【課題】熱熱的衝撃や物理的衝撃が発生した場合でも保護膜が剥がれることがなく、かつ、離型性に優れた保護膜を備えたシリコン溶融ルツボやそれに用いられる離型材を提供する。
【解決手段】本発明に係るシリコン溶融ルツボは、耐熱性部材からなるルツボ本体１の少なくとも内表面１ａ上に保護膜２が設けられたシリコン溶融ルツボであって、前記保護膜２は、表面に酸化膜が形成され、前記酸化膜の直接的な内層がＳｉＯ_ＸＮ_Ｙ（Ｘ＞０、Ｙ＞０）組成を有する複数の固体粒子が前記酸化膜を介して各々連結されている。 （もっと読む）

【課題】基板上に薄膜成長核を形成する場合に、大気圧環境下で、高温プロセスを排除し、かつスループットを低下させることなく、さらには薄膜成長核の無駄を発生させることなく容易に薄膜成長核を形成することにより膜製造設備のコストの低減及び膜製造コストの低減を図ることができる膜製造方法を提供する。
【解決手段】金属若しくは半導体を構成する元素、又はその元素からなるイオンを組成中に含む物質の溶液又は懸濁液を、基板上に塗布し、乾燥させた後、大気圧水素プラズマにて曝露処理することにより、基板上に薄膜を形成するための薄膜成長核を形成する。 （もっと読む）

【課題】 不純物の少ない高品質な結晶シリコンを製造するための坩堝、および結晶シリコン粒子の製造装置を提供すること。
【解決手段】シリコンを溶融する筒状の溶融部１ａを有する坩堝１であって、溶融部１ａは、外周面に開口した気孔を有するセラミックスを含んで成るとともに、前記気孔内に第１の酸化珪素６が封入されている。 （もっと読む）

【課題】 シリコン粒子を安定的かつ高効率に単結晶化するとともに、単結晶シリコン粒子を低コストに製造することができる結晶シリコン粒子の製造方法を提供すること。
【解決手段】 結晶シリコン粒子の製造方法は、窒素ガスから成る雰囲気ガスまたは窒素ガスを主成分として含む雰囲気ガス中で、シリコン粒子１０１をシリコンの融点以下の温度に加熱してシリコン粒子１０１の表面に窒化珪素膜を形成し、次に酸素ガスから成る雰囲気ガスまたは酸素ガス及び不活性ガスから成る雰囲気ガス中で、シリコン粒子１０１を加熱して窒化珪素膜の内側のシリコンを溶融させて降温して凝固させて単結晶化とする。 （もっと読む）

【課題】 坩堝のノズル部からのシリコン融液の排出を中断することなく、結晶シリコン粒子を連続的に低コストに製造することができる結晶シリコン粒子の製造方法及び結晶シリコン粒子の製造装置を提供すること。
【解決手段】 結晶シリコン粒子の製造方法は、坩堝１のノズル部１aからシリコン融液４を粒状に排出し、排出された粒状のシリコン融液４を冷却して凝固させることによって結晶シリコン粒子８を製造する結晶シリコン粒子８の製造方法であって、シリコン融液の単位時間当たりの排出量から排出速度を測定し、坩堝１へ供給されたシリコン原料の単位時間当たりの溶融量である溶融速度が排出速度以上となるようにシリコン原料の供給重量を制御する。 （もっと読む）

【課題】粒径の均一な結晶シリコン粒子を高い生産性で低コストに製造することができる結晶シリコン粒子の製造方法、及びその製造方法に用いられる耐シリコン融液部材を提供する。
【解決手段】坩堝１のノズル部１ａからシリコン融液６を滴状に排出して、シリコン融液４を冷却して凝固させることによって結晶シリコン粒子５を製造する結晶シリコン粒子５の製造方法において、ノズル部１ａは窒化珪素を含む材料から成るとともに少なくとも表層部が酸窒化珪素から成る。 （もっと読む）

