【課題】高効率の積層型化合物半導体太陽電池を提供する。
【解決手段】半導体基材と、半導体基材上に形成された化合物半導体からなる太陽電池層と、を含み、太陽電池層の格子定数と、半導体基材の格子定数とが異なっており、半導体基材と太陽電池層との間にＶ族元素としてヒ素（Ａｓ）を含有するＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなるバッファ層を有し、バッファ層の格子定数が、半導体基材の格子定数と太陽電池層の格子定数との間の値である積層型化合物半導体太陽電池である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、太陽電池の光電変換効率を改善させて開放電圧を増加できる色素増感太陽電池用有機色素を提供する。さらに本発明は、上記色素増感太陽電池用有機色素を含んで、光電変換効率が改善された色素増感太陽電池を提供する。
【解決手段】本発明は色素増感太陽電池用色素及びこの色素増感太陽電池用色素を太陽電池用光吸収層に適用した色素増感太陽電池に関するものであって、上記色素は特定のシラン基を有する化合物を含む。 （もっと読む）

【課題】限られた資材を有効に利用して、需要を賄う量の光電変換装置を生産することが困難であった。そこで、シリコン半導体材料を有効に利用して光電変換特性の優れた光電変換装置を提供することを目的とする。
【解決手段】単結晶半導体層の一方の面に第１電極と一導電型の第１不純物半導体層が設けられ、他方の面に一導電型とは逆の導電型の第２不純物半導体層が設けられた第１ユニットセルと、非単結晶半導体層の一方の面に一導電型の第３不純物半導体層が設けられ、他方の面に一導電型とは逆の導電型の第４純物半導体層と第２電極が設けられた第２ユニットセルとを有し、第１ユニットセルと第２ユニットセルは、第２不純物半導体層と第３不純物半導体層が接することで直列接続され、第１電極の単結晶半導体層とは反対側の面に絶縁層が設けられ、絶縁層が支持基板と接合している光電変換装置である。 （もっと読む）

【課題】裏面反射層となる金属膜と支持体との密着性を高めた、信頼性の高い光電変換装置用基板およびそれを用いた光電変換装置を提供することを課題とする。
【解決手段】カルボニル基（−Ｃ(Ｏ)−）を有する化合物で処理された金属酸化物膜の処理面上に金属膜を備えてなることを特徴とする光電変換装置用基板により、上記の課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】ガラス製基板に、該ガラス製基板とは異なる線熱膨張係数を有する素材からなる基板、例えば金属製基板を、熱膨張差に起因する変形を生じさせることなく接合することが可能であり、特に色素増感型太陽電池の製造に好適に利用し得る接合方法を提供する。
【解決手段】ガラス製基板１０に、ガラス製基材１０とは異なる熱膨張係数を有する金属製板材１１を接合する方法において、金属製板材１１の表面に熱可塑性樹脂層１３を形成し、該熱可塑性樹脂層１３を間に挟んでガラス製基板１０を金属製板材１１に圧着させながらレーザー光照射による非接触的加熱により熱可塑性樹脂層１３をガラス製基板１０表面に溶着させることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】強酸性物質や強酸化性物質に晒されても、錆びることなく、導電性に優れた、めっき装置や電気化学的装置を構成するための材料を提供すること。また、ヨウ素等に代表される腐食性物質、酸化性物質の存在雰囲気下での使用においても長時間耐えうる、信頼性に優れた耐食導電被覆材料を提供すること。
【解決手段】特定の金属基体と白金めっき層との間に、熱処理によって形成された４族金属の酸化物及び／または５族金属の酸化物層、白金族金属層及び／またはその酸化物層、およびそれらの混合層が形成されることを特徴とする耐食導電被覆材料。 （もっと読む）

