【課題】薄膜光電変換素子内部の短絡による局所的な発熱を防止できる集積型薄膜太陽電池を提供すること。
【解決手段】透光性絶縁基板１上に透光性第１電極層２、光電変換層３および第２電極層４が順次積層されてなる薄膜光電変換素子５が複数互いに電気的に直列接続されたストリングＳと、ストリングＳにおける任意の薄膜光電変換素子５ａの第２電極層４上に電気的に接合された集電電極６、７とを備え、集電電極６、７と接合した薄膜光電変換素子５ａ、５ｂにおいて、導電部１１ａ、１１ｂが、集電電極６、７よりもストリングＳを流れる電流の電流方向Ｅの上流側と下流側の少なくとも一方に配置され、集電電極６、７の直下およびその近傍位置の第１電極層２が１つ以上の導電部１１ａ、１１ｂにて第２電極層と短絡したことを特徴とする集積型薄膜太陽電池。 （もっと読む）

【課題】 集積型の光電変換装置の分離溝で生じるリークを防ぐと共に、分離溝の幅を狭くする。
【解決手段】 隣り合う光電変換セルの光電変換層が分離溝によって分離された光電変換装置の製造方法であって、分離溝９内に絶縁材料を塗布、硬化して絶縁部３を形成する工程と、絶縁部３の一部を底部まで除去して他方側の光電変換セルから延在する第１導電層を露出させる凹部５を形成する工程と、光電変換層の上と絶縁部材の上と凹部内とに連続する第２導電層６を形成する工程と、絶縁部３の上の第２導電層６に溝部３７を形成する工程とを有する光電変換装置の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】薄膜光電変換素子内部の短絡が原因の発熱によって集電電極が脱落することを防止できる集積型薄膜太陽電池を提供すること。
【解決手段】透光性絶縁基板１上に透光性第１電極層２、光電変換層３および第２電極層４が順次積層されてなる薄膜光電変換素子５が複数互いに電気的に直列接続されたストリングＳと、ストリングＳにおける任意の薄膜光電変換素子５ａの第２電極層４上に電気的に接合された集電電極６、７とを備え、集電電極６、７と接合した薄膜光電変換素子５ａ、５ｂにおいて、第１電極層２の少なくとも集電電極直下部分は、第１電極層２の他部分と絶縁分離されていることを特徴とする集積型薄膜太陽電池。 （もっと読む）

【課題】 比較的簡単な工程で隣り合う単位セルの裏面電極層と透明導電層とを電気的に接続し、その際に接続部分によって光電変換した電流が短絡やリークすることを防止し、さらに光電変換層の損傷を防止できる光電変換装置を実現する。
【解決手段】 透明導電層２、光電変換層４、裏面電極層６がこの順に積層された光電変換セル１０が複数配列され、隣り合う一方および他方の光電変換セル１０ａ、１０ｂの光電変換層４ａ、４ｂとは分離溝９によって分割された光電変換装置であって、一方の光電変換セル１０ａの裏面電極層７ａ上に導電性フィルムとして金属フィルム７ａを張り付けて、この金属フィルム７ａによって分離溝内に延在する隣の光電変換セル１０ｂの透明導電層２ｂの接続部に直接電気的に接続する。 （もっと読む）

【課題】 軽量で、かつ十分な強度及び耐久性を持って既存の建築物の屋根上などに設置することが可能であり、太陽電池から電力を容易に取出し、樹脂シート自体を建築材としても利用することが可能な太陽電池パネル等を提供することにある。
【解決手段】 太陽光の反受光面側（反光入射面側）に位置するガラス繊維を含有し柔軟を有する樹脂シート２と、この樹脂シート２の上に位置するポリエチレン樹脂層３と、このポリエチレン樹脂層３の中に埋設された、フレキシブルであって基板８がポリイミド樹脂からなる太陽電池モジュール４と、ポリエチレン樹脂層３の上に位置するＥＴＦＥ層５と、が積層された太陽電池パネル１であって、太陽電池モジュール４は、ポリイミド樹脂基板８の反受光面側に裏面電極層９を有し、この裏面電極層９より、太陽電池セル７からの電力を取り出すためのリード線１０が、ポリエチレン樹脂層３及び樹脂シート２を貫通して、樹脂シート２の反受光面側に導き出されている。 （もっと読む）

