【課題】耐候性、耐水性、防湿性等の諸特性に優れた、安価で耐久性のある太陽電池用裏面保護シートに有用な積層体を提供すること。また、当該積層体を用いた太陽電池用裏面保護シートを提供すること。
【解決手段】高分子樹脂組成物からなる基材フィルム１の少なくとも一方の面に、無機化合物からなる蒸着層２と、シランカップリング剤またはその加水分解物と、ポリオールと、イソシアネート化合物と、を含むコーティング液を塗布し、加熱乾燥してなる被膜層３と、を順次積層してなることを特徴とする積層体。該積層体の片面または両面に接着剤を介して耐候性フィルムを貼りあわせてなることを特徴とする太陽電池用裏面保護シート。 （もっと読む）

【課題】高い移動度を有し光起電力を利用する有機電子デバイス、該デバイスを容易なプロセスで作製する方法を提供する。
【解決手段】従来とは異なる特定の環状構造のビシクロ化合物を溶媒に溶解した溶液を基板上に塗布することにより膜を製膜し、次いで加熱等の外部作用を加えることで、該ビシクロ化合物からエチレン誘導体を脱離させることにより基板上で変換された化合物を有機半導体として用いてなる光起電力を利用する有機電子デバイス、及びその作製方法。 （もっと読む）

【課題】新規な有機電気発光化合物及びこれを使用する有機電気発光素子の提供。
【解決手段】高い発光効率を示す新規な有機電気発光化合物及びこれを含有する有機電気発光素子であって、該有機電気発光化合物は、化学式１によって表される。


（Ｒ_１〜Ｒ_４はＨ、Ｃ１〜Ｃ６０アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン等であり、Ｒ_５はＨ、Ｃ１〜Ｃ６０アルキル基、ハロゲン、Ｃ１〜Ｃ６０アリールであり、Ｒ_６〜Ｒ_７はＨ、ハロゲン置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ６０アルキル基、Ｃ１〜Ｃ６０アリール等である。Ｌは有機配位子であり、ｎは１〜３の整数である。） （もっと読む）

【課題】 本発明は、ＣＩＳ系薄膜太陽電池の高抵抗バッファ層を、一連の製造ラインで効率的に生産可能で、廃液等の処理も不要な、生産効率の高いＣＩＳ系薄膜太陽電池の製造方法を得ることを課題とする。
【解決手段】 基板上に裏面電極を製作する工程と、裏面電極上にｐ型ＣＩＳ系光吸収層を製膜する工程と、上記ｐ型ＣＩＳ系光吸収層上に、直接、酸化亜鉛系薄膜からなるバッファ層を製膜する工程と、上記バッファ層上に酸化亜鉛系薄膜からなるｎ型透明導電膜を製膜する工程と、を有し、上記バッファ層製膜工程及び、上記ｎ型透明導電膜製膜工程は、ＭＯＣＶＤ法により行われ、上記ｎ型透明導電膜層製膜工程の原料モル比（[Ｏ]／[Ｚｎ]）よりも、上記バッファ層製膜工程の原料モル比（[Ｏ]／[Ｚｎ]）を高くした。 （もっと読む）

【課題】優れた光学的特性を示す中間層の製造技術を開発することにより、各シリコン系薄膜光電変換ユニットで発生する電流を高い値でバランスさせた、変換効率の高い多接合型シリコン系光電変換装置を提供する。
【解決手段】多接合型シリコン系薄膜光電変換装置は、中間層を介して直列接続された薄膜光電変換装置であって、前記中間層は透明酸化物層／金属層／透明酸化物層の順に積層することによる。 （もっと読む）

【課題】太陽電池モジュールにおける光電変換素子の接続用電極と配線部材との相互の位置ずれが抑制される構造を提供する。
【解決手段】接続用電極３を備える光電変換素子１と、接続用電極３との接続面に凸部６または凹部５の少なくとも一方を有する配線部材５とが、相互の凹部または凸部において係合され電気的に接続されている。この構造によれば、製作工程における半田付け時に、接続用電極を備える光電変換素子と配線部材とにおいて配線の位置ずれを防止することができる。 （もっと読む）

【課題】
バルクへテロ接合を有する有機光電変換素子において、バルクへテロ接合層と対極電極間での再結合，リーク漏れ電流を抑制するとともに、内部直列抵抗を低減し、光電変換効率を向上することができる有機薄膜光電変換素子を提供する。
【解決手段】
光透過性の基板上に形成された透明導電体層と、該透明導電体層の表面を覆う正孔輸送膜と、該正孔輸送膜と接するバルクへテロ接合型光電変換層と、該光電変換層の表面を覆う電子輸送膜と、該電子輸送膜を覆う対極電極とを有する光電変換素子とし、電子輸送膜によって光電変換層からの正孔を防止し、再結合またはリーク漏れ電流を抑制し、且つｐｎ接合領域を向上させる。 （もっと読む）

