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Fターム[5F051EA09]の内容

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Fターム[5F051EA09]に分類される特許

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【課題】成膜された発電層が大気中に曝露されることを原因とする性能低下の問題を解決した集積型光発電素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】共通の基板10上に形成された複数のセルを有する集積型光発電素子Iであって、セルは、基板10と基板10上に分割形成された裏面電極層11と化合物半導体を用い隣接する他のセルと分割溝16によって分割された発電層12と透明電極層14と、を少なくとも備え、発電層12に含まれる元素の少なくとも一部を含み且つ裏面電極層11と透明電極層14とを電気的に短絡する短絡層15を有する集積型光発電素子I(もっと読む)


【課題】複数の収集電極を電解メッキ法によって精度良く形成可能とする太陽電池の製造方法を提供する。
【解決手段】太陽電池10の製造方法は、下地電極12a,13aを互いに電気的に接続する接続配線15を形成する工程と、下地電極12a,13a上に、電解メッキ法によって第1メッキ層12b,13b及び第2メッキ層12c,13cを形成する工程と、接続配線15の一部を除去することによってp側電極12及びn側電極13を形成する工程とを備える。 (もっと読む)


【課題】短冊形ターゲットを用いるマグネトロンスパッタ法においてスパッタ処理効率ないし生産効率の向上を実現する。
【解決手段】このマグネトロンスパッタ装置10は、被処理基板PL,PRを垂直に立てて移動(通過)させながらスパッタ成膜処理を行う縦型通過式のスパッタ装置であって、単一または共通の磁界発生機構42と、左右対称の双子ターゲット12L,12Rとを備える二枚同時処理型のスパッタ装置として構成されている。 (もっと読む)


【課題】きわめて良好な特性の単結晶半導体層をCMP処理や高温の熱処理無しに提供することを目的の一とする。又は、このような単結晶半導体層を有する半導体基板(又はSOI基板)を提供することを目的の一とする。
【解決手段】単結晶半導体層を有する基板の単結晶半導体層表面に、気相エピタキシャル成長法を用いて単結晶半導体層を形成し、絶縁層を介して気相エピタキシャル成長法を用いて形成された単結晶半導体層とベース基板とを貼り合わせ、単結晶半導体層と、気相エピタキシャル成長法を用いて形成された単結晶半導体層との界面において、これらを分離して、ベース基板上に絶縁層を介して単結晶半導体層を形成する。これにより、SOI基板を作製することができる。 (もっと読む)


【課題】製造スループットの低下や裏面反射電極の接続不良を引き起こすことなく分離溝の側壁面におけるサイドリークの発生を防止して、高いモジュール変換効率が得られる薄膜太陽電池の製造方法を得ること。
【解決手段】隣接する薄膜太陽電池セル間が電気的に直列接続するように、透光性絶縁基板上に、第1電極層と、第1導電型半導体層と第2導電型半導体層と第3導電型半導体層とが順次積層された発電層と、第2電極層と、を形成し、第2電極層から第1電極層まで達する分離溝をレーザスクライブにより形成してすることにより複数のセルに分離し、分離した透光性絶縁基板を酸化処理液に浸漬して薄膜太陽電池セルに光照射することによりセルで発電させながら、分離溝の側壁面を光酸化反応により酸化させて第2導電型半導体層よりも大きな電気抵抗値を有する高抵抗層を分離溝の側壁面に形成する。 (もっと読む)


【課題】スクリーン印刷工程にて形成する集電極の表面の凹凸を低減してその抵抗値の低減化を図り、光電変換特性の向上にも寄与できる太陽電池素子の製造方法を提供する。
【解決手段】導電ペーストのスクリーン印刷により、太陽電池素子の集電極
5を形成する際に(d)、そのスクリーン印刷処理を複数回繰り返す。この際、使用するメッシュのパターンを異ならせて、各回のスクリーン印刷処理を行う。複数のスクリーン印刷処理により、形成される集電極5の表面は平坦化する。 (もっと読む)


【課題】後ろ側電極層の分割を確実にすることで、より低いコストで高品質な光起電モジュールを提供する。
【解決手段】光起電モジュールを製造するために、透明な前側電極層3、半導体層4、および後ろ側電極層5が、透明な基板2へと付着させられ、直列に接続されたセルC、Cを形成すべく分割線6によって構造化される。インクジェットプリンタを使用して、半導体層4上の後ろ側電極層5の分割線8を形成すべき領域に水溶性の剥離マス12を塗布し、さらに、剥離マス12および半導体層4の上に後ろ側電極層5が付着させられる。水ジェット13により、後ろ側電極層5が剥離マス12上で機械的に傷つけられ破れ、後ろ側電極層5の破損点において剥離マス12が溶解することで、剥離マス12が形成された部分で後ろ側電極層5が剥離し、分割線8が形成される。 (もっと読む)


