説明

Fターム[5F051CB14]の内容

光起電力装置 (50,037) | アモルファス以外の製造法 (5,187) | 薄膜形成 (1,951) | 真空蒸着法 (241)

Fターム[5F051CB14]に分類される特許

161 - 180 / 241


【課題】入射した光線を有効に利用することができ、優れたエネルギー変換効率を得ることができる有機光電変換素子を提供する。
【解決手段】透明基板2と、透明電極層3と、光電変換層4と、金属電極層5とを備える。透明基板2の受光面に、金属電極層5で反射された光線を再反射する再反射層6を備える。再反射層6は、透明基板2と一体に形成されている。再反射層6は、複数の錐状突起7,9または錐状凹部8からなる。錐は正四角錐であり、底辺が互いに接している。前記正四角錐は、底辺が10〜100μm、頂角が20〜150°である。錐は円錐であり、底面に内接する正方形の外側の部分で互いに重なり合っている。前記円錐は、底面に内接する正方形の一辺が10〜100μm、頂角が20〜150°である。再反射層6は、紫外線遮断材を含む。 (もっと読む)


【課題】 可視光が透過する部分を一部に有するとともに高い光電変換効率で経年変化がなく信頼性の高い太陽電池を実現する。
【解決手段】 太陽電池は、ガラス基板1上に形成された下部電極層2(Mo電極層)と、銅・インジウム・ガリウム・セレンを含むカルコパイライト型の光吸収層3(CIGS光吸収層)と、光吸収層3の上に、InS、ZnS、CdS等で形成される高抵抗のバッファ層薄膜4と、ZnOAl等で形成される上部電極層5(TCO)とから1つの単位となるセル(単位セル)が形成され、さらに、複数の単位セルを直列接続する目的で、上部電極層5と下部電極層2とを接続するコンタクト電極部6が形成され、コンタクト電極部6に隣接し、基板上の下部電極層2(Mo電極層)が形成されていない部位には、光吸収層3の一部が除去され上部電極層5(TCO)が積層されたシースルー部7が形成されている。 (もっと読む)


【課題】太陽電池の表面に形成される表面電極を露出させるのに用いられる煩雑な作業を伴う工程を、太陽電池の製造の際に必要としない太陽電池を提供する。
【解決手段】起電力を取出す表面電極接続リード線のワイヤボンディング又はスポット溶接により表面電極6の表面を覆っている反射防止膜10が破られて、表面電極接続リード線と表面電極6とが接合される太陽電池21を、PN接合部8を少なくとも1つ備えて本体部12を形成し、上記のPN接合部8の端面が本体部12の側面の一部を形成すると共に、本体部12の表面に、表面電極6を備えた表面電極部11、裏面に裏面電極7を形成し、且つ、表面電極部11の表面と側面、及び、表面電極部11が形成されている部分を除く本体部12の表面に、これらの各面を覆う反射防止膜10を形成して構成する。 (もっと読む)


【課題】強度に優れ、かつ、耐候性、耐熱性、耐水性、耐光性、耐風圧性、耐降雹性、耐薬品性、防湿性、防汚性、光反射性、光拡散性、意匠性、その他等の諸特性に優れ、特に、水分、酸素等の侵入を防止する防湿性を著しく向上させ、その長期的な性能劣化を最小限に抑え、極めて耐久性に富み、その保護能力性に優れ、かつ、より低コストで安全な太陽電池モジュールを構成する裏面保護シートおよびそれを使用した太陽電池モジュールを安定的に提供することである。
【解決手段】基材フィルムの片面に、無機酸化物の蒸着膜を設け、更に、上記の無機酸化物の蒸着膜を設けた基材フィルムの両面に、白色化剤と紫外線吸収剤とを含む耐熱性のポリプロピレン系樹脂フィルムを積層することを特徴とする太陽電池モジュール用裏面保護シートおよびそれを使用した太陽電池モジュールに関するものである。 (もっと読む)


銅インジウム二セレン化物(CIS)をベースとする光起電デバイスが、銅、インジウムおよびセレンを含むCISをベースとする太陽光吸収体層を備える。このCISをベースとする光起電デバイスはさらに、シリコーン組成物から形成されるシリコーン層と、金属箔層とを備える基板とを備える。この基板は、シリコーン層および金属箔層の存在により、可撓性であると共に、デバイスの最大効率が得られるよう500℃を超えるアニール温度に十分に耐えることができる。
(もっと読む)