【課題】限られた資材を有効に利用して、需要を賄う量の光電変換装置を生産することが困難であった。そこで、シリコン半導体材料を有効に利用して光電変換特性の優れた光電変換装置を提供することを目的とする。
【解決手段】単結晶半導体層の一方の面に第１電極と一導電型の第１不純物半導体層が設けられ、他方の面に一導電型とは逆の導電型の第２不純物半導体層が設けられた第１ユニットセルと、非単結晶半導体層の一方の面に一導電型の第３不純物半導体層が設けられ、他方の面に一導電型とは逆の導電型の第４純物半導体層と第２電極が設けられた第２ユニットセルとを有し、第１ユニットセルと第２ユニットセルは、中間層を介して直列接続され、中間層は遷移金属酸化物を含んでおり、第１電極の単結晶半導体層とは反対側の面に絶縁層が設けられ、絶縁層が支持基板と接合している光電変換装置である。 （もっと読む）

【課題】電気伝導性が良く、バンドギャップもＩｎＡｓより大きいＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体多結晶薄膜を提供することを目的とする。
【解決手段】Ｇａ組成ｘが０＜ｘ＜０．５を満たすＩｎ_1-xＧａ_xＡｓ多結晶薄膜を、分子線蒸着法によってガラス基板又はプラスチック基板上に形成することで、バンドギャップがＩｎＡｓより大きく、十分な電気伝導性を持ったｎ型のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体多結晶薄膜を得る。このようにして形成したＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体多結晶薄膜を半導体装置のｎ型層に用いる。 （もっと読む）

【課題】簡単な構造で、高い安定性および変換効率を有する光電変換材料およびそれを用いた光電池を提供する。
【解決手段】光電変換材料は、電子供与体と、電子受容体としての球殻状炭素（フラーレン類など）と、電荷輸送体としての線状又は筒状炭素（カーボンナノチューブなど）とを含む。この光電変換材料は、さらに光増感剤（ポルフィリン類など）を含んでいてもよい。光電変換材料において、各成分は二次元的又は三次元的に配置又は配向させてもよく、例えば、電子供与体を含む電子供与層と、光増感剤を含む光増感層と、電子受容体と電子輸送体とを含む電荷輸送層とで積層構造の光電変換材料又は素子を構成できる。電子供与層および電荷輸送層には球殻状の炭素を含有させてもよく、電子供与層における球殻状炭素の濃度は電荷輸送層よりも小さくしてもよい。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ＣＩＳ系薄膜太陽電池の高抵抗バッファ層を、一連の製造ラインで効率的に生産可能で、廃液等の処理も不要な、生産効率の高いＣＩＳ系薄膜太陽電池の積層構造、集積構造及びその製造方法を得ることを課題とする。
【解決手段】 裏面電極、ｐ型ＣＩＳ系光吸収層、高抵抗バッファ層、ｎ型透明導電膜の順に積層されたＣＩＳ系薄膜太陽電池において、高抵抗バッファ層およびｎ型透明導電膜は酸化亜鉛系薄膜からなり、バッファ層は、ｐ型ＣＩＳ系光吸収層と直接接しており、バッファ層の抵抗率は５００Ω・ｃｍ以上とした。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、ＣＩＳ系薄膜太陽電池の高抵抗バッファ層を、一連の製造ラインで効率的に生産可能で、廃液等の処理も不要な、生産効率の高いＣＩＳ系薄膜太陽電池の製造方法を得ることを課題とする。
【解決手段】 基板上に裏面電極を製作する工程と、裏面電極上にｐ型ＣＩＳ系光吸収層を製膜する工程と、上記ｐ型ＣＩＳ系光吸収層上に、直接、酸化亜鉛系薄膜からなるバッファ層を製膜する工程と、上記バッファ層上に酸化亜鉛系薄膜からなるｎ型透明導電膜を製膜する工程とを有し、上記バッファ層製膜工程は、ＭＯＣＶＤ法により行われ、上記ｎ型透明導電膜層の製膜時の基板温度よりも、上記バッファ層製膜工程の基板温度を高くした。 （もっと読む）

