【課題】粗金属シリコンを溶融精製してなる一般工業材料および太陽電池材料として適度な純度を有する金属シリコンとその製造方法を提供する。
【解決手段】溶融粗金属シリコンを一方向凝固によって精製したものであって、３Ｎ以上〜６Ｎ以下の純度を有し、平均結晶粒径１mm以上であることを特徴とする金属シリコン、および微細シリカを内周層に含む容器に入れた溶融粗金属シリコンを１mm/min以下の速度で一方向凝固させ、引き続き２℃/min以下の速度で２００℃以下に冷却し、好ましくは、凝固速度０.１〜１mm/min、冷却速度０.１〜２℃/minで凝固冷し、３Ｎ以上〜６Ｎ以下の純度を有し、平均結晶粒径１mm以上の金属シリコンを製造する方法。 （もっと読む）

【課題】 薄板製造装置において、薄板状多結晶体を成長させるための第１の坩堝内に収容される熔融原料から該原料の炭化物を除去し、炭化物をほとんど含有せず、品質が均一で、高い機械的強度を有し、良好な特性を有する薄板状多結晶体を製造する。
【解決手段】 第１の熔融加熱炉２と、第２の熔融加熱炉３と、固体原料供給手段４と、図示しない熔融原料供給手段と、第１の冷却部材５と、図示しない第１の保持手段と、第２の冷却部材６と、図示しない第２の保持手段と、図示しない第１の冷却部材搬送手段とを含む薄板製造装置１において、第２の冷却部材６を第１の熔融加熱炉２に含まれる第１の坩堝１０に収容される炭化物を含む熔融原料８中に浸漬させることによって、第２の冷却部材６表面に炭化物を付着させて炭化物を除去する。 （もっと読む）

低純度シリコン材料を精製し、より高純度のシリコン材料を得る方法及び装置が提供される。この方法は、オキシ燃料バーナーを備えた溶融装置を設けることと、この溶融装置において前記低純度シリコン材料を溶融して、より高純度のシリコン材料の溶融物を得ることとを含んでいる。この溶融装置は回転ドラム炉を含んでも良く、低純度シリコン材料の溶融は、酸化性又は還元性雰囲気下で、１４１０℃乃至１７００℃の範囲にある温度で行われても良い。溶融中に、合成スラグが、溶融状態の材料に添加されても良い。より高純度のシリコン材料の溶融物は、開いた頂部と断熱された底壁及び側壁とを有した型の中へ流出することによって、スラグから分離され得る。型に入ったら、より高純度のシリコン材料の溶融物を制御された一方向固化に供し、更に高純度の固体多結晶シリコンを得ることができる。 （もっと読む）

【課題】優れた電気的性質を有する粒界を有し(品質が単結晶なみ)、かつ強度が、従来の多結晶よりも強い多結晶材料の製造方法を提供する。
【解決手段】坩堝内の融液からの結晶成長において、坩堝底部に粒界エネルギーの高い粒界を有する多結晶を形成し、次に、一方向成長を行い、粒界エネルギーの高い粒界から、粒界エネルギーの低い粒界を形成するバルク多結晶材料の製造方法で、バルク多結晶材料が、シリコンまたはシリコンゲルマニウム多結晶であるバルク多結晶材料の製造方法。 （もっと読む）

【課題】可燃性ガスや毒性ガスを用いる必要がなく環境負荷を十分に低減することができるとともに、高熱を印加する必要がなく投入するエネルギーを十分に少なくすることができ、シリコンを効率よく形成することが可能なシリコンの形成方法を提供すること。
【解決手段】３０〜９９．９原子％の珪素と、０．１〜５０原子％の還元性金属元素とを含有する珪素含有材料に、酸素分圧が１０^−２Ｐａ以下の真空雰囲気下で、波長１９２〜１０６４ｎｍ、パルス幅１００ナノ秒〜１０フェムト秒、照射強度１０^８〜１０^１５Ｗ／ｃｍ^２のレーザー光を照射し、シリコンを得ることを特徴とするシリコンの形成方法。 （もっと読む）

【課題】成長基板に成長したシート状基板をその成長基板から自動的に剥離するシート状基板剥離装置と、シート状基板を成長基板から剥離するシート状基板剥離方法を提供する。
【解決手段】シート状基板剥離装置１はシート状シリコン基板を成長させるための成長用基板３と、シート状基板を剥離するための真空吸着パッド１１と、シート状基板を搬送するためのベルヌーイ吸着パッド１３とを備えている。成長基板３には、成長基板３を掴むようにシート状シリコン基板を成長させる第１面、第２面および第３面が設けられている。真空吸着パッド１１は、成長基板において第２面が位置する一端側から第２面と対向する他端側に至る長さの３分の１以下の距離にところに位置する部分に成長したシート状シリコン基板の部分が吸着される。 （もっと読む）