【課題】カルコパイライト型の結晶構造を有する化合物にて形成された光吸収層でも、高いエネルギー変換効率を提供できる光起電力素子を提供する。
【解決手段】ガラス基板110の一面の裏面電極層120積層形成したカルコパイライト構造の化合物にて導電性を有するp型の光吸収層130に、光吸収層130とpn接合する透光性でn型のバッファ層140を積層し、バッファ層140より高抵抗で透光性のn型半導体層150を積層する。n型半導体層150に積層するとともに光吸収層130、バッファ層140およびn型半導体層150の一側から裏面電極層120の一方に亘って透光性の透明電極層160を設ける。n型半導体層150を、透明電極層160と同材質の酸化インジウムおよび酸化亜鉛を主要成分とし、仕事関数の差が0.3eV未満、エネルギーバンドギャップの差が0.2eV未満の非晶質薄膜に形成する。 (もっと読む)


【課題】カルコパイライト型の結晶構造を有する化合物にて形成された光吸収層でも長期間安定した特性を提供できる光起電力素子を提供する。
【解決手段】ガラス基板110面上の対をなす裏面電極層120に亘って積層したカルコパイライト構造化合物にて導電性を有するp型の光吸収層130に、光吸収層130とpn接合する透光性でn型のバッファ層140を積層形成する。バッファ層140に積層し光吸収層130およびバッファ層140の一側から裏面電極層120の一方に亘って透光性の透明電極層160を設ける。酸化インジウムおよび酸化亜鉛を主要成分としAFGの表面観察による粒径が0.001μm以下の構成材料を用いて透明電極層160を非晶質薄膜に形成する。耐熱性および耐湿性に優れ光学特性変化を生じない安定した特性の透明電極層160により、長期間安定したエネルギー変換効率を提供できる。 (もっと読む)


【課題】絶縁透光性基板の太陽電池が形成されない面側に汚れが存在すると、レーザスクライブにより裸地部を形成した際、裸地部に導電性膜の取れ残りが生じる。上記課題を解決し、耐久性に優れた太陽電池モジュールの製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁透光性基板上に少なくとも第一電極層、光電変換ユニット及び第二電極層を有する積層体が積層され、前記絶縁透光性基板の表面の周部にはレーザスクライブすることによって積層体が除去された裸地部があり、前記裸地部の一部又は全部と積層体とを被覆する封止層が設けられた光電変換装置の製造方法において、前記レーザスクライブ前に前記絶縁透光性基板を洗浄する洗浄工程と洗浄された前記絶縁透光性基板を乾燥させる乾燥工程を具備することにより、上記課題を解決する。 (もっと読む)


【課題】複数の光電変換層の間に導電性を有する中間層を備える場合にも、背面電極と中間層との電気的短絡を抑制することが可能な光起電力装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板2上に、基板側電極3を第1開溝部3cで分離した第1基板側電極3aと第2基板側電極3b、第1光電変換層4、中間層5、第2光電変換層6を形成する。そして、第1基板側電極3a上において、少なくとも中間層5および第2光電変換層6を切断する第2開溝部10a内に、少なくとも中間層5の切断部を覆い、かつ、第1開溝部3cの上面上に対応する第2光電変換層6上に沿って延びるように絶縁部材8を塗布形成した後、少なくとも第1光電変換層4、中間層5、第2光電変換層6を貫通するとともに、第1基板側電極3aの表面が露出する第3開溝部10bを介して第1基板側電極3aと第2基板側電極側3bの第2光電変換層6とを電気的に接続する背面電極9を形成する。 (もっと読む)


【課題】太陽電池の受光面のシリコン基板表面にミクロンサイズの凹凸を安定して形成させることのできる太陽電池の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板表面に凹凸を形成するエッチング工程を含む太陽電池の製造方法において、上記エッチング工程は、アルカリ水溶液を含むエッチング液を用いて、80℃以上でエッチング処理することを特徴とする。また、エッチング液は、沸点が100℃以上のアルコール系溶剤を含むことが好ましく、アルカリ水溶液は、水酸化ナトリウム水溶液、水酸化カリウム水溶液および水酸化テトラメチルアンモニウム(TMAH)水溶液から選択された少なくとも1種の水溶液であることが好ましい。 (もっと読む)


【課題】複数の光電変換層の間に導電性を有する中間層を備える場合にも背面電極と中間層との電気的短絡を抑制することが可能な光起電力装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板2上に基板側電極3を第1開溝部3cで分離した第1基板側電極3aと第2基板側電極3b、第1光電変換層4、中間層5、第2光電変換層6を形成する。そして第2光電変換層6上に透光性導電層7を形成した後、第1基板側電極3a上において、中間層5、第2光電変換層6および透光性導電層7を切断する第2開溝部10a内に、中間層5の切断部を覆い、かつ、透光性導電層7上に沿って延びるように絶縁部材8を形成するとともに、第1光電変換層4、中間層5、第2光電変換層6、透光性導電層7を貫通し、第1基板側電極3aの表面が露出する第3開溝部10bを介して第1基板側電極3aと第2基板側電極3b側の第2光電変換層6とを電気的に接続する背面電極9と、を形成する。 (もっと読む)