【課題】スルーホールの内壁面とスルーホール電極との間における短絡の発生を抑制した太陽電池及び太陽電池の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】スルーホールの内壁面を異方性エッチングする第１エッチング工程と、受光面を異方性エッチングする第２エッチング工程とを備え、第１エッチング工程では、高濃度ＮａＯＨ液（約５重量％）を用い、第２エッチング工程では、低濃度ＮａＯＨ液（約１．５重量％）を用いる。 （もっと読む）

【課題】 セレン化／硫化法を用いて、リークを抑えて高いＦＦを維持しつつ高いＶ_ｏｃを達成し、ひいては高い変換効率を実現することができるＣＩＳ系薄膜太陽電池の光吸収層の製造方法を提供する。
【解決手段】Ｃｕ／Ｇａ，Ｃｕ／Ｉｎ，Ｃｕ−Ｇａ／Ｉｎのいずれか一つを含む処理対象物を、セレン源を導入した状態でＴ_１の温度でΔｔ_１時間加熱保持してセレン化物とした後、硫黄源を導入して硫黄雰囲気に変えて、Ｔ_２の温度でΔｔ_２時間加熱保持し、更に、Ｔ_３の温度に降下させてその温度でΔｔ_３時間加熱保持する。 （もっと読む）

【課題】高い信頼性を維持しながら、製造が容易で、コストが低くなる太陽電池パネルを提供する。
【解決手段】太陽電池パネルは、透光性基板１とセル層２とバスバー５と防水シート６と充填層３と保護層４と電極８とを具備する。セル層２は、透光性基板１上に設けられている。バスバー５は、セル層２の両極の各々に設けられている。防水シート６は、バスバー５上に金属膜２３と第１開口部２１ａを有する絶縁膜２１とがこの順に積層されている。充填層３は、セル層２、バスバー５及び防水シート６上に設けられている。保護層４は、充填層３上に設けられ、第１開口部２１ａの上方に、第１開口部２１ａより大きい第２開口部４ａを有する。電極８は、一端を第１開口部２１ａに露出した金属膜２３に接続され、他端を第２開口部４ａから引き出される。 （もっと読む）

【課題】コストを増加させずに光電変換効率を向上させる光起電力素子の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】基板１０１の上に前駆体膜１０２ａを形成する工程と、前駆体膜１０２ａの上に第２の半導体薄膜１０３を形成する工程と、第２の半導体薄膜１０３をキャップ層として熱エネルギーを付与することにより、前駆体膜１０２ａを結晶化して第１の半導体薄膜１０２ｂを形成する工程と、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】軽量かつ高熱伝導性で、割れにくく可撓性を有し、絶縁性に優れ、好適な耐電圧特性を有する太陽電池を提供する。
【解決手段】絶縁性の陽極酸化膜を有するアルミニウム基板上に、Ｉｂ族元素とIIIｂ族元素とVIｂ族元素とからなる半導体層を含む光電変換層を有する、太陽電池。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、漏れ電流を抑えつつ光電変換効率を向上する安定した光電変換素子を提供することを目的とする。
【解決手段】
本発明の光電変換素子は、光透過性の基板上に形成された透明導電体層と、該透明導電体層の表面を覆う有機半導体層Ａと、該有機半導体層と接する光電変換層と、該光電変換層と接する有機半導体層Ｂと、該有機半導体層Ｂと接する対極とを有する光電変換素子において、有機半導体層Ａと光電変換層の界面に凹凸構造を有する光電変換素子としたことを特徴とする。また、有機半導体層Ａと光電変換層の界面に凹凸構造を形成し、透明導電層と有機半導体層Ａとの界面に対して、有機半導体層Ａと光電変換層との界面が１.５〜１０倍の比表面積を有する光電変換素子としたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】生産性が高く大型化を可能にした、デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】蒸着源３０２から有機材料を基材１０Ａ上に斜方蒸着することで有機半導体層を形成するデバイスの製造方法である。 （もっと読む）

【課題】作製が簡便で、大気下でも安定した動作をし、しかも高いキャリア移動度を示す有機光電変換素子、有機電界効果トランジスタ、及び有機電界発光素子などの電子素子を提供する。
【解決手段】複数の電極１５ａ，１５ｂに接した一つのｎ型有機半導体の単結晶１４を含む電子素子であり、上記ｎ型有機半導体１４は、少なくとも１個の、ハロゲン原子およびカルボニル基を除く電子求引性基で置換されたベンゼン環を有する。また、上記電子素子の製造方法は複数の電極１５ａ，１５ｂを設置したボトムコンタクト構造の基板上にｎ型有機半導体の単結晶１４を接触させる。 （もっと読む）