【課題】基板上に形成された複数の半導体素子を備えた半導体装置において、半導体素子の基板側に配置された遮光層の電位を安定化させて半導体素子の特性のばらつきを抑制する。
【解決手段】半導体装置は、光透過性を有する基板１０１と、基板１０１に支持された複数の半導体素子１２５と、基板１０１と複数の半導体素子１２５との間に配置された導電性を有する複数の島状の遮光層１０３と、基板１０１と複数の半導体素子１２５との間に配置された透光性を有する導電膜１０２とを備え、複数の島状の遮光層１０３は、複数の半導体素子１２５の少なくとも２つの半導体素子と関連付けられており、かつ、導電膜１０２に電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】機能膜を有する機能性素子の機能膜の特性を向上させながらも、機能性素子全体の特性劣化を低コストで防ぐことが可能な機能性素子の製造方法を提供する。
【解決手段】互いに対向する一対の電極７，９と、電極７，９間に挟まれた光電変換膜８とを有する光電変換素子の製造方法であって、電極７上に光電変換膜８を形成する工程（図２（ａ））と、光電変換膜８上に電極９を形成する工程（図２（ｂ））と、光電変換膜８の特性を向上させるために行うアニール処理による電極９の変質を防ぐための変質防止膜１１を電極９上に形成する工程（図２（ｃ））と、変質防止膜１１形成後にアニール処理を施す工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】光量損失を最小限にし長寿命でかつ小型化が容易な露光装置を提供する。
【解決手段】ガラス基板１００と、このガラス基板１００上に配列された複数の発光素子１１０から構成される発光素子列を具備し、発光素子１１０が１層以下の空気層３を介して感光体２に対向せしめられ、感光体２を露光するように構成されたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】より安価なシリコン微粒子を原料として低コストで製造可能な光センサーとその製造方法を提供する。
【解決手段】光センサー１は、第１の官能基を有する被膜で被覆された透明電極１４の表面のパターン部分にのみ選択的に、第２の官能基を有する被膜で被覆されたｎ型シリコン微粒子２４が１層結合固定され、その上には第３の官能基を有する被膜で被覆されたｐ型シリコン微粒子２５が１層結合固定されており、第１と第２の官能基、および第２と第３の官能基とは、カップリング剤のカップリング反応基との間で生成された結合を介してそれぞれ固定されている。 （もっと読む）

【課題】高感度のアモルファスシリコンフォトダイオードおよびその製造方法ならびにそのアモルファスシリコンフォトダイオードを用いた低被爆量型のＸ線撮像装置を提供する。
【解決手段】絶縁性基板と、前記絶縁性基板の上に形成された第１導電型アモルファスシリコン層と、前記第１導電型アモルファスシリコン層の上に形成されたｉ型アモルファスシリコン層と、前記ｉ型アモルファスシリコン層の上に形成された第２導電型のアモルファスシリコン層と、前記絶縁性基板と前記第１導電型アモルファスシリコン層との間において、その周端面が前記第１導電型のアモルファスシリコン層の周端面よりも内側となるように設けられた金属電極と、を備えたことを特徴とするアモルファスシリコンフォトダイオードが提供される。 （もっと読む）

【課題】光電流の出力を大きくするとともに出力のばらつきを小さくすることを可能にする。
【解決手段】ｐ型半導体領域と、ｎ型半導体領域と、前記ｐ型半導体領域と前記ｎ型半導体領域との間に形成され、前記ｐ型半導体領域および前記ｎ型半導体領域よりも不純物の濃度が低いｉ型半導体領域と、前記ｐ型半導体領域に接続されるアノード電極と、前記ｎ型半導体領域に接続されるカソード電極と、を備えている横型ｐｉｎ構造の光センサ素子において、前記アノード電極と前記カソード電極との間の逆バイアス電圧をＶ_ｄ、とし、前記逆バイアス電圧Ｖ_ｄが飽和電圧よりも小さい第１領域におけるＩ_ｐ−Ｖ_ｄ特性のＶ_ｄ＝０での接線と、前記逆バイアス電圧Ｖ_ｄが飽和電圧Ｖ_ｓａｔ以上の第２領域におけるＩ_ｐ−Ｖ_ｄ特性の直線との交点における逆バイアス電圧Ｖ_ｄをＶ_１とすると、前記光電流の検出時に印加する逆バイアス電圧Ｖ_ｂは
Ｖ_１＜Ｖ_ｂ＜Ｖ_ｓａｔ
を満たす。 （もっと読む）