【課題】 絶縁層と上部電極層を簡便に形成することにより、生産性を向上させ、かつ低コストで高性能、高信頼性の光電変換装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 下部電極としての導電性基板の一主面に、表面に一方導電型の半導体部が形成された他方導電型の結晶半導体粒子を多数個互いに間隔をあけて配置するとともにそれらの下部を導電性基板に接合し、次に多数個の結晶半導体粒子をそれぞれ露出させる多数の貫通孔が形成された上部電極としての導電板を導電性基板の一主面に絶縁体を介して設け、次に導電板と各結晶半導体粒子とを電気的に接続する導電性接着剤をインクジェット法によって導電板と各結晶半導体粒子との間を架け渡すように塗布し、次に導電性接着剤を焼成することにより、高耐熱性絶縁層と低抵抗上部電極層を実現させることで、低コストで高効率の光電変換装置を実現した。
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【課題】クロロシランを効率良く金属で還元して高純度の多結晶シリコンを製造する方法を提供する。
【解決手段】工程（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）を有することを特徴とする多結晶シリコンの製造方法。
（Ａ）温度Ｔ１で下式（１）
原料である、ＳｉＨ_nＣｌ_4-n （１）
（式中、ｎは０〜３の整数。）
で示されるクロロシランを金属で還元して、シリコン化合物を得る工程、
（Ｂ）該シリコン化合物を温度Ｔ２（Ｔ１＞Ｔ２の関係にある。）の部分に移送する工程、
（Ｃ）該温度Ｔ２の部分に多結晶シリコンを析出させる工程、ここで
温度Ｔ１が、金属の融点（絶対温度）の１．２９倍以上であり、
温度Ｔ２が、金属の塩化物の昇華点又は沸点より高い。 （もっと読む）

【課題】生産効率が高く、製造装置の破損のおそれの少ない固相シートの製造方法およびそれに用いる固相シート成長用基体を提供する。
【解決手段】固相シート成長用基体は、主面と、主面を取り囲む側面とを有する。主面は周縁溝によって周縁溝より外側の周辺部と周縁溝より内側の内側部とに区画され、周辺部の側面には周縁溝から分離されたスリット溝が形成されている。 （もっと読む）

【課題】孔の部分に光電変換素子を装着した支持体、その裏面に電気絶縁層を介して接合した導電体層を具備する光電変換装置の前記電気絶縁層を改良して、製造工程を合理化する。
【解決手段】支持体の裏面に電気絶縁層を形成するための、半硬化状態の電気絶縁性シートを貼り付ける工程、電気絶縁性シートに金属シートを貼り付ける工程、及び電気絶縁性シートを硬化させる工程を含む光電変換装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】坩堝に収容した溶湯に基板を接触させて金属材料および半導体材料のうち少なくとも一方を含む材料の薄板を製造する方法において、溶湯の液揺れにより溶湯が坩堝の外部に溢れ出し、坩堝上部の断熱材に溶湯が染み込む事態を回避し、断熱材の断熱性を均一に保つことができる薄板製造装置および同装置用の坩堝を提供する。
【解決手段】防波堤構造１０６を有する坩堝１０１と、坩堝１０１の側壁上面の外周側であって坩堝１０１の側壁上面の内周側より低い位置に設置した断熱材１０５と、基板搬送手段１２０とを備えた薄板製造装置１００において、防波堤構造１０６は、坩堝１０１の側壁上面の内周側にあり、防波堤構造１０６の上端が、断熱材１０６の上端より高い位置にある。 （もっと読む）

【課題】
多孔質成長基板表面の磨耗を抑制しながら多孔質成長基板表面に付着した酸化シリコン粉末を効率よく除去する装置、および、シート状基板の作製方法を提供する。
【解決手段】
ロールブラシと、多孔質成長基板を前記ロールブラシのブラシ毛に接触させながら移動させることができる基板移動手段と、を有し、ブラシ毛の線径が０．３ｍｍ以下であることを特徴とする多孔質成長基板クリーニング装置を用いることにより、多孔質成長基板表面の磨耗を抑制しながら多孔質成長基板表面に付着した酸化シリコン粉末を効率よく除去する。この多孔質成長基板クリーニング装置により清掃された多孔質成長基板の表面をシリコン融液に浸漬して前記多孔質成長基板の表面にシリコン状シート基板を成長させることにより、シート状基板を作製する。 （もっと読む）

【課題】低コストの太陽電池用シリコン多結晶を製造する方法及びその装置を提供することを目的とする。
【解決手段】シリコンの塩素化合物を還元することによってシリコンを製造する方法であって、少なくとも、金属を液状粒子とし、該金属の液状粒子を気体状のシリコンの塩素化合物と接触させ、該シリコンの塩素化合物を還元することによってシリコンを生成することを特徴とするシリコンの製造方法及びシリコンの製造装置であって、少なくとも、金属の粒子と気体状のシリコンの塩素化合物とを反応させる反応容器と、前記反応容器を加熱する手段と、前記反応容器内に前記金属の粒子を供給する手段と、前記反応容器内に前記シリコンの塩素化合物を供給する手段と、前記反応容器内の流体を排出する手段と、生成したシリコンを捕集するための容器とを備えることを特徴とするシリコンの製造装置。 （もっと読む）