【課題】簡易かつ低コストな方法で集電電極を有する集積型薄膜太陽電池およびその製造方法を提供する。
【解決手段】透光性絶縁基板１上に第１電極層２、光電変換層３および第２電極層４が順次積層されてなる薄膜光電変換素子１５を、複数個互いに電気的に直列接続してストリングＳ２を形成するストリング形成工程と、ストリングＳ２中に複数個接続された薄膜光電変換素子１５に直列接続方向Ａに１つまたは複数のストリング分離溝８を形成すべく光ビーム照射を行うストリング分離溝形成工程と、ストリング分離溝８で分割された各薄膜光電変換素子１５ａ、１５ｂ上に、直列接続方向Ａと直交する方向Ｂに延びる集電電極１６、１７を連続的に接合し、集電電極１６、１７における任意のストリング分離溝８に位置する部分を切断し、直列接続方向Ａの両端の薄膜光電変換素子１５ａ，１５ｂの第２電極層４上に集電電極１６、１７を電気的に接合する。 （もっと読む）

【課題】基板上に所定パターンで形成された第１電極；前記第１電極上に形成された第１半導体層；前記第１半導体層上に所定パターンで形成された第２電極；前記第２電極上に形成された第２半導体層；及び前記第２半導体層上に所定パターンで形成された第３電極を含み、前記第１電極と前記第３電極は電気的に連結される薄膜形太陽電池、及びその製造方法に関する。
【解決手段】第１電極、第１半導体層及び第２電極の組み合わせによって構成される第１太陽電池と、第２電極、第２半導体層及び第３電極の組み合わせによって構成される第２太陽電池が並列に連結される構成を持つことで、第１太陽電池及び第２太陽電池の間に電流マッチングのための工程が必要ではないながらも基板に入射された太陽光が第１太陽電池及び第２太陽電池それぞれに吸収されて全体薄膜形太陽電池の効率が増進される。 （もっと読む）

【課題】非破壊、非接触で効率的にかつ高精度で透明導電膜の抵抗率を計測すること。
【解決手段】事前に行われた検査条件選定方法により選定された波長を有するＰ偏光の照明光を該方法により選定された入射角で、製造ラインを搬送される透光性基板上に製膜された透明導電膜に膜面側から照射する光照射装置３と、透明導電膜において反射された反射光を検出する光検出装置２と、検出した光の強度に基づいて該波長についての反射光の光量に係る評価値を算出し、評価値と抵抗率とが予め関連付けられている相関特性を用いて、算出した評価値から抵抗率を求める情報処理装置７とを具備する抵抗率検査装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】フレキシブル性を有し、外部ストレスに対して耐性がある信頼性の高い光電変換装置を提供する。
【解決手段】互いに対向して設けられた第１の封止層および第２の封止層と、対向する第１の封止層と第２の封止層との間に挟持して設けられた光電変換素子群と、を備えている。第１の封止層は、第１の繊維体に第１の有機樹脂が含浸された第１の構造体を有し、第２の封止層は、第２の繊維体に第２の有機樹脂が含浸された第２の構造体を有し、光電変換素子群の周囲において、対向して設けられた第１の封止層と第２の封止層とが直接接着する領域を有する （もっと読む）

【課題】光電変換装置および光電変換装置モジュールの新規な作製方法を提供する。
【解決手段】ベース基板上に、一表面上に絶縁層および第１電極が順次形成され、所定の深さの領域に脆化層が形成された第１導電型である複数の単結晶半導体基板を貼り合わせた後、脆化層を境として単結晶半導体基板を分割して、絶縁層、第１電極、および第１の単結晶半導体層が順次積層された複数の積層体を形成し、該積層体上に単結晶化した第２の単結晶半導体層、第２導電型である第２不純物半導体層を形成して第１の光電変換層を形成し、第３不純物半導体層、非単結晶半導体層、および第２導電型である第４不純物半導体層を順次形成して第２の光電変換層を形成し、第２電極を形成し、選択的にエッチングして、素子分離された光電変換セルを形成する。一の光電変換セルの第２電極から他の光電変換セルの第１電極へ延在する接続電極を形成する。 （もっと読む）