【解決手段】金属・絶縁体半導体（MIS）フォトダイオードを有する集積された光電性デバイスは半導体材料の1つ以上の実質的に連続した層と、誘電性材料の実質的に連続した層とで構成される。
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【課題】本発明は、加熱された場合でも、光電変換効率の劣化をより抑制し得るバルクへテロ接合型光電変換素子、光アレイセンサおよび放射線画像検出器を提供する。
【解決手段】本発明では、Ｐ型半導体材料とＮ型半導体材料とを混合したバルクヘテロ層を備えるバルクへテロ接合型光電変換素子１０において、前記Ｐ型半導体材料および前記Ｎ型半導体材料のうち、融点の低い半導体材料が予め設定された光電変換率を与える混合比よりもリッチであることを特徴とする。 （もっと読む）

光検出システムは、第１光センサー（２１’）と、第２光センサー（２１）と、周辺光が第１光センサー（２１）に入射するのを遮断するために第１光センサー（２１’）の上に位置し、かつ第２光センサー（２１）の上に位置しないように配置される第１遮光物質（２４）とを備える。第１導電性物質（２３ａ）は、第１遮光層（２４）と第１光センサーとの間に配置され、第２導電性物質（２３ｂ）は、第２光センサーの上に配置される。第２導電性物質（２３ｂ）は、少なくとも部分的に透過性である。第１遮光層（２４）と第１光センサーとの間に第１導電性物質（２３ａ）を配置することにより、遮光層（２４）（典型的には金属層）によって発生してしまういかなる寄生容量も排除することができる。第２導電性物質（２３ｂ）を第２光センサーの上に配置することにより、２つの光センサーが可能な限り密接に電気的に整合することを確実にできる。これによって、第１光センサーの出力と第２光センサーの出力の差は、周辺光のレベルを示す信頼性のある指標となり得る。第１導電性物質（２３ａ）および第２導電性物質（２３ｂ）は、両光センサーを覆うために、少なくとも部分的に光透過性である導電性物質の層を配置することによって形成し得る。
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【課題】高解像度のものを作製し易い光電変換素子アレイ、光電変換デバイス、光電変換ユニット、および画像読取り装置を得ること。
【解決手段】第１電極７と、該第１電極７上に配置された有機光電変換部８と、該有機光電変換部８上に配置された第２電極９とを有する有機光電変換素子１０を支持基板１上に多数配置して光電変換素子アレイ３０Ａを構成するにあたり、第１電極７、有機光電変換部８、および第２電極９のうちの１つまたは２つは、各有機光電変換素子１０が１つの膜を共用したコモン構造とし、第１電極７および第２電極９のうちの少なくとも一方は有機光電変換素子１０毎に形成された個別電極とする。 （もっと読む）

基板上に１つまたは複数の有機層を堆積する方法であって、前記層をコーティングしたスタンプ堆積面を前記基板と接触させることにより、前記１つの層または複数の層を前記スタンプの前記堆積面から前記基板に転写させるステップと、（ｉ）ポリマーを可塑剤と接触させるステップおよび（ｉｉ）前記基板およびまたはスタンプを加熱して共形接触および均一な層転写に好都合な条件を創出するステップのいずれかまたは両方のステップと、を備えることを特徴とする方法。 （もっと読む）

【課題】基板の取り外しが容易な光または放射線検出器を提供することを目的とする。
【解決手段】パターン形成されるパターン本数の違いがあることを利用して、絶縁基板３６に電気的に接続されたフレキシブル基板４０にマルチプレクサ３８を少なくとも搭載し、フレキシブル基板４０の絶縁基板３６側の一端を異方導電性接着剤４０ａによって絶縁基板３６に電気的に接続するとともに、フレキシブル基板４０の絶縁基板３６側とは逆側（信号処理基板４１側）の他端をコネクタ４０ｂによって電気的に接続し、フレキシブル基板４０にパターン形成されるピッチの幅ｄを、マルチプレクサ３８よりも絶縁基板３６側では狭くして、マルチプレクサ３８よりも信号処理基板４１側では広くすることで、マルチプレクサ３８を境界にしてピッチ変換する。その結果、コネクタ４０ｂによって信号処理基板４１の取り外しが容易になる。 （もっと読む）

【課題】簡便かつ廉価な構成で光の強度分布を測定する機能を持ち、計測波長帯の選択性を持った光検出器を提供する。
【解決手段】増感色素が塗布された透明半導体電極部１１と対向電極部１２と、両者に挟まれたバッファ層１３とからなる透過型光検出器で、対向電極部または透明半導体電極部が複数の電極セルに分割されて構成される。この光検出器によれば、増感色素で吸収される波長帯の光の一部を用いて、光電変換を行い、波長選択性を持った光検出器をコンパクトな構成で実現することができる。 （もっと読む）