ナノスケール共金属構造を用いた太陽光変換のための装置および方法を開示する。共金属構造は共軸であっても共平面であってもよい。太陽電池として使用されるナノスケール光学装置(100)は、各々が第1の電気導体(120)と第2の電気導体(160)との間に配置される光起電性材料(180)を含む複数のナノスケール共金属構造を備える。太陽電池の製造方法は、複数のナノスケール平面構造を準備するステップと、複数の平面構造の複数の平面を、複数の平面間に空間を残しつつ、光電半導体(180)で被覆するステップと、光電半導体(180)を外側導体層で被覆するステップとを含み、外側導体層の一部が平面構造間に配置されて共平面構造を形成する。
(もっと読む)


【課題】 基板1枚の上に各層を一体的に積層することにより基板枚数の低減化を成し、また、従来2枚の基板間の隙間で決まっていた電解質層の厚みが、電解質を含有したスペーサ層の厚みで決まることによって、電解質層を薄くかつ均一化して、変換効率及び信頼性を高めること。
【解決手段】 光電変換装置1は、基板2上に、透明導電層3、色素4を担持するとともにゲル状の電解質6を含有した多孔質酸化物半導体層5、電解質6と同じ電解質を含有した多孔質スペーサ層7、及び透明導電層8がこの順で一体的に積層された積層体から成る。 (もっと読む)


【課題】半導体基板に十分量のドーパントを拡散させることによって、p-n接合特性を向上できる太陽電池及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の一実施例による太陽電池の製造方法は、半導体基板の一面に多孔性膜を形成する段階と、前記多孔性膜にドーパントを含有する化合物を噴射する段階と、前記ドーパントを拡散させて前記半導体基板の一面にエミッタ層を形成する段階を含む。かかる製造方法を用いることで、導体基板に十分量のドーパントを拡散させることが可能となり、太陽電池のp-n接合特性を向上できる。 (もっと読む)


【課題】耐候性、防湿性などの諸特性が優れ、且つ優れた意匠性を有する太陽電池用裏面保護シート及びそれを用いた太陽電池モジュールを提供することにある。
【解決手段】基材層の片面に少なくとも、酸化アルミニウム、酸化ケイ素又はそれらの混合物からなる無機酸化物の蒸着薄膜層が積層されてなるガスバリア性積層フィルム層の蒸着薄膜層面に、着色層、耐候性樹脂層が順次積層されてなる太陽電池用裏面保護シートにおいて、該着色層及び該耐候性樹脂層が蒸着薄膜層面に電子線硬化型アクリル系インキからなる未硬化被膜層、アクリル系オリゴマーを主成分とする塗布剤からなる未硬化樹脂層を順次積層後に電子線を照射して同時に硬化させたものからなり、その太陽電池用裏面保護シートを用いた太陽電池モジュール。 (もっと読む)


【課題】カルコパイライト吸収層(4,5)を有する太陽電池の製造方法を提供する。
【解決手段】製造過程でNa,K及びLiから選択される元素又は該元素の化合物をドーピング添加することにより、完成した吸収層内に所望のアルカリ金属含量を得る。場合によるアルカリ金属含有基板(1)からのアルカリ金属イオンの付加的拡散侵入は、基板と吸収層の間に拡散遮断層(2)を設けることにより阻止する。 (もっと読む)


本発明による起伏のある透明導電層は、光電装置用の基板に堆積され、隆起部と窪み部との繰り返しによって形成された表面形態を有する。この導電層は、前記窪み部が、半径が約25 nmよりも大きい角を丸めた底部を有すること、この窪み部が実質的に平滑であり、微細な凹凸を示すところでは、該微細な凹凸の平均高さは5 nm未満であること、及びその側面が前記基板の面に関して角度をなしており、角度の絶対値の中央値は30°〜75°であることによって特徴付けられている。 (もっと読む)


【課題】再結合速度の増加による短絡電流の減少を防止する。
【解決手段】太陽電池層23とコンタクト層24とからなる多層半導体層22の受光面側に、カバーフィルムとしてポリイミドフィルム32を形成している。こうして、n型電極25の受光面側に、150℃‐30Minの条件下での熱収縮率が2.0%以下である低熱収縮フィルムを形成することによって、フレキシブル性を持たせるために0.5μm以上且つ30μm以下の厚さで形成されている多層半導体層22に対して、ポリイミドフィルム32からのストレスによる歪の影響が受け難くなる。そのために、上記歪による半導体内部の再結合速度増加によって、短絡電流の減少等の問題が発生するのを防止することができる。 (もっと読む)


本発明は、少なくとも一つの表面の少なくとも複数の領域に、エッチング可能な誘電体層を有するシリコンウェハーが、流体媒体に対する遮蔽のためのシリコン含有マスキング層を伴って提供される、少なくとも一つの光学的反射面を有する、半導体コンポーネントの製造方法に関する。加えて、アルミニウムを含む層がマスキング層に蒸着され、続いて、半導体コンポーネントの熱処理が行われ、結果としてアルミニウムにおけるシリコンが溶解する。さらに、本発明は、シリコンウェハーで作られ、少なくとも一つの光学的反射面を有する、類似の半導体コンポーネントに関する。このタイプの半導体コンポーネントは、特に太陽電池として用いられる。 (もっと読む)