【課題】放電空間中で凝集し発生した微粒子、真空室内壁面または放電電極上に成膜された後、剥離して発生した破片状粒子等の粒子が被成膜基板上へ付着することを防止し、特性歩留まりの良好な太陽電池等電子デバイスを提供する。
【解決手段】成膜室内において、導入するガスの流れを被成膜基板の成膜面から遠ざかる方向に整流することにより、放電空間で発生した微粒子、及び真空室内壁面や放電電極上から剥離して発生した破片状粒子をガスの流れに乗せて排出し、被成膜基板の成膜面に付着することを防止する。また前記微粒子や破片状粒子は、放電電極表面全体に設けた複数の開口部から吸引し排出し、放電電極上に堆積する膜の量と剥離し排出する膜の量が釣り合った定常状態にすることにより、放電電極のクリーニングを長時間行わずに連続成膜が可能となる。 （もっと読む）

【課題】直列接続構造をなす薄膜太陽電池であって、最下層セルにおけるｎ層の光吸収の低下を抑制し、変換効率が高い薄膜太陽電池の提供。
【解決手段】絶縁性の基板１上に第一電極２、光電変換層４、及び第二電極３を順次形成してなり、光電変換層４が、複数の非単結晶シリコン系薄膜からなるｐｉｎ構造セルで構成され、第一電極上２に形成された光電変換層４が微結晶シリコン薄膜からなるｉ層６を有し、光電変換層４におけるｉ層６の下層５を膜厚２００〜６００ｎｍの非晶質シリコン系材料としたので、光電変換層４における下層５の光吸収の低下を抑制し、変換効率が高いＳＣＡＦ構造の薄膜太陽電池を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】従来の光起電力装置では、隣り合う太陽電池セル同士を直列接続するためのスリットを形成する必要があり、リードタイムの短縮や生産性の向上が図り難いという問題があった。
【解決手段】本発明の光起電力装置では、絶縁性基板８上に裏面電極層９、半導体光活性層１０、透明表面電極層５及び集電配線層４が形成される。直列接続領域Ｗ２では、裏面電極層９と透明表面電極層５を電気的に接続する導電性材料１３が配置される。この構造により、面電極層９と透明表面電極層５とを電気的に接続するスリットが不要となり、リードタイムが短縮され、生産性が向上される。また、製造コストも改善される。 （もっと読む）

【課題】高性能な光学変換素子セルを用いた集積化光学変換装置と、少ない工程数と低コストである集積化光学変換装置の製造方法を提供する。
【解決手段】共通の基板８上に所定の幅を有する分離溝１４ａ，１４ｂ，１４ｃにより絶縁分離され電気的に直列に接続された複数の単位セル素子１５ａ，１５ｂ，１５ｃ，１５ｄと、を有し、単位セル素子は、基板８上に形成され裏面電極取り出し部が設けられた裏面電極層と、裏面電極層の裏面電極取り出し部以外の部分の表面上に形成され光照射によりｐｎ結合を生じる結晶質半導体層と、結晶質半導体層上に形成されグリッド電極が設けられた透明表面電極層と、から構成される光学変換素子セル２０。複数の光学変換素子セル２０を電気的に直列に接続することにより集積化光学変換装置が得られる。 （もっと読む）

【課題】故障が少なく、屋外に設置可能であり、かつ低コストにて容易に製造することができる色素増感太陽電池、その製造方法および色素増感太陽電池モジュールを提供すること。
【解決手段】絶縁性基板１の上に、少なくとも第１電極層２、触媒層３、内部にキャリア輸送材料９を含有する多孔性絶縁層４、内部にキャリア輸送材料を含有しかつ色素が吸着された多孔性半導体層５、透光性を有する第２電極層６、透光性を有するカバー部材７がこの順で積層され、かつ前記絶縁性基板と前記カバー部材の間の周囲部が封止部にて封止されたことを特徴とする色素増感太陽電池。 （もっと読む）