【課題】結晶品質のよい多結晶半導体膜を形成して、半導体デバイスの性能の向上を図る。
【解決手段】エアロゾルチャンバー１５において、シリコンなどのナノ粒子ＮＰを、ボンベ１９から供給されるキャリアガスと混合し、キャリアガスによって、ノズル１４からワークＷ（基板）に、高速で衝突させる。これにより、結晶品質のよい結晶粒を有する多結晶半導体膜が形成される。ナノ粒子ＮＰとしてシリコンのナノ粒子ＮＰを用い、ｐ型ポリシリコン膜とｎ型ポリシリコン膜とを堆積して、ポリシリコンｐｎ接合部を光電変換部とする太陽電池を製造することにより、品質の向上だけでなく、製造コストの低減を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】基盤原料を生産する為の資源消費も多く、地球環境を良くするという太陽電池本来の目的のため、シリコンの使用量を減らす。このため、基盤原料の消費量が少ないシリコン膜を用いて、電池の厚さを薄くしても入射した太陽光を効率良く光電変換する事の出来る太陽電池を提供する。
【解決手段】金属製基盤１１上のアルミ金属層１０の上に、ｐ型シリコン層９を形成し、その上にｎ型ＨＳＧシリコン層を形成した構成を有する太陽電池。 （もっと読む）

【課題】シーメンス法による多結晶シリコンの製造において、シリコンロッドを長手方向で均等に成長させ、シリコンロッドの倒壊事故を防止する。
【解決手段】電極の頂部中心をＡ点、原料ガス供給ノズルの頂部中心をＢ点、電極中心線からの水平方向の離間距離をＤ、Ａ点レベルから下方へのレベル差をＬとしたとき、前記複数本の電極の全てが下記の条件１、２、３を共に満足する。 １：Ｄ＝８０〜４５０ｍｍを満足する電極回りの領域Ａ₁ 内で、Ｄ／Ｌ＝６を満足する面Ｘより下でＤ／Ｌ＝０．８を満足する面Ｙ₁ より上の領域Ｂ₁ 内に少なくとも１個のＢ点が存在する。 ２：Ｄ＝８０〜４５０ｍｍを満足する電極回りの領域Ａ₁ 内で、Ｄ／Ｌ＝０．８を満足する面Ｙ₁ より下でＬ＝６００ｍｍを満足する面Ｚより上の領域Ｃ₁ 内にＢ点が存在しない。 ３：Ｄ＝８０ｍｍ未満を満足する電極回りの領域Ｄ内で、Ｌ＝６００ｍｍを満足する面Ｚより上の領域Ｅ内にＢ点が存在しない。 （もっと読む）

【課題】金属材料および半導体材料のうち少なくともいずれかを一方を含有材料の融液から直接基板の主面上に作製されるシートの厚さの分布を低減する。
【解決手段】本シート製造方法は、一方の主面１００ｍに複数の凸部１００ｐを有する基板の主面１００ｍを金属材料および半導体材料のうち少なくともいずれか一方を含有する材料の融液に接触させ、材料の固相を主面１００ｍ上で凸部１００ｐを起点として成長させることにより、材料を主成分とするシートを得るシート製造方法であって、基板１００の一部分の凸部１０１ｐの熱抵抗値が基板１００の他の部分の凸部１０４ｐの熱抵抗値に比べて大きいことを特徴とする （もっと読む）

【課題】ハイブリッド薄膜太陽電池の製造工程の融通性を高めて生産効率を改善するとともに光電変換特性をも改善し得る製造方法を提供する。
【解決手段】プラズマＣＶＤによって基板側から順に堆積される第１のｐ型層、非晶質ｉ型光電変換層、および第１のｎ型層を含む非晶質光電変換ユニットと、第２のｐ型層、結晶質ｉ型光電変換層、および第２のｎ型層を含む結晶質光電変換ユニットとを含むハイブリッド薄膜太陽電池の製造方法において、非晶質ｉ型光電変換層を堆積した後に引続いて付加的なｉ型中間層を堆積し、このｉ型中間層の堆積時には非晶質ｉ型光電変換層の堆積時に比べてＳｉ含有ガスに対する水素希釈ガスの割合が大きくされ、ｉ型中間層の堆積の途中または完了後に基板が大気中に取出されてｉ型中間層が大気に露呈され、その後にｉ型中間層上に第１のｎ型層および前記結晶質光電変換ユニットが堆積される。 （もっと読む）

