【課題】光電変換素子として機能し、低い暗電流を示し、かつ素子を加熱処理した場合にも暗電流の増加幅を小さくすることが可能な光電変換素子及びそのような光電変換素子を備えた撮像素子を提供する。
【解決手段】透明導電性膜、光電変換膜、及び導電性膜をこの順で有する光電変換素子であって、前記光電変換膜は、光電変換層、及び電子ブロッキング層を含み、前記電子ブロッキング層が下記一般式（Ｙ１）で表される化合物を含有する、光電変換素子。一般式（Ｙ１）


（式中、Ｒ_１〜Ｒ_８、Ｒ’_１〜Ｒ’_８、及びＲ’’_１〜Ｒ’’_８は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アリール基、複素環基、水酸基、アミノ基、又はメルカプト基を表し、これらは更に置換基を有してもよい。） （もっと読む）

【課題】光電変換素子に適用した場合に高い光電変換効率を有する光電変換素子として機能し、かつ、暗電流の絶対値が小さく、かつ室温〜６０℃の温度下において、良好な特性を示す、有機光電変換素子を用いた固体撮像素子を提供する。さらに性能の温度依存性が十分小さい有機光電変換素子を提供する。
【解決手段】一対の電極と、前記一対の電極の間に挟持された光電変換層を含む光電変換素子であって、前記光電変換層がフラーレン又はフラーレン誘導体とｐ型有機半導体材料が混合されたバルクへテロ層であり、前記光電変換層のイオン化ポテンシャルが５．２ｅＶ以上５．６ｅＶ以下であり、前記一対の電極の少なくとも一方の電極と、前記光電変換層との間に、少なくとも一層の電子ブロッキング層を備え、光電変換層と隣接する前記電子ブロッキング層のイオン化ポテンシャルが前記光電変換層のイオン化ポテンシャルよりも大きいことを特徴とする光電変換素子。 （もっと読む）

【課題】暗電流の増加を低減し、かつ素子を加熱処理した場合にも暗電流の増加幅を小さくすることが可能な光電変換素子における電子ブロッキング層の形成に適した化合物の提供。
【解決手段】例えば下記化合物。
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【課題】波長６００ｎｍ以上の赤色領域の吸光度を制御することができる光電変換素子、及び該光電変換素子を用いて色再現性が向上した撮像素子を提供すること。
【解決手段】一対の電極と、前記一対の電極間に配置された光電変換層とを含む光電変換素子であって、前記光電変換層がｐ型半導体化合物と二種類以上の異なる無置換フラーレンを含む光電変換素子。該光電変換素子を含む撮像素子。 （もっと読む）

【課題】結晶性の良好な化合物半導体層、特にIII族窒化物系化合物半導体層を有する半導体素子を作製する方法を提供する。
【解決手段】サファイア基板上に下地層を成膜する工程と、下地層上にＳｉＯ₂ 膜の帯状パターンマスクを形成し、次いで下地層及びサファイア基板の上部をエッチングして帯状の凸部と溝状の凹部とを交互に周期的に備えた凹凸構造を形成する工程と、その凹凸構造上にＧａＮ層を横方向成長法により成長させる工程と、この横方向成長工程の前（または後）に、識別マークを基板の少なくとも一方の面側に形成する工程と、識別マークを基準にして低欠陥密度領域上に半導体素子形成領域を位置決めする位置決め工程とを含む。横方向成長工程において、低欠陥密度領域と高欠陥密度領域とが交互に周期的に形成されることを利用して、低欠陥密度領域の特定、および半導体素子形成領域の位置決めを行う。 （もっと読む）

【課題】十分な感度と耐熱性が得られ、高速応答性を示す光電変換素子及び固体撮像素子の提供。
【解決手段】一般式（Ｉ）で表される化合物及び該化合物を含有する光電変換材料。


（式中、Ｚ_１は、２つの炭素原子を含む環であって、５員環、６員環、又は、５員環及び６員環の少なくともいずれかを含む縮合環を表す。Ｌ_１、Ｌ_２、Ｌ_３は、それぞれ独立に無置換メチン基又は置換メチン基を表す。ｎは０以上の整数を表す。Ｒ_１〜Ｒ_６は、それぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、隣あったそれぞれ互いに結合して環を形成してもよい。Ｒ_２１、Ｒ_２２は、それぞれ独立に、置換アリール基、無置換アリール基、置換ヘテロアリール基、又は無置換ヘテロアリール基を表す。） （もっと読む）

【課題】 紫外線非照射時の暗電流を低減し、光応答性に優れる紫外線センサを提供すること。
【解決手段】 酸化亜鉛系半導体からなる薄膜と、前記酸化亜鉛系半導体よりもバンドギャップの大きい酸化物半導体からなる薄膜とからなる半導体層と、紫外線受光により発生する電流を取り出す電極とを備えており、前記酸化亜鉛系半導体と前記酸化物半導体とが積層されており、前記酸化物半導体が受光側であることを特徴とする紫外線センサとする。 （もっと読む）

【課題】光−電気変換の量子効率が高く、受光素子及び発光素子として、優れた実用性が得られる鉄シリサイド半導体薄膜を有する光半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板１上に、スパッタ法、蒸着法又はレーザアブレーション法により粒径が１０乃至１００ｎｍの微細多結晶からなる第１のβ−ＦｅＳｉ_２層２を初期層として形成する。次いで、化学気相成長法又は気相エピタキシ法により初期層の結晶粒の横方向成長を促進しつつ第１のβ−ＦｅＳｉ_２層２上に粒径が１０乃至１００μｍの第２のβ−ＦｅＳｉ_２層３を形成する。 （もっと読む）