【課題】ハイドロジェンシロキサン系ポリマーを使用して、無機質基材上の凹凸、段差を平坦化でき、クラック、ピンホールがなく、シラノール基等を実質的に含有していないセラミック状酸化ケイ素系被膜を形成する方法、かかる被膜を有する無機質基材の製造方法、かかる被膜に変換可能な被膜形成剤および半導体装置を提供する。
【解決手段】無機質基材にオルガノハイドロジェンシロキサン・ハイドロジェンシロキサンコポリマーを被覆し不活性ガス又は酸素ガス含有不活性ガス（酸素ガスは２０体積％未満である）中で高温加熱して、該被膜をセラミック状酸化ケイ素系被膜に変換することによる、セラミック状酸化ケイ素系被膜の形成方法、該被膜を有する無機質基材の製造方法。オルガノハイドロジェンシロキサン・ハイドロジェンシロキサンコポリマー又はその溶液からなるセラミック状酸化ケイ素系被膜形成剤。無機質基板の酸化ケイ素系被膜上に少なくとも半導体層が形成されている半導体装置。 （もっと読む）

【課題】フレキシブル性の実現と軽量化を図りつつ、長寿命化と変換効率の向上を図った色素増感型太陽電池を提供する。
【解決手段】色素増感型太陽電池は、フレキシブル性を有する第１の薄板ガラス１と、薄板ガラス１上に形成された透明電極２と、透明電極２上に形成され、吸着した色素に光が当たって放出される電子を透明電極２へ伝える酸化チタン多孔質膜４と、フレキシブル性を有する第２の薄板ガラス５と、薄板ガラス５上に形成された対向電極６と、対向電極６と酸化物多孔質膜４の間に封止して設けられ、対向電極６から色素３へ電子を受け渡す電解液７と、を備える。透明電極２上に酸化チタン（TiO₂）の微粒子を含むペーストを塗布し、400〜500℃程度の温度で加熱焼成することができ、抵抗の低い酸化チタン多孔質膜４を形成できる。 （もっと読む）

【課題】高い電気特性を有する太陽電池を安定して作製することができる太陽電池の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板上に、ｎ型不純物を含む第１の拡散剤とｐ型不純物を含む第２の拡散剤とを塗布する工程と、第１の拡散剤および第２の拡散剤の少なくとも一方を覆う保護層を形成する工程と、保護層の形成後の半導体基板を熱処理することによって半導体基板の表面にｎ型不純物およびｐ型不純物の少なくとも一方を拡散させる工程と、を含む、太陽電池の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】 光電変換効率を改善した薄膜光電変換装置を提供する。
【解決手段】 光入射側から順次配置された、透明電極層、１以上の光電変換ユニット、裏面電極層を含む薄膜光電変換装置において、該光電変換ユニットは、光入射方向よりｐ型半導体層、実質的に真性半導体の光電変換層、ｎ型半導体層の順に配置された光電変換ユニットであり、前記透明電極層はＺｎとＭｇとＯとドーピング不純物とを含み、かつ透明電極層は前記光電変換ユニットの１つに含まれるｐ型半導体層と界面で接していることを特徴とする薄膜光電変換装置、によって、課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】変換効率を向上させ得るような構造の色素増感半導体多孔質層を有する色素増感太陽電池の電極基板を提供する。
【解決手段】電極基板表面に形成されている色素増感半導体多孔質層が、球状の酸化物半導体微粒子（Ａ）と該球状酸化物半導体微粒子よりも粒直径の小さな不定形状の酸化物半導体微粒子（Ｂ）とから形成されており、６０％以上の空隙率を有していると共に、ＢＥＴ法で測定して、該半導体多孔質層における細孔容積の最大ピークが細孔径３０ｎｍ以上の領域に存在していることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】絶縁耐圧性と耐候性に優れた薄膜太陽電池を簡便かつ低コストで製造することを可能し得る薄膜太陽電池用基板を提供する。
【解決手段】薄膜太陽電池用基板は、透光性絶縁支持体（１）の一主面上においてその全周縁エッジから所定幅の内側までの全周縁領域以外の全領域に形成された透光性絶縁下地層（２）を含み、その透光性絶縁下地層は表面凹凸を有し、透光性絶縁支持体の全周縁領域と透光性絶縁下地層とを覆うように形成された透明電極層（３）をさらに含み、その透明電極層は主要成分として酸化亜鉛を含むことを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】光の吸収効率が高められかつ集積型薄膜光電変換モジュールに好ましく組み入れられ得る積層型光電変換装置を低コストで提供する。
【解決手段】 ｐｉｎ接合からなる光電変換ユニットを複数含む積層型光電変換装置の製造方法であって、光入射側に近い側から第一の光電変換ユニット、一導電型のシリコン複合層、および第二の光電変換ユニットにより順次構成された部分を少なくとも一つ以上含み、前記シリコン複合層は、シリコンと酸素との非晶質合金母相中に分散したシリコン結晶相を含み、４０原子％以上６０原子％以下の膜中酸素濃度を含んでいて６００ｎｍの波長の光に対して１．７以上２．１以下の屈折率を有するとともに、２０ｎｍより大きく１３０ｎｍより小さい厚さを有し、シリコン複合層をＣＯ₂とＳｉＨ₄のガス流量比が２以上１０以下かつ基板温度が１５０℃以上２５０℃以下で形成したことを特徴とする積層型光電変換装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】複数の光電変換単位素子を接続する接続層によって、デッドスペースが生じる問題を解決する。また切削法の利点を生かしつつ、使用材料の無駄を抑制した色素増感太陽電池モジュールを提供する。
【解決手段】第1支持体と、第1支持体上に形成された導電層と、導電層上に形成された色素担持多孔質半導体からなる作用極と、作用極と所定間隔をあけて対向配置された対極と、導電層と対極間に配置された電解質とからなる光電変換単位素子を備える。そして、第1支持体上に複数形成した光電変換単位素子の間に配置された、前記作用極と同種の多孔質半導体からなる素子隔壁と、前記光電変換単位素子の１つの対極と、該光電変換単位素子と隣接する光電変換単位素子の導電層を電気的に接続する接続層とを具備してなる。 （もっと読む）