【課題】変換効率の向上を図れる多結晶シリコン薄膜の製造方法、多結晶シリコン薄膜基板および多結晶シリコン薄膜型太陽電池を提供する。
【解決手段】半多結晶シリコン薄膜の製造方法は、ガラス基板１上にアモルファスシリコン層２を形成する工程と、アモルファスシリコン層２上にシリコンと共晶反応する金属からなるアルミニウム層３を形成する工程と、積層基板を加熱する工程とを備える。この加熱により、アモルファスシリコン層２のアモルファスシリコンがアルミニウム層３中に固溶するとともに結晶化し、多結晶シリコン層４が形成される。ガラス基板１の上にアルミニウム層３が形成され、アルミニウム層３の上に多結晶シリコン層４が形成された多結晶シリコン薄膜基板４０が得られる。 （もっと読む）

【課題】球状結晶の製造において、単一サイズの球状結晶を効率良く生産すると同時に、結晶性の高い球状結晶を作製する方法を提供する。
【解決手段】球状結晶９を作製するための原料を溶融坩堝１において加熱して溶融し、所定の圧力を溶融坩堝１内の融液８上面にかけながら、原料の融液８の液流を坩堝１の底部に設けたノズル１２の穴より吐出させ、落下管５中を落下させながら冷却させ凝固させる球状結晶の製造方法において、ノズル１２の穴の下の落下管５中で不活性ガスを一定の周期で間歇的に噴出して、吐出された溶融液流８１を細断して、単一サイズの球状結晶９とする。 （もっと読む）

【課題】低コストな半導体材料の再生装置を提供する。
【解決手段】本発明の半導体材料の再生装置３０Ａは、リン除去装置３４とサーマルドナー装置４０とが含まれる。更に、再生装置３０Ａは、シリコン屑回収装置３２にて回収されたシリコン屑を再生する。また、再生装置３０Ａにより不純物が除去された半導体材料は、太陽電池製造装置４２により製造される太陽電池の材料として使用される。本発明の半導体装置の再生装置３０Ａにより、従来よりも低コストで半導体材料を再生させることができる。 （もっと読む）

【課題】結晶系薄膜シリコン光起電力装置は単結晶シリコンに比べて結晶の質が悪く、光電変換特性が依然劣っている。また、結晶性シリコン膜を化学気相成長法によって、１μｍ以上の厚さで堆積する必要があり生産性が悪いといった問題がある。また、成膜に必要なガスの収率が悪く、経済的にも十分なメリットを見いだせないでいる。
【解決手段】絶縁表面を有する基板若しくは絶縁基板に設けた単結晶半導体層を光電変換層とする光起電力装置であって、単結晶半導体層は絶縁層を介して該基板と接合させる所謂ＳＯＩ構造を備えたことを要旨とする。光電変換層としての機能を奏する単結晶半導体層は単結晶半導体基板の表層部を剥離して転置されたものが適用される。 （もっと読む）

【課題】低純度シリコンを用いて高純度の多結晶シリコン膜を基板上に形成する。
【解決手段】まず、アルミニウム膜１２を石英基板１０上に形成し、次いで低純度シリコンを蒸発源として非晶質シリコン膜１４をアルミニウム膜１２の上に形成することにより、積層基板１６を得る。続いて、積層基板１６を５２５℃で１９時間加熱することにより、アルミニウム膜１２と非晶質シリコン膜１４とが固溶・拡散して非晶質シリコン膜１４中のシリコンが石英基板１０上に結晶化しつつアルミニウム膜１２が該結晶化したシリコンより表面側に移動するようにする。このとき、アルミニウムは、低純度シリコンに含まれる不純物（鉄など）の固溶限界濃度がシリコンよりも大きい金属であるため、不純物はアルミニウム膜１２に集積され、多結晶シリコン膜１８は高純度となる。 （もっと読む）