【課題】レーザースクライブ法を利用することにより、薄膜太陽電池パネルにおける積層膜の周縁部をその下地層を含めて除去する方法及び薄膜太陽電池パネルの製造方法の提供。
【解決手段】下地層の形成された透明基板上に、透明電極膜、シリコン膜、及び金属膜からなる積層膜を有している薄膜太陽電池パネルの積層膜の周縁部に、出力200W以上のCWレーザーから発振せしめたレーザービームを照射し、周縁部の全周に亘って積層膜をその下地層を含めて除去すること。このように周縁部の薄膜を除去して薄膜太陽電池パネルを製造する。 (もっと読む)


【課題】基板上の所望の位置に結晶を製造可能な結晶製造装置を提供する。
【解決手段】バネ2は、一方端が架台1に固定され、他方端が磁性体3に連結される。磁性体3は、一方端がバネに連結され、他方端がピストン6に連結される。コイル4は、磁性体3の周囲に巻回されるとともに、電源回路5と、接地ノードGNDとの間に電気的に接続される。ピストン6は、シリンダ7内に挿入された直線部材61を有する。シリンダ7は、中空の円柱形状からなり、底面7Bに小孔71を有する。そして、シリンダ7は、シリコン融液13を保持する。基板11は、シリンダ7の小孔71に対向するようにXYステージ12によって支持される。電源回路5は、パルス状の電流をコイル4に流し、ピストン6を上下方向DR1に移動させる。その結果、液滴14は、1.02m/sの初速度で小孔71から基板11へ向けて噴出される。 (もっと読む)


【課題】ソーラバッテリの製造コストを有効に低減させることが可能な相違性ドーピングソーラバッテリのワンステップ拡散製造方法を提供する。
【解決手段】相違性ドーピングソーラバッテリのワンステップ拡散製造方法は、基板100を準備するステップと、基板100上に複数の開口部を有するドーピング濃度制御層110を形成するステップと、基板100にドーピングを行い、ドーピング濃度制御層110の複数の開口部112の下方に位置する基板100の箇所に高濃度ドーピング領域140を形成し、基板100の他の領域に低濃度ドーピング領域130を形成するステップとを含む。 (もっと読む)


【課題】優れた光透過性を有すると共に、安価に製造することが可能な色素増感型太陽電池用の対極、及びそれを用いた色素増感型太陽電池を提供する。
【解決手段】基材の片面に導電体層と色素を含有させた金属酸化物半導体層とがこの順に積層された光電極と、前記光電極と対をなす対極との間に、電解質層が保持されてなる色素増感型太陽電池用の対極10であって、この対極10は、透明基材1の片面に形成された導電性薄膜からなる細線メッシュパターン2の上に金属メッキ層4が積層された金属メッシュパターン6を有し、且つ、透明基材1と金属メッシュパターン6とにより形成された凹部及び前記金属メッシュパターンの表面には、導電性高分子層5が積層されてなる。 (もっと読む)


【課題】水分が浸入しても、高い発電力を維持することができる太陽電池モジュールを提供する。
【解決手段】本実施形態に係る太陽電池モジュール10は、透明基板11上に積層された第1透明導電膜12、第1透明導電膜12上に積層された光電変換層13、光電変換層13上積層された第2透明導電膜14a、及び第2透明導電膜14a上に積層された金属膜14bから構成される発電領域21を備える。そして金属膜14bは、発電領域21の端部において第2透明導電膜14aの側壁を覆うとともに、光電変換層13に接している。 (もっと読む)


【課題】光起電力装置の信頼性を高める
【解決手段】透明絶縁基板20上で複数のa−Siセルを直列に接続したa−Siユニット200と、基板30上でa−Siセルとは異なる光学バンドギャップを有する複数のμc−Siセルを直列に接続したμc−Siユニット300と、を備え、a−Siユニット200およびμc−Siユニット300の少なくとも一方には透光性無機絶縁層42,52が形成され、a−Siユニット200およびμc−Siユニット300を互いに逆向きの集積方向に透明絶縁基板20および基板30を外側にして対向させて透光性樹脂層400により固着する。 (もっと読む)


【課題】光起電力装置の信頼性を高める。
【解決手段】透明絶縁基板20上で複数のa−Siセルを直列に接続したa−Siユニット200と、基板30上でa−Siセルとは異なる光学バンドギャップを有する複数のμc−Siセルを直列に接続したμc−Siユニット300と、を備え、a−Siユニット200およびμc−Siユニット300の少なくとも一方には透光性無機絶縁層42,52が形成され、a−Siユニット200およびμc−Siユニット300を互いに逆向きの集積方向に透明絶縁基板20および基板30を外側にして対向させて透光性樹脂層400により固着する。 (もっと読む)


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