−Ｖ族窒化物材料を基板上に成長させる第１段階であって、成長表面上のピット密度が、成長表面において少なくとも１０^２ピット／ｃｍ^２である段階と、（ＩＩ）ピット充填条件下でＩＩＩ−Ｖ族窒化物材料を成長させる第２段階と、を含むプロセスによって基板上に形成することができる。 （もっと読む）

【課題】
塗布法により容易に作製でき、大面積化が可能で光電変換効率の高い有機光電変換膜及びこれを含む電子素子を提供することを課題とする。
【解決手段】
電子供与性の第１有機材料と電子受容性の第２有機材料とを有機溶媒に溶解させて塗布する塗布処理により形成される有機光電変換膜において、前記第１有機材料はポリフルオレン誘導体であり、前記第２有機材料はシロール誘導体であり、かつ、前記有機溶媒を膜内に含む。 （もっと読む）

【課題】例えば、感度が高められた光電変換素子、及び光電変換装置、並びにイメージセンサを提供する。
【解決手段】下電極（１５１ｅ）は、基板（１０）上に形成されたゲート絶縁膜（４１）、絶縁膜（４２）、（４３）及び（４４）のうちアクリル樹脂の有機樹脂から構成された絶縁膜（４３）上に形成されている。下電極（１５１ｅ）は、基板（１０）上における断面形状が凹凸形状であり、且つ入射光に対して斜めに交差する光反射面を有している。したがって、下電極（１５１ｅ）によれば、フォトセンサ（１５１）の上側からフォトセンサ（１５１）に入射した入射光のうちｎ型半導体層（１５１ｂ）、受光層（１５１ｃ）及びｐ型半導体層（１５１ｄ）を透過した光を、入射光の入射方向とは別の方向に散乱させることが可能である。 （もっと読む）

【課題】光電変換層のエッチングを段階的に行うことで、端部の側面が異なるテーパ角を
有する光電変換素子を提供する。
【解決手段】ｐｉｎ型の光電変換素子はｐｎ型と比べて応答速度が高速であるが、暗電流
が大きいという欠点がある。この暗電流の一因は、エッチングで発生したエッチング残渣
が光電変換層の端部の側面に堆積し、このエッチング残渣を介して導通することによるも
のだと考えられる。そこで、従来は単一面のテーパ形状であった端部の側面を二段階のテ
ーパ形状にし、光電変換層のｐ層の端部の側面とｎ層の端部の側面が同一面上に存在しな
い構成とすることで、光電変換素子のリーク電流を低減する。 （もっと読む）

【課題】一つの部品で多方向からの光を検知することが可能な光センサを提供する。
【解決手段】透光性を有する基板１０１に複数の検出素子を有し、該検出素子は並列に接続され、ＩＴＯ（酸化インジウム酸化スズ合金）、酸化インジウム酸化亜鉛合金（Ｉｎ２Ｏ３）―ＺｎＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）等の透光性を有する導電膜で形成された第１の透明電極１０２を有し、第１の透明電極１０２に接続される配線１０３、第１の半導体膜１０４、金属電極（極性：マイナス）１０５、及び金属電極１０５に接続される配線１０６によって第１の検出素子を構成し、第１の透明電極（極性：プラス）１０２、第１の透明電極１０２に接続される配線１０３、第２の半導体膜１０７、第２の透明電極（極性：マイナス）１０８、及び第２の透明電極１０８に接続される配線１０９によって第２の検出素子を構成する。 （もっと読む）

【課題】半導体層のエッジ部分の形状バラツキに起因する電流バラツキを低減すると共に特性劣化を抑制し、更に外乱の影響を防止する光センサ素子を提供することを課題とする。
【解決手段】電流方向における半導体層（真性領域３）のエッジ部分をＰ＋拡散領域にしたので、このエッジ部分がアノード電極６となり、光センサ素子の性能を決める電流がエッジ部分に流れることを防止できる。これにより、シリコンエッジの形状バラツキに起因する電流バラツキを低減すると共に特性劣化を抑制し、更に外乱の影響を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】マトリクス状に配置した光電変換素子が捉える光の強度分布を、再現よく電気信号に変換して取り出せる大型のエリアセンサおよび、エリアセンサを搭載した書き込み速度が速く、表示ムラが少ない表示装置を提供する。
【解決手段】インジウム、ガリウム、および亜鉛を含む酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタは、大面積基板にマトリクス状に配置することが容易であり、また特性にバラツキが少ない。インジウム、ガリウム、および亜鉛を含む酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタで構成した特性にバラツキが少ない増幅回路と表示素子の駆動回路を用いて、マトリクス状に配置したフォトダイオードが捉える光の強度分布を再現よく電気信号に変換して取り出し、マトリクス状に配置した表示素子をムラなく駆動する。 （もっと読む）