【課題】高い吸収係数を有する有機材料を用いた光電変換素子を提供する。
【解決手段】離間して設けられた第１電極２１及び第２電極２２、及び、第１電極２１と第２電極２２との間に設けられた光電変換材料層３０を備えた光電変換素子において、光電変換材料層は、以下の構造式（１）から成る。
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【課題】電荷輸送性、安定性に優れた有機半導体材料として有用な芳香族化合物の提供。
【解決手段】式（１）


［式中、Ａｒ^１１は、芳香環を含む基を示し、Ｘ^１１及びＸ^１２は、式（１ａ）又は式（１ｂ）で表される基を示す。］で表される芳香族化合物。 （もっと読む）

【課題】 軽量で信頼性が高く、紫外線から赤外線までの広い波長帯域に感度を有する広波長帯域光検出器アレイを安価に提供する。
【解決手段】 シリコンオンサファイア（SOS)上に読み出しIC（ROIC)と紫外または青色受光素子を形成し、化合物半導体基板上に赤色・赤外受光素子を形成し、両者の電極同士を貼り合わせる。異なった波長に対応する同一光路上の複数の光検出器の出力を独立にかつ同時に検出することにより、スペクトル情報を位置ずれ、時間ずれなしに取得する。 （もっと読む）

【課題】高温熱処理後における性能劣化を防止し、かつ、高い性能を得ることのできる光電変換素子を提供する。
【解決手段】一対の電極（画素電極６、対向電極１０）と、画素電極６及び対向電極１０の間に設けられた有機化合物を含む光電変換層９と、光電変換層９と画素電極６との間に設けられた電荷ブロッキング層７とを有する有機光電変換素子Ｐであって、光電変換層９と電荷ブロッキング層７との間に設けられ、ガラス転移温度が２００℃以上の有機化合物で構成された中間層８を備える。 （もっと読む）

【課題】高い外部量子効率を示し、かつ、暗電流値が低く、素子を加熱処理した場合にも、外部量子効率の低下を抑え、暗電流の増加幅を小さくすることが可能な、耐熱性に優れた光電変換素子及びそのような光電変換素子を備えた撮像素子を提供すること。
【解決手段】導電性薄膜、有機光電変換膜、ブロッキング層及び透明導電性薄膜を含んでなる光電変換素子。有機光電変換膜が、ガラス転移点（Ｔｇ）が１００℃以上のｐ型有機光電変換材料であってアモルファス膜を形成するｐ型有機光電変換材料を含有し、ブロッキング層が、Ｔｇが１４０℃以上であるブロッキング材料を含有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】アモルファスシリコン、あるいは微結晶シリコンで作製したフォトダイオードを使用し、構造が簡単で、かつ低電圧で駆動可能なフォトセンサ装置を提供する。
【解決手段】複数のフォトダイオードがアレイ状に配置されたフォトダイオードアレイと、前記フォトダイオードアレイの各行のフォトダイオードの第１電極に接続される複数の走査線と、前記フォトダイオードアレイの各列のフォトダイオードの第２電極に接続される複数の読出線と、前記複数の走査線に接続され、１水平走査期間毎に、前記各走査線に順次選択走査信号を供給する走査回路と、前記複数の読出線に接続され、信号読み出し時に、１水平走査期間の前記各読出線の電圧変動を信号電圧として取り込む信号処理回路とを備え、前記各フォトダイオードは、アモルファスシリコンあるいは微結晶シリコンで作製されており、信号読み出し時に、前記各フォトダイオードに対して、順方向のバイアス電圧が印加される。 （もっと読む）

【課題】サファイア基板上に高品質なＩＩＩ族窒化物を結晶成長させ、高品質な半導体装置を得ることが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】直接窒化されたサファイア基板２上のＡｌＮ層にラジカル源５から窒素ラジカル又は窒素イオンを含む気体を所定時間照射する。その後、成長させるＩＩＩ族窒化物の構成元素からなるターゲット３ａに窒素雰囲気中でパルスレーザ光を照射するＰＬＤ(パルスレーザ堆積)法によってＩＩＩ族窒化物を結晶成長させることにより、極めて高品質なＮ極性結晶を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】安価に製造することができ、フレキシブルな基板上に形成することが可能な高精度な紫外線センサを提供することを課題とする。
【解決手段】酸化物半導体膜を有するトランジスタと、前記トランジスタのゲートに接続する電圧源を有し、前記トランジスタのしきい値電圧は前記酸化物半導体膜に紫外線を照射することによって変化し、前記トランジスタのしきい値電圧の変化は酸化物半導体膜に照射される紫外線の波長に依存し、前記電圧源は前記トランジスタのゲートに出力する電圧を調整する構成を有する半導体装置。 （もっと読む）

【課題】 窒化物半導体を用いて良好な量子効率（電子取り出し効率）の受光素子を得ることを目的とする。
【解決手段】 それぞれが窒化物半導体からなるｎ型層、活性層及びｐ型層を順に有する受光素子であって、ｎ型層と活性層との間には、ｎ型層から順に、ｎ型層のｎ型不純物濃度よりも小さいｎ型不純物濃度の第１層と、第１層の格子定数よりも大きい格子定数の第２層と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高い光電変換効率及び耐久性を有する有機光電変換素子、それを用いた太陽電池及び光センサアレイを提供する。
【解決手段】陰極、陽極、及びｐ型半導体材料とｎ型半導体材料が混合された光電変換層を有する有機光電変換素子であって、前記光電変換層が、少なくとも下記一般式（１）で表される構造を有する化合物を含有する有機光電変換素子。


（式中、Ａ_１及びＡ_２は各々独立して、置換又は無置換の５〜６員のアリール又はヘテロアリール基から選ばれる基を表す。） （もっと読む）