【課題】暗電流の少ない光電変換素子の製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に下部電極１０１を形成する下部電極形成工程と、下部電極１０１上に有機光電変換層１０２を形成する有機光電変換層形成工程と、有機光電変換層１０２上に金属酸化体からなる正孔ブロッキング層１０３を形成する正孔ブロッキング層形成工程と、正孔ブロッキング層１０３上に上部電極１０４を形成する上部電極形成工程とを備え、ブロッキング層形成工程は、有機光電変換層１０２上に金属材料を成膜する成膜工程と、該成膜工程で成膜された金属材料を酸化する酸化工程とからなる。 （もっと読む）

【課題】高感度の光センサ素子とセンサドライバ回路とを、多結晶材料のみで、絶縁性基板上にプレナプロセスを用いて形成する。
【解決手段】多結晶シリコン膜で光センサ素子とセンサドライバ回路の両方を作製し、光センサ素子としては、絶縁性基板１０上に形成した第一の電極１１、受光領域１４及び第二の電極１２と、受光領域１４上に形成した第三の電極１３とを備えたＴＦＴを利用してホトトランジスタを形成し、第三の電極１３下の両側の領域１５及び１６又は片側の領域１５又は１６に真性層に近い不純物層（活性化不純物濃度が１０¹⁷ｃｍ^-3以下）を設ける。 （もっと読む）

【課題】有機材料を含む基材上へも形成可能であり、光導電特性や機械的特性、耐酸化性等に優れると共にこれらの特性が経時的にも安定して維持できる半導体膜、受光素子、感光体、プロセスカートリッジ、及び画像形成装置を提供する。
【解決手段】基材上に形成され、１３族元素と炭素と１５原子％以上５５原子％以下の酸素とを含むことを特徴とする半導体膜、この半導体膜を有する受光素子、この半導体膜有する感光体、この感光体を含むプロセスカートリッジ、及びこの感光体を含む画像形成装置。 （もっと読む）

【課題】軽量で薄く、好ましくは可撓性を有する光センサ、光電変換素子、光電変換装置、及び半導体装置を作製することを課題とする。
【解決手段】第１の絶縁膜上に、フォトダイオードと、前記フォトダイオードの出力電流を増幅する増幅回路とを有する第１の素子と、第２の絶縁膜上に、カラーフィルタと、前記カラーフィルタ上にオーバーコート層とを有する第２の素子とを有し、前記第１の素子と前記第２の素子は、前記第１の絶縁膜と前記第２の絶縁膜を接着材で接着することにより、貼り合わされている半導体装置に関する。また前記増幅回路は、薄膜トランジスタを有するカレントミラー回路である。またカラーフィルタに代えて、カラーフィルムを用いてもよい。 （もっと読む）

【課題】微弱光を低電圧で検出可能にする。
【解決手段】有機薄膜受光素子１は、基板２と、基板２表面上に形成され、紫外線，可視光線，及び近赤外線のうちのいずれかの光に対して透過性を有する陽極３と、陽極３の表面上に形成された光導電性有機半導体層４と、光導電性有機半導体層４の表面上に形成された陰極５とを備え、光導電性有機半導体層４は、光導電性有機半導体と、外部から電圧が印加されていない状態においても光導電性有機半導体層４内部に電場を発生する強誘電性高分子樹脂材料により形成されている。 （もっと読む）

【課題】カルコゲナイド層を有する薄膜トランジスタ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】チャンネル層を構成する非晶質のカルコゲナイド層と、非晶質のカルコゲナイド層の両側部にそれぞれ形成されてソース及びドレイン領域を構成する結晶質のカルコゲナイド層と、結晶質のカルコゲナイド層に連結されたソース電極及びドレイン電極と、非晶質のカルコゲナイド層の上部または下部に、ゲート絶縁層を介在して形成されたゲート電極とを備える薄膜トランジスタである。これにより、カルコゲナイド層を光伝導層として利用して光薄膜トランジスタを具現したり、非晶質のカルコゲナイド層と結晶質のカルコゲナイド層とによって、ダイオード整流機能を具備する電気薄膜トランジスタを具現できる。 （もっと読む）

【課題】駆動回路に対し、光電変換素子をその感度特性のばらつきの影響を考慮して配置したカラーイメージセンサを提供することを目的とする。
【解決手段】有機化合物層で形成された光電変換層が陽極と陰極の間に狭持され、光電変換する所定の色ごとに列状に配置される光電変換素子３と、光電変換素子３が生成する信号電流による出力を検知し、その信号電荷を読み出すＩＣチップ４と、光電変換素子３とＩＣチップ４とを結ぶ配線５と、を基板上に備えるカラーイメージセンサであって、光電変換素子３は、各色の光電変換素子３に入射される光の最大照度をＩ（ルクス）とし、感度をα［ボルト／（ルクス・時間）］としたときに、各色の光電変換素子３の内、Ｉとαとの積が小さいものほど、ＩＣチップ４から離れた位置に光電変換領域を大きくして設けられる。 （もっと読む）