【解決手段】本発明は、反射層(31)の少なくとも一部に直接形成され、光ビーム(35)によって照射される半導体層(33)の少なくとも一部を備えた光検出器に関しており、少なくとも１つのパッド(37)が、反射層の一部の反対側の半導体層の一部に形成されており、パッド及び反射層の一部は、金属か、又は負の誘電率を有する材料から形成されており、反射層の少なくとも一部と少なくとも１つのパッドとの間に形成された光共振器の厚さが、半導体層の光学指数に対する光ビームの波長の比率の４分の１より完全に小さく、一般的には比率の約10分の１である。
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【課題】新たな膜層を必要とせず光センサの感度を向上させる。
【解決手段】光源を有する表示パネルに配置される光センサ素子を製造する光センサ素子製造方法であって、基板の上面にエッチングレートのより遅い第１の遮光膜を蒸着させる第１の遮光膜蒸着ステップと、第１の遮光膜の上面にエッチングレートのより早い第２の遮光膜を蒸着させる第２の遮光膜蒸着ステップと、第２の遮光膜の上面にレジストパターンを形成するレジストパターン形成ステップと、第１および第２の遮光膜に対してウェットエッチングを行うウェットエッチングステップと、第２の遮光膜からレジストパターンを剥離するレジストパターン剥離ステップと、ガラス基板と第１および第２の遮光膜とを覆うようにベースコートを蒸着させるベースコート蒸着ステップと、下層に第１および第２の遮光膜が配置されているベースコートの上面に半導体層を蒸着させる半導体層蒸着ステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】 半導体ワイヤにおいて誘導される電荷によって電磁放射を検出する半導体ナノワイヤ電磁放射センサ、これを製造する方法、これを動作させる方法を提供する。
【解決手段】 半導体ナノワイヤに化学コーティング層を被覆し、この層が半導体材料に選択的に付着し、化学反応によって染料を形成する。染料層は、電磁放射を吸収する材料を含む。吸収されたエネルギの一部は、化学コーティング層において電子励起を誘発し、ここから追加の自由電荷キャリアが半導体ナノワイヤに一時的に提供される。従って、染料層に照射すると、半導体ナノワイヤの導電性が上昇する。半導体ナノワイヤおよび結果として得られる染料層は、共同で、電磁放射の検出器として動作する。 （もっと読む）

【課題】ゲート電極を有する薄膜ＰＩＮダイオード素子における暗電流を低減して低い照度の検出を可能にする。
【解決手段】薄膜ＰＩＮダイオード素子は、ｐ型不純物（ボロンなど）が注入されたｐ領域Ｐ、ｎ型不純物（リンなど）が注入されたｎ領域Ｎ、および各領域に挟持されたｉ領域Ｉを有する半導体島１と、ｐ領域Ｐに接続されたアノード電極２と、ｎ領域Ｎに接続されたカソード電極３と、ｉ領域Ｉにオーバーラップする主要部５を含むゲート電極６と、を有し、半導体島１のエッジ１００が、ゲート電極６にオーバーラップするエッジ部分１０１を含み、エッジ部分１０１の長さが、主要部５のｐ領域Ｐからｎ領域Ｎに向かう方向の長さ５Ｌより長い。 （もっと読む）

【課題】低い不純物濃度の領域を有する場合や、ゲート絶縁膜中またはゲート電極の表面に電荷が発生した場合であっても、光電流が低下しない薄膜ＰＩＮダイオード素子を提供する。
【解決手段】薄膜ＰＩＮダイオード素子は、ｐ型不純物（ボロンなど）が注入されたｐ領域Ｐ、ｎ型不純物（リンなど）が注入されたｎ領域Ｎ、および各領域に挟持されたｉ領域Ｉを有する半導体島１と、ｐ領域Ｐに接続されたアノード電極２と、ｎ領域Ｎに接続されたカソード電極３と、ｐ領域Ｐとｉ領域Ｉの境界上にゲート絶縁膜１１を介して配置されたゲート電極５と、ｎ領域Ｎとｉ領域Ｉの境界上にゲート絶縁膜１１を介して配置されたゲート電極６と、各ゲート電極５、６上に層間膜１２を介して配置されたゲート電極７とを有する。 （もっと読む）

【課題】寄生容量の増大を最小限に抑えつつ、大きな光電流を発生させることの可能な受光素子およびそれを備えた受光装置を提供する。
【解決手段】受光素子１０において、面内方向において互いに対向するｐ型半導体領域１４Ａおよびｎ型半導体領域１４Ｂを有する半導体層１４が設けられている。ｐ型半導体領域１４Ａのうちｎ型半導体領域１４Ｂとの対向部分１８Ａおよびｎ型半導体領域１４Ｂのうちｐ型半導体領域１４Ａとの対向部分１８Ｂの双方が互い違いに凹凸形状となっている。 （もっと読む）

【課題】耐久性の高い有機光電変換素子、この素子を用いた太陽電池及び光アレイセンサを提供する。
【解決手段】陰極と陽極の間に、下記一般式（１）で表される部分構造を有する低分子化合物を含有する有機光電変換素子。


〔式中、Ｚは、置換または無置換の５員または６員の芳香族環、これらの縮合芳香族環を形成するに必要な原子群を表し、Ｒ_１、Ｒ_２は、水素原子、ハロゲン原子、置換または無置換のアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、ヘテロアリール基、シクロアルキル基、シリル基、エーテル基、チオエーテル基、アミノ基を表す。〕 （もっと読む）