【課題】 所望の粒子径かつ均一粒子径の粒状半導体を高い生産性でもって再現性よく製造する製造装置および製造方法を提供すること。
【解決手段】 坩堝１のノズル部１ａからシリコンの融液を粒状に排出して落下させるとともに、この粒状の融液を落下中に冷却して凝固させることによって粒状シリコンを製造する粒状シリコンの製造装置において、坩堝１を振動させる加振手段と、坩堝１内を加圧して融液を排出する加圧手段と、排出された融液を観察する観察手段４と、観察された融液の液滴の粒子径を所定の粒子径と比較して、液滴の粒子径が所定の粒子径よりも大きいときには加振手段による振動の振動数を上げ、液滴の粒子径が所定の粒子径よりも小さいときには加振手段による振動の振動数を下げるように制御する制御手段とを具備する。 （もっと読む）

【課題】 融液から余分な飛沫の発生を抑制するとともに、安定して粒径の揃った粒状半導体を得ることができるとともに、高い結晶性を持った粒状半導体を得ることができる粒状半導体の製造装置および製造方法を提供すること。
【解決手段】 坩堝３のノズル部２からシリコンの融液１を粒状に排出して落下させるとともに、この粒状の融液１を落下中に冷却して凝固させることによって粒状シリコンを製造する粒状シリコンの製造装置であって、坩堝３を振動させる加振手段７と、坩堝３内を加圧して融液４を排出する加圧手段と、排出された融液１を観察する観察手段９と、観察された融液１の落下状態を調節するために加振手段７を制御する制御手段とを具備している粒状シリコンの製造装置である。 （もっと読む）

本発明は、（ａ）反応管と、（ｂ）反応管を取り囲む反応器シェルと、（ｃ）シリコン粒子層が形成されシリコン析出が起きる反応管内に形成される内部領域、及び不活性ガス雰囲気下に維持される反応器シェルと反応管の間に形成される外部領域と、並びに（ｄ）内部領域と外部領域との間の圧力差が０バール（ｂａｒ）以上１バール以下の範囲内に維持される制御手段と、を備え、それによって、比較的高反応圧力下であっても反応管の物理的安定性を維持でき、粒状多結晶シリコンを効率的に製造することができる、流動層反応器中での粒状多結晶シリコンの大量製造方法に関する。
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【課題】触媒材料によるシリコン結晶化の長所を生かすとともに、光電変換特性の優れた太陽電池を提供する。
【解決手段】基板上に形成された、第１の結晶性シリコン膜と、第１の結晶性シリコン膜上に形成されたリンを含有する第２の結晶性シリコン膜と、を有する太陽電池であって、第２の結晶性シリコン膜には、第１の結晶性シリコン膜の結晶化を促進する元素が含まれている。また、第１の結晶性シリコン膜にはボロンが含まれていても良い。 （もっと読む）

【課題】 坩堝内へ供給される固体の金属または半導体材料を、迅速に溶融させることができる高周波誘導加熱装置および高周波誘導溶解方法を提供する。
【解決手段】 高周波誘導コイル４で磁界を発生させることによって坩堝３内のたとえばシリコンを加熱し溶融させる高周波誘導加熱装置１の坩堝３は、底面部３ａと側壁部３ｂとを有し、側壁部３ｂの下部の薄肉側壁部１１の肉厚ｔ１が、側壁部３ｂの上部の厚肉側壁部１２の肉厚ｔ２よりも薄くなるように形成される。この高周波誘導加熱装置１を用いる溶解方法では、坩堝３から溶融シリコン２を排出するに際し、坩堝３内に溶融シリコン２を一部残し、溶融シリコン２が残留する坩堝３内に固体シリコン２ａを供給し、高周波誘導コイル４が発生する磁界によって発熱する坩堝３および溶融シリコン２からの熱伝導で固体シリコン２ａを溶解する。 （もっと読む）

【課題】バリの落下による基板搬送の能率低減を軽減するとともに、薄板の生産効率を向上する薄板製造用基板、薄板製造装置、および薄板製造方法を提供する。
【解決手段】融液に表面を浸漬し、表面に融液が凝固することにより薄板を形成する薄板製造用基板１０は、本体部１と、バリ受け部２とを備え、本体部１は、表面６を含む。バリ受け部２は、本体部１の表面６以外の面と接続され、表面６側から見た本体部１の外縁より外側に延在するバリ受け部２とを備えている。 （もっと読む）

【課題】簡素かつ安全な工程で、水素が注入された結晶質半導体粒子を製造することができる結晶質半導体粒子の製造方法、および該製造方法により製造された結晶質半導体粒子が使用され、高い光電変換効率を有する光電変換装置の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】結晶質シリコン粒子３の材料であるシリコン融液１１を粒状に排出して、落下させるとともに、該落下中にシリコン融液１１を冷却させて凝固させることにより結晶質シリコン粒子３を製造する。この際、シリコン融液１１を、水素化合物を含有する雰囲気中で落下させるとともに、該落下中にシリコン融液１１を冷却させて凝固させる。従って、簡素かつ安全な工程で、結晶中のダングリングボンドに水素が結合され、結晶欠陥が不活性化された結晶質シリコン粒子３を製造することができる。 （もっと読む）