本発明は、水平金属誘導結晶化を利用する低温多結晶シリコン光起電力装置の製造方法に関する。非晶質シリコン薄膜を形成して薄膜内に前記薄膜の深さ以下の深さを有する溝を形成して、その上に金属層を形成し、前記非晶質シリコン薄膜を水平的に多結晶化を進行させる金属誘導結晶化方法を利用する低温多結晶シリコン太陽電池の製造方法を提供する。本発明によると、結晶の模様とその成長方向を調節することができるので、電流の流れを改善した低温多結晶シリコン薄膜を形成することができる。
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【課題】上述したタイプの方法および結晶化シリコンのさらなる開発という課題に基づき、ここでは、強制的に対応する炭素含有量の増加を生じることなく、酸素含有量の増加が達成できる。
【解決手段】成形用部品を使用しながらＥＦＧ法により結晶化シリコンを製造する方法であって、前記部品とシリコン融液との間で成長領域において結晶化シリコンが成長し、前記シリコン融液および／または引き上げゾーンに不活性ガスならびに少なくとも水蒸気が導入され、前記水蒸気により前記結晶化シリコン中の酸素含有量を高める製造方法により、酸素含有量の増加が可能であって、炭素含有量を増加させることなく、不活性ガスにさらなる流体として水蒸気を混入させる方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】高周波励起のプラズマＣＶＤ法によるシリコン系薄膜の形成方法において、比較的低温下で安価に、生産性よく結晶化度の高い多結晶シリコン系薄膜を形成する。
【解決手段】成膜時のガス圧を０．００９５Ｐａ〜６４Ｐａの範囲から、成膜室内へ導入する成膜原料ガスの導入流量Ｍｓに対する希釈ガスの導入流量Ｍｄの比（Ｍｄ／Ｍｓ）を０〜１２００の範囲から、高周波電力密度を０．００２４Ｗ／ｃｍ³ 〜１１Ｗ／ｃｍ³ の範囲からそれぞれ選択、決定するとともに、成膜時のプラズマポテンシャルを２５Ｖ以下、プラズマ中電子密度を１×１０¹⁰個／ｃｍ³ 以上に維持して膜形成し、且つ、それら圧力等の組み合わせをレーザラマン散乱分光法による膜中シリコンの結晶性評価においてアモルファスシリコン成分に起因するＩａに対する結晶化シリコン成分に起因するＩｃの比（Ｉｃ／Ｉａ＝結晶化度）が８以上となる組み合わせとして多結晶シリコン系薄膜を形成する。 （もっと読む）

１つ以上の半導体基板、例えば、単結晶シリコン、ポリシリコン、シリコンゲルマニウム、ゲルマニウム、ＩＩＩ／ＩＶ族材料などを使用して材料の自立厚みを製作するための方法。具体的な実施形態では、本発明の方法は、表面領域および厚みを有する半導体基板を準備するステップを含む。この方法は、この半導体基板の表面領域を、線形加速器を使用して発生された第１の複数の高エネルギー粒子に曝露して、劈開領域内に複数のゲッターリング部位の領域を形成するステップであって、この劈開領域は分離されるべき材料の厚みを画定するために上記表面領域の下に提供され、上記半導体基板は第１の温度に維持されているステップを含む。具体的な実施形態では、この方法は、この半導体基板の表面領域を上記線形加速器を使用して発生された第２の複数の高エネルギー粒子に曝露するステップであって、この第２の複数の高エネルギー粒子は上記劈開領域の応力レベルを第１の応力レベルから第２の応力レベルへと高めるために提供されるステップを含む。好ましい実施形態では、この半導体基板は第１の温度より高い第２の温度に維持される。この方法は、劈開プロセス、例えば、制御された劈開プロセスを使用して、分離可能な材料の厚みを切り離す。 （もっと読む）