本発明は、一般に、太陽電池、太陽電池内部の材料層、太陽電池の生産方法、および太陽電池生産用の製造装置に関する。本発明による太陽電池は、表面を有してレーザーアブレーションによって生産される少なくとも1つの層を備え、生成される均一な表面積が少なくとも0.2dm2の領域を含み、パルスレーザビームが当該レーザービームを反射するための少なくとも1つのミラーを有する回転式光学スキャナで走査される超短パルスレーザーデポジションを用いることによって、層が生成されている。 (もっと読む)


【課題】 基板としてテクチャ基板を用いた高い光電変換効率を有する太陽電池を実現する。
【解決手段】
表面に凹凸が形成されたテクチャ基板1上に形成された下部電極層2(Mo電極層)と、銅・インジウム・ガリウム・セレンを含む光吸収層3(CIGS光吸収層)と、光吸収層3の上に、InS、ZnS、CdS等で形成される高抵抗のバッファ層薄膜4と、ZnOAl等で形成される上部電極層5(TCO)とから1つの単位となるセル10(単位セル)が形成され、さらに、複数の単位セル10を直列接続する目的で、上部電極層5と下部電極層2とを接続するコンタクト電極部6が形成される。このコンタクト電極部6は、後述するように、光吸収層3のCu/In比率よりも、Cu/In比率が大きく、言い換えると、Inが少なく構成されており、p型半導体である光吸収層3に対してp+(プラス)型もしくは導電体の特性を示している。 (もっと読む)


【課題】
セルの組成に砒素元素を含まず、かつ従来の組成のセルと同等の変換効率が期待できるIII-V族系化合物半導体多接合型太陽電池セルの構造を提供する。
【解決手段】
本発明は、Ge基板上に形成された直上層と、前記直上層上に積層された複数の成長層を有する多接合型太陽電池であって、前記直上層はGaInP、GaSbP、GaInNPの何れかの組成からなり、前記成長層はAl,Ga,Inと,N,P,Sbの元素の組み合わせから成るIII-V族化合物半導体もしくはIII-V族化合物半導体混晶から成る多接合型太陽電池とした。
(もっと読む)


【課題】従来の有機半導体太陽電池と比較して光電エネルギーの変換効率を向上させ、大きな光起電力を発生させることが可能な光起電力装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の光起電力装置は、対向配置された一対の電極11,12間に、光起電力層としてのp型半導体層13及びn型半導体層14が積層された太陽電池セル10を有する光起電力装置であって、前記p型半導体層13とn型半導体層14との間のpn接合15が受光面16に端辺を有し、かつその受光面16に対し傾斜していることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】薄膜太陽電池を提供し、さらに詳細には、透過型集積型薄膜太陽電池及びその製造方法と、その単位セルを電気的に直列接続する方法を提供することである。
【解決手段】本発明に係る透過型集積型薄膜太陽電池の製造方法は、透明基板上に帯状のパターンで離隔し、光が前記透明基板を直接通過し得る所定の空間を含むように、第1導電性物質を形成するステップ(a)と、太陽電池(半導体)層を形成するステップ(b)と、第2導電性物質を斜めに蒸着するステップ(c)と、前記第2導電性物質層をマスクとして、前記太陽電池層をエッチングするステップ(d)と、を含む。 (もっと読む)


【課題】入射光の利用効率が高い有機薄膜太陽電池を提供する。
【解決手段】 第1の電極(正極12)および第2の電極(負極16)と、正極12と負極16との間に配置された電子供与体(電子供与体層14)および電子受容体(電子受容体層15)とを備える。正極12と負極16との間に、有機分子を主要構成要素とするエネルギー移動層(α)(エネルギー移動層13a、13b、13Aおよび13B)を備える。エネルギー移動層(α)は、電子供与体および電子受容体から選ばれる少なくとも1つにエネルギーを移動することが可能な層である。 (もっと読む)


感光性装置は、二つの電極の間に配置された一連の有機光活性層を含む。配列内の各層は配列内の隣接する層と直接接触する。配列は、少なくとも一つのドナー・アクセプターへテロ接合を形成するよう配列され、ドナーとして働く第1ホスト材料を含む第1有機光活性層、第1及び第3有機光活性層の間に配置された第2ホスト材料を含む第2有機光活性薄層、アクセプターとして働く第3ホスト材料を含む第3有機光活性層を含む。第1、第2及び第3ホスト材料は異なる。第2薄層は第1層に関してアクセプターとして働き、第3層に関してドナーとして働く。 (もっと読む)


161 - 180 / 241