【課題】被加工基板の薄膜のうちパターニングされていない箇所を、迅速かつ確実に、決定すること。
【解決手段】レーザ加工装置は、基板６１と、該基板６１に配置された薄膜６２とを有する太陽電池に用いられる被加工基板６０を加工する。レーザ加工装置は、被加工基板６０を保持する保持部６５と、被加工基板６０の薄膜６２にレーザ光Ｌを照射して、薄膜６２を加工するレーザ発振器１と、保持部６５に保持された被加工基板６０の薄膜６２に対するレーザ光Ｌの照射位置を相対的に移動させる移動機構５と、を備えている。被加工基板６０を透過した光Ｌ’， Ｐ’または被加工基板６０で反射された光Ｌ”，Ｐ”は光センサ１０によって検知され、当該光センサ１０からの信号に基づいて、被加工基板６０の薄膜６２のレーザ光Ｌによるパターニングが正常に行われているか判断部５１によって判断される。 （もっと読む）

【課題】光電変換装置の高効率化と生産性向上の両立を図る。
【解決手段】一導電型の不純物元素が添加された不純物半導体層と、一導電型とは逆の導電型の不純物元素が添加された不純物半導体層との間に、被膜の成膜方向に向かって成長する第１の結晶領域と第２の結晶領域とを含む半導体層を有する。一方の不純物半導体層との界面から第１の結晶領域が成長しており、一方の不純物半導体層との界面から離れた位置から他方の不純物半導体層との界面に向かって第２の結晶領域が成長している。非晶質構造の中に存在している第１の結晶領域と第２の結晶領域とを含む半導体層で、光電変換を行う領域の主要部を構成する。 （もっと読む）

【課題】微結晶材料を一部に含む光電変換層である場合でも、生産スループットを悪化させずに製造することができる光電変換装置を得ること。
【解決手段】絶縁透光性基板２上に、透明導電性材料からなる表面電極層１１−２と、バンドギャップの異なる光電変換層を基板面に垂直な方向に複数含む光電変換体１２と、裏面電極層１８と、を含むセル１０−１〜１０−２が複数配列して形成されるとともに、セル１０−２の裏面電極層１８−２が、セル１０−３の表面電極層１１−３と、このセル１０−３に対向する光電変換体１２の側面上を介して接続される光電変換装置１において、裏面電極層１８−２が形成される光電変換体１２の側面は、側面の下部と表面電極層１１−３との交線を含み基板面に垂直に形成した面との間の距離が基板から離れるにしたがって大きくなるように形成されている。 （もっと読む）

【課題】出力特性が向上された光起電力素子を提供することである。
【解決手段】ｎ型単結晶シリコン基板１１の主面上にｉ型非晶質シリコン膜２１およびｎ型非晶質シリコン膜２２が形成され、ｎ型非晶質シリコン膜２２上に表面電極１２が形成されている。ｎ型単結晶シリコン基板１１の裏面上にｉ型非晶質シリコン膜２３およびｐ型非晶質シリコン膜２４が形成され、ｐ型非晶質シリコン膜２４上に裏面電極１６が形成される。表面電極１２側が主たる受光面となる。ｐ型非晶質シリコン膜２４の膜厚は、６ｎｍ以上８０ｎｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】光電変換層が薄膜で形成される太陽電池において、光の利用効率を低下させることなく、光入射側電極の導電率を高めることができる太陽電池を得ること。
【解決手段】透光性絶縁基板１上に、透明電極層４と、光電変換を行う光電変換層５と、裏面電極層６と、が順に積層され、第１の辺が第２の辺よりも長く形成される矩形状の複数の単位太陽電池セル２が、第２の辺の方向に沿って直列に接続されるように形成される太陽電池において、透光性絶縁基板１上の単位太陽電池セル２が形成される領域に、三角形状の断面を有して第２の辺の方向に延在し、第１の辺の方向に所定の間隔で形成される金属電極層３を備える。 （もっと読む）