【課題】太陽電池用の反射防止及び／又はパッシベーションコーティングを製造する。
【解決手段】堆積チャンバに、シリコンウェハ５を提供する工程と、該シリコンウェハを４００℃を超える温度まで予備加熱する工程と、水素含有反射防止及び／又はパッシベーションコーティングをスパッタプロセスにより堆積する工程とを含む方法、並びに、反射防止及び／又はパッシベーションコーティングをＳｉウェハに製造するコーティング装置であって、第１の真空チャンバ１と、第２の真空チャンバ２と、基板５を該第１及び第２の真空チャンバに、この順番で搬送するための搬送手段４とを含み、該第１の真空チャンバは、少なくとも１つの赤外線ヒータ１６を含み、該第２の真空チャンバは、ターゲットを蒸発させるためのスパッタ手段１２及び水素を含む反応性ガスを導入するためのガス入口を含むコーティング装置に関する。 （もっと読む）

【課題】より安価なシリコン微粒子を原料として低コストで製造可能な太陽電池とその製造方法を提供する。
【解決手段】太陽電池１は、第１の官能基を有する被膜で被覆された透明電極１４の表面に、第２の官能基を有する被膜で被覆されたｎ型シリコン微粒子２４が１層結合固定され、その上には第３の官能基を有する被膜で被覆されたｐ型シリコン微粒子２５が１層結合固定されており、第１と第２の官能基、および第２と第３の官能基とは、カップリング剤のカップリング反応基との間で生成された結合を介してそれぞれ固定されている。 （もっと読む）

【課題】 薄膜の光変換層を結晶性の高い単結晶シリコンとした光閉じ込め型単結晶シリコン太陽電池を提供する。
【解決手段】 単結晶シリコン基板に水素イオンまたは希ガスイオンを注入する工程と、金属基板上に透明絶縁性層を形成する工程と、前記イオン注入面と前記透明絶縁性層の表面とのうち少なくとも一方に表面活性化処理を行う工程と、その両者を貼り合わせる工程と、前記単結晶シリコン基板を機械的に剥離して、単結晶シリコン層とする工程と、前記単結晶シリコン層の前記剥離面側に、第二導電型の拡散領域を複数形成し、前記単結晶シリコン層の前記剥離面に複数の第一導電型領域と複数の第二導電型領域とが存在するようにする工程と、前記単結晶シリコン層の前記複数の第一、第二導電型領域上にそれぞれ複数の個別電極を形成する工程と、それぞれの集電電極を形成する工程と、透明保護膜を形成する工程とを含む単結晶シリコン太陽電池の製造方法。 （もっと読む）

【課題】
色素増感型太陽電池の透明電極に用いる場合の導電性フィルムであって、電解液に接しても容易に腐食したり溶解したりしないような電極材料等を提供する。
【解決手段】
高分子樹脂よりなる基材フィルムの表面に、単数又は複数の導電性物質よりなる導電性薄膜を１層又は２層以上積層してなる導電性フィルムにおいて前記導電性薄膜として用いられる電極材料であって、前記電極材料としての前記導電性物質により形成される前記導電性薄膜のうち少なくとも１つが、電気を通す性質である導電性を有し、かつ前記導電性薄膜を８０℃のヨウ素溶液（ヨウ素、ヨウ化リチウム、ヨウ化テトラブチルアンモニウム（ＴＢＡＩ）、リン酸トリブチル（ＴＢＰ）をアセトニトリル溶液に溶解させてなる溶液）に浸漬した状態で９６時間経過しても体積比で８０％以上が溶解せずに残存している耐ヨウ素性をも有する物質である、導電性フィルムの電極材料とした。 （もっと読む）

【課題】アモルファスシリコン薄膜太陽電池の効率向上に適した表面凹凸構造を有すると同時に、高い絶縁抵抗と耐クラック性の両立が可能となるアモルファスシリコン薄膜太陽電池用絶縁被覆ステンレス箔及びその製造法を提供する。
【解決手段】ステンレス箔１の表面に、ポリジオルガノシロキサンＡ_１と金属アルコキシドＡ_２から形成される有機修飾シリケート層Ａ２と、さらに前記有機修飾シリケート層Ａの上部にポリジオルガノシロキサンＢ_１と金属アルコキシドＢ_２から形成される有機修飾シリケート層Ｂ３とが被覆され、前記有機修飾シリケート層ＢにポリジオルガノシロキサンＢ_１と金属アルコキシドＢ_２から形成される有機修飾シリケート粒子４が含有され、前記有機修飾シリケート層Ｂの表面粗さRaが15nm以上150nm以下で、前記表面の平均最短隣接凸部間距離が50nm以上500nm以下であるアモルファスシリコン太陽電池用絶縁被覆ステンレス箔とする。 （もっと読む）

【課題】高い生産性を有し、かつ低コストに結晶シリコン粒子を連続的に製造可能な結晶シリコン粒子の製造方法及び製造装置を提供する。
【解決手段】シリコン原料供給装置３０は、シリコン原料を貯留するとともに坩堝１へ供給する貯留装置７を有しており、シリコン原料を貯留装置７に供給した後に貯留装置７の内部の圧力を大気圧と同等以下に減圧し、次に不活性ガスを貯留装置７の内部に導入して貯留装置７の内部の酸素濃度を減少させるとともに貯留装置７の内部の不活性ガス圧力を坩堝１の内部の不活性ガス圧力まで加圧する第一の工程と、シリコン原料を坩堝１に供給する第二の工程と、を具備しており、第一及び第二の工程を繰り返す。また、溶融落下製造装置２０において、坩堝１のノズル部１ａからシリコン融液を粒状として排出して落下させるとともに、落下中に冷却して凝固させることによって結晶シリコン粒子５を連続的に製造する。 （もっと読む）